JP2734761B2 - Ｔａｂフィルムキャリヤ及びｔａｂ実装半導体装置のインナーリードボンディング方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 TABフィルムキャリヤ及びTAB実装半導体装置のインナ
ーリードボンディング方法の改良に関し、 半導体チップのバンプと、フィルムに形成したリード
との位置合わせ作業を容易に行うことが可能で、リード
の熱変形を防止することが可能となるTABフィルムキャ
リヤ及びTAB実装半導体装置のインナーリードボンディ
ング方法の提供を目的とし、 〔１〕半導体チップよりも大きな孔を等間隔に設け、該
孔の周囲に前記半導体チップのバンプに対応する間隔で
リードを形成し、長手方向の両端部にスプロケットホー
ルを設けたTABフィルムキャリアにおいて、前記孔の一
対の対向する辺にのみリードを設け、他の対向する辺に
はリードを設けず、隣接する前記孔には前記リードと方
向が異なるリードを設けるよう構成し、 〔２〕請求項１記載のTABフィルムキャリアを用いるTAB
実装半導体装置のインナーリードのボンディング方法で
あって、前記半導体チップの一対の対向する辺のバンプ
と前記TABフィルムキャリアの前記孔の一対の対向する
辺にのみ形成した前記リードとを位置合わせしてインナ
ーリードボンディングを行う工程と、前記半導体チップ
とインナーリードボンディングされた前記リードと前記
フィルムとを切断分離する工程と、前記リードがインナ
ーリードボンディングされた前記半導体チップを下方に
下げ、前記スプロケットホールを用いて前記フィルムを
移動して隣接する前記孔を前記半導体チップの直上に位
置させ、前記半導体チップを上方に上げて前記半導体チ
ップのバンプと前記フィルムのリードとを位置合わせし
てインナーリードボンディングを行う工程とを有するよ
う構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、TABフィルムキャリヤ及びTAB実装半導体装
置のインナーリードボンディング方法の改良に関するも
のである。

集積回路装置の高集積化に伴い、入出力に用いる端子
数が著しく増加するのに対応するため、従来のワイヤの
ボンディングによる組立実装方法に代わって、フィルム
キャリヤを用いるTape outomated bonding（以下、TAB
と略称する）組立実装法が多く用いられるようになって
いる。

TABフィルムキャリヤに半導体チップを実装する際に
は、半導体チップのバンプとTABフィルムキャリヤのリ
ードとの位置合わせを行うことが必要になるが、リード
の数が多くなるとTABフィルムキャリヤのすべてのリー
ドと半導体チップの四辺のすべてのバンプとを一度に位
置合わせすることが非常に困難になり、すべてのリード
とバンプとを熱加重してインナーリードボンディングを
行う場合に、熱によるフィルムの膨張或いは収縮が不均
一になり、リードが変形する。

以上のような状況から、半導体チップのバンプとTAB
フィルムキャリヤのリードとの位置合わせを容易に行う
ことが可能で、リードの熱変形を防止することが可能な
TABフィルムキャリヤ及びTAB実装半導体装置のインナー
リードボンディング方法が要望されている。

〔従来の技術〕

従来のTABフィルムキャリヤを第３図により、従来のT
AB実装半導体装置のインナーリードボンディング方法を
第４図により詳細に説明する。

従来のTABフィルムキャリヤは第３図に示すように、
半導体チップよりも大きな孔11aを等間隔に設け、この
孔11aの周囲の四辺に、この半導体チップのバンプに対
応する間隔でリード12a及び12bを形成し、長手方向の両
端部にスプロケットホール11bを設けたTABフィルムキャ
リアである。

このTABフィルムキャリアを用いるTAB実装半導体装置
のインナーリードボンディング方法を第４図により工程
順に詳細に説明する。

まず第４図（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体チ
ップ３の周囲の四辺のすべてのバンプ3a及び3bと、TAB
フィルムキャリアの孔11aの周囲の四辺に形成した、こ
の半導体チップ３のバンプ3a及び3bの間隔に対応したす
べてのリード12a及び12bを一度に位置合わせし、半導体
チップ３の四辺を図示しない加熱したボンディングツー
ルを用いてインナーリードボンディングを行う。

