JPH0494554A - Ｔａｂフィルムキャリヤ及びｔａｂ実装半導体装置のインナーリードボンディング方法 - Google Patents
Ｔａｂフィルムキャリヤ及びｔａｂ実装半導体装置のインナーリードボンディング方法Info
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- JPH0494554A JPH0494554A JP2212966A JP21296690A JPH0494554A JP H0494554 A JPH0494554 A JP H0494554A JP 2212966 A JP2212966 A JP 2212966A JP 21296690 A JP21296690 A JP 21296690A JP H0494554 A JPH0494554 A JP H0494554A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
ＴＡＢフィルムキャリヤ及びＴＡＢ実装半導体装置のイ
ンナーリードボンディング方法の改良に関し、 半導体チップのバンプと、フィルムに形成したリードと
の位置合わせ作業を容易に行うことが可能で、リードの
熱変形を防止することが可能となるＴＡＢフィルムキャ
リヤ及びＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードボンデ
ィング方法の提供を目的とし、 〔１〕半導体チップよりも大きな孔を等間隔に設け、該
孔の周囲に前記半導体チップのバンプに対応する間隔で
リードを形成し、長手方向の両端部にスプロケットホー
ルを設けたＴＡＢフィルムキャリアにおいて、前記孔の
一対の対向する辺にのみリードを設け、他の対向する辺
にはリードを設けず、隣接する前記孔には前記リードと
方向が異なるリードを設けるよう樽成し、 〔２〕請求項１記載のＴＡＢフィルムキャリヤを用いる
ＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードのボンディング
方法であって、前記半導体チップの一対の対向する辺の
バンプと前記ＴＡＢフィルムキャリアの前記孔の一対の
対向する辺にのみ形成した前記リードとを位置合わせし
てインナーリードボンディングを行う工程と、前記半導
体チ・７プとインナーリードボンディングされた前記リ
ードと前記フィルムとを切断分離する工程と、前記リー
ドがインナーリードボンディングされた前記半導体チッ
プを下方に下げ、前記スプロケットホールを用いて前記
フィルムを移動して隣接する前記孔を前記半導体チップ
の直上に位置させ、前記半導体チップを上方に上げて前
記半導体チップのバンプと前記フィルムのリードとを位
置合わせしてインナーリードボンディングを行う工程と
を有するよう構成する。
ンナーリードボンディング方法の改良に関し、 半導体チップのバンプと、フィルムに形成したリードと
の位置合わせ作業を容易に行うことが可能で、リードの
熱変形を防止することが可能となるＴＡＢフィルムキャ
リヤ及びＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードボンデ
ィング方法の提供を目的とし、 〔１〕半導体チップよりも大きな孔を等間隔に設け、該
孔の周囲に前記半導体チップのバンプに対応する間隔で
リードを形成し、長手方向の両端部にスプロケットホー
ルを設けたＴＡＢフィルムキャリアにおいて、前記孔の
一対の対向する辺にのみリードを設け、他の対向する辺
にはリードを設けず、隣接する前記孔には前記リードと
方向が異なるリードを設けるよう樽成し、 〔２〕請求項１記載のＴＡＢフィルムキャリヤを用いる
ＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードのボンディング
方法であって、前記半導体チップの一対の対向する辺の
バンプと前記ＴＡＢフィルムキャリアの前記孔の一対の
対向する辺にのみ形成した前記リードとを位置合わせし
てインナーリードボンディングを行う工程と、前記半導
体チ・７プとインナーリードボンディングされた前記リ
ードと前記フィルムとを切断分離する工程と、前記リー
ドがインナーリードボンディングされた前記半導体チッ
プを下方に下げ、前記スプロケットホールを用いて前記
フィルムを移動して隣接する前記孔を前記半導体チップ
の直上に位置させ、前記半導体チップを上方に上げて前
記半導体チップのバンプと前記フィルムのリードとを位
置合わせしてインナーリードボンディングを行う工程と
を有するよう構成する。
本発明は、ＴＡＢフィルムキャリヤ及びＴＡＢ実装半導
体装置のインナーリードボンディング方法の改良に関す
