JPH05275965A - 表面弾性波デバイス - Google Patents
表面弾性波デバイスInfo
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- JPH05275965A JPH05275965A JP6653192A JP6653192A JPH05275965A JP H05275965 A JPH05275965 A JP H05275965A JP 6653192 A JP6653192 A JP 6653192A JP 6653192 A JP6653192 A JP 6653192A JP H05275965 A JPH05275965 A JP H05275965A
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- Japan
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- acoustic wave
- package
- surface acoustic
- pad
- wave device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面弾性波デバイスの構成に係り、高周波帯
域における阻止域での減衰量を大きくしてデバイスとし
ての特性向上を図ることを目的とする。 【構成】 パッケージ内の底面に接地電位に繋がって搭
載固定されている表面弾性波素子上の信号端子用パッド
と接地端子用パットが該パッケージ内の対応する位置に
配設した接続電極にボンディング接続され、該各接続電
極に繋がるメタライズ層を介して該パッケージの外周面
に装着固定した外部接続端子に導通させて構成されてい
る表面弾性波デバイスであって、表面弾性波素子23の各
パッドに対応してボンディング接続されるパッケージ31
上の各接続電極 31b″の内の少なくとも接地端子用パッ
ト23-3〜23-6に対応する接続電極 31b″が、入力側と出
力側とに分離された状態で、対応する外部接続端子22-3
〜22-6との間を前記メタライズ層とヴィアワイヤ32との
両者で導通して構成する。
域における阻止域での減衰量を大きくしてデバイスとし
ての特性向上を図ることを目的とする。 【構成】 パッケージ内の底面に接地電位に繋がって搭
載固定されている表面弾性波素子上の信号端子用パッド
と接地端子用パットが該パッケージ内の対応する位置に
配設した接続電極にボンディング接続され、該各接続電
極に繋がるメタライズ層を介して該パッケージの外周面
に装着固定した外部接続端子に導通させて構成されてい
る表面弾性波デバイスであって、表面弾性波素子23の各
パッドに対応してボンディング接続されるパッケージ31
上の各接続電極 31b″の内の少なくとも接地端子用パッ
ト23-3〜23-6に対応する接続電極 31b″が、入力側と出
力側とに分離された状態で、対応する外部接続端子22-3
〜22-6との間を前記メタライズ層とヴィアワイヤ32との
両者で導通して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は種々の伝送特性を持つフ
ィルタが実現できる表面弾性波デバイスの構成に係り、
特に例えば 1.5GHz 以上の如く高周波帯域における阻止
域での減衰量を大きくすることでデバイスとしての特性
向上を図った表面弾性波デバイスに関する。
ィルタが実現できる表面弾性波デバイスの構成に係り、
特に例えば 1.5GHz 以上の如く高周波帯域における阻止
域での減衰量を大きくすることでデバイスとしての特性
向上を図った表面弾性波デバイスに関する。
【０００２】リチウム・ナイオベート(LiNbO3)や水晶の
如き圧電結晶体の表面に金属蒸着膜からなるすだれ電極
状の接地電極と信号電極を入力側と出力側とに形成しこ
れに高周波信号を印加したときに該結晶体の表面に発生
する表面弾性波は、外部からその伝送特性を容易に制御
できる特徴がありまた連続動作が可能である等の利点が
あるため表面弾性波デバイス（以下単にデバイスとす
る）としてフィルタ等に多用されている。
如き圧電結晶体の表面に金属蒸着膜からなるすだれ電極
状の接地電極と信号電極を入力側と出力側とに形成しこ
れに高周波信号を印加したときに該結晶体の表面に発生
する表面弾性波は、外部からその伝送特性を容易に制御
できる特徴がありまた連続動作が可能である等の利点が
あるため表面弾性波デバイス（以下単にデバイスとす
る）としてフィルタ等に多用されている。
【０００３】しかし例えば 1.5GHz 以上の如く高周波帯
域における阻止域での減衰量が小さいことから該領域に
おける入出力信号間のアイソレーションの向上が強く望