つぎにこの半導体チップ３とインナーリードボンディ
ングされたリード12a及び12bとフィルム11とを切断分離
し、第４図（ｃ）に示すように半導体チップ３を熱伝導
性接着剤６を用いてパッケージに固着し、半導体チップ
３のすべてのバンプ3a及び3bにインナーリードボンディ
ングされたリード12a及び12bを、パッケージ基材５に設
けたパッケージパターン４と位置合わせしてアウターリ
ードボンディングして半導体チップ３をパッケージに搭
載する。

〔発明が解決しようとする課題〕

以上説明した従来のTABフィルムキャリヤ及びTAB実装
半導体装置のインナーリードボンディング方法において
は、半導体チップのすべてのバンプと、TABフィルムキ
ャリアのフィルムに形成されているすべてのリードとを
一度に位置合わせし、同時に熱圧着してインナーリード
ボンディングしなければならないので、この位置合わせ
作業を高精度で行うには長時間が必要であり、熱圧着の
際にリードの熱変形が生じるという問題点があった。

本発明は以上のような状況から、半導体チップのバン
プとフィルムに形成したリードとの位置合わせ作業を容
易に行うことが可能で、リードの熱変形を防止すること
が可能となるTABフィルムキャリヤ及びTAB実装半導体装
置のインナーリードボンディング方法の提供を目的とし
たものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のTABフィルムキャリアは、半導体チップより
も大きな孔を等間隔に設け、この孔の周囲にこの半導体
チップのバンプに対応する間隔でリードを形成し、長手
方向の両端部にスプロケットホールを設けたTABフィル
ムキャリアにおいて、この孔の一対の対向する辺にのみ
リードを設け、他の対向する辺にはリードを設けず、隣
接する前記孔にはこのリードと方向が異なるリードを設
けるよう構成し、 本発明のTAB実装半導体装置のインナーリードボンデ
ィング方法は、上記のTABフィルムキャリヤを用いるTAB
実装半導体装置のインナーリードのボンディング方法で
あって、前記半導体チップの一対の対向する辺のバンプ
とこのTABフィルムキャリアのこの孔の一対の対向する
辺にのみ形成したリードとを位置合わせしてインナーリ
ードボンディングを行う工程と、この半導体チップとイ
ンナーリードボンディングされたリードとフィルムとを
切断分離する工程と、このリードがインナーリードボン
ディングされた半導体チップを下方に下げ、スプロケッ
トホールを用いてこのフィルムを移動して隣接するこの
孔をこの半導体チップの直上に位置させ、この半導体チ
ップを上方に上げて半導体チップのバンプと前記フィル
ムのリードとを位置合わせしてインナーリードボンディ
ングを行う工程とを有するよう構成する。

〔作用〕

即ち本発明のTABフィルムキャリアにおいては、TABフ
ィルムキャリアのフィルムに設けた半導体チップを収容
する孔の一対の対向する辺にのみリードを設け、他の対
向する辺にはリードを設けず、隣接する孔にはこのリー
ド方向と直交する方向の孔の一対の対向する辺にのみリ
ードを設け、他の対向する辺にはリードを設けていな
い。

したがって、本発明のTAB実装半導体装置のインナー
リードボンディング方法においては、まず半導体チップ
の一対の対向する辺に形成された総数の半分のバンプと
フィルムのリードとの位置合わせを行ってインナーリー
ドボンディングし、このリードとフィルムとを切断分離
した半導体チップを隣接するフィルムの孔に位置させ、
残りの半分のバンプとフィルムのリードとの位置合わせ
をしてインナーリードボンディングするから、バンプと
リードとの位置合わせする数を半減させることができ、
またインナーリードボンディングを行う場合のリードの
熱による変形を防止できるので、この位置合わせ作業を
短時間に高精度で行うことが可能となる。

〔実施例〕

以下第１図により本発明による一実施例のTABフィル
ムキャリアについて、第２図により本発明による一実施
例のTAB実装半導体装置のインナーリードボンディング
方法について詳細に説明する。

本発明のTABフィルムキャリアは第１図に示すよう
に、半導体チップよりも大きな孔1aを等間隔に設け、こ
の孔1aの一対の対向する辺にのみリード2aを形成し、他
の対向する辺にはリードを形成せず、隣接する孔にはこ
のリード2aの方向と直交する方向の孔の一対の対向する
辺にのみリード2bを形成し、他の対向する辺にはリード
を形成していない。

