JPH05107408A

JPH05107408A - 電磁波フイルタ

Info

Publication number: JPH05107408A
Application number: JP40483190A
Authority: JP
Inventors: Jaroslav Hynecek; ヘイネセツクジヤロスラブ
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 1989-12-22
Filing date: 1990-12-21
Publication date: 1993-04-30
Also published as: EP0434273A3; EP0434273A2; DE69031302T2; DE69031302D1; EP0434273B1

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】受容体の表面に電磁波フィルタ要素を作製する
ための方法。【構成】望みの波長帯の電磁波において透明な色素１２
を母材１４中に浮遊させて、混合物材料１６が作られ
る。前記混合物材料１６は、既に平坦化および接着性促
進層２２によって処理された半導体センサ２０の表面１
８上に、層状に形成される。混合物材料１６の層の表面
上に、望みのフィルタ要素の境界を定義するパターン形
状に形成されたフォトレジスト２４が形成される。パタ
ーン加工されたフォトレジスト層２４は、混合物材料１
６の層の表面に露出しない領域２８と露出した領域３０
とを作り出す。次に、パターン化された表面は粒子衝撃
２６に曝される。次に、露出領域３０は化学的に現像さ
れ、半導体受容体の処理された表面２２から除去され
る。次に、残存するフォトレジスト２４は未露光領域２
８から剥離され、望みのフィルタが得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、一般的にはフィルタ要
素とそれの応用の方法に関するものであり、更に詳細に
は、電磁波フィルタ要素とそれの応用の方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】電磁波フィルタ要素は、電荷結合装置を
用いた撮像技術において重要な役目を持つ。その中でも
重要なものの一つは、電磁波スペクトルの可視光領域に
おいて電磁波を伝送するカラーフィルタ要素である。フ
ィルタ要素が、電荷結合装置撮像センサを用いたカラー
撮像のために用いられる場合には、それらのフィルタ要
素の端部がシャープであること、すなわち遷移領域が狭
いことが、フィルタが対応するセンサ要素とぴったり一
致するために、重要である。フィルタ要素はまた、光学
的結合を効率よくするために、半導体の表面に直接形成
できるものでなければならない。シャープな端部をもつ
フィルタ要素を半導体表面に直接形成するための方法を
開発するために多くの研究がなされてきた。

【０００３】カラーフィルタを形成する一つの手段は、
その中に色素を浮遊させたゼラチンを用いるものであ
る。望みの波長の光を伝送し、少なくともいくらかの望
ましくない波長の光を阻止する能力を持つことで選ばれ
た色素は、水溶液または有機溶媒中に含ませられる。ゼ
ラチンのそれぞれが半導体の表面上にスピンコートさ
れ、標準的なフォトリソグラフィによってパターン加工
される。できた構造を色素の溶液中に浸し、色素をゼラ
チン中へ転移させる。製品上のゼラチン中へのこの色素
の転移の工程の後、ゼラチンのベーキングを行って、色
素が半導体表面のゼラチン中へ交差結合するようにされ
る。半導体表面にいくつかのフィルタ層を、フィルタ層
間の色素の拡散を回避しながら形成するために、別々の
層を用いてこの工程を繰返すことができる。例えば、隣
接した赤、緑、青のフィルタを作製するために、この工
程を三回繰り返すことができる。

【０００４】パターン加工されたゼラチンを有するウエ
ーハ上に色素を転移させる方法は、複雑で、低収率の面
倒な工程である。この工程で全ウエーハ上に亘って一様
に膜作製を行うことは、この工程の複雑さと色素転移機
構に固有な不均一性のために、困難である。また、フィ
ルタ要素間での色素の拡散を避けるために、この形成工
程の間、層間の十分な分離を保証することについても困
難がある。更に、この色素／ゼラチン混合物は、特にフ
ィルタ要素が紫外光に曝される用途において、長時間の
安定性が低い。