まれるようになってきている現状にある。
域における阻止域での減衰量が小さいことから該領域に
おける入出力信号間のアイソレーションの向上が強く望
まれるようになってきている現状にある。
【０００４】
【従来の技術】図３は従来のデバイスの構成例を概略的
に説明する図であり、(3-1) は全体構成を説明する図,
(3-2)は該デバイスを実現するパッケージの内部回路構
成を分解した状態で説明する平面図である。
に説明する図であり、(3-1) は全体構成を説明する図,
(3-2)は該デバイスを実現するパッケージの内部回路構
成を分解した状態で説明する平面図である。
【０００５】図３で回路基板１にそのパターン電極1aで
表面実装される従来のデバイス２は、平面視がほぼ正方
形の有底箱状をなしその外面の対をなす二面の３箇所ず
つ計６箇所の底面側所定位置すなわち(3-2) で図示した
位置にＬ形の金(Au)メッキされた外部接続端子22-1〜22
-6（図では片面側の３個すなわち22-1，22-3, 22-5のみ
表示）が装着されているセラミックからなるパッケージ
21と、該パッケージ21の内部底面に接着固定されている
表面弾性波素子23、および該パッケージ21の上面に固定
される蓋板24とを主要部材として構成されているもので
ある。
表面実装される従来のデバイス２は、平面視がほぼ正方
形の有底箱状をなしその外面の対をなす二面の３箇所ず
つ計６箇所の底面側所定位置すなわち(3-2) で図示した
位置にＬ形の金(Au)メッキされた外部接続端子22-1〜22
-6（図では片面側の３個すなわち22-1，22-3, 22-5のみ
表示）が装着されているセラミックからなるパッケージ
21と、該パッケージ21の内部底面に接着固定されている
表面弾性波素子23、および該パッケージ21の上面に固定
される蓋板24とを主要部材として構成されているもので
ある。
【０００６】この内パッケージ21は、(3-2) の(1) で示
すように平板状のセラミック板21-1と(2) のように中央
部に上記表面弾性波素子23より僅かに大きい角孔21-2′
が形成されているセラミック板21-2および(3) の如く角
孔21-3′で該パッケージ21の周壁部のみが残るように
“ロ”の字形に形成されているセラミック板21-3を順次
積層して構成されるようになっている。
すように平板状のセラミック板21-1と(2) のように中央
部に上記表面弾性波素子23より僅かに大きい角孔21-2′
が形成されているセラミック板21-2および(3) の如く角
孔21-3′で該パッケージ21の周壁部のみが残るように
“ロ”の字形に形成されているセラミック板21-3を順次
積層して構成されるようになっている。
【０００７】そして底板となるセラミック板21-1には、
上記外部接続端子（以下単に端子とする）22-1〜22-6の
内の各中央部に位置する信号入出力用の端子22-1，22-2
に対応する領域A1，A2を除く全面すなわちＨ形をなす図
示ハッチング領域にタングステン（Ｗ）を焼成して形成
したメタライズ層 21a′が形成されている。
上記外部接続端子（以下単に端子とする）22-1〜22-6の
内の各中央部に位置する信号入出力用の端子22-1，22-2
に対応する領域A1，A2を除く全面すなわちＨ形をなす図
示ハッチング領域にタングステン（Ｗ）を焼成して形成
したメタライズ層 21a′が形成されている。
【０００８】このことは(1) で示すそれぞれの位置に(3
-1) で説明した端子22-1〜22-6を図示のように装着する
と、各接地用の端子22-3〜22-6間はメタライズ層 21a′
で導通するが信号入出力用の端子22-1と22-2は完全に浮
いた状態にあることを意味している。
-1) で説明した端子22-1〜22-6を図示のように装着する
と、各接地用の端子22-3〜22-6間はメタライズ層 21a′
で導通するが信号入出力用の端子22-1と22-2は完全に浮
いた状態にあることを意味している。
【０００９】また中間層に位置するセラミック板21-2に
は、信号入出力用の端子22-1，22-2のそれぞれと対応す
る領域B1，B2が、接地用の端子22-3，22-4と対応し且つ
両者間を導通させる領域B3および接地用の端子22-5，22
-6と対応し且つ両者間を導通させる領域B5から独立する
ように、線状領域Ｂ′を除く全面（図示ハッチング領
域）にタングステンからなるメタライズ層 21b′が焼成
されている。
は、信号入出力用の端子22-1，22-2のそれぞれと対応す
る領域B1，B2が、接地用の端子22-3，22-4と対応し且つ
両者間を導通させる領域B3および接地用の端子22-5，22
-6と対応し且つ両者間を導通させる領域B5から独立する
ように、線状領域Ｂ′を除く全面（図示ハッチング領
