JP2892993B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JP2892993B2 JP2892993B2 JP8259277A JP25927796A JP2892993B2 JP 2892993 B2 JP2892993 B2 JP 2892993B2 JP 8259277 A JP8259277 A JP 8259277A JP 25927796 A JP25927796 A JP 25927796A JP 2892993 B2 JP2892993 B2 JP 2892993B2
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- conductive pattern
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＳＡＷフィルタのを備
えた弾性表面波装置及びこれを用いた機器に係り、特に
４００ＭＨｚ帯以上の高周波帯における入出力アイソレ
ーションを充分得るのに好適な弾性表面波装置及びこれ
を用いた機器に関する。
えた弾性表面波装置及びこれを用いた機器に係り、特に
４００ＭＨｚ帯以上の高周波帯における入出力アイソレ
ーションを充分得るのに好適な弾性表面波装置及びこれ
を用いた機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のＳＡＷフィルタは所望通過帯域
特性に対し急峻な遮断特性を呈する可能性と共に扁平状
に薄く、軽く形成出来る可能性を有するので、衛星ＴＶ
放送用受信器のＩＦフィルタ、自動車電話や、携帯電話
やページャの如き移動体通信装置用のフィルタとして使
用出来る。この種の装置に於ける各部品の軽薄短小化は
強く要望されている所である。ＳＡＷフィルタは例えば
３６°ＹｃｕｔＸ伝播のＬｉＴａＯ3基板を用いた素子
で、特開昭５６−１３２８０７号、５７−２０２１１４
号、５９−５８９０７号、特にその改良が記載されてい
る。
特性に対し急峻な遮断特性を呈する可能性と共に扁平状
に薄く、軽く形成出来る可能性を有するので、衛星ＴＶ
放送用受信器のＩＦフィルタ、自動車電話や、携帯電話
やページャの如き移動体通信装置用のフィルタとして使
用出来る。この種の装置に於ける各部品の軽薄短小化は
強く要望されている所である。ＳＡＷフィルタは例えば
３６°ＹｃｕｔＸ伝播のＬｉＴａＯ3基板を用いた素子
で、特開昭５６−１３２８０７号、５７−２０２１１４
号、５９−５８９０７号、特にその改良が記載されてい
る。
【０００３】従来のＳＡＷフィルタ用面実装型パッケー
ジは、特開昭６１−２４５７０９号に記載のように、絶
縁基板に複数の端子用パターンがあるのみで、それらの
間の電磁干渉を阻止する構造は設けられていない。
ジは、特開昭６１−２４５７０９号に記載のように、絶
縁基板に複数の端子用パターンがあるのみで、それらの
間の電磁干渉を阻止する構造は設けられていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】即ち、入出力端子間に
シールドを設け、入出力端子間の電磁結合を阻止するア
イソレーションを得る点について配慮がされていない。
また図８（Ａ）に示す如くセラミック製基板Ｐ上に設け
られたＳＡＷフィルタチップＳＦ、入出力端子ＩＰ，Ｏ
Ｐに加えて、少なくとも入力側アース端子Ｅ１、出力側
アース端子Ｅ２が各１個有する構成が既知であるが、こ
れらは入、出力端子間の電磁結合阻止用の端子ではな
く、基板Ｐの裏側を示すＦｉｇ．８Ｂの如く端子ＩＰ，
ＯＰは基板の表側から延びて来て裏側でも対向配置さ
れ、阻止機能は不充分である。すなわち裏側の各端子は
周辺回路との接続端子としてのみ機能しているものであ
る。従って７０ＭＨｚ以下の低い周波数であれば問題な
いが、特に４００ＭＨｚ以上の高周波においては、入出
力アイソレーションが充分に得られず直達波による帯域
外抑圧度の劣化という問題が生じる。
シールドを設け、入出力端子間の電磁結合を阻止するア
イソレーションを得る点について配慮がされていない。
また図８（Ａ）に示す如くセラミック製基板Ｐ上に設け
られたＳＡＷフィルタチップＳＦ、入出力端子ＩＰ，Ｏ
Ｐに加えて、少なくとも入力側アース端子Ｅ１、出力側
アース端子Ｅ２が各１個有する構成が既知であるが、こ
