JPH06152313A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
- Publication number
- JPH06152313A JPH06152313A JP31444392A JP31444392A JPH06152313A JP H06152313 A JPH06152313 A JP H06152313A JP 31444392 A JP31444392 A JP 31444392A JP 31444392 A JP31444392 A JP 31444392A JP H06152313 A JPH06152313 A JP H06152313A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- acoustic wave
- wave filter
- wiring
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】表面実装技術に適し、かつ、優れた帯域外減衰
量が得られる弾性表面波フィルタのパッケージ構造を提
供する。 【構成】配線基板の一主面上に配置され、該一主面上に
配設された入出力配線および接地配線に接続される弾性
表面波フィルタにおいて、(ａ)フィルタを構成する電極
が形成された圧電基板と、(ｂ)該圧電基板を一主面に保
持し、対向する他の主面が前記接地配線に接続される金
属製ステムと、(ｃ)該金属製ステムに絶縁物を介して固
定され、一端が前記電極に接続され、かつ、他端が前記
金属製ステムの他の主面と実質的に同一な面上に形成さ
れ、前記入出力配線に接続される入出力端子とを含む。
量が得られる弾性表面波フィルタのパッケージ構造を提
供する。 【構成】配線基板の一主面上に配置され、該一主面上に
配設された入出力配線および接地配線に接続される弾性
表面波フィルタにおいて、(ａ)フィルタを構成する電極
が形成された圧電基板と、(ｂ)該圧電基板を一主面に保
持し、対向する他の主面が前記接地配線に接続される金
属製ステムと、(ｃ)該金属製ステムに絶縁物を介して固
定され、一端が前記電極に接続され、かつ、他端が前記
金属製ステムの他の主面と実質的に同一な面上に形成さ
れ、前記入出力配線に接続される入出力端子とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面実装技術に適した
弾性表面波フィルタのパッケージ構造に関するものであ
る。
弾性表面波フィルタのパッケージ構造に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波フィルタは、圧電性の基板上
に形成されたインターデジタル電極（ＩＤＴ）などの電
極により電気信号を基板上を伝搬する表面波に変換して
所望のフィルタ特性を得るものであり、小型で、無調整
化が可能なため、携帯用無線機のフロントエンドや中間
周波数用のフィルタとして多く用いられている。
に形成されたインターデジタル電極（ＩＤＴ）などの電
極により電気信号を基板上を伝搬する表面波に変換して
所望のフィルタ特性を得るものであり、小型で、無調整
化が可能なため、携帯用無線機のフロントエンドや中間
周波数用のフィルタとして多く用いられている。
【０００３】従来用いられているピン付きキャンパッケ
ージによる弾性表面波フィルタの断面構造をその配線基
板への接続とともに図１に示す。ＩＤＴを表面上に形成
した圧電基板１０が金属製のステム部２１上に固定され
る。圧電基板１０上に設けられてＩＤＴ電極に接続され
た入出力用ボンディングパッド１３は、ステム部２１に
ガラスなどの絶縁体で絶縁され固定された入出力ピン２
２に入出力用ボンディングワイヤ３２を介して接続され
ている。図示していないが、ＩＤＴ電極の接地される側
は接地用ボンディングパッドを介し、接地用ボンディン
グワイヤによりステム部２１に接続されている。そし
て、ステム部２１の上面は、キャップ４１により気密密
封されている。
ージによる弾性表面波フィルタの断面構造をその配線基
板への接続とともに図１に示す。ＩＤＴを表面上に形成
した圧電基板１０が金属製のステム部２１上に固定され
る。圧電基板１０上に設けられてＩＤＴ電極に接続され
た入出力用ボンディングパッド１３は、ステム部２１に
ガラスなどの絶縁体で絶縁され固定された入出力ピン２
２に入出力用ボンディングワイヤ３２を介して接続され
ている。図示していないが、ＩＤＴ電極の接地される側
は接地用ボンディングパッドを介し、接地用ボンディン
グワイヤによりステム部２１に接続されている。そし
て、ステム部２１の上面は、キャップ４１により気密密