【０００５】別の、より最近の方法では、その中に色素
を含ませた感光性ポリイミド重合体を用いている。この
方法は、米国雑誌ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＴｅｃｈｎ
ｏｌｏｇｙの１９８８年５月号に発表されたラザム（Ｌ
ａｔｈａｍ）とホウレイ（Ｈａｗｌｅｙ）による「色素
ポリイミドによるカラーフィルタ（ＣｏｌｏｒＦｉｌ
ｔｅｒｓｆｒｏｍＤｙｅｄＰｏｌｙｉｍｉｄｅ
ｓ）」に述べられている。重合体／色素混合物は、半導
体装置の表面上に取り付けられ、標準的なフォトレジス
トと同様に露光され、現像されて、その後、ベーキング
によって交差結合される。既に述べた方法のように、こ
の工程は繰り返され、色の異なる複数個のフィルタ要素
を作ることができる。

【０００６】この第２の方法もまた、欠点を持ってい
る。まず第１に、利用できるポリイミドがネガ型である
ことである。従って、フォトリソグラフィの露光と現像
の後で、露光された領域がチップ上に残存することにな
る。第２に、現像工程の間に、重合体／色素混合物の新
たに形成された層から、色素が抜け出す。第３に、露光
と現像の工程の間に、色素自体が光のエネルギーの一部
分を吸収するため、大量の露光が必要である。最後に、
そしてこれが最も重要であるが、フィルタ構造の端部と
側壁における遷移領域が広く、数ミクロンを超えるとい
うことである。この広い遷移領域のために、フィルタを
それに対応する受容体（ｒｅｃｅｐｔｏｒ）要素とぴっ
たり一致させ、隣接するフィルタ領域を正確に重ね合わ
せることが困難であり、縮小の障壁となる。

【０００７】これまで示したように、上に述べた二つ
の、半導体表面にカラーフィルタを作製する方法は、そ
れぞれ欠点を持っている。従って、半導体層の表面に、
シャープな端部を持ち、あらかじめ定められた伝送帯域
の電磁波を伝送するカラーフィルタ要素を形成するため
の、より複雑でない作製方法を開発する必要がある。

【０００８】

【発明の要約】本発明は、電磁波フィルタ要素を含んで
いる。色素が母材中に浮遊させられ、次に例えばスピン
コートによってＣＣＤ撮像器（ｉｍａｇｅｒ）等の支持
構造の表面上に取り付けられ、２ミクロン以下の遷移幅
を有する境界を持つフィルタ要素が作製される。

【０００９】好適実施例において、フィルタ形状を形成
するのに、粒子衝撃（単なる電磁波のみでなく、電子や
イオンの衝撃）を用いたポジ反応系が用いられる。半導
体センサ等の支持装置の表面には接着促進材（ａｄｈｅ
ｓｉｏｎｐｒｏｍｏｔｅｒ）の層が取り付けられる。
この接着促進材は表面を平坦化し、以降のフィルタ作製
における粒子衝撃から保護する役目を持つ。色素が母材
中に浮遊させられ、色素浮遊物が形成される。次に、こ
の色素浮遊物は支持装置の表面に亘って層状に取り付け
られる。色素浮遊材料の層の上全体にフォトレジストの
パターン加工されたマスクが形成され、マスクされた表
面が得られる。このマスクされた表面に対して本質的に
垂直方向から粒子衝撃が行われる。この粒子衝撃によっ
て、マスクされた色素浮遊物領域を残して、露光された
領域では、色素を含めて現像液に溶解するようになる。
露光された領域は現像工程において化学的に除去され、
フォトレジストマスクが剥離されると、望みのフィルタ
要素のパターンが得られる。

【００１０】第２の実施例では、粒子衝撃のネガ反応系
を用いて、フィルタ要素が形成される。ここでも、色素
浮遊物が支持構造の表面全体に層状に取り付けられる。
色素浮遊物層の上にパターン加工されたフォトレジスト
のマスクが形成され、マスクされた表面が得られる。前
と同じように、次にマスクされた表面は、本質的に垂直
な方向から粒子衝撃される。粒子衝撃によって、マスク
された領域を除いて、色素浮遊物領域は現像液に対して
比較的溶解しにくくなる。この実施例では、色素浮遊物
材料自体は更に、この露出によって波長応答特性が変化
しないように、粒子衝撃に対して特に耐性を持つもので
なければならない。粒子衝撃に曝されずに残った色素浮
遊物領域とフォトレジストは、現像によって除去され、
望みのフィルタ要素の露光された領域が残される。

