JPH0494537A - ウエハ洗浄装置 - Google Patents
ウエハ洗浄装置Info
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- JPH0494537A JPH0494537A JP21301190A JP21301190A JPH0494537A JP H0494537 A JPH0494537 A JP H0494537A JP 21301190 A JP21301190 A JP 21301190A JP 21301190 A JP21301190 A JP 21301190A JP H0494537 A JPH0494537 A JP H0494537A
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 12
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体を製造するための基板、即ちウェハをジ
ェット液流、ブラシ等により両面同時に洗浄するウェハ
洗浄装置に関するものである。
ェット液流、ブラシ等により両面同時に洗浄するウェハ
洗浄装置に関するものである。
従来、ウェハの両面を同時に洗浄するウェハ洗浄装置は
、第2図に示すように構成されていた。
、第2図に示すように構成されていた。
第2図において、被洗浄物であるウェハ21の外周部を
チャック22により保持し、電動機23を適当な回転数
で回転させなからウェハ21の上下両面にジェット液流
24a、25aをノズル24.25で噴射させて洗浄す
るか又はブラシ26でウェハ21の表面を洗浄している
。このときウェハ21の裏面に関しては電動機23の回
転軸が妨げとなり、各種の洗浄方法が適用できず、チャ
ック22の支柱22aの間隙よりジェット液流25aを
ウェハ21の裏面に当る程度の洗浄しかおこなえなかっ
た。
チャック22により保持し、電動機23を適当な回転数
で回転させなからウェハ21の上下両面にジェット液流
24a、25aをノズル24.25で噴射させて洗浄す
るか又はブラシ26でウェハ21の表面を洗浄している
。このときウェハ21の裏面に関しては電動機23の回
転軸が妨げとなり、各種の洗浄方法が適用できず、チャ
ック22の支柱22aの間隙よりジェット液流25aを
ウェハ21の裏面に当る程度の洗浄しかおこなえなかっ
た。
上述したように、従来の洗浄装置においては、電動機2
3の回転軸がウェハ21の裏側に存在すめるため、ウェ
ハ21の裏面の洗浄を十分に行なうことが困難であった
。
3の回転軸がウェハ21の裏側に存在すめるため、ウェ
ハ21の裏面の洗浄を十分に行なうことが困難であった
。
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、ウェハの裏
面にも種々の洗浄手段が適用できるウェハ洗浄装置を提
供することを目的とする。
面にも種々の洗浄手段が適用できるウェハ洗浄装置を提
供することを目的とする。
上記課題を解決するため本発明は、ウェハ洗浄装置を下
記の如く構成した。ウェハの外周部を保持するチャック
を円筒状の回転体上に設置し、該回転体を磁気軸受によ
り浮上保持し、さらに回転体に設けられたロータ磁性体
と、該ロータ磁性体に対向して配置されたステータコイ
ルからなる電動機で回転体に回転力を与える構成とし、
ウニ/−の表面は外側から裏面は前記回転体の内側から
洗浄する洗浄手段を設け前記ウェハの表裏両面を同時洗
浄することを特徴とする。
記の如く構成した。ウェハの外周部を保持するチャック
を円筒状の回転体上に設置し、該回転体を磁気軸受によ
り浮上保持し、さらに回転体に設けられたロータ磁性体
と、該ロータ磁性体に対向して配置されたステータコイ
ルからなる電動機で回転体に回転力を与える構成とし、
ウニ/−の表面は外側から裏面は前記回転体の内側から
洗浄する洗浄手段を設け前記ウェハの表裏両面を同時洗
浄することを特徴とする。
また、前記磁気軸受及び電動機を金属薄板で覆い、キャ
ンド構造としたことを特徴とする。
ンド構造としたことを特徴とする。
洗浄装置を上記の如く構成することにより、ウェハは中
心部に回転軸を持たない円筒状の回転体上に設置された
チャックに支持されているため、ウェハの表裏両面、特
に裏面を回転体の内側から洗浄できるため、両面同時に
最適な洗浄手段を用いて洗浄することが可能となる。
心部に回転軸を持たない円筒状の回転体上に設置された