域）にタングステンからなるメタライズ層 21b′が焼成
されている。
【００１０】従ってこのことは、(1) で示すそれぞれの
位置に(3-1) で説明した端子22-1〜22-6を装着すると、
接地用の端子22-3，22-4間がメタライズ層 21a′のB3領
域で導通しまた22-5，22-6間がメタライズ層 21a′のB5
領域で導通すると共に、メタライズ層 21a′のB1, B2領
域に各導通する信号入出力用の端子22-1と22-2は上記各
接地用の端子22-3〜22-6に対して独立した状態にあるこ
とを表わしている。
位置に(3-1) で説明した端子22-1〜22-6を装着すると、
接地用の端子22-3，22-4間がメタライズ層 21a′のB3領
域で導通しまた22-5，22-6間がメタライズ層 21a′のB5
領域で導通すると共に、メタライズ層 21a′のB1, B2領
域に各導通する信号入出力用の端子22-1と22-2は上記各
接地用の端子22-3〜22-6に対して独立した状態にあるこ
とを表わしている。
【００１１】更に最上層に位置するセラミック板21-3の
片面には上記同様のメタライズ層 21c′が形成されてい
る。そこで、上述したメタライズ層 21a′,21b′,21c′
が形成されている各セラミック板21-1〜21-3を積層焼成
して一体化した後、平面視で上面に露出するメタライズ
層領域−すなわちセラミック板21-1ではセラミック板21
-2の角孔21-2′と対応するドット領域Ａ, セラミック板
21-2ではセラミック板21-3の角孔21-3′と対応する６箇
所のドット領域Ｂ，セラミック板21-3ではメタライズ層
21c′形成領域と等しいドット領域Ｃ−に通常の技術で
接続電極 21a″,21b″,21c″として金(Au)メッキ層を形
成し、更に上記各端子22-1〜22-6を導電接着材等で所定
位置に装着すると、所要の回路構成を持つパッケージ21
を構成することができる。
片面には上記同様のメタライズ層 21c′が形成されてい
る。そこで、上述したメタライズ層 21a′,21b′,21c′
が形成されている各セラミック板21-1〜21-3を積層焼成
して一体化した後、平面視で上面に露出するメタライズ
層領域−すなわちセラミック板21-1ではセラミック板21
-2の角孔21-2′と対応するドット領域Ａ, セラミック板
21-2ではセラミック板21-3の角孔21-3′と対応する６箇
所のドット領域Ｂ，セラミック板21-3ではメタライズ層
21c′形成領域と等しいドット領域Ｃ−に通常の技術で
接続電極 21a″,21b″,21c″として金(Au)メッキ層を形
成し、更に上記各端子22-1〜22-6を導電接着材等で所定
位置に装着すると、所要の回路構成を持つパッケージ21
を構成することができる。
【００１２】なお、この場合における領域Ａの接続電極
21a″は上記表面弾性波素子23の装着域、領域Ｂの接続
電極 21b″は該素子23に対する接続域、また領域Ｃの接
続電極 21C″は蓋板24の装着域である。
21a″は上記表面弾性波素子23の装着域、領域Ｂの接続
電極 21b″は該素子23に対する接続域、また領域Ｃの接
続電極 21C″は蓋板24の装着域である。
【００１３】従ってかかるパッケージ21では、接地用と
しての端子22-3〜22-6を総て同電位にし得ると共に信号
入出力用としての端子22-1と22-2を個々に独立させるこ
とができる。
しての端子22-3〜22-6を総て同電位にし得ると共に信号
入出力用としての端子22-1と22-2を個々に独立させるこ
とができる。
【００１４】一方、圧電結晶板に金属膜を蒸着して構成
した表面弾性波素子23の表面には、２個の信号端子用パ
ッド23-1, 23-2とそれぞれの両側に位置する例えば４個
の接地端子用パッド23-3〜23-6とが形成されている。
した表面弾性波素子23の表面には、２個の信号端子用パ
ッド23-1, 23-2とそれぞれの両側に位置する例えば４個
の接地端子用パッド23-3〜23-6とが形成されている。
【００１５】そこで、パッケージ21の底面となるセラミ
ック板21-1の領域Ａすなわち接続電極 21a″上に上記表
面弾性波素子23を銀(Ag)ペースト接着材等で固定した
後、該素子23上の２個の信号端子用パッド23-1, 23-2と
セラミック板21-2上の信号入出力用の端子22-1，22-2に
繋がる接続電極 21b″との間および該素子23上の４個の
接地端子用パッド23-3〜23-6と該セラミック板21-2上の
接地用の端子22-3〜22-6に繋がる接続電極 21b″との間
を通常のワイヤ・ボンディング技術でボンディング接続
し、更に上記蓋板24をセラミック板21-3の上面の接続電
極 21c″に溶接等の手段で密閉封止することで(3-1) で