れらは入、出力端子間の電磁結合阻止用の端子ではな
く、基板Ｐの裏側を示すＦｉｇ．８Ｂの如く端子ＩＰ，
ＯＰは基板の表側から延びて来て裏側でも対向配置さ
れ、阻止機能は不充分である。すなわち裏側の各端子は
周辺回路との接続端子としてのみ機能しているものであ
る。従って７０ＭＨｚ以下の低い周波数であれば問題な
いが、特に４００ＭＨｚ以上の高周波においては、入出
力アイソレーションが充分に得られず直達波による帯域
外抑圧度の劣化という問題が生じる。
【０００５】本発明の目的は、高周波領域で動作する弾
性表面波装置において、絶縁基板の表面及び内部におけ
る入出力端子間の電磁的な結合を阻止すると共に、ＳＡ
Ｗフィルタ・チップの特性インピーダンスとの整合を取
ることが容易な弾性表面波装置を提供することにある。
性表面波装置において、絶縁基板の表面及び内部におけ
る入出力端子間の電磁的な結合を阻止すると共に、ＳＡ
Ｗフィルタ・チップの特性インピーダンスとの整合を取
ることが容易な弾性表面波装置を提供することにある。
【０００６】上記目的を達成するための本発明に係る弾
性表面波装置は、ＳＡＷフィルタ・チップと、該ＳＡＷ
フィルタ・チップが一方の面に配置される絶縁基板とを
備えた弾性表面波装置において、前記絶縁基板の一方の
面、及び該一方の面と対向する他方の面の各々には、該
絶縁基板の長さ方向の両端部にそれぞれ位置する矩形状
の入力端子用導電パターン及び矩形状の出力端子用導電
パターンと、該入力及び出力端子用導電パターンの各々
の、前記絶縁基板の中央側の第１の辺と該第１の辺に隣
接する２つの第２の辺の各々に対向する形状のエ字状部
を有するアース用パターンと、が形成され、前記アース
用パターンのエ字状部の、前記入力及び出力端子用導電
パターンの第２の辺に対向する部分は、前記入力及び出
力端子用導電パターンの第２の辺に対して、該入力及び
出力端子用導電パターンの線路インピーダンスが前記Ｓ
ＡＷフィルタ・チップの特性インピーダンスと整合する
ような間隙をもって配置され、前記アース用パターンの
前記入力端子用導電パターンと出力端子用導電パターン
との間の位置に、前記絶縁基板をその厚さ方向に貫通す
る導電部材を挿入して前記絶縁基板の一方及び他方の面
に形成されたアース用パターン同士を電気的に接続し、
前記絶縁基板の一方の面に形成された入力端子用導電パ
ターン、出力端子用導電パターン及びアース用パターン
と、他方の面に形成された入力端子用導電パターン、出
力端子用導電パターン及びアース用パターンとを、各々
前記絶縁基板の側面部において互いに電気的に接続した
ことを特徴とするものである。
性表面波装置は、ＳＡＷフィルタ・チップと、該ＳＡＷ
フィルタ・チップが一方の面に配置される絶縁基板とを
備えた弾性表面波装置において、前記絶縁基板の一方の
面、及び該一方の面と対向する他方の面の各々には、該
絶縁基板の長さ方向の両端部にそれぞれ位置する矩形状
の入力端子用導電パターン及び矩形状の出力端子用導電
パターンと、該入力及び出力端子用導電パターンの各々
の、前記絶縁基板の中央側の第１の辺と該第１の辺に隣
接する２つの第２の辺の各々に対向する形状のエ字状部
を有するアース用パターンと、が形成され、前記アース
用パターンのエ字状部の、前記入力及び出力端子用導電
パターンの第２の辺に対向する部分は、前記入力及び出
力端子用導電パターンの第２の辺に対して、該入力及び
出力端子用導電パターンの線路インピーダンスが前記Ｓ
ＡＷフィルタ・チップの特性インピーダンスと整合する
ような間隙をもって配置され、前記アース用パターンの
前記入力端子用導電パターンと出力端子用導電パターン
との間の位置に、前記絶縁基板をその厚さ方向に貫通す
る導電部材を挿入して前記絶縁基板の一方及び他方の面
に形成されたアース用パターン同士を電気的に接続し、
前記絶縁基板の一方の面に形成された入力端子用導電パ
ターン、出力端子用導電パターン及びアース用パターン
と、他方の面に形成された入力端子用導電パターン、出
力端子用導電パターン及びアース用パターンとを、各々
前記絶縁基板の側面部において互いに電気的に接続した
ことを特徴とするものである。
【０００７】上記構成の弾性表面波装置は、４００ＭＨ
ｚ以上の高周波を使用する機器において、上記アース用
パターンを接地してフィルタとして用いられる。
ｚ以上の高周波を使用する機器において、上記アース用
パターンを接地してフィルタとして用いられる。
