JPH0490209A - 面実装型弾性表面波デバイス - Google Patents

面実装型弾性表面波デバイス

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Publication number
JPH0490209A
JPH0490209A JP20548890A JP20548890A JPH0490209A JP H0490209 A JPH0490209 A JP H0490209A JP 20548890 A JP20548890 A JP 20548890A JP 20548890 A JP20548890 A JP 20548890A JP H0490209 A JPH0490209 A JP H0490209A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
base member
electrode
wave element
Prior art date
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Pending
Application number
JP20548890A
Other languages
English (en)
Inventor
Kimio Seike
政家 公夫
Haruo Morii
春雄 森井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP20548890A priority Critical patent/JPH0490209A/ja
Publication of JPH0490209A publication Critical patent/JPH0490209A/ja
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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は面実装型弾性表面波デバイスに関し、特にた
とえば3端子型の面実装型弾性表面波デバイスに関する
(従来技術) 従来、3端子型の面実装型弾性表面波デバイスとしては
、ベース部材と蓋部材とからなるケース内に弾性表面波
素子を収納したものがあった。このような面実装型弾性
表面波デバイスでは、弾性表面波素子の電極がベース部
材と蓋部材との間から引き出され、ケースの外面に形成
された外部電極と電気的に接続される。この場合、ベー
ス部材に弾性表面波素子の電極と外部電極とを接続する
ための金属膜が形成される。そして、ベース部材と蓋部
材とは、たとえばエポキシ系の接着剤などによって接着
され、弾性表面波素子が密封される。
このような面実装型弾性表面波デバイスを回路基板に取
り付ける場合、外部電極が回路基板のパターン電極など
に接続される。したがって、ケース内部の弾性表面波素
子は、ベース部材に形成された金属膜および外部電極を
介して外部回路に接続される。
(発明が解決しようとする諜B) ベース部材および蓋部材は、通常、セラミックなどで形
成されるが、エポキシ系などの接着剤の接着性は、この
ようなセラミックに比べて、金属膜部分のほうが良くな
い。そのため、この金属膜部分において漏れが生し、気
密性が破れることがある。
それゆえに、この発明の主たる目的は、従来のものに比
べて、気密性に優れた面実装型弾性表面波デバイスを提
供することである。
(課題を解決するための手段) この発明は、入力端子または出力端子となる2つの端子
とアース端子とを有する弾性表面波素子、弾性表面波素
子を収納するための誘電体で形成されたケース、ケース
の外面に形成され、2つの端子に電気的に接続される2
つの電極、およびケースの外面に形成され、弾性表面波
素子のアース端子との間に静電容量を形成するためのア
ース電極を含む、面実装型弾性表面波デバイスである。
(作用) 弾性表面波素子のアース端子とケース外面のアース電極
とが、静電容量を介して接続される。したがって、アー
ス端子をケース外部に引き出すための金属膜を形成する
ことなく、ケース内部の弾性表面波素子を外部回路に接
続することができる。
(発明の効果) この発明によれば、アース端子とアース電極とが静電容
量を介して接続されているため、従来の面実装型弾性表
面波デバイスに比べて、弾性表面波素子と外部電極とを
接続するための金属膜部分が少ない。そのため、接着剤
の接着性の良くない部分が少なく、気密性を保ちやすい
。したがって、面実装型弾性表面波デバイスの特性の変
化を防ぐことができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
(実施例) 第1図はこの発明の一実施例を示す図解図である。面実
装型弾性表面波デバイス10は弾性表面波素子12を含
む。弾性表面波素子12は、たとえば第2図に示すよう
に、水晶などの圧電体基板14を含む。この圧電体基板
14の中央部付近には、互いに対向するように2つのイ
ンタディジタルトランスデユーサ16aおよび16bが
形成される。
このインタディジタルトランスデユーサ16aの電極対
の一方が、圧電体基板14の一端に形成された端子18
aに接続される。同様に、インタディジタルトランスデ
ユーサ16bの電極対の一方が、圧電体基板14の他端
に形成された端子18bに接続される。また、インタデ
ィジタルトランスデユーサ16a、16bの電極対の他
方が、その近傍に形成されたアース端子20に接続され
る。さらに、インクディジタルトランスデユーサ16a
と端子18aとの間にはりフレフタ22aが形成され、
インタディジタルトランスデユーサ16bと端子18b
との間にはりフレフタ22bが形成される。これらのイ
ンタディジタルトランスデユーサ16a、16b、端子
18a、18b。
アース端子20、リフレクタ22a、22bなどは、た
とえばアルミニウムなどで形成される。
弾性表面波素子12は、第1図および第3図に示すよう
に、インクディジタルトランスデユーサ16a、16b
の形成された面を下にして、ケース24の一部を形成す
るベース部材24aに取り付けられる。ベース部材24
aは、誘電体セラミックなどの誘電体材料でたとえば矩
形状に形成される。ベース部材24aには、その中央部
分に弾性表面波素子12を収納するための収納部26が
形成される。
収納部26の長手方向の両端には段差部28a28bが
形成され、中央部には別の段差部28Cが形成される。
両端の段差部28a、28bには、それぞれ内部電極3
8aおよび38bが形成され、中央部の段差部28cに
は、別の内部電極40が形成される。この場合、両端の
内部電極38a、38bは、段差部28a、28bから
ベース部材24aの端部に引き出されるように形成され
る。また、中央部の内部電極40は、段差部28cから
ベース部材24aの底面に拡がるように形成される。こ
れらの内部電極38a、38b。
40は、たとえば銀を焼き付けることによって形成され
る。
さらに、ベース部材24aの裏面には、第4図に示すよ
うに、内部電極38a、38bに対応する位置に、それ
ぞれ外部電極42aおよび42bが形成される。これら
の外部電極42a、42bは、ベース部材24aの側面
に延びて形成される。
また、ベース部材24aの裏面には、内部電極40に対