示す所要のデバイス２を構成することができる。
ック板21-1の領域Ａすなわち接続電極 21a″上に上記表
面弾性波素子23を銀(Ag)ペースト接着材等で固定した
後、該素子23上の２個の信号端子用パッド23-1, 23-2と
セラミック板21-2上の信号入出力用の端子22-1，22-2に
繋がる接続電極 21b″との間および該素子23上の４個の
接地端子用パッド23-3〜23-6と該セラミック板21-2上の
接地用の端子22-3〜22-6に繋がる接続電極 21b″との間
を通常のワイヤ・ボンディング技術でボンディング接続
し、更に上記蓋板24をセラミック板21-3の上面の接続電
極 21c″に溶接等の手段で密閉封止することで(3-1) で
示す所要のデバイス２を構成することができる。
【００１６】かかる構成になるデバイス２では、表面弾
性波素子23の各信号入出力パッド23 -1, 23-2が端子2
2-1，22-2と接続されまた該素子23の各接地端子用パッ
ド23-3〜23-6が端子22-3，22-6と接続されるので、所要
のフィルタ機能を持つデバイスを得ることができる。
性波素子23の各信号入出力パッド23 -1, 23-2が端子2
2-1，22-2と接続されまた該素子23の各接地端子用パッ
ド23-3〜23-6が端子22-3，22-6と接続されるので、所要
のフィルタ機能を持つデバイスを得ることができる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】一方、従来 1.5GHz 程
度までの周波数帯域で使用されることが多かったかかる
デバイスでも近年の電子技術の進展に伴って例えば３GH
z 程度の周波数帯域で使用されるようになってきている
が、この場合には阻止域における減衰量が小さくなる傾
向がありそのため該領域における入出力信号間のアイソ
レーションを低下させることになって結果的にかかる高
周波領域では使用することができないと言う問題があっ
た。
度までの周波数帯域で使用されることが多かったかかる
デバイスでも近年の電子技術の進展に伴って例えば３GH
z 程度の周波数帯域で使用されるようになってきている
が、この場合には阻止域における減衰量が小さくなる傾
向がありそのため該領域における入出力信号間のアイソ
レーションを低下させることになって結果的にかかる高
周波領域では使用することができないと言う問題があっ
た。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記課題は、パッケージ
内の底面に接地電位に繋がって搭載固定されている表面
弾性波素子上の信号端子用パッドと接地端子用パットが
該パッケージ内の対応する位置に配設した接続電極にボ
ンディング接続され、該各接続電極に繋がるメタライズ
層を介して該パッケージの外周面に装着固定した外部接
続端子に導通させて構成されている表面弾性波デバイス
であって、表面弾性波素子の上記各パッドに対応してボ
ンディング接続されるパッケージ上の各接続電極の内の
少なくとも接地端子用パットに対応する接続電極が、入
力側と出力側とに分離された状態で、対応する外部接続
端子との間が前記メタライズ層とヴィアワイヤとの両者
で導通されて構成されている表面弾性波デバイスによっ
て解決される。
内の底面に接地電位に繋がって搭載固定されている表面
弾性波素子上の信号端子用パッドと接地端子用パットが
該パッケージ内の対応する位置に配設した接続電極にボ
ンディング接続され、該各接続電極に繋がるメタライズ
層を介して該パッケージの外周面に装着固定した外部接
続端子に導通させて構成されている表面弾性波デバイス
であって、表面弾性波素子の上記各パッドに対応してボ
ンディング接続されるパッケージ上の各接続電極の内の
少なくとも接地端子用パットに対応する接続電極が、入
力側と出力側とに分離された状態で、対応する外部接続
端子との間が前記メタライズ層とヴィアワイヤとの両者
で導通されて構成されている表面弾性波デバイスによっ
て解決される。
【００１９】
【作用】一般に表面弾性波素子では、該素子の入出力電
極の各接地電位を独立させた状態で確実に外部接地電位
に短絡させることが望ましく、またかかる構成にすれば
高周波阻止域における減衰量を大きくすることができ
る。
極の各接地電位を独立させた状態で確実に外部接地電位
に短絡させることが望ましく、またかかる構成にすれば
高周波阻止域における減衰量を大きくすることができ
る。
【００２０】そこで本発明では、タングステンによるメ
タライズ層域における電気抵抗値を端子に直結するヴィ
ア線で少なくすると共に、素子の入出力電極に繋がる接
地用メタライズ層を入力側と出力側で分離し得るように
形成して所要のデバイスを構成するようにしている。