るものである。
体装置のインナーリードボンディング方法の改良に関す
るものである。
集積回路装置の高集積化に伴い、入出力に用いる端子数
が著しく増加するのに対応するため、従来のワイヤのボ
ンディングによる組立実装方法に代わって１．フィルム
キャリヤを用いるＴａｐｅ ａｕｔｏｓａｔｅｄ ｂｏ
ｎｄｉｎｇ （以下、ＴＡＢと略称する）組立実装法が
多く用いられるようになっている。
が著しく増加するのに対応するため、従来のワイヤのボ
ンディングによる組立実装方法に代わって１．フィルム
キャリヤを用いるＴａｐｅ ａｕｔｏｓａｔｅｄ ｂｏ
ｎｄｉｎｇ （以下、ＴＡＢと略称する）組立実装法が
多く用いられるようになっている。
ＴＡＢフィルムキャリヤに半導体チ・ノブを実装する際
には、半導体チップのバンプとＴＡＢフィルムキャリヤ
のリードとの位置合わせを行うことが必要になるが、リ
ードの数が多くなるとＴＡＢフィルムキャリヤのすべて
のリードと半導体チップの四辺のすべてのバンプとを一
度に位置合わせすることが非常に困難になり、すべての
リードとバンプとを熱加重してインナーリードボンディ
ングを行う場合に、熱によるフィルムの膨張或いは収縮
が不均一になり、リードが変形する。
には、半導体チップのバンプとＴＡＢフィルムキャリヤ
のリードとの位置合わせを行うことが必要になるが、リ
ードの数が多くなるとＴＡＢフィルムキャリヤのすべて
のリードと半導体チップの四辺のすべてのバンプとを一
度に位置合わせすることが非常に困難になり、すべての
リードとバンプとを熱加重してインナーリードボンディ
ングを行う場合に、熱によるフィルムの膨張或いは収縮
が不均一になり、リードが変形する。
以上のような状況から、半導体チップのバンプとＴＡＢ
フィルムキャリヤのリードとの位置合わせを容易に行う
ことが可能で、リードの熱変形を防止することが可能な
ＴＡＢフィルムキャリヤ及びＴＡＢ実装半導体装置のイ
ンナーリードボンディング方法が要望されている。
フィルムキャリヤのリードとの位置合わせを容易に行う
ことが可能で、リードの熱変形を防止することが可能な
ＴＡＢフィルムキャリヤ及びＴＡＢ実装半導体装置のイ
ンナーリードボンディング方法が要望されている。
従来のＴＡＢフィルムキャリヤを第３図により、従来の
ＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードボンディング方
法を第４図により詳細に説明する。
ＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードボンディング方
法を第４図により詳細に説明する。
従来のＴＡＢフィルムキャリヤは第３図に示すように、
半導体チップよりも大きな孔１１ａを等間隔に設け、こ
の孔１１ａの周囲の四辺に、この半導体チップのバンプ
に対応する間隔でリード１２ａ及び１２ｂを形成し、長
手方向の両端部にスプロケットホールｌｌｂを設けたＴ
ＡＢフィルムキャリアである。
半導体チップよりも大きな孔１１ａを等間隔に設け、こ
の孔１１ａの周囲の四辺に、この半導体チップのバンプ
に対応する間隔でリード１２ａ及び１２ｂを形成し、長
手方向の両端部にスプロケットホールｌｌｂを設けたＴ
ＡＢフィルムキャリアである。
このＴＡＢフィルムキャリアを用いるＴＡＢ実装半導体
装置のインナーリードボンディング方法を第４図により
工程順に詳細に説明する。
装置のインナーリードボンディング方法を第４図により
工程順に詳細に説明する。
まず第４図（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体チッ
プ３の周囲の四辺のすべてのバンプ３ａ及び３ｂと、Ｔ
ＡＢフィルムキャリアの孔１１ａの周囲の四辺に形成し
た、この半導体チップ３のバンプ３ａ及び３ｂの間隔に
対応したすべてのリード１２ａ及び１２ｂを一度に位置
合わせし、半導体チップ３の四辺を図示しない加熱した
ボンディングツールを用いてインナーリードボンディン
グを行う。
プ３の周囲の四辺のすべてのバンプ３ａ及び３ｂと、Ｔ
ＡＢフィルムキャリアの孔１１ａの周囲の四辺に形成し
た、この半導体チップ３のバンプ３ａ及び３ｂの間隔に
対応したすべてのリード１２ａ及び１２ｂを一度に位置
合わせし、半導体チップ３の四辺を図示しない加熱した
ボンディングツールを用いてインナーリードボンディン
グを行う。
つぎにこの半導体チップ３とインナーリードボンディン
グされたリード１２ａ及び１２ｂとフィルム１１とを切
断分離し、第４図（Ｃ）に示すように半導体チップ３を
熱伝導性接着剤６を用いてパッケージに固着し、半導体
チップ３のすべてのバンプ３ａ及び３ｂにインナーリー
