JPH05100431A - パターン形成材料及びそれを用いた多層配線板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 厚膜形成を可能にした高信頼性のパターン形
成材料及びそれを用いた多層配線板を提供する。 【構成】 オキシラン環を有するアルコキシシランの加
水分解・縮合によって得られるポリシロキサンと、アジ
ド化合物とを含有するパターン形成材料。該パターン形
成材料を層間絶縁膜又は表面保護膜として用いてなる多
層配線板。該パターン形成材料は、必要に応じて増感剤
及び／又は水酸基を有する有機高分子を含有していても
よい。 【効果】 このパターン形成材料は、耐熱性に優れ、厚
膜でも微細なパターンを形成できる利点がある。また、
急峻なパターンが得られるために、マスクパターンとし
ても用いることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ、ハイブリッド
ＩＣ、及び高密度実装多層板における層間絶縁膜あるい
は表面保護膜として使用可能なパターン形成材料及びそ
れを用いた多層配線板に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＩＣ、ＬＳＩ、プリント配線板の
絶縁膜としては、ポリイミドが用いられている。これは
ポリイミドがポリマーの中で最も高い耐熱性と低い誘電
率をもち、蒸着、無電解メッキ、電気メッキなどの加工
プロセスに耐え、信号の遅延を減らすことができる長所
をもつためである。このポリイミドを用いて高密度実装
化する方法としては、通常基板上にポリイミドの前駆体
であるアミック酸をスピンコートし、加熱してポリイミ
ドにした後、その上にホトレジストを塗布し、ホトリソ
グラフィによりバイヤホールをつくる。そして、その上
に蒸着スパッタリングでＣｕ層をつくる。以下、この工
程を繰返して多層化する方法がとられている。しかしこ
の工程ではホトレジストのパターンを作った後、ポリイ
ミド被膜のエッチングにヒドラジンなどの高反応性で人
体に有害なエッチング液を使わないといけないこと、ま
たエッチング時にポリイミド被膜が等方的にエッチング
されるため、小さいバイヤホールをあける場合、上部が
削れ、テーパ状となり、高密度化の支障となる欠点があ
る。この欠点を改善するためにポリイミドに感光性をも
たせ、ポリイミドそのものを光によりパターン化するこ
とが発表されている（特公昭５５−３０２０７号；同５
５−４１４２２号）。しかし、感光性ポリイミドを用い
ることにより工程は短縮できるが、いくつかの問題点が
ある。例えば、現像時に膜減りを起こす、また現像時の
膨張のために解像性が低下するなどである。また、現像
時にポストキュアが必要であり、その際に膜厚が３０〜
５０％も収縮するという欠点を有している。また、テー
パをなくすことを目的にプラズマエッチングを利用しバ
イヤホールを形成しようとの報告もなされている（昭和
５８年度電子通信学会半導体材料部門全国大会、予稿
集、講演番号２７）。これは多層レジストを用いたもの
であり、下層にポリイミドなどの耐熱性樹脂、中間層に
無機層、上層にホトレジストを用いた三層構造とするも
のであるが、無機層の塗布、除去など工程数が多く煩雑
である欠点をもっている。この問題を解決するため、耐
熱性に優れたシロキサンポリマーとオルトジアゾナフト
キノン系感光剤とからなる感光性シリコーン系層間絶縁
膜が提案されている（特願昭６１−１３６８１６号）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】この層間絶縁膜は耐熱
性でしかも微細なパターンを形成できる特徴があるが、
１０μｍ以上の膜厚になるとき裂が発生し、信頼性が低
下する問題があった。本発明は、上記事情にかんがみて
なされたものであり、その目的は厚膜形成を可能にした
高信頼性のパターン形成材料及びそれを用いた多層配線
板を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明の第１の発明は、パターン形成材料に関する発明で
あって、オキシラン環を有するアルコキシシランの加水
分解・縮合によって得られるポリシロキサンと、アジド
化合物とを含有することを特徴とする。そして、本発明
の第２の発明は多層配線板に関する発明であって、第１
の発明のパターン形成材料を層間絶縁膜あるいは表面保
護膜として用いてなることを特徴とする。