チャックに支持されているため、ウェハの表裏両面、特
に裏面を回転体の内側から洗浄できるため、両面同時に
最適な洗浄手段を用いて洗浄することが可能となる。
また、回転体を磁気軸受により非接触で支承するから、
通常の接触型軸受を用いる場合に問題となる発塵による
汚染も生じないという利点も得られる。
通常の接触型軸受を用いる場合に問題となる発塵による
汚染も生じないという利点も得られる。
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明のウェハ洗浄装置の構成を示す図である
。ウェハ1は円筒状の回転体3の上に設置されたチャッ
ク2により外周部を保持されるようになってC)る。回
転体3は同じく円筒状の固定体4に、ラジアル磁気軸受
5,6とスラスト磁気軸受7,8で浮上保持きれるよう
になっている。
。ウェハ1は円筒状の回転体3の上に設置されたチャッ
ク2により外周部を保持されるようになってC)る。回
転体3は同じく円筒状の固定体4に、ラジアル磁気軸受
5,6とスラスト磁気軸受7,8で浮上保持きれるよう
になっている。
ラジアル磁気軸受5,6は、前記回転体3に外周部に設
けられた回転側の磁性体部材5b、6bと前記固定体4
の内周部に該磁性体部材5b、6bに対向して設けられ
た固定側の電磁コイル5a。
けられた回転側の磁性体部材5b、6bと前記固定体4
の内周部に該磁性体部材5b、6bに対向して設けられ
た固定側の電磁コイル5a。
6aにより構成され、スラスト磁気軸受7,8は前記回
転体3の上下に設けられたリング状の回転側の磁性体部
材7b、8bと前記固定体4の上下に磁性体部材7b、
8bに対向して設けられた固定側の電磁フィル7a、8
aにより構成されている。ラジアル磁気軸受5とラジア
ル磁気軸受6の間には電動機12が配置されている。該
電動機12は回転体3の外周部に設けられたロータ磁性
体12bと固定体4の内周部に該ロータ磁性体12bに
対向した配置されたステータフィル12aからなる。
転体3の上下に設けられたリング状の回転側の磁性体部
材7b、8bと前記固定体4の上下に磁性体部材7b、
8bに対向して設けられた固定側の電磁フィル7a、8
aにより構成されている。ラジアル磁気軸受5とラジア
ル磁気軸受6の間には電動機12が配置されている。該
電動機12は回転体3の外周部に設けられたロータ磁性
体12bと固定体4の内周部に該ロータ磁性体12bに
対向した配置されたステータフィル12aからなる。
スラスト磁気軸受7を構成する磁性体部材7bと電磁コ
イル7aの間隙及びスラスト磁気軸受8を構成する磁性
体部材8bと電磁コイル8aの間隙はスラスト方向間隙
センサ9により検出#れるようになっている。また、ラ
ジアル磁気軸受5を構成する磁性体部材5bと電磁コイ
ル5aの間隙はラジアル方向間隙センサ10で検知され
、ラジアル磁気軸受6を構成する磁性体部材6bと電磁
コイル6aの間隙はラジアル方向間隙センサ11で検知
されるようになっている。
イル7aの間隙及びスラスト磁気軸受8を構成する磁性
体部材8bと電磁コイル8aの間隙はスラスト方向間隙
センサ9により検出#れるようになっている。また、ラ
ジアル磁気軸受5を構成する磁性体部材5bと電磁コイ
ル5aの間隙はラジアル方向間隙センサ10で検知され
、ラジアル磁気軸受6を構成する磁性体部材6bと電磁
コイル6aの間隙はラジアル方向間隙センサ11で検知
されるようになっている。
外側にはノズル13と回転ブラシ14とが配置されてお
り、回転体3の内側にはノズル15と回転ブラシ16と
が配置されている。ウェハ1の表面にはノズル13から
ジェット液流13aが噴射されるようになっており、更
に回転ブラシ14が当接するようになっている。また、
ウェハ1の裏面にはノズル15からジェット液流15a
が噴射されるようになっており、更に回転ブラシ16が
当接するようになっている。なお、前記固定体4は装置
の枠体17内に固定きれている。また、18は汚れた洗
浄液等を排出するための排出口である。
り、回転体3の内側にはノズル15と回転ブラシ16と
が配置されている。ウェハ1の表面にはノズル13から
ジェット液流13aが噴射されるようになっており、更
に回転ブラシ14が当接するようになっている。また、
ウェハ1の裏面にはノズル15からジェット液流15a
が噴射されるようになっており、更に回転ブラシ16が
当接するようになっている。なお、前記固定体4は装置
