JPH05110257A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
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- JPH05110257A JPH05110257A JP29372791A JP29372791A JPH05110257A JP H05110257 A JPH05110257 A JP H05110257A JP 29372791 A JP29372791 A JP 29372791A JP 29372791 A JP29372791 A JP 29372791A JP H05110257 A JPH05110257 A JP H05110257A
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- Japan
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- reference plane
- multilayer wiring
- wiring board
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 焼成後の反りの発生を極力なくすことができ
る多層配線基板を提供する。 【構成】 グリーンシートを積層し、一括焼成によって
形成される多層配線基板１において、表裏両面５，６か
らの距離が等しい面を中心基準面２とし、中心基準面２
より上方の層を上部層３、下方の層を下部層４とし、上
部層３と下部層４の層構成を中心基準面２に対して対称
となるようにした構成としてある。 【効果】 上部層と下部層の焼成後の収縮率がほぼ同一
となり、反りの発生を極力少なく抑えることができる。
る多層配線基板を提供する。 【構成】 グリーンシートを積層し、一括焼成によって
形成される多層配線基板１において、表裏両面５，６か
らの距離が等しい面を中心基準面２とし、中心基準面２
より上方の層を上部層３、下方の層を下部層４とし、上
部層３と下部層４の層構成を中心基準面２に対して対称
となるようにした構成としてある。 【効果】 上部層と下部層の焼成後の収縮率がほぼ同一
となり、反りの発生を極力少なく抑えることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、グリーンシートを積層
し、一括焼成によって得られる多層配線基板に関する。
し、一括焼成によって得られる多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層配線基板は、グリーンシート等の絶
縁層と、信号又は電源等のメタル層を積層し、各信号層
または各電源層を電気的に接続するスルーホールによっ
て構成されている。また、多層配線基板では、絶縁層と
メタル層とが、異なる材料によって形成されているた
め、その異なる材料の性質、特に焼成後の収縮率の違い
により、焼成後の反りが大きくなるという問題がある。
従来の多層配線基板の構造では、内部の絶縁層とメタル
層とのバランスを考慮していないため、反りが著しく大
きくなる。
縁層と、信号又は電源等のメタル層を積層し、各信号層
または各電源層を電気的に接続するスルーホールによっ
て構成されている。また、多層配線基板では、絶縁層と
メタル層とが、異なる材料によって形成されているた
め、その異なる材料の性質、特に焼成後の収縮率の違い
により、焼成後の反りが大きくなるという問題がある。
従来の多層配線基板の構造では、内部の絶縁層とメタル
層とのバランスを考慮していないため、反りが著しく大
きくなる。
【０００３】図４は従来の多層配線基板の構造を示す図
である。多層配線基板１０１の中心基準面１０２は、多
層配線基板１０１の表面１０５及び裏面１０６より等距
離の面となっている。電源層１０７は、中心基準面１０
２に位置している。中心基準面１０２の上部層１０３に
は、基準の電源層１０７より順次、ＧＮＤ層１０８、配
線層１０９、配線層１１０、ＧＮＤ層１１１、配線層１
１２、配線層１１３、ＧＮＤ層１１４が積層されてい
る。他方、下部層１０４には、基準の電源層１０７より
順次、電源層１１５，１１６，１１７が積層されてい
る。なお、図面左側には、各層の厚みをｍｍ単位で示し
てある。この２層の上部層１０３と下部層１０４のメタ
ル層及び絶縁層の分布を見ると、上部層１０３にメタル
層が集中しており、このため上部層１０３と下部層１０
４の焼成後の収縮率が極端に相違し、多層配線基板１０
１にかなり大きな反りが発生する可能性がある。
である。多層配線基板１０１の中心基準面１０２は、多