応する位置に、アース電極44が形成される。このアー
ス電極44と内部電極40とは、誘電体で形成されたベ
ース部材24aを挟んでいるため、内部電極40.アー
ス電極44およびベース部材24aでコンデンサCが形
成される。これらの外部電極42a、42b、アース電
極44は、たとえば銀を焼き付けることによって形成さ
れる。
内部電極38a、38bおよび40には、それぞれ弾性
表面波素子1202つの端子18a、18bおよびアー
ス端子20が、たとえば導電性ペースト46で電気的に
接続される。
ベース部材24aに弾性表面波素子12が収納されたの
ち、ベース部材24a上に蓋部材24bが[置される。
これらのベース部材24aと蓋部材24bとは、たとえ
ばエポキシ系の接着剤で接着される。この蓋部材24b
には、ベース部材24aの外部電極42aおよび42b
に対応する部分に、それと同様な外部電極48aおよび
48bが形成される。これらの外部電極48a、48b
も、たとえば銀などを焼き付けることによって、蓋部材
24bの側面に延びて形成される。したがって、ベース
部材24aの外部電極42a、42bと蓋部材24bの
外部電極48a、48bとは、突き合わされるように形
成される。
ベース部材24a(7)外部電極42a、42bと蓋部
材24bの外部電極48a、48bとは、たとえばN 
1−cuなどのスパッタリングによって電気的に接続さ
れる。このとき、内部電極38aおよび38bも、これ
らの外部電極42a、48aおよび外部電極42b、4
8bに電気的に接続される。さらに、全ての外部電極に
めっきが施される。
この面実装型弾性表面波デバイス10は、2ボート型す
なわち3端子型のデバイスとなる。この面実装型弾性表
面波デバイスIOの等価回路が第5図に示される。第5
図かられかるように、アース電極44は、それ自身と内
部電極4oとベース部材24aとで形成されるコンデン
サCを介して、弾性表面波素子12のアース端子2oに
接続される。このコンデンサの静電容量は、使用される
周波数においてバイパスコンデンサの働きをする値に設
計される。
この面実装型弾性表面波デバイス10では、アース電極
44がコンデンサを介して弾性表面波素子12のアース
端子20に接続されているため、ベース部材24 aと
蓋部材24bとの間にアース端子20を引き出すための
金属膜などを形成する必要がない、そのため、ベース部
材24aと蓋部材24bとの間には、内部電極38a、
38bのみが存在するだけであり、従来の3端子型弾性
表面波デバイスに比べて、金属部分が少ない。したがっ
て、従来のものに比べて、接着剤による接着性が良く、
密封性を高めることができる。
また、従来の弾性表面波デバイスでは、アース端子を引
き出すなど、構造が複雑になりがちであったが、この発
明の弾性表面波デバイス1oでは、その構造を箭単にす
ることができる。
さらに、この弾性表面波デバイス1oでは、ケース24
の外面にアース電極44が形成されるため、電磁シール
ドの効果もある。
なお、上述の実施例では、弾性表面波素子12のインタ
ディジタルトランスデユーサ16a、16b形成面を下
にしてベース部材24aに取り付けたが、弾性表面波素
子12はインタディジタルトランスチュー?16a、1
6b形成面を上にして取り付けてもよい、この場合、弾
性表面波素子12の各端子とベース部材24aの各内部
電極とは、たとえばワイヤボンディングなどによって接
続すればよい。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す図解図である。 第2図は第1図に示す面実装型弾性表面波デバイスに用
いられる弾性表面波素子の一例を示す平面図である。 第3図は第2図に示す弾性表面波素子をベース部材に取
り付けた状態を示す平面図である。 第4図は第1図に示す面実装型弾性表面波デバイスの底
面図である。 第5図は第1図に示す面実装型弾性表面波デバイスの等
価回路図である。 図において、10は面実装型弾性表面波デバイス、12
は弾性表面波素子、18aおよび18bは端子、20は
アース端子、24はケース、38a、38bおよび40
は内部電極、42a、42b、48aおよび48bは外
部電極、44はアース電極を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 入力端子または出力端子となる2つの端子とアース端子
    とを有する弾性表面波素子、 前記弾性表面波素子を収納するための誘電体で形成され
    たケース、 前記ケースの外面に形成され、前記2つの端子に電気的
    に接続される2つの電極、および前記ケースの外面に形
    成され、前記弾性表面波素子の前記アース端子との間に
    静電容量を形成するためのアース電極を含む、面実装型
    弾性表面波デバイス。
JP20548890A 1990-08-01 1990-08-01 面実装型弾性表面波デバイス Pending JPH0490209A (ja)

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JP20548890A JPH0490209A (ja) 1990-08-01 1990-08-01 面実装型弾性表面波デバイス

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JP20548890A JPH0490209A (ja) 1990-08-01 1990-08-01 面実装型弾性表面波デバイス

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JPH0490209A true JPH0490209A (ja) 1992-03-24

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JP20548890A Pending JPH0490209A (ja) 1990-08-01 1990-08-01 面実装型弾性表面波デバイス

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JP (1) JPH0490209A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7363109B2 (en) 2003-05-20 2008-04-22 Fujitsu Limited Backlash compensation control method, backlash compensation controller and backlash compensation control program

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7363109B2 (en) 2003-05-20 2008-04-22 Fujitsu Limited Backlash compensation control method, backlash compensation controller and backlash compensation control program

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