タライズ層域における電気抵抗値を端子に直結するヴィ
ア線で少なくすると共に、素子の入出力電極に繋がる接
地用メタライズ層を入力側と出力側で分離し得るように
形成して所要のデバイスを構成するようにしている。
【００２１】従って、例えば３GHz 程度の高周波阻止域
での減衰量を大きくすることができて該周波数帯域まで
の入出力信号間のアイソレーションの向上による使用範
囲の拡大を期待することができる。
での減衰量を大きくすることができて該周波数帯域まで
の入出力信号間のアイソレーションの向上による使用範
囲の拡大を期待することができる。
【００２２】
【実施例】図１は本発明になるデバイスの構成例を説明
する図であり、図３同様に(1-1)は全体構成を説明する
図,(1-2)は該デバイスを実現するパッケージの内部回路
構成を分解した状態で示す平面図である。
する図であり、図３同様に(1-1)は全体構成を説明する
図,(1-2)は該デバイスを実現するパッケージの内部回路
構成を分解した状態で示す平面図である。
【００２３】なお図では図３と同様の構成になるデバイ
スの場合を例としているので図３と同じ対象部材・部位
には同一の記号を付して表わしている。また図２は図１
のデバイスによる実験結果を従来と比較して示す図であ
る。
スの場合を例としているので図３と同じ対象部材・部位
には同一の記号を付して表わしている。また図２は図１
のデバイスによる実験結果を従来と比較して示す図であ
る。
【００２４】図１で回路基板１にそのパターン電極1aで
表面実装されるデバイス３は、形状および大きさが図３
のパッケージ21と等しいパッケージ31と、該パッケージ
31の内部底面上に接着固定されている表面弾性波素子2
3、および蓋板24とを主要部材として構成されている。
表面実装されるデバイス３は、形状および大きさが図３
のパッケージ21と等しいパッケージ31と、該パッケージ
31の内部底面上に接着固定されている表面弾性波素子2
3、および蓋板24とを主要部材として構成されている。
【００２５】そしてこの場合の該パッケージ31は図３の
パッケージ21と同様に、該パッケージ21のセラミック板
21-1と同じ大きさを持つ(1-2) の（イ）で示す平板状の
セラミック板31-1と、パッケージ21のセラミック板21-2
と同じ大きさの角孔21-2′を持つ（ロ）のようなセラミ
ック板31-2および（ハ）の如く図３のセラミック板21 -3
を順次積層して構成されるようになっている。
パッケージ21と同様に、該パッケージ21のセラミック板
21-1と同じ大きさを持つ(1-2) の（イ）で示す平板状の
セラミック板31-1と、パッケージ21のセラミック板21-2
と同じ大きさの角孔21-2′を持つ（ロ）のようなセラミ
ック板31-2および（ハ）の如く図３のセラミック板21 -3
を順次積層して構成されるようになっている。
【００２６】底板となるセラミック板31-1には図３のセ
ラミック板21-1で説明したメタライズ層 21a′と同様の
メタライズ層 31a′が形成されているが、特にこの場合
の該メタライズ層 31a′は端子22-4と22-6に対応する領
域D1のみが端子22-3と22-5に対応する領域D2から分離す
るように開離域Ｄを介して形成されていると同時に、図
３の(3-2) で説明した６箇所の接続電極 21b″と対応す
る各位置にはそれぞれ１個ずつのヴィアホール31-1a が
設けられている。
ラミック板21-1で説明したメタライズ層 21a′と同様の
メタライズ層 31a′が形成されているが、特にこの場合
の該メタライズ層 31a′は端子22-4と22-6に対応する領
域D1のみが端子22-3と22-5に対応する領域D2から分離す
るように開離域Ｄを介して形成されていると同時に、図
３の(3-2) で説明した６箇所の接続電極 21b″と対応す
る各位置にはそれぞれ１個ずつのヴィアホール31-1a が
設けられている。
【００２７】また中間層に位置するセラミック板31-2に
は図３のセラミック板21-2で説明したメタライズ層 21
b′と同様のメタライズ層 31b′が形成されているが、
この場合の該メタライズ層 31b′は各端子22-1〜22-6の
総てが独立するように開離域Ｆを設けて形成されている
と同時に上記セラミック板31-2に設けたヴィアホール31
-1a と同じ位置には同径のヴィアホール31-2a が設けら
れている。
は図３のセラミック板21-2で説明したメタライズ層 21
b′と同様のメタライズ層 31b′が形成されているが、
この場合の該メタライズ層 31b′は各端子22-1〜22-6の
総てが独立するように開離域Ｆを設けて形成されている
と同時に上記セラミック板31-2に設けたヴィアホール31