【００１１】これまでに述べた二つの方法では、フォト
レジストのパターン加工工程の化学性質は、フォトレジ
スト除去工程が下層の重合体層に影響を与えないような
ものであった。例えば、溶剤に可溶な重合体上に水溶性
のレジストを用いることができる。

【００１２】第３の実施例では、フェトレジストのパタ
ーン加工の化学反応による複雑化を避けるために、フォ
トレジスト工程は全く使用されていない。色素浮遊物が
支持構造の表面上に層状に形成される。フィルタ要素
は、フィルタの境界を定めるように粒子衝撃を走査する
ことによって形成される。露出された領域が除去され、
望みのフィルタが残る。

【００１３】第４の実施例では、粒子衝撃を走査して施
すことによって望みのフィルタ要素を形成することは同
じであるが、ネガ反応系が用いられていることが異なっ
ている。これらの領域は、衝撃粒子走査に対して露出さ
れ、現像液に対して非溶解性となり、不必要な領域は化
学的に除去される。

【００１４】フィルタ要素の複数の層を作製するため
に、工程が繰り返される。典型的には、赤、緑、青、の
フィルタ層を作製するために、この工程が３回繰り返さ
れる。それぞれの層を分離するために、接着促進材が用
いられる。接着促進材は更に、以降のフィルタ要素の層
を取り付けるための平坦化された層を供給し、既にパタ
ーン加工されているフィルタ要素を以降の粒子衝撃から
保護する。（イオンまたは電子の）粒子衝撃と、用いら
れる材料の適切な選択によって、二つの重要な特長が得
られる。第１に、粒子衝撃によって、フィルタ要素の端
部がより明確に定義され、従ってフィルタがそれに対応
するセンサ要素とよりぴったりと一致するようにでき
る。第２に、粒子衝撃技術は、一方では、フォトレジス
トの化学的性質を変化させるのに必要な光波長帯の問題
と、他方ではフィルタ要素として必要とされる通過帯域
特性の問題という相互に関連する問題を不要にする。し
ばしば、れこらの二つの要求は相互に対立する。第３
に、カラーフィルタ要素作製工程の複雑さが減らされ、
製造工程における、より高レベルの一様性と制御性とが
達成される。

【００１５】

【実施例】本発明のこれ以外の特徴と、それの応用につ
いては、以降の詳細な説明を図面と共に参照することに
よって、より完全に理解されるであろう。図面では同じ
部品に対して同じ参照番号が付けられている。

【００１６】本発明に従う電磁波フィルタ層の好適実施
例とそれの応用の方法が図１と図２とに示されている。
色素１２は、望みの波長の入射電磁波を伝送し、すくな
くとも一部の望ましくない波長の電磁波を阻止するその
特性によって選ばれる。色素１２は、例えばキシレンに
可溶なような、溶剤に溶けるものが望ましい。典型的に
は、光学的応用においては、色素１２は、光学スペクト
ルの、赤（６５０ナノメートル付近）、緑（５３０ナノ
メートル付近）、青（４４０ナノメートル付近）のうち
の一つに対応する波長を伝送するものが選ばれる。

【００１７】母材１４は、熱的または化学的損傷なしで
色素１２を浮遊させることのできる能力によって、すな
わちその母材が、完成した装置が動作するものとされる
環境内で、破壊的に色素と反応することのないように選
ばれる。更に、母材１４は、濾過されるべき選ばれた波
長において透明でなければならない。好適実施例におい
て、母材１４はポリメチル・メタクリレート（ＰＭＭ
Ａ）である。