封されている。
【０００４】このような弾性表面波フィルタは、配線基
板５０の表面側に実装され、入出力ピン２２およびステ
ム部２１の裏面に直接固定された接地ピン２３により、
貫通孔５４を貫通して、配線基板５０の裏面に設けられ
た入出力用配線５１および接地配線５２にそれぞれはん
だ付けにより接続されている。
板５０の表面側に実装され、入出力ピン２２およびステ
ム部２１の裏面に直接固定された接地ピン２３により、
貫通孔５４を貫通して、配線基板５０の裏面に設けられ
た入出力用配線５１および接地配線５２にそれぞれはん
だ付けにより接続されている。
【０００５】近年、高密度の実装方式として表面実装技
術が注目され、このような実装方法に適応した弾性表面
波フィルタが求められている。このような方法に適した
構造として図２に示すセラミック製表面実装用パッケ−
ジが知られている。ＩＤＴを表面上に形成した圧電基板
１０は、アルミナセラミック製のパッケージ２５の内部
底面に固定されている。このパッケージ２５の表面には
厚膜配線による入出力リード２６および接地リード２７
が設けられており、圧電基板１０上に設けられたＩＤＴ
電極は、入出力用ボンディングパッド１３および接地用
ボンディングパッドを介して入出力用ボンディングワイ
ヤ３２および接地用ボンディングワイヤにより入出力リ
ード２６および接地リード２７にそれぞれ接続されてい
る。そして、パッケージ２５の上面は封止用の蓋４２に
より閉じられている。
術が注目され、このような実装方法に適応した弾性表面
波フィルタが求められている。このような方法に適した
構造として図２に示すセラミック製表面実装用パッケ−
ジが知られている。ＩＤＴを表面上に形成した圧電基板
１０は、アルミナセラミック製のパッケージ２５の内部
底面に固定されている。このパッケージ２５の表面には
厚膜配線による入出力リード２６および接地リード２７
が設けられており、圧電基板１０上に設けられたＩＤＴ
電極は、入出力用ボンディングパッド１３および接地用
ボンディングパッドを介して入出力用ボンディングワイ
ヤ３２および接地用ボンディングワイヤにより入出力リ
ード２６および接地リード２７にそれぞれ接続されてい
る。そして、パッケージ２５の上面は封止用の蓋４２に
より閉じられている。
【０００６】表面実装技術においては、配線基板５０の
一主面上に入出力用配線５１、接地配線５２などの配線
が設けられ、それらと接する同一面上に入出力リード２
６および接地リード２７などの接続端子が設けられてお
り、これらの端子をはんだ５３により配線に接続してい
る。
一主面上に入出力用配線５１、接地配線５２などの配線
が設けられ、それらと接する同一面上に入出力リード２
６および接地リード２７などの接続端子が設けられてお
り、これらの端子をはんだ５３により配線に接続してい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな表面実装用パッケージを用いると、帯域外減衰量
（特に、高周波側における減衰量）が十分にとれないと
いう問題がある。すなわち、同一のＩＤＴ電極を設けた
同一の圧電基板を上述のような表面実装型パッケージに
納めた場合、従来のピン付きキャンパッケージと比べる
と帯域外減衰量が著しく悪化する。特にフロントエンド
用フィルタとして用いる場合、６０ｄＢ以上の帯域外減
衰量が必要とされるため、このような悪化は大きな問題
となる。
うな表面実装用パッケージを用いると、帯域外減衰量
（特に、高周波側における減衰量）が十分にとれないと
いう問題がある。すなわち、同一のＩＤＴ電極を設けた
同一の圧電基板を上述のような表面実装型パッケージに
納めた場合、従来のピン付きキャンパッケージと比べる
と帯域外減衰量が著しく悪化する。特にフロントエンド
用フィルタとして用いる場合、６０ｄＢ以上の帯域外減
衰量が必要とされるため、このような悪化は大きな問題
となる。
【０００８】本発明の目的は、表面実装技術に適し、か
つ、優れた帯域外減衰量が得られる弾性表面波フィルタ
のパッケージ構造を提供するものである。
つ、優れた帯域外減衰量が得られる弾性表面波フィルタ
のパッケージ構造を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および作用】本発明者ら
は、表面実装型セラミックパッケージ構造により帯域外
減衰量が劣化する原因について鋭意検討したところ、次
のような結論を得た。図３に電気的等価回路を示す。フ
ィルタＦを構成する圧電基板上の入出力ＩＤＴ電極の接
地側Ｇ１、Ｇ２が、パッケージ内で接続されて配線基板
の接地点Ｇｉ、Ｇｏまでの接地配線が寄生インダクタン