【０００５】まず、パターン形成材料を構成するポリシ
ロキサンは、一種以上の多官能アルコキシシランの加水
分解・縮合によって得られるポリシロキサンであって、
該多官能アルコキシシランの一部あるいは全部がオキシ
ラン環を有するアルコキシシランであることを特徴とす
るポリシロキサンである。このポリシロキサンは、一般
には次のような方法によって合成される。まず、特定の
アルコキシシランをエタノールなどのアルコールに溶解
し、これに水と塩酸などの触媒を加える。この触媒は場
合によっては除いてもよい。この反応は常温で進行する
が、必要に応じて加熱してもよい。所定時間経過後、反
応溶液を水中に投入し、沈殿した生成物をろ別した後乾
燥する。この段階での生成物を実用に供しても良いし、
また、更に高重合体を所望する場合には、生成物を適当
な溶媒中、アルカリ触媒などにより更に反応を進めれば
良い。あるいは、バルク状で更に加熱して縮合を進める
方法も有効である。アルコキシシランはこの反応過程に
おいてシラノールを生成するために、得られたポリシロ
キサンはアルカリ水溶液に溶解する。

【０００６】また、本発明の金属アルコキシドの加水分
解・縮合によって得られたポリシロキサンは、一般に末
端にシラノール基を有するため、これが縮合を起こし経
時的に特性が変化しうる可能性がある。これを避けるた
めには、シリル化剤などによりシラノール基を他の非反
応性の置換基に置換することができる。しかし、アルカ
リ溶解性との関係から、シリル化は注意深く制御する必
要がある。

【０００７】本発明において用いられるオキシラン環
（例えば、エポキシ基）を有する多官能金属アルコキシ
ドは特に限定するものではなく、分子中に、オキシラン
環を持つ２官能あるいは３官能のアルコキシシランであ
る。具体的には、３−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシ
シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチ
ルトリメトキシシラン、３−（Ｎ−アリル−Ｎ−グリシ
ジル）アミノプロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ，
Ｎ−ジグリシジル）アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、Ｎ−グリシジル−Ｎ，Ｎ−ビス〔３−（メチルジメ
トキシシリル）プロピル〕アミン、Ｎ−グリシジル−
Ｎ，Ｎ−ビス〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕
アミン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラ
ン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラ
ン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルト
リエトキシシラン、３−（Ｎ−アリル−Ｎ−グリシジ
ル）アミノプロピルトリエトキシシラン、３−（Ｎ，Ｎ
−ジグリシジル）アミノプロピルトリエトキシシラン、
Ｎ−グリシジル−Ｎ，Ｎ−ビス〔３−（メチルジエトキ
シシリル）プロピル〕アミン、Ｎ−グリシジル−Ｎ，Ｎ
−ビス〔３−（トリエトキシシリル）プロピル〕アミン
等が例示される。

【０００８】また、本発明にはオキシラン環を有する金
属アルコキシドと、汎用の金属アルコキシドあるいは金
属塩化物との共重合によって得られるポリシロキサンも
含まれる。この種の汎用の金属アルコキシドは特に限定
するものではないが、次のようなものが例示される。ジ
メトキシジメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、
ジメトキシメチル−３，３，３−トリフルオロプロピル
シラン、ジエトキシジビニルシラン、ジエトキシジエチ
ルシラン、３−アミノプロピルジエトキシメチルシラ
ン、３−（２−アミノエチルアミノ）プロピルジメトキ
シメチルシラン、ジメトキシメチルフェニルシラン、ジ
エトキシメチルフェニルシラン、ジメトキシジフェニル
シラン、ジエトキシジフェニルシラン、トリス−（２−
メトキシエトキシ）ビニルシラン、メチルトリメトキシ
シラン、エチルトリメトキシシラン、３，３，３−トリ
フルオロプロピルトリメトキシシラン、メチルトリエト
キシシラン、３−（Ｎ−メチルアミノ）プロピルトリメ
トキシシラン、メチルトリス（２−アミノエトキシ）シ
ラン、トリアセトキシビニルシラン、トリエトキシビニ
ルシラン、エチルトリエトキシシラン、２−メルカプト
エトキシトリメトキシシラン、３−（２−アミノエチル
アミノ）プロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメ
トキシシラン、２−シアノエチルトリエトキシシラン、
アリルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキシシラ
ン、ヘキシルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル
トリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリ
メトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、フェニ
ルトリエトキシシラン、３−〔Ｎ−アリル−Ｎ（２−ア
ミノエチル）〕アミノプロピルトリメトキシシラン、４
−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物、４
−トリエトキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物、４
−トリイソプロポキシシリルテトラヒドロフタル酸無水
物、４−トリメトキシシリルテトラヒドロフタル酸、４
−トリエトキシシリルテトラヒドロフタル酸、４−トリ
イソプロポキシシリルテトラヒドロフタル酸、テトラメ
トキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシ
シラン、テトラエトキシジルコン、テトラブトキシジル
コン、テトライソプロポキシジルコン、テトラメトキシ
ゲルマン、テトラエトキシチタン、テトラブトキシチタ
ン、テトラブトキシスズ、ペンタブトキシニオブ、ペン
タブトキシタリウム、トリエトキシボロン、トリブトキ
シガリウム、ジブトキシ鉛、トリブトキシネオジム、ト
リブトキシエルビウム。これらのうち、特に好ましいの
は、原料の入手しやすさ、反応性、得られる生成物の特
性等の点から、フェニルトリエトキシシラン、フェニル
トリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン及びテ
トラエトキシシランである。また、金属塩化物として
は、ｎ−ブチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシ
ラン、エチルトリクロロシラン、メチルトリクロロシラ
ン、フェニルトリクロロシラン、トリクロロビニルシラ
ン、ジフェニルジクロロシラン等が例示される。