-1a と同じ位置には同径のヴィアホール31-2a が設けら
れている。
【００２８】更に最上層に位置するセラミック板21-3は
図３で説明したものである。そこで、上記の各メタライ
ズ層 31a′,31b′,21c′が形成されている各セラミック
板を積層焼成して一体化した後、セラミック板31-1と31
-2の同一位置に設けられているヴィアホール31-1a , 31
-2a に例えばタングステンワイヤの如きワイヤ32を圧入
固定し、更に図３同様に平面視で上面に露出するメタラ
イズ層領域−すなわちセラミック板31-1ではセラミック
板31-2の角孔21-2′と対応するドット領域Ａ, セラミッ
ク板31-2ではセラミック板21-3の角孔21-3′で囲まれた
６箇所のドット領域Ｂ，セラミック板21-3ではメタライ
ズ層 21c′形成領域と等しいドット領域Ｃ−に図３同様
に接続電極 31a″,31b″,21c″としての金メッキ層を形
成し、更に上述した各端子22-1〜22-6を図３同様に装着
することで所要の回路構成を持つパッケージ31を構成す
ることができる。
図３で説明したものである。そこで、上記の各メタライ
ズ層 31a′,31b′,21c′が形成されている各セラミック
板を積層焼成して一体化した後、セラミック板31-1と31
-2の同一位置に設けられているヴィアホール31-1a , 31
-2a に例えばタングステンワイヤの如きワイヤ32を圧入
固定し、更に図３同様に平面視で上面に露出するメタラ
イズ層領域−すなわちセラミック板31-1ではセラミック
板31-2の角孔21-2′と対応するドット領域Ａ, セラミッ
ク板31-2ではセラミック板21-3の角孔21-3′で囲まれた
６箇所のドット領域Ｂ，セラミック板21-3ではメタライ
ズ層 21c′形成領域と等しいドット領域Ｃ−に図３同様
に接続電極 31a″,31b″,21c″としての金メッキ層を形
成し、更に上述した各端子22-1〜22-6を図３同様に装着
することで所要の回路構成を持つパッケージ31を構成す
ることができる。
【００２９】次いで、パッケージ31の底面となるセラミ
ック板31-1の領域Ａすなわち接続電極 31a″上に上記表
面弾性波素子23を銀(Ag)ペースト接着材等で固定した
後、該素子23上の２個の信号端子用パッド23-1, 23-2と
セラミック板31-2上の対応する接続電極 31b″との間お
よび該素子23上の４個の接地端子用パッド23-3〜23-6と
該セラミック板31-2上の対応する接続電極 31b″との間
を図３同様にボンディング接続し、更に最上層のセラミ
ック板21-3に蓋板24を図３同様に密閉封止することで(1
-1) で示す本発明になる所要のデバイス３を構成するこ
とができる。
ック板31-1の領域Ａすなわち接続電極 31a″上に上記表
面弾性波素子23を銀(Ag)ペースト接着材等で固定した
後、該素子23上の２個の信号端子用パッド23-1, 23-2と
セラミック板31-2上の対応する接続電極 31b″との間お
よび該素子23上の４個の接地端子用パッド23-3〜23-6と
該セラミック板31-2上の対応する接続電極 31b″との間
を図３同様にボンディング接続し、更に最上層のセラミ
ック板21-3に蓋板24を図３同様に密閉封止することで(1
-1) で示す本発明になる所要のデバイス３を構成するこ
とができる。
【００３０】かかる構成になるデバイス３では、特に表
面弾性波素子23の各端子用パッド23 -1〜23-6にボンディ
ング接続されるセラミック板31-2上の各接続電極 31b″
がヴィアホールに埋め込まれているワイヤ32によって直
接各端子に短絡されているので該各信号端子用パッドと
端子間の電気抵抗値を従来のデバイスよりも小さくし得
ると共に接地用の端子22-3〜22-6がその入力側と出力側
で完全に分離されているので、高周波阻止域での減衰量
を大きくすることができる。
面弾性波素子23の各端子用パッド23 -1〜23-6にボンディ
ング接続されるセラミック板31-2上の各接続電極 31b″
がヴィアホールに埋め込まれているワイヤ32によって直
接各端子に短絡されているので該各信号端子用パッドと
端子間の電気抵抗値を従来のデバイスよりも小さくし得
ると共に接地用の端子22-3〜22-6がその入力側と出力側
で完全に分離されているので、高周波阻止域での減衰量
を大きくすることができる。
【００３１】フィルタに構成したときの特性を従来例と
比較した実験例を示す図２で、横軸Ｘには周波数帯域を
GHz でとり、また縦軸Ｙには減衰量を dB でとって表わ
している。
比較した実験例を示す図２で、横軸Ｘには周波数帯域を
GHz でとり、また縦軸Ｙには減衰量を dB でとって表わ
している。
【００３２】図で従来の構成になるデバイスでは破線