の枠体17内に固定きれている。また、18は汚れた洗
浄液等を排出するための排出口である。
上記構成のウェハ洗浄装置において、スラスト方向間隙
センサ9の出力信号によりスラスト磁気軸受7の電磁コ
イル7a及びスラスト磁気軸受8ノ電磁フイル8aに流
れる励磁電流を制御することにより、電磁コイル7aと
磁性体部材7bの間隙及び電磁コイル8aと磁性体部材
8bの間隙が所定の値に保持きれる。また、ラジアル方
向間隙センサ10の出力信号によりラジアル磁気軸受5
の電磁コイル5aに流れる励磁電流を制御することによ
り、該電磁コイル5aと磁性体部材5bの間隙が所定の
値に保持され、ラジアル方向間隙センサ11の出力信号
によりラジアル磁気軸受6の電磁コイル6aに流れる励
磁電流を制御することにより、該電磁コイル6aと磁性
体部材6bの間隙が所定の値に保持される。そして、電
動機12のステータコイル12aに駆動電流を供給する
ことにより、電動機12は駆動し、回転体3が回転する
。これにより、ウェハ1の表面はノズル13からのジェ
ット液流13aと回転ブラシ14により洗浄されると共
に、ウェハ1の裏面はノズル15からのジェット液流1
5aと回転ブラシ16により洗浄される。即ち、ウェハ
1の表裏両面が同時に洗浄されることになる。洗浄後は
回転体3の回転速度を高めることによりウェハ1の面の
水分を遠心力で振り切って乾燥させることができる。
センサ9の出力信号によりスラスト磁気軸受7の電磁コ
イル7a及びスラスト磁気軸受8ノ電磁フイル8aに流
れる励磁電流を制御することにより、電磁コイル7aと
磁性体部材7bの間隙及び電磁コイル8aと磁性体部材
8bの間隙が所定の値に保持きれる。また、ラジアル方
向間隙センサ10の出力信号によりラジアル磁気軸受5
の電磁コイル5aに流れる励磁電流を制御することによ
り、該電磁コイル5aと磁性体部材5bの間隙が所定の
値に保持され、ラジアル方向間隙センサ11の出力信号
によりラジアル磁気軸受6の電磁コイル6aに流れる励
磁電流を制御することにより、該電磁コイル6aと磁性
体部材6bの間隙が所定の値に保持される。そして、電
動機12のステータコイル12aに駆動電流を供給する
ことにより、電動機12は駆動し、回転体3が回転する
。これにより、ウェハ1の表面はノズル13からのジェ
ット液流13aと回転ブラシ14により洗浄されると共
に、ウェハ1の裏面はノズル15からのジェット液流1
5aと回転ブラシ16により洗浄される。即ち、ウェハ
1の表裏両面が同時に洗浄されることになる。洗浄後は
回転体3の回転速度を高めることによりウェハ1の面の
水分を遠心力で振り切って乾燥させることができる。
なお、上記実施例では、5軸制御型磁気軸受けを例とし
て挙げており、ラジアル方向間隙センサ10.11とラ
ジアル磁気軸受5,6、スラスト方向間隙センサ9とス
ラスト磁気軸受7,8及び電動機12を第1図に示すよ
うな配置とすることにより構成しているが、磁気軸受及
び電動機の構成はこの他にも種々の形式が考えられ、こ
の例に限定きれるものでないことは当然である。
て挙げており、ラジアル方向間隙センサ10.11とラ
ジアル磁気軸受5,6、スラスト方向間隙センサ9とス
ラスト磁気軸受7,8及び電動機12を第1図に示すよ
うな配置とすることにより構成しているが、磁気軸受及
び電動機の構成はこの他にも種々の形式が考えられ、こ
の例に限定きれるものでないことは当然である。
また、必要に応じて回転体3、固定体40表面を金属の
薄板で覆って所謂キャンド型とすることにより、防水、
防錆効果を向上させることができる。
薄板で覆って所謂キャンド型とすることにより、防水、
防錆効果を向上させることができる。
また、上記実施例では、洗浄手段としてノズルからジェ
ット液流を噴射される方法とブラシを当接される方法を
示したが、洗浄手段はこれに限定されるものではなく、
他の方法、例えばドライアイス噴流、超音波液流等を適
用することも可能である。
ット液流を噴射される方法とブラシを当接される方法を
示したが、洗浄手段はこれに限定されるものではなく、
他の方法、例えばドライアイス噴流、超音波液流等を適
用することも可能である。
以上説明したように本発明によれば下記のような優れた
効果が得られる。
効果が得られる。
(1)ウェハを回転されるための回転軸がウェハの表面
側及び裏面側のいずれにも存在しないから、最適な洗浄
手段を各々の面を洗浄するために用いることができる。