【００１８】色素１２を母材１４中に浮遊させて、混合
物１６が得られる。好適実施例において、色素１２と母
材１４とは、混合物１６がポジ反応系として使用される
ように選ばれる。この反応系では、粒子衝撃に曝された
混合物１６領域は、以降での化学現像において溶解性と
なり、他方マスクされていた領域は粒子による損傷を受
けることなく残存する。

【００１９】半導体センサ２０の表面１８は、平坦化材
料の層２２を取り付けられ、ベーキングによって硬化処
理される。層２２は、例えば、ポリイミドによって形成
することができ、ボンディングパッド等の装置上の特定
領域で開口するように加工できる。層２２は以降での粒
子衝撃から半導体センサ２０を保護する。層２２のベー
キングに続いて、混合物材料の層１６が層２２の上に取
り付けられ、これもまたベーキングされる。１２５℃で
３０分間のベーキングが望ましい。次に、ポジ反応レジ
スト層２４が混合物層１６の上に取り付けられる。次
に、フォトレジスト層２４は、例えば、従来の処理工程
によって紫外光に選択的に露光され、現像されて、層１
６上にフォトレジストの露光されていない領域のみが残
される。フォトレジストの化学性質は、例えば、化学的
に有機溶媒をベースとする色素重合体を溶解しないよう
に、水溶性材料をベースとしている。

【００２０】図１に波線２６で示したように、粒子衝撃
が、（混合物１６の領域２８を覆う）現像されたフォト
レジスト層１４と混合物１６の露出された領域３０とに
対して、本質的に垂直方向から行われる。典型的には、
粒子衝撃２６は、電界中を運動する電子に曝すことを含
んでいるが、イオン等のその他の荷電粒子を用いること
もできる。しかし、粒子衝撃２６は、単なる電磁波へ曝
すことだけの意味ではない。粒子衝撃２６の後に、図示
されたポジ反応系において、破線で示されたように、混
合物材料１６の露出された領域３０は化学的現像処理に
よって除去される。一つの現像系ではメタキシレン溶媒
系が用いられる。次に、フォトレジストパターン２４が
剥離され、混合物材料１６の未露光領域２８が残され
る。

【００２１】この結果のフィルタ要素層が、一般的に３
２で図２に示されている。粒子衝撃２６はフォトレジス
トパターン２４と露出領域３０との上に本質的に垂直方
向から入射するので、その結果のフィルタ要素３２の側
壁または遷移領域３４はシャープに定義され、その幅は
２ミクロン以下である。更に、色素１２それ自身が感光
性であり、標準的な光学的フォトレジスト処理の間に損
傷を受けることから、粒子衝撃２６は混合物１６中での
色素１２の完全性は保持する。

【００２２】第２の実施例では、ネガ反応系が用いられ
ている。この処理工程は図３と図４に示されている。こ
の処理は、上の好適実施例に関して既に述べたのと同様
であるが、粒子衝撃でネガ反応系混合物３８の露出領域
３６が化学現像において不溶性となり、他方未露出領域
４０が可溶性のままにあるように、色素１３と母材１５
が選ばれている点が異なる。ネガ反応系で使用するため
の母材１５の例は、スチレン・ブタジエン共重合体であ
る。フォトレジストマスク２４によって未露光のままに
残された混合物３８の領域４０は、化学現像によって除
去され、その結果露出された領域３６が望みのフィルタ
要素として残される。

【００２３】第３の実施例では、フォトリソグラフィ処
理は用いられず、代わりに粒子衝撃２７を走査して行う
ことによってフィルタ要素が定義される。この処理は一
般的にポジ反応系について、図５と図６に示されてい
る。粒子衝撃２７が、ポジ反応系混合物１６の層へ選択
的に施され、フィルタ要素の境界が定義される。露光さ
れた領域４２は化学現像に対して溶解性となるので、以
降の化学的除去によって未露光領域４４がフィルタ要素
として残される。

【００２４】第４の実施例では、粒子衝撃走査を利用し
たネガ反応系が用いられている。この処理工程は、一般
的に図７と図８に示されている。ネガ反応の混合物３８
が表面１８上に層状に形成される。粒子衝撃走査が施さ
れて、露光された領域４６が化学現像に対して不溶性に
なり、従って未露光領域４８が化学的に除去された後
に、望みのフィルタ要素として残される。