層配線基板１０１の表面１０５及び裏面１０６より等距
離の面となっている。電源層１０７は、中心基準面１０
２に位置している。中心基準面１０２の上部層１０３に
は、基準の電源層１０７より順次、ＧＮＤ層１０８、配
線層１０９、配線層１１０、ＧＮＤ層１１１、配線層１
１２、配線層１１３、ＧＮＤ層１１４が積層されてい
る。他方、下部層１０４には、基準の電源層１０７より
順次、電源層１１５，１１６，１１７が積層されてい
る。なお、図面左側には、各層の厚みをｍｍ単位で示し
てある。この２層の上部層１０３と下部層１０４のメタ
ル層及び絶縁層の分布を見ると、上部層１０３にメタル
層が集中しており、このため上部層１０３と下部層１０
４の焼成後の収縮率が極端に相違し、多層配線基板１０
１にかなり大きな反りが発生する可能性がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
多層配線基板では、図４に示したように、中心基準面に
対して上部層と下部層が非対称となっているため、基板
の上部層と下部層の焼成後の収縮率が極端に相違し、こ
の結果基板に大きな反りが発生してしまうという問題点
があった。図４に示す多層配線基板の場合、１００〜２
００μｍの反りが発生する。
多層配線基板では、図４に示したように、中心基準面に
対して上部層と下部層が非対称となっているため、基板
の上部層と下部層の焼成後の収縮率が極端に相違し、こ
の結果基板に大きな反りが発生してしまうという問題点
があった。図４に示す多層配線基板の場合、１００〜２
００μｍの反りが発生する。
【０００５】本発明は、上記問題点にかんがみてなされ
たもので、焼成後の反りの発生を極力なくすことができ
る多層配線基板の提供を目的とする。
たもので、焼成後の反りの発生を極力なくすことができ
る多層配線基板の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の多層配線基板は、グリーンシートを積層し、
一括焼成によって形成される多層配線基板において、表
裏両面からの距離が等しい面を中心基準面とし、該中心
基準面より上方の層を上部層、下方の層を下部層とし、
該上部層と下部層の層構成を前記中心基準面に対して対
称となるようにした構成としてある。
に本発明の多層配線基板は、グリーンシートを積層し、
一括焼成によって形成される多層配線基板において、表
裏両面からの距離が等しい面を中心基準面とし、該中心
基準面より上方の層を上部層、下方の層を下部層とし、
該上部層と下部層の層構成を前記中心基準面に対して対
称となるようにした構成としてある。
【０００７】
【作用】上部層と下部層の層構成を前記中心基準面に対
して対称となるようにしたので、上部層と下部層の焼成
後の収縮率がほぼ同一となり、これによって多層基板の
反りが極力抑えられる。
して対称となるようにしたので、上部層と下部層の焼成
後の収縮率がほぼ同一となり、これによって多層基板の
反りが極力抑えられる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図１は本発明の第１の一実施例による多
層配線基板の構造図である。本多層配線基板１は、配線
層が４層、ＧＮＤ層が３層、電源層が４層から構成され
ている。図中左側には、各層の厚さをｍｍ単位で示して
ある。多層配線基板１の厚さは５．５ｍｍであり、中心
基準面２は基板表面５及び基板裏面６よりそれぞれ２．
７５ｍｍの位置となっている。中心基準面２には、ＧＮ
Ｄ層７ａを設ける。
して説明する。図１は本発明の第１の一実施例による多
層配線基板の構造図である。本多層配線基板１は、配線
層が４層、ＧＮＤ層が３層、電源層が４層から構成され
ている。図中左側には、各層の厚さをｍｍ単位で示して
ある。多層配線基板１の厚さは５．５ｍｍであり、中心
基準面２は基板表面５及び基板裏面６よりそれぞれ２．
７５ｍｍの位置となっている。中心基準面２には、ＧＮ
Ｄ層７ａを設ける。
【０００９】上部層３は、多層配線基板１の中心層であ
るＧＮＤ層７ａを基準として、上部０．２２５ｍｍの位
置に配線層８ａ、上部０．３７５ｍｍの位置に配線層８
ｂ、上部０．６０ｍｍの位置にＧＮＤ層７ｂ、上部１．
２０ｍｍの位置に電源層９ａ、上部１．８０ｍｍの位置
に電源層９ｂを設け、上部２．７５ｍｍの位置が基板表
面５となる構造である。また、下部層４は、ＧＮＤ層７
ａを基準として、下部０．２２５ｍｍの位置に配線層８
ｃ、下部０．３７５ｍｍの位置に配線層８ｄ、下部０．
６０ｍｍの位置にＧＮＤ層７ｃ、下部１．２０ｍｍの位
置に電源層９ｃ、下部１．８０ｍｍの位置に電源層９ｄ
を設け、下部２．７５ｍｍの位置が基板裏面６となる構