【０００９】本発明のポリシロキサンは１μｍの厚さで
２４８ｎｍにおける光の透過率は９０％以上であり、ま
た、フェニルトリエトキシシランを５０モル％共重合さ
せた場合でも７０％以上であり、エキシマレーザ用レジ
スト材料として有望である。ガラス転移温度を高める上
でフェニルトリエトキシシランを共重合させることは重
要であり、光の透過率とアルカリ溶解性との関係からそ
の組成が決定される。フェニルトリメトキシシランの添
加量が８０モル％以上になるとアルカリ水溶液に対する
溶解性が極度に低下し、アルカリ現像ができなくなる。
これはフェニル基よりもエポキシ基のほうが水に対する
親和性が大きいためと推察される。好ましくはフェニル
基の添加量は３０モル％から８０モル％が良い。

【００１０】本発明において用いられる触媒は特に限定
するものではなく、酸触媒及びアルカリ触媒が用いられ
る。このような酸触媒としては、塩酸、フッ酸、硝酸、
硫酸、酢酸、ギ酸等が例示される。また、アルカリ触媒
としては、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、水酸化カルシウム等が例示される。

【００１１】ポリマーはアルカリ水溶液に可溶であり、
アジド化合物を加えることによりネガ形の感光性樹脂と
して利用でき、バイヤホール形成等に使用可能である。
この感光性樹脂組成物は紫外線照射により照射部分のア
ジド化合物がナイトレンの形となりシラノール基と反応
することにより、アルカリ溶解性が低下する。このた
め、アルカリ水溶液で現像することにより、従来のバイ
ヤホール形成のための工程に比べて簡易な工程で、しか
も現像時の膨潤がないため微細なパターンを形成でき
る。しかしながら、これを多層配線板の層間絶縁層とし
て使用するには１０μｍ以上の厚膜化が必要であるが、
このような厚膜を、レジスト溶液を基板上に回転塗布
し、しかるのちに膜中に残存している塗布溶媒を除くた
めにプリベークを行う一連の工程に従って作成しようと
すると、従来のシリコーン含有レジストではき裂が発生
し、信頼性が低下する問題があった。

【００１２】本発明者らは、この問題を解決するために
鋭意検討した結果、一種以上の多官能アルコキシシラン
の加水分解・縮合によって得られるポリシロキサンであ
って、該多官能アルコキシシランの一部あるいは全部が
オキシラン環を有するアルコキシシランであるポリシロ
キサンをパターン形成材料のベースポリマーとして使用
することにより、厚膜形成できることを見出した。ま
た、必要に応じて水酸基を有する有機高分子を添加する
ことにより、パターン形成材料の保存安定性を大幅に改
善することができる。この添加剤は親水性基を含むため
にアルカリ可溶性であり、アルカリ水溶液を用いて現像
するパターン形成方法において、上記アルカリ可溶性シ
リコーンポリマーと感光性樹脂組成物の組合せによるパ
ターン形成能を損なわない。