ドボンディングされたリード１２ａ及び１２ｂを、パフ
ケージ基材５に設けたパッケージパターン４と位置合わ
せしてアウターリードボンディングして半導体チップ３
をパッケージに搭載する。
グされたリード１２ａ及び１２ｂとフィルム１１とを切
断分離し、第４図（Ｃ）に示すように半導体チップ３を
熱伝導性接着剤６を用いてパッケージに固着し、半導体
チップ３のすべてのバンプ３ａ及び３ｂにインナーリー
ドボンディングされたリード１２ａ及び１２ｂを、パフ
ケージ基材５に設けたパッケージパターン４と位置合わ
せしてアウターリードボンディングして半導体チップ３
をパッケージに搭載する。
以上説明した従来のＴＡＢフィルムキャリヤ及びＴＡＢ
実装半導体装置のインナーリードボンディング方法にお
いては、半導体チップのすべてのバンプと、ＴＡＢフィ
ルムキャリアのフィルムに形成されているすべてのリー
ドとを一度に位置合わせし、同時に熱圧着してインナー
リードボンディングしなければならないので、この位置
合わせ作業を高精度で行うには長時間が必要であり、熱
圧着の際にリードの熱変形が生じるという問題点があっ
た。
実装半導体装置のインナーリードボンディング方法にお
いては、半導体チップのすべてのバンプと、ＴＡＢフィ
ルムキャリアのフィルムに形成されているすべてのリー
ドとを一度に位置合わせし、同時に熱圧着してインナー
リードボンディングしなければならないので、この位置
合わせ作業を高精度で行うには長時間が必要であり、熱
圧着の際にリードの熱変形が生じるという問題点があっ
た。
本発明は以上のような状況から、半導体チップのバンプ
とフィルムに形成したリードとの位置合わせ作業を容易
に行うことが可能で、リードの熱変形を防止することが
可能となるＴＡＢフィルムキャリヤ及びＴＡＢ実装半導
体装置のインナーリードボンディング方法の提供を目的
としたものである。
とフィルムに形成したリードとの位置合わせ作業を容易
に行うことが可能で、リードの熱変形を防止することが
可能となるＴＡＢフィルムキャリヤ及びＴＡＢ実装半導
体装置のインナーリードボンディング方法の提供を目的
としたものである。
本発明のＴＡＢフィルムキャリアは、半導体チップより
も大きな孔を等間隔に設け、この孔の周囲にこの半導体
チップのバンプに対応する間隔でリードを形成し、長手
方向の両端部にスプロケットホールを設けたＴＡＢフィ
ルムキャリアにおいて、この孔の一対の対向する辺にの
みリードを設け、他の対向する辺にはリードを設けず、
隣接する前記孔にはこのリードと方向が異なるリードを
設けるよう構成し、 本発明のＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードボンデ
ィング方法は、上記のＴＡＢフィルムキャリヤを用いる
ＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードのボンディング
方法であって、前記半導体チップの一対の対向する辺の
バンプとこのＴＡＢフィルムキャリアのこの孔の一対の
対向する辺にのみ形成したリードとを位置合わせしてイ
ンナーリードボンディングを行う工程と、この半導体チ
ップとインナーリードボンディングされたリードとフィ
ルムとを切断分離する工程と、このリードがインナーリ
ードボンディングされた半導体チップを下方に下げ、ス
プロケットホールを用いてこのフィルムを移動して隣接
するこの孔をこの半導体チップの直上に位置させ、この
半導体チップを上方に上げて半導体チップのバンプと前
記フィルムのリードとを位置合わせしてインナーリード
ボンディングを行う工程とを有するよう構成する。
も大きな孔を等間隔に設け、この孔の周囲にこの半導体
チップのバンプに対応する間隔でリードを形成し、長手
方向の両端部にスプロケットホールを設けたＴＡＢフィ
ルムキャリアにおいて、この孔の一対の対向する辺にの
みリードを設け、他の対向する辺にはリードを設けず、
隣接する前記孔にはこのリードと方向が異なるリードを
設けるよう構成し、 本発明のＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードボンデ
ィング方法は、上記のＴＡＢフィルムキャリヤを用いる
ＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードのボンディング
方法であって、前記半導体チップの一対の対向する辺の
バンプとこのＴＡＢフィルムキャリアのこの孔の一対の
対向する辺にのみ形成したリードとを位置合わせしてイ
ンナーリードボンディングを行う工程と、この半導体チ
ップとインナーリードボンディングされたリードとフィ