ス成分Ｌｇおよび寄生抵抗成分Ｒｇを有している。この
ため、入出力ＩＤＴ電極の接地側は配線基板の接地点Ｇ
ｉ、Ｇｏから浮いており、この影響が帯域外減衰量の劣
化に最も起因していることがわかった。特に、数百ＭＨ
ｚ以上のＵＨＦ帯以上では寄生インダクタンス成分Ｌｇ
および寄生抵抗成分Ｒｇの影響が顕著となるため、この
ような劣化も著しくなる。なお、配線基板の入力接続点
Ｓｉと出力接続点Ｓｏ間には結合分により容量Ｃｓを生
じるが、この容量Ｃｓによる帯域外減衰量への影響は小
さい。
は、表面実装型セラミックパッケージ構造により帯域外
減衰量が劣化する原因について鋭意検討したところ、次
のような結論を得た。図３に電気的等価回路を示す。フ
ィルタＦを構成する圧電基板上の入出力ＩＤＴ電極の接
地側Ｇ１、Ｇ２が、パッケージ内で接続されて配線基板
の接地点Ｇｉ、Ｇｏまでの接地配線が寄生インダクタン
ス成分Ｌｇおよび寄生抵抗成分Ｒｇを有している。この
ため、入出力ＩＤＴ電極の接地側は配線基板の接地点Ｇ
ｉ、Ｇｏから浮いており、この影響が帯域外減衰量の劣
化に最も起因していることがわかった。特に、数百ＭＨ
ｚ以上のＵＨＦ帯以上では寄生インダクタンス成分Ｌｇ
および寄生抵抗成分Ｒｇの影響が顕著となるため、この
ような劣化も著しくなる。なお、配線基板の入力接続点
Ｓｉと出力接続点Ｓｏ間には結合分により容量Ｃｓを生
じるが、この容量Ｃｓによる帯域外減衰量への影響は小
さい。
【００１０】表面実装型セラミックパッケ−ジの場合、
パッケ−ジ内の接地配線が、絶縁体の表面を迂回し、か
つ薄いめっき層などで形成されているため、寄生インダ
クタンス成分Ｌｇおよび寄生抵抗成分Ｒｇが増大し、帯
域外減衰量が著しく劣化している。
パッケ−ジ内の接地配線が、絶縁体の表面を迂回し、か
つ薄いめっき層などで形成されているため、寄生インダ
クタンス成分Ｌｇおよび寄生抵抗成分Ｒｇが増大し、帯
域外減衰量が著しく劣化している。
【００１１】以上の検討から、本発明者らは、配線基板
の一主面上に配置され、該一主面上に配設された入出力
配線および接地配線に接続される弾性表面波フィルタに
おいて、(ａ)フィルタを構成する電極が形成された圧電
基板と、(ｂ)該圧電基板を一主面に保持し、対向する他
の主面が前記接地配線に接続される金属製ステムと、
(ｃ)該金属製ステムに絶縁物を介して固定され、一端が
前記電極に接続され、かつ、他端が前記金属製ステムの
他の主面と実質的に同一な面上に形成され、前記入出力
配線に接続される入出力端子とを含むことを特徴とする
本発明をなした。
の一主面上に配置され、該一主面上に配設された入出力
配線および接地配線に接続される弾性表面波フィルタに
おいて、(ａ)フィルタを構成する電極が形成された圧電
基板と、(ｂ)該圧電基板を一主面に保持し、対向する他
の主面が前記接地配線に接続される金属製ステムと、
(ｃ)該金属製ステムに絶縁物を介して固定され、一端が
前記電極に接続され、かつ、他端が前記金属製ステムの
他の主面と実質的に同一な面上に形成され、前記入出力
配線に接続される入出力端子とを含むことを特徴とする
本発明をなした。
【００１２】本発明によれば、圧電基板上のフィルタを
構成する電極を配線基板に接地する際に生じる寄生イン
ダクタンス成分および寄生抵抗成分を抑制することがで
き、かつ金属製ステムと入出力端子を容易に配線基板に
実装することが可能となる。
構成する電極を配線基板に接地する際に生じる寄生イン
ダクタンス成分および寄生抵抗成分を抑制することがで
き、かつ金属製ステムと入出力端子を容易に配線基板に
実装することが可能となる。
【００１３】
【実施例】本発明の一実施例である弾性表面波フィルタ
の平面図である図４と断面図である図５を用いて以下詳
細に説明する。
の平面図である図４と断面図である図５を用いて以下詳
細に説明する。
【００１４】まず、四硼酸リチウム単結晶からなる圧電
基板１０の表主面には３組のＩＤＴ電極１１と、そのＩ
ＤＴ電極１１をはさむように一対の反射器１２が形成さ
れて１組の共振器型フィルタが構成される。この共振器
型フィルタ２組を、縦続に接続し、優れた帯域外減衰量
を得ている。これらのＩＤＴ電極１１は、圧電基板１０
の表主面周辺部分に形成された入出力用ボンディングパ
ッド１３および接地用ボンディングパッド１４に、また
は、相互に接続されている。縦続に接続した場合、接地
用ボンディングパッド１４を２組の共振器型フィルタの
間に設けることもある。なお、圧電基板１０は、他の圧
電性単結晶でもよく、圧電性の薄膜を形成した基板でも
よい。ＩＤＴ電極１１および反射器１２はアルミニウム
薄膜からなるが、他の金属でもよく、グルーブ型の反射