【００２５】図９は、繰り返し処理によって形成された
複数層のフィルタ要素３２を示している。第１にその上
に付加的フィルタ要素を形成するための平坦な表面を得
るために、また第２に既に形成されたフィルタ要素３２
をそれ以降の繰り返し処理の間の粒子衝撃から保護する
ために、平坦化および接着性層５０が形成される。例え
ばポリイミドを含む平坦化層５０は、既に形成された下
層のフィルタ要素３２を通過した波長に対して透明であ
り、ボンディングパッド（図示されていない）等の特定
の装置領域で開口するようにパターン加工される。フィ
ルタ要素３２は半導体センサ２０中の受容体要素５２と
位置を合わせて形成される。最後に、これも例えばポリ
イミドを含む透明な保護被覆５４が、付加的な保護のた
めに全体構造上に形成される。処理工程の間、ボンディ
ングパッド（図示されていない）への接続を許容するた
めに、配列の周辺に、各平坦化層を通して開口が保存さ
れる。従って、平坦化層５０のために選ばれる材料とし
ては、望みの位置で容易に開口が加工できる感光性ポリ
イミドのような、それ自身感光性材料であることが望ま
しい。

【００２６】まとめると、シャープに定義された境界を
有する電磁波フィルタ要素３２が、半導体センサ２０の
表面に効率良く形成される。更に、固体１４中に浮遊す
る色素１２の完全性を保つことによって、各フィルタ要
素３２の伝送帯域がより正確に制御できる。これらは、
これらのフィルタ要素を、従来技術のフィルタ要素から
区別して優れたものとする重要な特長である。

【００２７】本発明の好適実施例とそれの特長について
詳細に述べてきたが、本発明はそれらに制限されるもの
でなく、本発明の特許請求の範囲によってのみ制限され
る。

【００２８】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 (1) 電磁波フィルタ要素であって、支持構造上に形成
された電磁波伝送固体であって、前記支持構造が前記固
体によって濾過された電磁波を受け取るように動作する
ようになっており、前記固体の底面が前記支持構造に隣
接しており、前記固体の上面が前記支持構造から離れて
いるようになった、電磁波伝送固体、電磁波を濾過する
ための、前記固体中に浮遊する色素、を含み、前記固体
の側壁が前記上面から前記底面へ延びており、前記側壁
の傾斜が、各側壁において前記底面が外方向へ横に前記
上面を越えて２ミクロンを越えない幅だけ広がっている
ようになった、電磁波フィルタ要素。

【００２９】(2) 第１項の要素であって、前記固体が
有機重合体を含んでいるような、電磁波フィルタ要素。 (3) 第２項の要素であって、前記固体がポリメチル・
メタクリレートであるような、電磁波フィルタ要素。 (4) 第１項の要素であって、前記支持構造が電磁波受
容体の表面を含んでいるような、電磁波フィルタ要素。 (5) 第４項の要素であって、前記フィルタが半導体受
容体の表面に形成されているような、電磁波フィルタ要
素。 (6) 第５項の要素であって、前記受容体が撮像器であ
るような、電磁波フィルタ要素。 (7) 第６項の要素であって、前記撮像器が可視光に対
して応答するような、電磁波フィルタ要素。

【００３０】(8) 第１項の要素であって、前記固体が
可視光スペクトルの赤部分を伝送し、複数の要素を含む
フィルタが、可視光スペクトルの緑部分を伝送し、前記
支持構造上に取り付けられた第２の固体であって、前記
第２の固体が少なくとも部分的に、前記第１の固体から
横方向へずれて位置しているような、第２の固体。可視
光スペクトルの青部分を伝送し、前記支持構造上に取り
付けられた第３の固体であって、前記第３の固体が少な
くとも部分的に、前記第１及び第２の固体から横方向へ
ずれて位置しているような、第３の固体、を含んでいる
ような、電磁波フィルタ要素。