造である。以上により、本多層配線基板１は、中心基準
面２を中心に完全対称な構造となっている。この実施例
によれば、多層配線基板１の焼成後の反りが１００μｍ
以下となる結果が得られた。
るＧＮＤ層７ａを基準として、上部０．２２５ｍｍの位
置に配線層８ａ、上部０．３７５ｍｍの位置に配線層８
ｂ、上部０．６０ｍｍの位置にＧＮＤ層７ｂ、上部１．
２０ｍｍの位置に電源層９ａ、上部１．８０ｍｍの位置
に電源層９ｂを設け、上部２．７５ｍｍの位置が基板表
面５となる構造である。また、下部層４は、ＧＮＤ層７
ａを基準として、下部０．２２５ｍｍの位置に配線層８
ｃ、下部０．３７５ｍｍの位置に配線層８ｄ、下部０．
６０ｍｍの位置にＧＮＤ層７ｃ、下部１．２０ｍｍの位
置に電源層９ｃ、下部１．８０ｍｍの位置に電源層９ｄ
を設け、下部２．７５ｍｍの位置が基板裏面６となる構
造である。以上により、本多層配線基板１は、中心基準
面２を中心に完全対称な構造となっている。この実施例
によれば、多層配線基板１の焼成後の反りが１００μｍ
以下となる結果が得られた。
【００１０】図２に本発明の第２の実施例による多層配
線基板の構造図を示す。本多層配線基板１１は、電源層
が奇数層であるため、ダミーのダミー電源層２０を挿入
することにより、電源層を偶数とし、中心基準面１２に
対して対称型としている。多層配線基板１１は、配線層
が４層、ＧＮＤ層が３層、電源層が３層、ダミー電源層
が１層からなる。多層配線基板１１の厚さは第１の実施
例と同じ５．５ｍｍであり、中心基準面１２は基板表面
１５及び基板裏面１６よりそれぞれ２．７５ｍｍの位置
となっている。中心基準面１２には、ＧＮＤ層１７ａを
設ける。
線基板の構造図を示す。本多層配線基板１１は、電源層
が奇数層であるため、ダミーのダミー電源層２０を挿入
することにより、電源層を偶数とし、中心基準面１２に
対して対称型としている。多層配線基板１１は、配線層
が４層、ＧＮＤ層が３層、電源層が３層、ダミー電源層
が１層からなる。多層配線基板１１の厚さは第１の実施
例と同じ５．５ｍｍであり、中心基準面１２は基板表面
１５及び基板裏面１６よりそれぞれ２．７５ｍｍの位置
となっている。中心基準面１２には、ＧＮＤ層１７ａを
設ける。
【００１１】上部層１３は、多層配線基板１１の中心層
であるＧＮＤ層１７ａを基準として、上部０．２２５ｍ
ｍの位置に配線層１８ａ、上部０．３７５ｍｍの位置に
配線層１８ｂ、上部０．６０ｍｍの位置にＧＮＤ層１７
ｂ、上部１．２０ｍｍの位置に電源層１９ａ、上部１．
８０ｍｍの位置に電源層１９ｂを設け、上部２．７５ｍ
ｍの位置が基板表面１５となる構造である。また、下部
層１４は、ＧＮＤ層１７ａを基準として、下部０．２２
５ｍｍの位置に配線層１８ｃ、下部０．３７５ｍｍの位
置に配線層１８ｄ、下部０．６０ｍｍの位置にＧＮＤ層
１７ｃ、下部１．２０ｍｍの位置に電源層１９ｃ、下部
１．８０ｍｍの位置にダミー電源層２０を設け、下部
２．７５ｍｍの位置が基板裏面１６となる構造である。
このダミー電源層２０を設けたことによって、多層配線
基板１１の構造は、中心基準面１２に対し完全対称な構
造となる。
であるＧＮＤ層１７ａを基準として、上部０．２２５ｍ
ｍの位置に配線層１８ａ、上部０．３７５ｍｍの位置に
配線層１８ｂ、上部０．６０ｍｍの位置にＧＮＤ層１７
ｂ、上部１．２０ｍｍの位置に電源層１９ａ、上部１．
８０ｍｍの位置に電源層１９ｂを設け、上部２．７５ｍ
ｍの位置が基板表面１５となる構造である。また、下部
層１４は、ＧＮＤ層１７ａを基準として、下部０．２２
５ｍｍの位置に配線層１８ｃ、下部０．３７５ｍｍの位
置に配線層１８ｄ、下部０．６０ｍｍの位置にＧＮＤ層
１７ｃ、下部１．２０ｍｍの位置に電源層１９ｃ、下部
１．８０ｍｍの位置にダミー電源層２０を設け、下部
２．７５ｍｍの位置が基板裏面１６となる構造である。
このダミー電源層２０を設けたことによって、多層配線
基板１１の構造は、中心基準面１２に対し完全対称な構
造となる。
【００１２】図３に本発明の第３の実施例による多層配
線基板の構造図を示す。本多層配線基板２１では、電源
層が奇数層であるため、１つの電源層を中心基準面２に
設けることによって、上部層３と下部層４の電源層を対
称とし、中心基準面２に対し対称な構造としている。多
層配線基板２１は、配線層が４層、ＧＮＤ層が３層、電
源層が３層からなる。多層配線基板２１の厚さは第１の
実施例と同じ５．５ｍｍであり、中心基準面２２は基板
表面２５及び基板裏面２６よりそれぞれ２．７５ｍｍの
位置となっている。中心基準面２２には、電源層２９ａ
を設ける。
線基板の構造図を示す。本多層配線基板２１では、電源