ルムとを切断分離する工程と、このリードがインナーリ
ードボンディングされた半導体チップを下方に下げ、ス
プロケットホールを用いてこのフィルムを移動して隣接
するこの孔をこの半導体チップの直上に位置させ、この
半導体チップを上方に上げて半導体チップのバンプと前
記フィルムのリードとを位置合わせしてインナーリード
ボンディングを行う工程とを有するよう構成する。
即ち本発明のＴＡＢフィルムキャリアにおいては、ＴＡ
Ｂフィルムキャリアのフィルムに設けた半導体チップを
収容する孔の一対の対向する辺にのみリードを設け、他
の対向する辺にはリードを設けず、隣接する孔にはこの
リードの方向と直交する方向の孔の一対の対向する辺に
のみリードを設け、他の対向する辺にはリードを設けて
いない。
Ｂフィルムキャリアのフィルムに設けた半導体チップを
収容する孔の一対の対向する辺にのみリードを設け、他
の対向する辺にはリードを設けず、隣接する孔にはこの
リードの方向と直交する方向の孔の一対の対向する辺に
のみリードを設け、他の対向する辺にはリードを設けて
いない。
したがって、本発明のＴＡＢ実装半導体装置のインナー
リードボンディング方法においては、まず半導体チップ
の一対の対向する辺に形成された総数の半分のバンプと
フィルムのリードとの位置合わせを行ってインナーリー
ドボンディングし、このリードとフィルムとを切断分離
した半導体チップを隣接するフィルムの孔に位置させ、
残りの半分のバンプとフィルムのリードとの位置合わせ
をしてインナーリードボンディングするから、バンプと
リードとの位置合わせする数を半減させることができ、
またインナーリードボンディングを行う場合のリードの
熱による変形を防止できるので、この位置合わせ作業を
短時間に高精度で行うことが可能となる。
リードボンディング方法においては、まず半導体チップ
の一対の対向する辺に形成された総数の半分のバンプと
フィルムのリードとの位置合わせを行ってインナーリー
ドボンディングし、このリードとフィルムとを切断分離
した半導体チップを隣接するフィルムの孔に位置させ、
残りの半分のバンプとフィルムのリードとの位置合わせ
をしてインナーリードボンディングするから、バンプと
リードとの位置合わせする数を半減させることができ、
またインナーリードボンディングを行う場合のリードの
熱による変形を防止できるので、この位置合わせ作業を
短時間に高精度で行うことが可能となる。
以下第１図により本発明による一実施例のＴＡＢフィル
ムキャリアについて、第２図により本発明による一実施
例のＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードボンディン
グ方法について詳細に説明する。
ムキャリアについて、第２図により本発明による一実施
例のＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードボンディン
グ方法について詳細に説明する。
本発明のＴＡＢフィルムキャリヤは第１図に示すように
、半導体チップよりも大きな孔１ａを等間隔に設け、こ
の孔１ａの一対の対向する辺にのみリード２ａを形成し
、他の対向する辺にはリードを形成せず、隣接する孔に
はこのリード２ａの方向と直交する方向の孔の一対の対
向する辺にのみリード２ｂを形成し、他の対向する辺に
はリードを形成していない。
、半導体チップよりも大きな孔１ａを等間隔に設け、こ
の孔１ａの一対の対向する辺にのみリード２ａを形成し
、他の対向する辺にはリードを形成せず、隣接する孔に
はこのリード２ａの方向と直交する方向の孔の一対の対
向する辺にのみリード２ｂを形成し、他の対向する辺に
はリードを形成していない。
フィルムｌの長手方向の両端部にはフィルム１を移動す
るスプロケットホール１ｂが設けられている。
るスプロケットホール１ｂが設けられている。
このようなＴＡＢフィルムキャリアヲ用いルＴＡＢ実装
半導体装置のインナーリードボンディング方法を第２図
により工程順に詳細に説明する。
半導体装置のインナーリードボンディング方法を第２図
により工程順に詳細に説明する。
まず第２図（ａｌ、 （ｂ）及び（Ｃ１に示すように、
半導体チップ３の周囲の一対の対向する辺のバンプ３ａ
と、ＴＡＢフィルムキャリアの孔１ａの対向する辺に形
成した、この半導体チップ３のバンプ３ａの間隔に対応
したり一ド２ａを位置合わせして、図示しないバンプ３
ａの間隔の平行の加熱されたボンディングツールを用い
てインナーリードボンディングを行う。
半導体チップ３の周囲の一対の対向する辺のバンプ３ａ
と、ＴＡＢフィルムキャリアの孔１ａの対向する辺に形
成した、この半導体チップ３のバンプ３ａの間隔に対応