【０００８】前記ＳＡＷフィルタ・チップは、導電性を
有するケース部材により覆われて密閉されてもよい。こ
のケース部材は金属製であってもよい。
有するケース部材により覆われて密閉されてもよい。こ
のケース部材は金属製であってもよい。
【０００９】また、本発明では、４００ＭＨｚ以上の周
波数帯で、通過帯域外の減衰量が５０ｄＢ以上の弾性表
面波装置が実現できる。
波数帯で、通過帯域外の減衰量が５０ｄＢ以上の弾性表
面波装置が実現できる。
【００１０】
【作用】本発明によれば、アース用パターンを、入力及
び出力端子用導電パターンのそれぞれの絶縁基板中央側
の辺を含む３辺に各々に対向するエ字状の形状としたた
め、その入力端子用導電パターンと出力端子用導電パタ
ーンとの間の部分、つまりエ字状部の中央側の部分で絶
縁基板の表面における入出力端子間の電磁結合を防止で
きる。また、当該エ字状部の、入力及び出力端子用導電
パターンの絶縁基板中央側の辺に隣接する辺と対向する
部分は、入力及び出力導電用パターンと、その導電用パ
ターンとの間のス間隙とにより共平面線路を形成してお
り、その間隙を該入力及び出力端子用導電パターンの線
路インピーダンスが前記ＳＡＷフィルタ・チップの特性
インピーダンスと整合するような間隙をもって配置する
ことにより、入力及び出力端子用導電パターンの線路イ
ンピーダンスをＳＡＷフィルタ・チップの特性インピー
ダンスース用パターンとほぼ等しくすることができる。
更に、アース用パターンのエ字状部の中央部に、絶縁基
板をその厚さ方向に貫通する導電部材を挿入してアース
用パターンと接続したため、絶縁基板内部における入出
力端子間の電磁結合をも防止できる。
び出力端子用導電パターンのそれぞれの絶縁基板中央側
の辺を含む３辺に各々に対向するエ字状の形状としたた
め、その入力端子用導電パターンと出力端子用導電パタ
ーンとの間の部分、つまりエ字状部の中央側の部分で絶
縁基板の表面における入出力端子間の電磁結合を防止で
きる。また、当該エ字状部の、入力及び出力端子用導電
パターンの絶縁基板中央側の辺に隣接する辺と対向する
部分は、入力及び出力導電用パターンと、その導電用パ
ターンとの間のス間隙とにより共平面線路を形成してお
り、その間隙を該入力及び出力端子用導電パターンの線
路インピーダンスが前記ＳＡＷフィルタ・チップの特性
インピーダンスと整合するような間隙をもって配置する
ことにより、入力及び出力端子用導電パターンの線路イ
ンピーダンスをＳＡＷフィルタ・チップの特性インピー
ダンスース用パターンとほぼ等しくすることができる。
更に、アース用パターンのエ字状部の中央部に、絶縁基
板をその厚さ方向に貫通する導電部材を挿入してアース
用パターンと接続したため、絶縁基板内部における入出
力端子間の電磁結合をも防止できる。
【００１１】
【実施例】図１（Ａ）は、本発明の一実施例を示したも
のである。ＳＡＷフィルタチップ３は、ダイボンド接着
剤によりセラミック製の両面基板１に接着される。基板
上に入、出力端子用導電パターン５，６に加えてアース
用パターン７が例えばＮｉメッキ層上にＡｕメッキを施
して図示の配置に設けられる。基板表面の中央両側部に
設けられたパターン５，６と絶縁スペース１０を介して
パターン７がこれらを囲む様に配置される。そしてチッ
プ上の入力パッド８（例えばＡｌ蒸着膜）と基板の入力
端子用パターン５、出力パッド９と出力端子用パターン
６、アースパッドとアース用パターン７はワイヤ４にて
電気的に接続されている。両面基板１の上、下面を図２
（Ａ），（Ｂ）で示すように、各導電パターンは両面で
同じ様に設けられて、夫れ夫れ側面部に設けられる延長
部６ｃ，７ｃを介して導電結合している。またスルーホ
ール１２（例えばＮｉを埋込む）を形成して電気的に接
続してもよい。基板表面中央部（チップ３の下部付近）
に複数のスルーホール１２（図２（Ａ）では３個）を設
けてアース用パターン７と接続することにより基板内部
を通る電磁結合を阻止する効果も生じる。基板の上、下
面上で入、出力端子用パターンを囲む様にアースパター
ン７を配置する構造により、入、出力端子用パターン間
の電磁結合による直達波を遮断することができる。それ
によって、４００ＭＨｚ以上の高周波帯においても入出
力間のアイソレーションが充分に得られ、４０ｄＢ以上
の帯域外抑圧度と共に実質的にＳＡＷフィルタチップ３