層が奇数層であるため、１つの電源層を中心基準面２に
設けることによって、上部層３と下部層４の電源層を対
称とし、中心基準面２に対し対称な構造としている。多
層配線基板２１は、配線層が４層、ＧＮＤ層が３層、電
源層が３層からなる。多層配線基板２１の厚さは第１の
実施例と同じ５．５ｍｍであり、中心基準面２２は基板
表面２５及び基板裏面２６よりそれぞれ２．７５ｍｍの
位置となっている。中心基準面２２には、電源層２９ａ
を設ける。
【００１３】上部層２３は、多層配線基板２１の中心層
である電源層２９ａを基準として、上部０．６０ｍｍの
位置にＧＮＤ層２７ａ、上部０．８２５ｍｍの位置に配
線層２８ａ、上部０．９７５ｍｍの位置に配線層２８
ｂ、上部１．２０ｍｍの位置にＧＮＤ層２７ｂ、上部
１．８０ｍｍの位置に電源層２９ｂを設け、上部２．７
５ｍｍの位置が基板表面２５となる構造である。また、
下部層２４は、電源層２９ａを基準として、下部０．６
０ｍｍの位置にＧＮＤ層２７ｃ、下部０．８２５ｍｍの
位置に配線層２８ｃ、下部０．９７５ｍｍの位置に配線
層２８ｄ、下部１．２０ｍｍの位置にＧＮＤ層２７ｄ、
下部１．８０ｍｍの位置に電源層２９ｃを設け、下部
２．７５ｍｍの位置が基板裏面２６となる構造である。
この電源層が奇数の多層配線基板２１は、電源層２９ａ
を中心基準面２２に設けることによって、中心基準面２
２に対して対称な構造とすることができる。
である電源層２９ａを基準として、上部０．６０ｍｍの
位置にＧＮＤ層２７ａ、上部０．８２５ｍｍの位置に配
線層２８ａ、上部０．９７５ｍｍの位置に配線層２８
ｂ、上部１．２０ｍｍの位置にＧＮＤ層２７ｂ、上部
１．８０ｍｍの位置に電源層２９ｂを設け、上部２．７
５ｍｍの位置が基板表面２５となる構造である。また、
下部層２４は、電源層２９ａを基準として、下部０．６
０ｍｍの位置にＧＮＤ層２７ｃ、下部０．８２５ｍｍの
位置に配線層２８ｃ、下部０．９７５ｍｍの位置に配線
層２８ｄ、下部１．２０ｍｍの位置にＧＮＤ層２７ｄ、
下部１．８０ｍｍの位置に電源層２９ｃを設け、下部
２．７５ｍｍの位置が基板裏面２６となる構造である。
この電源層が奇数の多層配線基板２１は、電源層２９ａ
を中心基準面２２に設けることによって、中心基準面２
２に対して対称な構造とすることができる。
【００１４】上述した３つの実施例による多層配線基板
１，１１，２１では、中心基準面２，１２，２２につい
て対称な構造となるため、上部層と下部層の焼成後の収
縮率がほぼ等しくなり、反りの発生を極力少なく抑える
ことができる。以上、好ましい実施例をあげて本発明を
説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。
１，１１，２１では、中心基準面２，１２，２２につい
て対称な構造となるため、上部層と下部層の焼成後の収
縮率がほぼ等しくなり、反りの発生を極力少なく抑える
ことができる。以上、好ましい実施例をあげて本発明を
説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層配線
基板は、中心基準面に対して上部層と下部層が対称とな
る構造としたことにより、上部層と下部層の焼成後の収
縮率がほぼ同一となり、反りの発生を極力少なく抑える
ことができる。
基板は、中心基準面に対して上部層と下部層が対称とな
る構造としたことにより、上部層と下部層の焼成後の収
縮率がほぼ同一となり、反りの発生を極力少なく抑える
ことができる。
【図１】本発明の第１の実施例による多層配線基板の構
造図である。
造図である。
【図２】本発明の第２の実施例による多層配線基板の構
造図である。
造図である。
【図３】本発明の第３の実施例による多層配線基板の構
造図である。
造図である。
【図４】従来の多層配線基板の構造図である。
１，１１，２１…多層配線基板 ２，１２，２２…中心基準面 ３，１３，２３…上部層 ４，１４，２４…下部層 ５，１５，２５…基板表面 ６，１６，２６…基板裏面 ７ａ〜７ｃ…ＧＮＤ層 ８ａ〜８ｄ…配線層 ９ａ〜９ｄ…電源層 １７ａ〜１７ｃ…ＧＮＤ層 １８ａ〜１８ｄ…配線層 １９ａ〜１９ｃ…電源層 ２０…ダミー電源層 ２７ａ〜２７ｄ…ＧＮＤ層 ２８ａ〜２８ｄ…配線層 ２９ａ〜２９ｃ…電源層
Claims (1)
- 【請求項１】 グリーンシートを積層し、一括焼成によ
って形成される多層配線基板において、 表裏両面からの距離が等しい面を中心基準面とし、該中
心基準面より上方の層を上部層、下方の層を下部層と
し、該上部層と下部層の層構成を前記中心基準面に対し