フィルム１の長手方向の両端部にはフィルム１を移動
するスプロケットホール1bが設けられている。

このようなTABフィルムキャリアを用いるTAB実装半導
体装置のインナーリードボンディング方法を第２図によ
り工程順に詳細に説明する。

まず第２図（ａ），（ｂ）及び（ｃ）に示すように、
半導体チップ３の周囲の一対の対向する辺のバンプ3a
と、TABフィルムキャリアの孔1aに対向する辺に形成し
た、この半導体チップ３のバンプ3aの間隔に対応したリ
ード2aを位置合わせして、図示しないバンプ3aの間隔の
平行の加熱されたボンディングツールを用いてインナー
リードボンディングを行う。

つぎにこの半導体チップ３とインナーリードボンディ
ングされたリード2aとフィルム１とを切断分離し、この
リード2aがインナーリードボンディングされたこの半導
体チップ３を下方に下げ、スプロケットホール1bを用い
てこのフィルム１を左方に移動して隣接する孔1aをこの
半導体チップ３の直上に位置させ、第２図（ｄ）に示す
ようにこの半導体チップ３を上方に上げてこの半導体チ
ップ３のバンプ3bとこのフィルム１のリード2bとを位置
合わせしてインナーリードボンディングを行う。

最後にこの半導体チップ３とインナーリードボンディ
ングされたリード2bとフィルム１とを切断分離し、第４
図（ｃ）に示すように半導体チップ３を熱伝導性接着剤
６を用いてパッケージに固着し、半導体チップ３のバン
プにインナーリードボンディングされたリードを、パッ
ケージ基材５に設けたパッケージパターン４と位置合わ
せしてアウターリードボンディングして半導体チップ３
をパッケージに搭載する。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように本発明によれば、極め
て簡単なTABフィルムキャリアの構造を変更することに
より、半導体チップのバンプとフィルムのリードとの位
置合わせ作業を短時間に高精度で行うことが可能となる
利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期
待できるTABフィルムキャリア及びTAB実装半導体装置の
インナーリードボンディング方法の提供が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による一実施例のTABフィルムキャリヤ
を示す図、 第２図は本発明による一実施例のTAB実装半導体装置の
インナーリードボンディング方法を示す図、 第３図は従来のTABフィルムキャリヤを示す図、 第４図は従来のTAB実装半導体装置のインナーリードボ
ンディング方法を示す図、 である。 図において、 １はフィルム、1aは孔、1bはスプロケットホール、2a,2
bはリード、３は半導体チップ、3a,3bはバンプ、４はパ
ッケージパターン、５はパッケージ基材、６は熱伝導性
接着剤、 を示す。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体チップ（３）よりも大きな孔（1a）
   を等間隔に設け、該孔（1a）の周囲に前記半導体チップ
   （３）のバンプに対応する間隔でリードを形成し、長手
   方向の両端部にスプロケットホール（1b）を設けたTAB
   フィルムキャリアにおいて、 前記孔（1a）の一対の対向する辺にのみリード（2a）を
   設け、他の対向する辺にはリードを設けず、隣接する前
   記孔（1a）には前記リード（2a）と方向が異なるリード
   （2b）を設けたことを特徴とするTABフィルムキャリ
   ア。
2. 【請求項２】請求項１記載のTABフィルムキャリヤを用
   いるTAB実装半導体装置のインナーリードのボンディン
   グ方法であって、 前記半導体チップ（３）の一対の対向する辺のバンプ
   （3a）と前記TABフィルムキャリアの前記孔（1a）の一
   対の対向する辺にのみ形成した前記リード（2a）とを位
   置合わせしてインナーリードボンディングを行う工程
   と、 前記半導体チップ（３）とインナーリードボンディング
   された前記リード（2a）と前記フィルム（１）とを切断
   分離する工程と、 前記リード（2a）がインナーリードボンディングされた
   前記半導体チップ（３）を下方に下げ、前記スプロケッ
   トホール（1b）を用いて前記フィルム（１）を移動して
   隣接する前記孔（1a）を前記半導体チップ（３）の直上
   に位置させ、前記半導体チップ（３）を上方に上げて前
   記半導体チップ（３）のバンプ（3b）と前記フィルム
   （１）のリード（2b）とを位置合わせしてインナーリー
   ドボンディングを行う工程と、 を有することを特徴とするTAB実装半導体装置のインナ
   ーリードボンディング方法。