の音響特性を表わす急峻な立ち上り、立ち下り特性を持
つ帯域特性を実現できる。そして、外部の塵埃や湿気を
防ぐために非金属、例えば樹脂製のキャップ２にて封止
することにより、面付けタイプのＳＡＷフィルタ装置を
実現することができる。
のである。ＳＡＷフィルタチップ３は、ダイボンド接着
剤によりセラミック製の両面基板１に接着される。基板
上に入、出力端子用導電パターン５，６に加えてアース
用パターン７が例えばＮｉメッキ層上にＡｕメッキを施
して図示の配置に設けられる。基板表面の中央両側部に
設けられたパターン５，６と絶縁スペース１０を介して
パターン７がこれらを囲む様に配置される。そしてチッ
プ上の入力パッド８（例えばＡｌ蒸着膜）と基板の入力
端子用パターン５、出力パッド９と出力端子用パターン
６、アースパッドとアース用パターン７はワイヤ４にて
電気的に接続されている。両面基板１の上、下面を図２
（Ａ），（Ｂ）で示すように、各導電パターンは両面で
同じ様に設けられて、夫れ夫れ側面部に設けられる延長
部６ｃ，７ｃを介して導電結合している。またスルーホ
ール１２（例えばＮｉを埋込む）を形成して電気的に接
続してもよい。基板表面中央部（チップ３の下部付近）
に複数のスルーホール１２（図２（Ａ）では３個）を設
けてアース用パターン７と接続することにより基板内部
を通る電磁結合を阻止する効果も生じる。基板の上、下
面上で入、出力端子用パターンを囲む様にアースパター
ン７を配置する構造により、入、出力端子用パターン間
の電磁結合による直達波を遮断することができる。それ
によって、４００ＭＨｚ以上の高周波帯においても入出
力間のアイソレーションが充分に得られ、４０ｄＢ以上
の帯域外抑圧度と共に実質的にＳＡＷフィルタチップ３
の音響特性を表わす急峻な立ち上り、立ち下り特性を持
つ帯域特性を実現できる。そして、外部の塵埃や湿気を
防ぐために非金属、例えば樹脂製のキャップ２にて封止
することにより、面付けタイプのＳＡＷフィルタ装置を
実現することができる。
【００１２】図３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は本発明の別
の実施例を示し、基板の表、裏面、側面の導電パターン
のレイアウトならびに主要部の寸法のみを示し、他部分
は図１実施例と同様なので図示を省略してある。
の実施例を示し、基板の表、裏面、側面の導電パターン
のレイアウトならびに主要部の寸法のみを示し、他部分
は図１実施例と同様なので図示を省略してある。
【００１３】図１（Ａ）の導電パターンのレイアウトに
対し本実施例の導電パターンのレイアウトの主な差異は
基板の表、裏面の入、出力端子用導電パターンが基板側
面上の延長部を介して互に接続されておらず、ＳＡＷフ
ィルタ・チップが設けられる表側表面の入、出力端子用
導電パターン３５，３６は孤立しており、その周囲に絶
縁スペース部３０が設けられて、このスペース部３０を
介してアース用導電パターン３７がパターン３５，３６
を囲むレイアウトとなっている。従って基板裏面に設け
られ、入、出力端子用導電パターン３５′，３６′とは
スルーホール１２を通して電気的に接続され、導電パタ
ーン３５′，３６′の周囲に絶縁スペース部３０′が設
けられるのは図２で示すレイアウトと同様である。この
ように入、出力端子用導電パターンの孤立化により図７
で示す金属製（導電性）のキャップを用いて密封するこ
とが可能となる。
対し本実施例の導電パターンのレイアウトの主な差異は
基板の表、裏面の入、出力端子用導電パターンが基板側
面上の延長部を介して互に接続されておらず、ＳＡＷフ
ィルタ・チップが設けられる表側表面の入、出力端子用
導電パターン３５，３６は孤立しており、その周囲に絶
縁スペース部３０が設けられて、このスペース部３０を
介してアース用導電パターン３７がパターン３５，３６
を囲むレイアウトとなっている。従って基板裏面に設け
られ、入、出力端子用導電パターン３５′，３６′とは
スルーホール１２を通して電気的に接続され、導電パタ
ーン３５′，３６′の周囲に絶縁スペース部３０′が設
けられるのは図２で示すレイアウトと同様である。この
ように入、出力端子用導電パターンの孤立化により図７
で示す金属製（導電性）のキャップを用いて密封するこ
とが可能となる。
【００１４】図３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の実施例では