て対称となるようにしたことを特徴とする多層配線基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29372791A JPH05110257A (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29372791A JPH05110257A (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05110257A true JPH05110257A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17798464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29372791A Pending JPH05110257A (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05110257A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0841571A2 (en) * | 1996-11-08 | 1998-05-13 | W.L. GORE & ASSOCIATES, INC. | Wafer level burn-in base unit substrate and assembly |
| WO1998020555A1 (en) * | 1996-11-08 | 1998-05-14 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Method for minimizing warp in the production of electronic assemblies |
| JP2002246746A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラスセラミック多層基板の製造方法 |
-
1991
- 1991-10-14 JP JP29372791A patent/JPH05110257A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0841571A2 (en) * | 1996-11-08 | 1998-05-13 | W.L. GORE & ASSOCIATES, INC. | Wafer level burn-in base unit substrate and assembly |
| WO1998020555A1 (en) * | 1996-11-08 | 1998-05-14 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Method for minimizing warp in the production of electronic assemblies |
| EP0841571A3 (en) * | 1996-11-08 | 1998-07-08 | W.L. GORE & ASSOCIATES, INC. | Wafer level burn-in base unit substrate and assembly |
| US5886535A (en) * | 1996-11-08 | 1999-03-23 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Wafer level burn-in base unit substrate and assembly |
| US5888631A (en) * | 1996-11-08 | 1999-03-30 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Method for minimizing warp in the production of electronic assemblies |
| US6183592B1 (en) | 1996-11-08 | 2001-02-06 | Mark F. Sylvester | Method for minimizing warp in the production of electronic assemblies |
| JP2002246746A (ja) * | 2001-02-15 | 2002-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラスセラミック多層基板の製造方法 |
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