【００１３】この感光性樹脂組成物はシリコンを豊富に
含むために、ドライエッチングに対する耐性が高い。そ
のため、パターン形成後は厚膜のマスクパターンとし
て、ＩｎＰなどの種々の基板の深溝の加工が可能であ
る。更に、１５０℃以上の熱処理で架橋し、この熱架橋
により、ドライエッチング耐性は更に高くなるため、パ
ターン変換差が極めて小さいエッチング処理が可能であ
る。更に耐熱性も高く、シリコン基板上に形成した膜厚
は、４００℃までの加熱及び加熱後の急冷において、き
裂は発生せず、体積変化もほとんどない。

【００１４】水酸基を含む有機高分子の添加量は、５〜
３０重量％が最適の範囲とされる。５重量％未満では保
存安定性の改善効果が小さい。また、３０重量％よりも
多く添加すると耐熱性やドライエッチング耐性が悪くな
る。

【００１５】該水酸基を有する有機高分子の例として
は、特に限定するものではないが、ノボラック樹脂、フ
ェノール樹脂、ピロガロールアセトンポリマー、ポリビ
ニルフェノールなどが使用できる。

【００１６】溶媒としては２−エトキシエチルアセテー
ト、乳酸エチル、メトキシ−２−プロパノールなど一般
に使用されているレジスト溶媒が使用できる。

【００１７】本発明では感光剤としてアジド化合物を用
いる。ポリシロキサンに残存するシラノール基はアジド
化合物から発生したナイトレンと効率よく反応し、アル
カリ水溶液に溶解しなくなる。本発明におけるアジド化
合物とは特に限定するものではないが、下記一般式（化
１）で表される化合物：

【００１８】

【化１】

【００１９】〔式中Ｒ₁ は、直接結合、又は下記式（化
２）：

【００２０】

【化２】

【００２１】（Ｒ₃ は炭化水素基、置換炭化水素基を示
す）で表される基であり、Ｒ₂ は水素又はハロゲンであ
る〕あるいはアジドピレンのような多環芳香族アジドか
ら選択された１種以上のものであることを特徴とする。

【００２２】また、必要に応じて下記増感剤を使用する
ことができる：芳香族カルボニル化合物、ベンゾイン系
化合物、色素レドックス系化合物、アゾ化合物、含硫黄
化合物、有機過酸化物、芳香族ニトロ化合物、キノン系
化合物、アントロン系化合物及びアセナフテン系化合
物。

【００２３】次に本発明の第２の発明である多層配線板
について説明する。図１は本発明のパターン形成材料を
用いた多層配線板製造の１例の工程図を示す。図１にお
いて符号１は基板、２は第１層導体パターン、３は本発
明のパターン形成材料、４はホトマスク、５は露光用紫
外光、６はバイヤホールを意味する。

【００２４】以下に前記アルカリ可溶性シリコーンポリ
マーの製造例を示すがこれらに限定されない。

【００２５】合成例１ ３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン１１．８
ｇ（０．０５モル）及びフェニルトリエトキシシラン１
２．０ｇ（０．０５モル）をエタノールに溶解し、かく
はんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温で２４
時間反応させた後、更に６０℃で１４４時間反応させ
た。反応後反応溶液を蒸留水中に投入し、生成した沈殿
をろ別し白色のポリマーを得た。生成物はテトラヒドロ
フラン（ＴＨＦ）、エタノール、エチルセロソルブ、メ
チルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、アセトン、酢酸エ
チル等の溶媒に可溶であった。これらの溶液からは透明
で均一な膜が得られた。

【００２６】合成例２ ２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメ
トキシシラン１２．３ｇ（０．０５モル）及びフェニル
トリエトキシシラン１３．６ｇ（０．０５モル）をエタ
ノールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を
添加した。常温で２４時間反応させた後、更に６０℃で
１４４時間反応させた。反応後反応溶液を蒸留水中に投
入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た。
生成物はＴＨＦ、エタノール、エチルセロソルブ、ＭＩ
ＢＫ、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった。
これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。このポ
リマーの赤外吸収スペクトルを図２に透過度（縦軸）と
波数（ｃｍ^-1、横軸）との関係で示す。図２の３４００
ｃｍ^-1と９０５ｃｍ^-1においてシラノールの水酸基の吸
収が観察される。また、図３に²⁹Ｓｉ−ＮＭＲのチャー
ト〔化学シフト（ｐｐｍ、横軸）〕を示す。図３中、−
７１ｐｐｍに下記式（化３）：