５×７×０．５ｍｍのセラミック基板（材質Ａｌ2Ｏ3）
を使用する。パターンはＮｉメッキした上にＡｕメッキ
をほどこし、Ａｌ超音波ボンディングが可能で、しかも
半田付け性も良好になる様配慮している。
５×７×０．５ｍｍのセラミック基板（材質Ａｌ2Ｏ3）
を使用する。パターンはＮｉメッキした上にＡｕメッキ
をほどこし、Ａｌ超音波ボンディングが可能で、しかも
半田付け性も良好になる様配慮している。
【００１５】図３（Ａ）において、寸法ａ，ｂはワイヤ
ボンディング性を行う０．５ｍｍ，０．５５ｍｍと設定
している。また、寸法ｃは半田付けをほどこす為、０．
７ｍｍとした。シールドパターンと入出力パターンとの
間のスペースの幅ｄ，ｅは電気的特性上重要である。特
に寸法ｅ部は、共平面線路を形成しており、ＳＡＷフィ
ルタの特性インピーダンスに合わせた、特性インピーダ
ンスとなる様決定すべきである。ここでは、ＳＡＷフィ
ルタのインピーダンス５０Ωに合わせることにした。Ａ
ｌ2Ｏ3セラミック基板の誘電率εｒが１０程度であるこ
とにより、ｃ／（ｃ＋２ｃ）＝０．４にて線路インピー
ダンスが５０Ωとなる。このことにより、ｅを０．６ｍ
ｍと設定した。同様にｄを０．５ｍｍと設定した。また
シールドパターンの幅ｆ，ｇはワイヤボンディングの位
置ずれ、半田ブリッジ等でショートにならない範囲で出
来るだけ広く設定した。ｆ＝２．６ｍｍ，ｇ＝１．６ｍ
ｍと設定した。また、半田付けをほどこす、側面パター
ンのピッチｈは０．２７ｍｍとした。なお基板の長さ方
向側面部においても基板両面部のアースパターンを短絡
する導電部を設けている。
ボンディング性を行う０．５ｍｍ，０．５５ｍｍと設定
している。また、寸法ｃは半田付けをほどこす為、０．
７ｍｍとした。シールドパターンと入出力パターンとの
間のスペースの幅ｄ，ｅは電気的特性上重要である。特
に寸法ｅ部は、共平面線路を形成しており、ＳＡＷフィ
ルタの特性インピーダンスに合わせた、特性インピーダ
ンスとなる様決定すべきである。ここでは、ＳＡＷフィ
ルタのインピーダンス５０Ωに合わせることにした。Ａ
ｌ2Ｏ3セラミック基板の誘電率εｒが１０程度であるこ
とにより、ｃ／（ｃ＋２ｃ）＝０．４にて線路インピー
ダンスが５０Ωとなる。このことにより、ｅを０．６ｍ
ｍと設定した。同様にｄを０．５ｍｍと設定した。また
シールドパターンの幅ｆ，ｇはワイヤボンディングの位
置ずれ、半田ブリッジ等でショートにならない範囲で出
来るだけ広く設定した。ｆ＝２．６ｍｍ，ｇ＝１．６ｍ
ｍと設定した。また、半田付けをほどこす、側面パター
ンのピッチｈは０．２７ｍｍとした。なお基板の長さ方
向側面部においても基板両面部のアースパターンを短絡
する導電部を設けている。
【００１６】図８に示す従来技術の面付けパッケージに
よるＳＡＷフィルタと、図１（Ａ），（Ｂ）の実施例に
よるＳＡＷフィルタ装置を用いて４５０ＭＨｚ帯ＳＡＷ
フィルタとの特性を図４は比較して示している。
よるＳＡＷフィルタと、図１（Ａ），（Ｂ）の実施例に
よるＳＡＷフィルタ装置を用いて４５０ＭＨｚ帯ＳＡＷ
フィルタとの特性を図４は比較して示している。
【００１７】図４は、図９に示す従来技術の基板を用い
たＳＡＷフィルタ装置と、図３（Ａ），（Ｂ）に示す基
板を用いた図１０に示す実施例によるＳＡＷフィルタ装
置を用いて、４５０ＭＨｚ帯ＳＡＷフィルタを作成し、
その特性を比較したものである。４５０ＭＨｚ帯ＳＡＷ
フィルタ基本設計は圧電結晶基板である３６°Ｙｃｕｔ
Ｘ伝播ＬｉＴａＯ3基板を用いた素子で、その圧電基板
上の電極パターンは、特開昭５６−１３２８０７号、５
７−２０２１１４号、５９−５８９０７号公報等に記載
された設計手法により設計されている。チップサイズは
３．０×３．５ｍｍであり、図９に示す様に入、出力用
ボンディングパッド４１，４２各１個アース用ボンディ
ングパッド４３，４４，４５，４６，４７，４８，６
個、合計８本のワイヤボンディングによりパッケージ基
板との電気的接続を行なう必要がある。したがって従来
技術の基板は図９に示す様に６端子のものを用い、入、
出力用にＩＰ，ＯＰ２端子、アース用にＦ１，Ｆ２，Ｆ
３，Ｆ４，４端子を用いてワイヤ配線を行なった。図１
０は本発明を用いた装置であり、入出力ボンディングパ
ッドはＩＰ，ＯＰと接続され、アースパッド４３，４
４，４５，４６，４７，４８はアースパターンＥと接続