側及び裏面側のいずれにも存在しないから、最適な洗浄
手段を各々の面を洗浄するために用いることができる。
(2)ウェハの回転を磁気軸受を用いた非接触で行なう
ため、発塵による汚染が防止できる。
ため、発塵による汚染が防止できる。
第1図は本発明のウェハ洗浄装置の構成を示す断面正面
図、第2図は従来のウェハ洗浄装置の構成を示す断面正
面図であ咎。 図中、1・・・・ウェハ、2・・・・チャック、3・・
・・回転体、4・・・・固定体、5・・・・ラジアル磁
気軸受、6・・・・ラジアル磁気軸受、7・・・・スラ
スト磁気軸受、8・・・・スラスト磁気軸受、9・・・
・スラスト方向間隙センサ、10・・・・ラジアル方向
間隙センサ、11・・・・ラジアル方向間隙センサ、1
2・・・・電動機、13・・・・ノズル、14・・・・
回転ブラシ、15・・・・ノズル、16・自・回転ブラ
シ。 特許出願人 株式会社荏原製作所 代理人 弁理士 熊 谷 隆(外1名)A’71 日!
I n 7 x i、;14’l X第1図
図、第2図は従来のウェハ洗浄装置の構成を示す断面正
面図であ咎。 図中、1・・・・ウェハ、2・・・・チャック、3・・
・・回転体、4・・・・固定体、5・・・・ラジアル磁
気軸受、6・・・・ラジアル磁気軸受、7・・・・スラ
スト磁気軸受、8・・・・スラスト磁気軸受、9・・・
・スラスト方向間隙センサ、10・・・・ラジアル方向
間隙センサ、11・・・・ラジアル方向間隙センサ、1
2・・・・電動機、13・・・・ノズル、14・・・・
回転ブラシ、15・・・・ノズル、16・自・回転ブラ
シ。 特許出願人 株式会社荏原製作所 代理人 弁理士 熊 谷 隆(外1名)A’71 日!
I n 7 x i、;14’l X第1図
Claims (2)
- (1)ウェハの外周部を保持するチャックを円筒状の回
転体上に設置し、該回転体を磁気軸受により浮上保持し
、さらに回転体に設けられたロータ磁性体と、該ロータ
磁性体に対向して配置されたステータコイルからなる電
動機で前記回転体に回転力を与える構成とし、ウェハの
表面は外側から裏面は前記回転体の内側から洗浄する洗
浄手段を設け前記ウェハの表裏両面を同時洗浄すること
を特徴とするウェハ洗浄装置。 - (2)前記磁気軸受及び電動機を金属薄板で覆い、キャ
ンド構造としたことを特徴とする請求項(1)記載のウ
ェハ洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21301190A JP2887408B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | ウエハ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21301190A JP2887408B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | ウエハ洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0494537A true JPH0494537A (ja) | 1992-03-26 |
JP2887408B2 JP2887408B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=16632021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21301190A Expired - Fee Related JP2887408B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | ウエハ洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2887408B2 (ja) |
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-
1990
- 1990-08-10 JP JP21301190A patent/JP2887408B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2887408B2 (ja) | 1999-04-26 |
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