【００２７】

【化３】

【００２８】Ｐｈ：フェニル基

【００２９】そして、５７ｐｐｍに下記式（化４）：

【００３０】

【化４】

【００３１】ＥＰ：エポキシシクロヘキシルエチル基

【００３２】のＳｉのピークが観察される。またポリマ
ーの分子量は約１５００であった。

【００３３】合成例３ ２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメ
トキシシラン１２．３ｇ（０．０５モル）及びメチルト
リエトキシシラン８．９ｇ（０．０５モル）をエタノー
ルに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加
した。常温で２４時間反応させた後、更に６０℃で１４
４時間反応させた。反応後反応溶液を蒸留水中に投入
し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た。生
成物はＴＨＦ、エタノール、エチルセロソルブ、ＭＩＢ
Ｋ、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった。こ
れらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。

【００３４】合成例４ ２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメ
トキシシラン４．９２ｇ（０．０２モル）、メチルトリ
エトキシシラン８．９ｇ（０．０５モル）及びテトラエ
トキシシラン６．２４ｇ（０．０３モル）をエタノール
に溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添加し
た。常温で６時間反応させた後、アンモニア水を加えて
更に６０℃で２４時間反応させた。室温に冷却後、アン
モニアを加え更に１２時間反応を続けた。反応後反応溶
液を蒸留水中に投入し、生成した沈殿物をろ別し白色の
ポリマーを得た。生成物はＴＨＦ、エタノール、エチル
セロソルブ、ＭＩＢＫ、アセトン、酢酸エチル等の溶媒
に可溶であった。これらの溶液からは透明で均一な膜が
得られた。

【００３５】合成例５ ２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメ
トキシシラン４．９２ｇ（０．０２モル）、メチルトリ
エトキシシラン８．９ｇ（０．０５モル）及びテトライ
ソプロポキシチタン８．５２ｇ（０．０３モル）をエタ
ノールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸を添加し
た。還流下で１２時間反応させた後、常温に戻し水を加
え１４４時間反応させた。反応後反応溶液を蒸留水中に
投入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得
た。生成物はＴＨＦ、エタノール、エチルセロソルブ、
ＭＩＢＫ、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であっ
た。これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。

【００３６】合成例６ ２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメ
トキシシラン４．９２ｇ（０．０２モル）及びフェニル
トリエトキシシラン１９．２ｇ（０．０８モル）をエタ
ノールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を
添加した。常温で２４時間反応させた後、更に６０℃で
１４４時間反応させた。反応後反応溶液を蒸留水中に投
入し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た。
生成物はＴＨＦ、エタノール、エチルセロソルブ、ＭＩ
ＢＫ、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった。
これらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。

【００３７】合成例７ ２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメ
トキシシラン２．４６ｇ（０．０１モル）、４−トリメ
トキシシリルテトラヒドロフタル酸無水物２．７２ｇ
（０．０１モル）及びフェニルトリエトキシシラン１
９．２ｇ（０．０８モル）をエタノールに溶解し、かく
はんしながらこれに塩酸水溶液を添加した。常温で２４
時間反応させた後、更に６０℃で１４４時間反応させ
た。反応後反応溶液を蒸留水中に投入し、生成した沈殿
物をろ別し白色のポリマーを得た。生成物はＴＨＦ、エ
タノール、エチルセロソルブ、ＭＩＢＫ、アセトン、酢
酸エチル等の溶媒に可溶であった。これらの溶液からは
透明で均一な膜が得られた。

【００３８】合成例８ ２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメ
トキシシラン４．９２ｇ（０．０２モル）及びメチルト
リエトキシシラン１４．２ｇ（０．０８モル）をエタノ
ールに溶解し、かくはんしながらこれに塩酸水溶液を添
加した。常温で２４時間反応させた後、更に６０℃で１
４４時間反応させた。反応後反応溶液を蒸留水中に投入
し、生成した沈殿物をろ別し白色のポリマーを得た。生
成物はＴＨＦ、エタノール、エチルセロソルブ、ＭＩＢ
Ｋ、アセトン、酢酸エチル等の溶媒に可溶であった。こ
れらの溶液からは透明で均一な膜が得られた。