されている。このように作成した基板をキャップにて封
止し、ＳＡＷフィルタ装置を作成した。本装置の電気的
特性測定には、図１１に示す特性測定用基板を用い、従
来技術の装置では、ＩＰとＩＩＰ，ＯＰとＯＯＰ，Ｅ
１，Ｅ３とＥＥ１，Ｅ２，Ｅ４とＥＥ２を半田付けにて
接続し本発明による装置ではＩＰとＩＩＰ，ＯＰとＯＯ
Ｐ，Ｅ６，Ｅ７，Ｅ８とＥＥ１，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５とＥ
Ｅ２を半田付けにて接続し、測定用基板を５０Ω同軸ケ
ーブルにて接続し、ネットワークアナライサ（例えばＨ
Ｐ製８５０７Ｂ）にて電気的特性を測定した。なお、図
１１でインダクタＬ1，Ｌ2はＳＡＷフィルタの内部容量
分をキャンセルするマッチング用コイルである。特性グ
ラフから分る様に、本発明による装置の帯域外抑圧度は
５０ｄＢを実現しており、従来装置に対し、２０ｄＢ以
上良好である。
たＳＡＷフィルタ装置と、図３（Ａ），（Ｂ）に示す基
板を用いた図１０に示す実施例によるＳＡＷフィルタ装
置を用いて、４５０ＭＨｚ帯ＳＡＷフィルタを作成し、
その特性を比較したものである。４５０ＭＨｚ帯ＳＡＷ
フィルタ基本設計は圧電結晶基板である３６°Ｙｃｕｔ
Ｘ伝播ＬｉＴａＯ3基板を用いた素子で、その圧電基板
上の電極パターンは、特開昭５６−１３２８０７号、５
７−２０２１１４号、５９−５８９０７号公報等に記載
された設計手法により設計されている。チップサイズは
３．０×３．５ｍｍであり、図９に示す様に入、出力用
ボンディングパッド４１，４２各１個アース用ボンディ
ングパッド４３，４４，４５，４６，４７，４８，６
個、合計８本のワイヤボンディングによりパッケージ基
板との電気的接続を行なう必要がある。したがって従来
技術の基板は図９に示す様に６端子のものを用い、入、
出力用にＩＰ，ＯＰ２端子、アース用にＦ１，Ｆ２，Ｆ
３，Ｆ４，４端子を用いてワイヤ配線を行なった。図１
０は本発明を用いた装置であり、入出力ボンディングパ
ッドはＩＰ，ＯＰと接続され、アースパッド４３，４
４，４５，４６，４７，４８はアースパターンＥと接続
されている。このように作成した基板をキャップにて封
止し、ＳＡＷフィルタ装置を作成した。本装置の電気的
特性測定には、図１１に示す特性測定用基板を用い、従
来技術の装置では、ＩＰとＩＩＰ，ＯＰとＯＯＰ，Ｅ
１，Ｅ３とＥＥ１，Ｅ２，Ｅ４とＥＥ２を半田付けにて
接続し本発明による装置ではＩＰとＩＩＰ，ＯＰとＯＯ
Ｐ，Ｅ６，Ｅ７，Ｅ８とＥＥ１，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ５とＥ
Ｅ２を半田付けにて接続し、測定用基板を５０Ω同軸ケ
ーブルにて接続し、ネットワークアナライサ（例えばＨ
Ｐ製８５０７Ｂ）にて電気的特性を測定した。なお、図
１１でインダクタＬ1，Ｌ2はＳＡＷフィルタの内部容量
分をキャンセルするマッチング用コイルである。特性グ
ラフから分る様に、本発明による装置の帯域外抑圧度は
５０ｄＢを実現しており、従来装置に対し、２０ｄＢ以
上良好である。
【００１８】図５（Ａ），（Ｂ）は本発明の更に別の実
施例を示し、セラミック基板１上に於て、アース用導電
パターン５７を入、出力端子用導電パターン５′，６′
の間に帯状に設けたレイアウトを示す。
施例を示し、セラミック基板１上に於て、アース用導電
パターン５７を入、出力端子用導電パターン５′，６′
の間に帯状に設けたレイアウトを示す。
【００１９】図６は、本発明の別の実施例の導電パター
ンレイアウトを示す。このように入力端子用導電パター
ン２個６５−１，６５−２、出力端子用導電パターン２
個６６−１，６６−２の場合でもこれらの間にアース用
パターン６７を設けることにより本発明の効果を得るこ
とが出来、２個以上の場合も同様である。また図６
（Ａ），（Ｂ）上、下面パターンの電気的接続法は、本
実施例スルーホール１２以外の方法においても、同等の
効果を得ることができる。本発明により複数のフィルタ
特性を有するＳＡＷフィルタ・チップを１パッケージ内
に実装可能となり、異なる２つの帯域幅のフィルタ特性
を有するＢＳチューナー用デュアル・ＳＡＷフィルタ装
置を１パッケージ内に実装して特性を改善することが出
来る。
ンレイアウトを示す。このように入力端子用導電パター
ン２個６５−１，６５−２、出力端子用導電パターン２