（イ）で示すようにほぼ 1.4GHz 帯域以上の高周波域で
は減衰量が急激に小さくなっているが、本発明の構成に
なるデバイスでは該周波数帯域における減衰量の低下が
実線（ロ）で示すように抑制されている。
（イ）で示すようにほぼ 1.4GHz 帯域以上の高周波域で
は減衰量が急激に小さくなっているが、本発明の構成に
なるデバイスでは該周波数帯域における減衰量の低下が
実線（ロ）で示すように抑制されている。
【００３３】従って広い周波数帯域にわたって入出力信
号間に対するアイソレーションの向上を実現することが
できる。
号間に対するアイソレーションの向上を実現することが
できる。
【００３４】
【発明の効果】上述の如く本発明により、例えば 1.5GH
z 以上の如く高周波帯域における阻止域での減衰量を大
きくしてデバイスとしての特性向上を図った表面弾性波
デバイスを提供することができる。
z 以上の如く高周波帯域における阻止域での減衰量を大
きくしてデバイスとしての特性向上を図った表面弾性波
デバイスを提供することができる。
【００３５】なお図では表面弾性波素子の２個の信号端
子用パッドを接続する接続電極にも外部接続端子との間
の短絡用ヴィアワイヤが設けられている場合を例として
いるが、上記減衰量の変動は接地電位の変動に伴う影響
が大きいことから該信号端子用パッドを接続する接続電
極に設けているヴィアワイヤをなくしてもほぼ同等の効
果を得ることができる。
子用パッドを接続する接続電極にも外部接続端子との間
の短絡用ヴィアワイヤが設けられている場合を例として
いるが、上記減衰量の変動は接地電位の変動に伴う影響
が大きいことから該信号端子用パッドを接続する接続電
極に設けているヴィアワイヤをなくしてもほぼ同等の効
果を得ることができる。
【図１】 本発明になるデバイスの構成例を説明する
図。
図。
【図２】 図１のデバイスによる実験結果を従来と比較
して示す図。
して示す図。
【図３】 従来のデバイスの構成例を概略的に説明する
図。
図。
１ 回路基板 1a パタ
ーン電極 ３ 表面弾性波デバイス 21-2′角孔 21-3, 31-1, 31-2 セラミック板 21c ′,31a′,31b′ メタライズ層 21c ″,31a″,31b″ 接続電極 22-1〜22-6 外部接続端子 23-1, 23-2 信号端子用パッド 23-3〜23-6 接地端子用パッド 24 蓋板 31 パッケージ 31-1a , 31-2a ヴィアホール 32 ヴィアワイヤ
ーン電極 ３ 表面弾性波デバイス 21-2′角孔 21-3, 31-1, 31-2 セラミック板 21c ′,31a′,31b′ メタライズ層 21c ″,31a″,31b″ 接続電極 22-1〜22-6 外部接続端子 23-1, 23-2 信号端子用パッド 23-3〜23-6 接地端子用パッド 24 蓋板 31 パッケージ 31-1a , 31-2a ヴィアホール 32 ヴィアワイヤ
Claims (1)
- 【請求項１】 パッケージ内の底面に接地電位に繋がっ
て搭載固定されている表面弾性波素子上の信号端子用パ
ッドと接地端子用パットが該パッケージ内の対応する位
置に配設した接続電極にボンディング接続され、該各接
続電極に繋がるメタライズ層を介して該パッケージの外
周面に装着固定した外部接続端子に導通させて構成され
ている表面弾性波デバイスであって、 表面弾性波素子(23)の上記各パッドに対応してボンディ
ング接続されるパッケージ(31)上の各接続電極(31b″)
の内の少なくとも接地端子用パット (23-3〜23 -6) に対
応する接続電極(31b″) が、 入力側と出力側とに分離された状態で、対応する外部接
続端子 (22-3〜22-6)との間が前記メタライズ層とヴィ
アワイヤ(32)との両者で導通されて構成されていること
を特徴とした表面弾性波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6653192A JPH05275965A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 表面弾性波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6653192A JPH05275965A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 表面弾性波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275965A true JPH05275965A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13318565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6653192A