したり一ド２ａを位置合わせして、図示しないバンプ３
ａの間隔の平行の加熱されたボンディングツールを用い
てインナーリードボンディングを行う。
つぎにこの半導体チップ３とインナーリードボンディン
グされたり一ド２ａとフィルム１とを切断分離し、この
リード２ａがインナーリードボンディングされたこの半
導体チップ３を下方に下げ、スプロケットホール１ｂを
用いてこのフィルム１を左方に移動して隣接する孔１ａ
をこの半導体チップ３の直上に位置させ、第２図（ｄｌ
に示すようにこの半導体チップ３を上方に上げてこの半
導体チップ３のハンプ３ｂとこのフィルムｌのリード２
ｂとを位置合わせしてインナーリードボンディングを行
う。
グされたり一ド２ａとフィルム１とを切断分離し、この
リード２ａがインナーリードボンディングされたこの半
導体チップ３を下方に下げ、スプロケットホール１ｂを
用いてこのフィルム１を左方に移動して隣接する孔１ａ
をこの半導体チップ３の直上に位置させ、第２図（ｄｌ
に示すようにこの半導体チップ３を上方に上げてこの半
導体チップ３のハンプ３ｂとこのフィルムｌのリード２
ｂとを位置合わせしてインナーリードボンディングを行
う。
最後にこの半導体チップ３とインナーリードボンディン
グされたり−ド２ｂとフィルム１とを切断分離し、第４
図（Ｃ）に示すように半導体チップ３を熱伝導性接着剤
６を用いてパンケージに固着し、半導体チップ３のバン
プにインナーリードボンディングされたリードを、パン
ケージ基材５に設けたパッケージパターン４と位置合わ
せしてアウターリードボンディングして半導体チップ３
をパフケージに搭載する。
グされたり−ド２ｂとフィルム１とを切断分離し、第４
図（Ｃ）に示すように半導体チップ３を熱伝導性接着剤
６を用いてパンケージに固着し、半導体チップ３のバン
プにインナーリードボンディングされたリードを、パン
ケージ基材５に設けたパッケージパターン４と位置合わ
せしてアウターリードボンディングして半導体チップ３
をパフケージに搭載する。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、極めて
簡単なＴＡＢフィルムキャリアの構造を変更することに
より、半導体チップのバンプとフィルムのリードとの位
置合わせ作業を短時間に高精度で行うことが可能となる
利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期
待できるＴＡＢフィルムキャリヤ及びＴＡＢ実装半導体
装置のインナーリードボンディング方法の提供が可能で
ある。
簡単なＴＡＢフィルムキャリアの構造を変更することに
より、半導体チップのバンプとフィルムのリードとの位
置合わせ作業を短時間に高精度で行うことが可能となる
利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期
待できるＴＡＢフィルムキャリヤ及びＴＡＢ実装半導体
装置のインナーリードボンディング方法の提供が可能で
ある。
第１図は本発明による一実施例のＴＡＢフィルムキャリ
ヤを示す図、 第２図は本発明による一実施例のＴＡＢ実装半導体装置
のインナーリードボンディング方法を示す図、 第３図は従来のＴＡＢフィルムキャリヤを示す図、 第４図は従来のＴＡＢ実装半導体装置のインナーリード
ボンディング方法を示す図、 である。 図において、 １はフィルム、 １ａは孔、 １ｂはスプロケットホール、 ２ａ、２ｂはリード、 ３は半導体チップ、 ３ａ、３ｂはバンプ、 ４はパフケージパターン、 ５はパンケージ基材、 ６は熱伝導性接着剤、 を示す。 ｂｌ 第２図（そのｌ）の（ａｌのＡ Ａ断面図 （Ｃ１ 第２図（そのｌ）の（ａｌのＢ Ｂ断面図 ｆｄ＋ バンプ（３ｂ）とリード（２ｂ）とのインナーリードボ
ンディング本発明による一実施例の ＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードボンディング方
法を示す間第 図（その２） 本発明による一実施例のＴＡＢフィルムキャリアを示す
間第 図 ａｔ バンプ（３ａ）とリード（２ａ）とのインナーリドボン
ディング 第 図（その１） 従来のＴＡＢフィルムキャリアを示す間第 図 第 図（その］）
ヤを示す図、 第２図は本発明による一実施例のＴＡＢ実装半導体装置
のインナーリードボンディング方法を示す図、 第３図は従来のＴＡＢフィルムキャリヤを示す図、 第４図は従来のＴＡＢ実装半導体装置のインナーリード