器を用いることもできる。また、トランスバーサル型フ
ィルタにより構成されてもよい。
基板１０の表主面には３組のＩＤＴ電極１１と、そのＩ
ＤＴ電極１１をはさむように一対の反射器１２が形成さ
れて１組の共振器型フィルタが構成される。この共振器
型フィルタ２組を、縦続に接続し、優れた帯域外減衰量
を得ている。これらのＩＤＴ電極１１は、圧電基板１０
の表主面周辺部分に形成された入出力用ボンディングパ
ッド１３および接地用ボンディングパッド１４に、また
は、相互に接続されている。縦続に接続した場合、接地
用ボンディングパッド１４を２組の共振器型フィルタの
間に設けることもある。なお、圧電基板１０は、他の圧
電性単結晶でもよく、圧電性の薄膜を形成した基板でも
よい。ＩＤＴ電極１１および反射器１２はアルミニウム
薄膜からなるが、他の金属でもよく、グルーブ型の反射
器を用いることもできる。また、トランスバーサル型フ
ィルタにより構成されてもよい。
【００１５】圧電基板１０は、ステム部２０の内側底部
中央に接着剤を用いて固定される。上面が開口した箱型
のステム部２０は、高ニッケル合金（４２アロイなど）
からなり、表面はニッケルめっきがなされている。ステ
ム部２０の底部両端には入出力端子３０が、ハーメチッ
クシールを構成する絶縁体３１を介して固定されてい
る。入出力端子３０の外側底部はステム部２０の外側底
面と同一の平面にあり、その一部分はステム部２０の外
側両端面の底部部分３０ａに露出している。
中央に接着剤を用いて固定される。上面が開口した箱型
のステム部２０は、高ニッケル合金（４２アロイなど）
からなり、表面はニッケルめっきがなされている。ステ
ム部２０の底部両端には入出力端子３０が、ハーメチッ
クシールを構成する絶縁体３１を介して固定されてい
る。入出力端子３０の外側底部はステム部２０の外側底
面と同一の平面にあり、その一部分はステム部２０の外
側両端面の底部部分３０ａに露出している。
【００１６】なお、ステム部２０は、鉄系合金などの他
の金属で構成されてもよく、絶縁体３１もハーメチック
シールを構成するガラスなどの無機系材料以外にフッ素
系合成樹脂などの有機系高分子材料でもよい。
の金属で構成されてもよく、絶縁体３１もハーメチック
シールを構成するガラスなどの無機系材料以外にフッ素
系合成樹脂などの有機系高分子材料でもよい。
【００１７】入出力用ボンディングパッド１３および接
地用ボンディングパッド１４は、入出力端子のボンディ
ング面３０ｂおよびステム部２０の内側底部の所定位置
との間を、１重量％Ｓｉを含むアルミニウムからなる入
出力用ボンディングワイヤ３２および接地用ボンディン
グワイヤ３３によりそれぞれ接続される。入出力用ボン
ディングワイヤ３２が接続される入出力端子のボンディ
ング面３０ｂは、ステム部２０の内側底部と平行であ
り、圧電基板１０と同じ高さとしているので、ワイヤボ
ンディングの作業が容易になっており、フィルタの信頼
性も向上する。
地用ボンディングパッド１４は、入出力端子のボンディ
ング面３０ｂおよびステム部２０の内側底部の所定位置
との間を、１重量％Ｓｉを含むアルミニウムからなる入
出力用ボンディングワイヤ３２および接地用ボンディン
グワイヤ３３によりそれぞれ接続される。入出力用ボン
ディングワイヤ３２が接続される入出力端子のボンディ
ング面３０ｂは、ステム部２０の内側底部と平行であ
り、圧電基板１０と同じ高さとしているので、ワイヤボ
ンディングの作業が容易になっており、フィルタの信頼
性も向上する。
【００１８】その後、乾燥窒素雰囲気中でパラレルシ−
ム溶接法を用いて金属製のキャップ４０をステム部２０
の開口面に封止する。金属製のキャップ４０により弾性
表面波フィルタをパッケ−ジ全体でシ−ルドすることが
可能となる。キャップ４０の封止は、パッケ−ジの構造
上パラレルシ−ム溶接が望ましいが抵抗溶接などの他の
溶接で行なってもよい。
ム溶接法を用いて金属製のキャップ４０をステム部２０
の開口面に封止する。金属製のキャップ４０により弾性
表面波フィルタをパッケ−ジ全体でシ−ルドすることが
可能となる。キャップ４０の封止は、パッケ−ジの構造
上パラレルシ−ム溶接が望ましいが抵抗溶接などの他の
溶接で行なってもよい。
【００１９】この構造の弾性表面波フィルタは、配線基
板５０上の入出力配線５１および接地配線５２に接続用
はんだ５３をリフローして接続することで表面実装され
る。入出力端子３０の外側の一部分は、ステム部２０の
両側面の底部部分に露出しているため、接続用はんだ５
３がその側面に這いあがるため、確実に接続することが
できる。なお、配線基板５０との電気的および機械的接