Pending JPH05275965A (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 表面弾性波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05275965A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5914646A (en) * | 1994-03-16 | 1999-06-22 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter with larger driving electrode areas in some parallel resonators, and packaging thereof |
| US5962950A (en) * | 1995-04-10 | 1999-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Compact surface acoustic wave apparatus, spread spectrum signal receiver using the same apparatus for reception of spread spectrum signal, and spread spectrum signal communication system using the same spread spectrum signal receiver |
| US6242991B1 (en) | 1994-11-10 | 2001-06-05 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter having a continuous electrode for connection of multiple bond wires |
| US6388545B1 (en) * | 1998-05-29 | 2002-05-14 | Fujitsu Limited | Surface-acoustic-wave filter having an improved suppression outside a pass-band |
-
1992
- 1992-03-25 JP JP6653192A patent/JPH05275965A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5914646A (en) * | 1994-03-16 | 1999-06-22 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter with larger driving electrode areas in some parallel resonators, and packaging thereof |
| US6242991B1 (en) | 1994-11-10 | 2001-06-05 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter having a continuous electrode for connection of multiple bond wires |
| US5962950A (en) * | 1995-04-10 | 1999-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Compact surface acoustic wave apparatus, spread spectrum signal receiver using the same apparatus for reception of spread spectrum signal, and spread spectrum signal communication system using the same spread spectrum signal receiver |
| US6388545B1 (en) * | 1998-05-29 | 2002-05-14 | Fujitsu Limited | Surface-acoustic-wave filter having an improved suppression outside a pass-band |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000208 |