【００３１】(9) 第１項の要素であって、前記支持構
造が複数個の撮像器セルを含み、複数個の前記要素が、
対応する撮像器セルと位置揃えされているような、電磁
波フィルタ要素。 (10) 第１項の要素であって、更に、前記支持構造に隣
接して形成された平坦化層を含み、前記固体が前記平坦
化層の上に形成されているような、電磁波フィルタ要
素。

【００３２】(11) 電磁波フィルタ層を作製するための
方法であって、母材中に色素を浮遊させて、混合物材料
を作ること、受容体の表面上に、前記混合物材料を含む
層を形成すること、前記色素浮遊層の上にパターン加工
されたフォトレジストマスクを形成し、マスクされた表
面を形成すること、マスクされた表面を、前記マスクさ
れた表面に対して本質的に垂直に入射する粒子衝撃に曝
すこと、前記パターンマスクを用いて露光された領域を
除去することによって、前記混合物材料を現像し、フィ
ルタ層を形成すること、を含む、方法。

【００３３】(12) 第１１項の方法であって、前記粒子
衝撃によって、前記パターンマスクを用いて露光されて
残った領域が、化学的に溶解性になるようになった、方
法。 (13) 第１２項の方法であって、前記母材が、あらかじ
め定められた波長に対して透明であり、更に、前記混合
物材料が使用時に置かれる環境において前記色素を損傷
または化学的変化なしに浮遊させることができるように
なった、方法。 (14) 第１３項の方法であって、前記波長が電磁波スペ
クトルの可視光領域の一部を含んでいるような、方法。 (15) 第１１項の方法であって、更に前記第１層の上に
付加的な層を形成する工程を含む、方法。 (16) 第１１項の方法であって、前記フィルタが半導体
層の表面に形成されるようになった、方法。

【００３４】(17) チップ上のカラーフィルタ層を作製
するための方法であって、望みの波長の電磁波を選択的
に伝送する色素を、前記望みの波長帯において透明な受
容母材中に浮遊させて、混合物材料を作ること、半導体
受容体の表面に、平坦化層を取り付けること、混合物材
料を含む層を、前記平坦化層の上に形成すること、混合
物材料層の上にパターン加工されたフォトレジストのマ
スクを形成して、フィルタ層の横方向の境界を定義す
る、マスクされた表面を形成すること、前記マスクされ
た表面を粒子衝撃に曝すこと、前記パターンマスクによ
って露光されずに残された混合物材料の領域を化学的に
除去することで、前記混合物材料を現像すること、を含
む、方法。

【００３５】(18) 第１７項の方法であって、更に、前
記フィルタ層の上に平坦化層を形成すること、前記平坦
化層に隣接して、第２の望みの波長帯を伝送するフィル
タを形成すること、前記第２のフィルタ層の上に第２の
平坦化層を形成すること、前記第２の平坦化層に隣接し
て、第３の望みの波長帯を伝送する第３のフィルタ層を
形成すること、前記第３のフィルタの表面上に保護被覆
を形成すること、を含む、方法。

【００３６】(19) 電磁波フィルタを作製するための方
法であって、望みの波長帯の電磁波を伝送し、すくなく
とも一部の望ましくない波長帯の電磁波を阻止する色素
を、前記望みの波長帯において透明な受容母材中に浮遊
させて、混合物材料を作ること、前記混合物材料の層
を、集積回路製品の表面上に形成すること、前記混合物
材料の部分を選択的に粒子衝撃に曝すこと、前記色素浮
遊物の露光された領域を除去すること、を含む、方法。

【００３７】(20) 電磁波フィルタ要素を作製するため
の方法であって、望みの波長帯の電磁波を伝送し、すく
なくとも一部の望ましくない波長帯の電磁波を阻止する
色素を、前記望みの波長帯において透明な受容母材中に
浮遊させて、混合物材料を作ること、半導体受容体の表
面上に接着促進材の層を取り付けること、前記半導体セ
ンサの処理された表面上に、前記混合物材料の層を取り
付けること、前記混合物材料の層の部分を選択的に、走
査される電子衝撃に曝すことによって、望みのフィルタ
要素の境界を定義すること、前記色素浮遊物層の露光さ
れていない部分を、化学的現像処理によって除去するこ
と、を含む、方法。