続にはんだを用いたが、インダクタンスや抵抗が生じな
い方法であれば、導電性接着剤などのはんだ以外の方法
でもよい。
板５０上の入出力配線５１および接地配線５２に接続用
はんだ５３をリフローして接続することで表面実装され
る。入出力端子３０の外側の一部分は、ステム部２０の
両側面の底部部分に露出しているため、接続用はんだ５
３がその側面に這いあがるため、確実に接続することが
できる。なお、配線基板５０との電気的および機械的接
続にはんだを用いたが、インダクタンスや抵抗が生じな
い方法であれば、導電性接着剤などのはんだ以外の方法
でもよい。
【００２０】このような構造を用いることにより、圧電
基板１０上のフィルタを構成するＩＤＴ電極１１の接地
側と配線基板５０上の接地配線５２とを金属製のステム
部２０を介して接続しているため接地が良好となり、寄
生インダクタンスおよび寄生抵抗を低減できる。また、
金属製の密閉パッケージを用いているために、入出力間
のシールド効果を高めることができ、６５ｄＢ以上の帯
域外減衰を得ることができる。これは、図２に示した表
面実装型セラミックパッケ−ジを用いた場合と比べ、２
０ｄＢ以上の改善である。
基板１０上のフィルタを構成するＩＤＴ電極１１の接地
側と配線基板５０上の接地配線５２とを金属製のステム
部２０を介して接続しているため接地が良好となり、寄
生インダクタンスおよび寄生抵抗を低減できる。また、
金属製の密閉パッケージを用いているために、入出力間
のシールド効果を高めることができ、６５ｄＢ以上の帯
域外減衰を得ることができる。これは、図２に示した表
面実装型セラミックパッケ−ジを用いた場合と比べ、２
０ｄＢ以上の改善である。
【００２１】また、適切なインピーダンスをもつように
入出力端子３０および絶縁体３１の形状・材質を設計し
て作製することも可能である。なお、図６に示すように
入出力端子３０を、ピン状あるいは板状の金属素材によ
りＬ字型に作製してもよいし、図７に示すように入出力
端子のボンディング面３０ｂを、ステム部２０の内側底
部と同じ高さの平面としてもよい。
入出力端子３０および絶縁体３１の形状・材質を設計し
て作製することも可能である。なお、図６に示すように
入出力端子３０を、ピン状あるいは板状の金属素材によ
りＬ字型に作製してもよいし、図７に示すように入出力
端子のボンディング面３０ｂを、ステム部２０の内側底
部と同じ高さの平面としてもよい。
【００２２】
【発明の効果】本発明は、配線基板の一主面上に配置さ
れ、該一主面上に配設された入出力配線および接地配線
に接続される弾性表面波フィルタにおいて、(ａ)フィル
タを構成する電極が形成された圧電基板と、(ｂ)該圧電
基板を一主面に保持し、対向する他の主面が前記接地配
線に接続される金属製ステムと、(ｃ)該金属製ステムに
絶縁物を介して固定され、一端が前記電極に接続され、
かつ、他端が前記金属製ステムの他の主面と実質的に同
一な面上に形成され、前記入出力配線に接続される入出
力端子とを含むものである。
れ、該一主面上に配設された入出力配線および接地配線
に接続される弾性表面波フィルタにおいて、(ａ)フィル
タを構成する電極が形成された圧電基板と、(ｂ)該圧電
基板を一主面に保持し、対向する他の主面が前記接地配
線に接続される金属製ステムと、(ｃ)該金属製ステムに
絶縁物を介して固定され、一端が前記電極に接続され、
かつ、他端が前記金属製ステムの他の主面と実質的に同
一な面上に形成され、前記入出力配線に接続される入出
力端子とを含むものである。
【００２３】本発明によれば、圧電性基板上のフィルタ
を構成する電極を配線基板に接地する際にともなう寄生
インダクタンス成分および寄生抵抗成分を抑制すること
ができ、かつ、金属製ステムと入出力端子を容易に配線
基板に実装することが可能となる。このため、優れた帯
域外減衰特性が得られ、かつ、表面実装に最適なものと
なる。
を構成する電極を配線基板に接地する際にともなう寄生
インダクタンス成分および寄生抵抗成分を抑制すること
ができ、かつ、金属製ステムと入出力端子を容易に配線
基板に実装することが可能となる。このため、優れた帯
域外減衰特性が得られ、かつ、表面実装に最適なものと
なる。
【図１】従来技術であるキャンパッケージを用いた弾性
表面波フィルタを説明するための断面図である。
表面波フィルタを説明するための断面図である。
【図２】従来技術であるセラミック製表面実装用パッケ
ージを用いた弾性表面波フィルタを説明するための断面
図である。
ージを用いた弾性表面波フィルタを説明するための断面
図である。
【図３】本発明を説明するための弾性表面波フィルタの
パッケージ部分を含んだ等価回路図である。