個６６−１，６６−２の場合でもこれらの間にアース用
パターン６７を設けることにより本発明の効果を得るこ
とが出来、２個以上の場合も同様である。また図６
（Ａ），（Ｂ）上、下面パターンの電気的接続法は、本
実施例スルーホール１２以外の方法においても、同等の
効果を得ることができる。本発明により複数のフィルタ
特性を有するＳＡＷフィルタ・チップを１パッケージ内
に実装可能となり、異なる２つの帯域幅のフィルタ特性
を有するＢＳチューナー用デュアル・ＳＡＷフィルタ装
置を１パッケージ内に実装して特性を改善することが出
来る。
【００２０】図７は本発明による更に別の実施例を示
し、図３（Ａ）の両面基板１に金属性の枠１９を銀ロウ
付け等により接着したものに、金属性の平板２０を例え
ばシーム熔接等にて熔接する構造を示している。この構
造により塵埃、湿気に対し気密性の高い（例えば、１×
１０~5atm cc／secＨｅオーダのＭｉｌｉｔａｒｙ規
格）パッケージを実現することができると共に外部の電
磁波に対するシールド効果も得られる。
し、図３（Ａ）の両面基板１に金属性の枠１９を銀ロウ
付け等により接着したものに、金属性の平板２０を例え
ばシーム熔接等にて熔接する構造を示している。この構
造により塵埃、湿気に対し気密性の高い（例えば、１×
１０~5atm cc／secＨｅオーダのＭｉｌｉｔａｒｙ規
格）パッケージを実現することができると共に外部の電
磁波に対するシールド効果も得られる。
【００２１】
【効果】以上述べた如く、本発明によれば、入出力間ア
イソレーションを充分に得ることができる、４００ＭＨ
ｚ以上の高周波帯においても充分な帯域外抑圧度を得る
ことができる。また、ＳＡＷフィルタ・チップの特性イ
ンピーダンスとの整合をとることが容易となる。
イソレーションを充分に得ることができる、４００ＭＨ
ｚ以上の高周波帯においても充分な帯域外抑圧度を得る
ことができる。また、ＳＡＷフィルタ・チップの特性イ
ンピーダンスとの整合をとることが容易となる。
【図１】本発明の一実施例のＳＡＷフィルタ装置及び密
封用キャップの斜視図。
封用キャップの斜視図。
【図２】図１の基板上の導電パターン配置を示す上面、
側面、下面図。
側面、下面図。
【図３】本発明の第２実施例の導電パターン配置（レイ
アウト）の平面図。
アウト）の平面図。
【図４】本発明によるＳＡＷフィルタ装置と従来の装置
との特性を比較する特性図。
との特性を比較する特性図。
【図５】別の実施例の斜視図。
【図６】別の実施例の斜視図。
【図７】別の実施例の斜視図。
【図８】従来例の斜視図。
【図９】別の実施例の斜視図。
【図１０】別の実施例の斜視図。
【図１１】電気的特性測定用基板の斜視図。
１…両面基板、 ２…キャップ、 ３…ＳＡＷフィルタチップ、 ４…ワイヤ、 ５…入力端子パターン、 ６…出力端子パターン、 ７…アースパターン、 ８…上面図、 ９…側面図、 １０…下面図、 １１…断面図、 １２…スルーホール、 １３…従来技術による基板、 １４…本発明による特性、 １５…従来技術による特性、 １６…上面図、 １７…側面図、 １８…下面図、 １９…金属性枠、 ２０…金属性平板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−111713（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−20359（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−184897（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−105509（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−225842（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−123201（ＪＰ，Ａ) 実開 昭54−76640（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−29949（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭63−3623（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭58−158528（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】ＳＡＷフィルタ・チップと、該ＳＡＷフィ