【００３８】(21) 電磁波フィルタ要素を作製するため
の方法であって、望みの波長帯の電磁波を伝送し、すく
なくとも一部の望ましくない波長帯の電磁波を阻止する
色素を、前記望みの波長帯において透明な受容母材中に
浮遊させて、混合物材料を作ること、半導体受容体の表
面に接着促進材の層を取り付けること、前記半導体セン
サの処理された表面上に、前記混合物材料の層を取り付
けること、前記混合物材料の層の部分を選択的に、走査
される電子衝撃に曝すことによって、望みのフィルタ要
素の境界を定義すること、前記混合物材料の露光されて
いない領域を、化学的現像処理によって除去すること、
を含む、方法。

【図面の簡単な説明】

【図１】電磁波フィルタ層の引き続く作製工程を示す、
拡大された断面図であって、分かりやすいように、特定
の寸法を誇張して示した拡大断面図。

【図２】電磁波フィルタ層の引き続く作製工程を示す、
拡大された断面図であって、分かりやすいように、特定
の寸法を誇張して示した拡大断面図。

【図３】本発明に従うネガ反応系によって電磁波フィル
タ層を作製する、引き続く工程を示す拡大断面図。

【図４】本発明に従うネガ反応系によって電磁波フィル
タ層を作製する、引き続く工程を示す拡大断面図。

【図５】本発明に従うポジ反応系によって電磁波フィル
タ層を作製する、引き続く工程を示す拡大断面図。

【図６】本発明に従うポジ反応系によって電磁波フィル
タ層を作製する、引き続く工程を示す拡大断面図。

【図７】本発明に従うネガ走査粒子衝撃系によって電磁
波フィルタ層を作製する、引き続く工程を示す拡大断面
図。

【図８】本発明に従うネガ走査粒子衝撃系によって電磁
波フィルタ層を作製する、引き続く工程を示す拡大断面
図。

【図９】本発明に従って、それの表面に形成された数層
の電磁波フィルタ要素を備えた半導体受容体の拡大断面
図。

【符号の説明】

１２色素１３色素１４母材１５母材１６混合物材料１８表面２０半導体センサ２２平坦化層２４フォトレジスト層２６粒子衝撃２７粒子衝撃２８露出していない混合物領域３０露光領域３２フィルタ要素３４側壁または遷移領域３６露出領域３８混合物領域４０露出していない領域４２露出領域４４未露光領域４６露光領域４８未露光領域５０平坦化および接着促進層５２受容体要素５４保護被覆

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電磁波フィルタ要素であって、支持構造上に形成された電磁波伝送固体であって、前記
支持構造が前記固体によって濾過された電磁波を受け取
るように動作するようになっており、前記固体の底面が
前記支持構造に隣接しており、前記固体の上面が前記支
持構造から離れているようになった、電磁波伝送固体、電磁波を濾過するための、前記固体中に浮遊する色素、
を含み、前記固体の側壁が前記上面から前記底面へ延びており、
前記側壁の傾斜が、各側壁において前記底面が外方向へ
横に前記上面を越えて２ミクロンを越えない幅だけ広が
っているようになった、電磁波フィルタ要素。
【請求項２】電磁波フィルタ層を作製するための方法
であって、母材中に色素を浮遊させて、混合物材料を作ること、受容体（ｒｅｃｅｐｔｏｒ）の表面上に、前記混合物材
料を含む層を形成すること、前記色素浮遊層の上にパターン加工されたフォトレジス
トマスクを形成し、マスクされた表面を形成すること、マスクされた表面を、前記マスクされた表面に対して本
質的に垂直に入射する粒子衝撃に曝すこと、前記パターンマスクを用いて露光された領域を除去する
ことによって、前記混合物材料を現像し、フィルタ層を
形成すること、を含む、方法。