パッケージ部分を含んだ等価回路図である。
【図４】本発明による一実施例の弾性表面波フィルタを
説明するための平面図である。
説明するための平面図である。
【図５】本発明による一実施例の弾性表面波フィルタを
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図６】本発明による他の実施例の弾性表面波フィルタ
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図７】本発明による他の実施例の弾性表面波フィルタ
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
１０ 圧電基板 １１ ＩＤＴ電極 １２ 反射器 １３ 入出力用ボンディングパッド １４ 接地用ボンディングパッド ２０ ステム部 ３０ 入出力端子 ３１ 絶縁体 ３２ 入出力用ボンディングワイヤ ３３ 接地用ボンディングワイヤ ４０ キャップ ５０ 配線基板 ５１ 入出力配線 ５２ 接地配線 ５３ 接続用はんだ
Claims (1)
- 【請求項１】 配線基板の一主面上に配置され、該一主
面上に配設された入出力配線および接地配線に接続され
る弾性表面波フィルタにおいて、 (ａ)フィルタを構成する電極が形成された圧電基板と、 (ｂ)該圧電基板を一主面に保持し、対向する他の主面が
前記接地配線に接続される金属製ステムと、 (ｃ)該金属製ステムに絶縁物を介して固定され、一端が
前記電極に接続され、かつ、他端が前記金属製ステムの
他の主面と実質的に同一な面上に形成され、前記入出力
配線に接続される入出力端子とを含むことを特徴とする
弾性表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31444392A JPH06152313A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31444392A JPH06152313A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06152313A true JPH06152313A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=18053421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31444392A Pending JPH06152313A (ja) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | 弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06152313A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5966060A (en) * | 1996-09-17 | 1999-10-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus having an interdigital transducer ground electrode connected to multiple package grounds |
| CN115021706A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-09-06 | 深圳新声半导体有限公司 | 一种基于压电材料的声表面滤波器 |
-
1992
- 1992-10-30 JP JP31444392A patent/JPH06152313A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5966060A (en) * | 1996-09-17 | 1999-10-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave apparatus having an interdigital transducer ground electrode connected to multiple package grounds |
| CN115021706A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-09-06 | 深圳新声半导体有限公司 | 一种基于压电材料的声表面滤波器 |
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