【００３９】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。

【００４０】実施例１〜８ 合成例１から８で得られたポリマー２ｇをエチルセロソ
ルブアセテート１０ｍｌに溶解し、これに３，３′−ジ
クロロ−４，４′−ジアジドジフェニルメタン１００ｍ
ｇ、及び増感剤としてミヒラーケトン２０ｍｇを添加し
た。次にシリコン基板に約１０μｍの厚さに塗布し、８
０℃で２０分間プリベークした。次いで超高圧水銀灯を
用いて露光した。露光後１．５％テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液で３０秒間現像
し、そして水で６０秒間リンスした。この時、初期膜厚
の５０％が残る光照射量を感度とした。この感度と解像
性の結果を表１にまとめて示す。解像性はライン＆スペ
ースのパターンをもつクロムマスクを通して露光後現像
し、解像した最小パターン寸法で表した。

【００４１】

【表１】

【００４２】実施例９〜１８ 実施例２（合成例２のポリマー）において、３，３′−
ジクロロ−４，４′−ジアジドジフェニルメタンを表２
のアジド化合物に代えて、実施例２と同様の方法で感度
を評価した。解像性はいずれも５μｍのパターンを形成
することができた。

【００４３】

【表２】

【００４４】実施例１９〜２５、比較例１ 実施例２（合成例２のポリマー）において、ミヒラーケ
トンを表３の増感剤に代えて、実施例２と同様の方法で
感度を評価した。解像性はいずれも５μｍのパターンを
形成することができた。

【００４５】

【化３】

【００４６】実施例２６〜２８ 実施例２のパターン形成材料に水酸基を有する有機高分
子としてノボラック樹脂（実施例２６）、フェノール樹
脂（実施例２７）、ポリビニルフェノール（実施例２
８）を２００ｍｇ添加した材料についてパターン形成特
性を評価した。感度はいずれも２０ｍＪ／ｃｍ² であ
り、添加前（実施例２）より低感度であったが、解像性
は実施例２と同様の５μｍのパターンを形成することが
できた。

【００４７】実施例２９ 実施例２で用いたパターン形成材料を導体パターンの形
成されたアルミナ基板上に、２０μｍの厚さで塗布し、
９０℃で３０分間ベークした。次に、ホトマスクを介
し、ウシオ社製の紫外線照射装置を用いて、露光した。
露光後、ＴＭＡＨ１．５％水溶液で現像し、水でリンス
した。この作業により、シリコーン系絶縁膜にバイヤホ
ール用孔を形成した。更に、一般に行われているセミア
ディティブ法により無電解銅メッキと電気メッキで導体
パターン２０μｍを形成した。

【００４８】以上述べた方法により絶縁層形成と回路形
成を行い、高密度な多層配線板を製造できた。製造工程
において、絶縁層にひび割れなく、厚膜のパターン形成
が可能であり、更に、パターン形成後、１５０℃で熱架
橋させたものは、４００℃の加熱、急冷の処理でき裂が
発生することはなかった。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、．本発明における
パターン形成材料は、シリコーンポリマー、アジド化合
物、必要に応じて増感剤、水酸基を有する高分子化合物
からなり、耐熱性に優れ、厚膜でも微細パターンを形成
できる利点がある。このパターン形成材料は、４００℃
においてもほとんど重量は減少しないため、層間絶縁膜
や表面保護膜として有望であり、その際製造工程が従来
と比較して大幅に簡略化できる。また、厚膜でひび割れ
等を生じることなく、急峻なパターンが得られるため
に、ＩｎＰ、ＧａＡｓ等の種々の基板の深溝の加工にマ
スクパターンとしても用いることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のパターン形成材料を用いた多層配線板
製造の１例の工程図である。

【図２】本発明で使用する合成例２で得られたポリマー
の赤外吸収スペクトルを示す図である。

【図３】本発明で使用する合成例２で得られたポリマー
の²⁹Ｓｉ−ＮＭＲのチャートを示す図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｃ 8518−4Ｍ Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｈ 6921−4Ｅ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 オキシラン環を有するアルコキシシラン
   の加水分解・縮合によって得られるポリシロキサンと、
   アジド化合物とを含有することを特徴とするパターン形
   成材料。
2. 【請求項２】 オキシラン環を有するアルコキシシラン
   の加水分解・縮合によって得られるポリシロキサンとア
   ジド化合物、及び水酸基を有する有機高分子を含有する
   ことを特徴とするパターン形成材料。
3. 【請求項３】 オキシラン環を有するアルコキシシラン
   が、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルト
   リエトキシシランとフェニルトリエトキシシランの混合
   物であることを特徴とする請求項１又は２に記載のパタ
   ーン形成材料。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載のパター
   ン形成材料を層間絶縁膜あるいは表面保護膜として使用
   してなることを特徴とする多層配線板。