ボンディング方法を示す図、 である。 図において、 １はフィルム、 １ａは孔、 １ｂはスプロケットホール、 ２ａ、２ｂはリード、 ３は半導体チップ、 ３ａ、３ｂはバンプ、 ４はパフケージパターン、 ５はパンケージ基材、 ６は熱伝導性接着剤、 を示す。 ｂｌ 第２図（そのｌ）の（ａｌのＡ Ａ断面図 （Ｃ１ 第２図（そのｌ）の（ａｌのＢ Ｂ断面図 ｆｄ＋ バンプ（３ｂ）とリード（２ｂ）とのインナーリードボ
ンディング本発明による一実施例の ＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードボンディング方
法を示す間第 図（その２） 本発明による一実施例のＴＡＢフィルムキャリアを示す
間第 図 ａｔ バンプ（３ａ）とリード（２ａ）とのインナーリドボン
ディング 第 図（その１） 従来のＴＡＢフィルムキャリアを示す間第 図 第 図（その］）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕半導体チップ（３）よりも大きな孔（１ａ）を等
間隔に設け、該孔（１ａ）の周囲に前記半導体チップ（
３）のバンプに対応する間隔でリードを形成し、長手方
向の両端部にスプロケットホール（１ｂ）を設けたＴＡ
Ｂフィルムキャリアにおいて、 前記孔（１ａ）の一対の対向する辺にのみリード（２ａ
を設け、他の対向する辺にはリードを設けず、隣接する
前記孔（１ａ）には前記リード（２ａ）と方向が異なる
リード（２ｂ）を設けたことを特徴とするＴＡＢフィル
ムキャリア。 〔２〕請求項１記載のＴＡＢフィルムキャリヤを用いる
ＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードのボンディング
方法であって、 前記半導体チップ（３）の一対の対向する辺のバンプ（
３ａ）と前記ＴＡＢフィルムキャリアの前記孔（１ａ）
の一対の対向する辺にのみ形成した前記リード（２ａ）
とを位置合わせしてインナーリードボンディングを行う
工程と、 前記半導体チップ（３）とインナーリードボンディング
された前記リード（２ａ）と前記フィルム（１）とを切
断分離する工程と、 前記リード（２ａ）がインナーリードボンディングされ
た前記半導体チップ（３）を下方に下げ、前記スプロケ
ットホール（１ｂ）を用いて前記フィルム（１）を移動
して隣接する前記孔（１ａ）を前記半導体チップ（３）
の直上に位置させ、前記半導体チップ（３）を上方に上
げて前記半導体チップ（９）のバンプ（３ｂ）と前記フ
ィルム（１）のリード（２ｂ）とを位置合わせしてイン
ナーリードボンディングを行う工程と、を有することを
特徴とするＴＡＢ実装半導体装置のインナーリードボン
ディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2212966A JP2734761B2 (ja) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | Ｔａｂフィルムキャリヤ及びｔａｂ実装半導体装置のインナーリードボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2212966A JP2734761B2 (ja) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | Ｔａｂフィルムキャリヤ及びｔａｂ実装半導体装置のインナーリードボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494554A true JPH0494554A (ja) | 1992-03-26 |
| JP2734761B2 JP2734761B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=16631245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2212966A Expired - Lifetime JP2734761B2 (ja) | 1990-08-11 | 1990-08-11 | Ｔａｂフィルムキャリヤ及びｔａｂ実装半導体装置のインナーリードボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734761B2 (ja) |
-
1990
- 1990-08-11 JP JP2212966A patent/JP2734761B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2734761B2 (ja) | 1998-04-02 |
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