ルタ・チップが一方の面に配置される絶縁基板とを備え
た弾性表面波装置において、 前記絶縁基板の一方の面、及び該一方の面と対向する他
方の面の各々には、 該絶縁基板の長さ方向の両端部にそれぞれ位置する矩形
状の入力端子用導電パターン及び矩形状の出力端子用導
電パターンと、 該入力及び出力端子用導電パターンの各々の、前記絶縁
基板の中央側の第１の辺と該第１の辺に隣接する２つの
第２の辺の各々に対向する形状のエ字状部を有するアー
ス用パターンと、が形成され、 前記アース用パターンのエ字状部の、前記入力及び出力
端子用導電パターンの第２の辺に対向する部分は、前記
入力及び出力端子用導電パターンの第２の辺に対して、
該入力及び出力端子用導電パターンの線路インピーダン
スが前記ＳＡＷフィルタ・チップの特性インピーダンス
と整合するような間隙をもって配置され、 前記アース用パターンの前記入力端子用導電パターンと
出力端子用導電パターンとの間の位置に、前記絶縁基板
をその厚さ方向に貫通する導電部材を挿入して前記絶縁
基板の一方及び他方の面に形成されたアース用パターン
同士を電気的に接続し、 前記絶縁基板の一方の面に形成された入力端子用導電パ
ターン、出力端子用導電パターン及びアース用パターン
と、他方の面に形成された入力端子用導電パターン、出
力端子用導電パターン及びアース用パターンとを、各々
前記絶縁基板の側面部において互いに電気的に接続した
ことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】請求項１に記載の弾性表面波装置を、前記
アース用パターンを接地してフィルタとして用いたこと
を特徴とする機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8259277A JP2892993B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8259277A JP2892993B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 弾性表面波装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1278379A Division JP2894616B2 (ja) | 1988-10-31 | 1989-10-27 | 弾性表面波装置及びこれを用いた機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09121137A JPH09121137A (ja) | 1997-05-06 |
| JP2892993B2 true JP2892993B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=17331864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8259277A Expired - Fee Related JP2892993B2 (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2892993B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE44554E1 (en) * | 1998-05-13 | 2013-10-22 | Sony Corporation | Information receiving device and method, information release device, and information communication system |
| JP4294632B2 (ja) | 2005-10-26 | 2009-07-15 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JP4708999B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-06-22 | 日本特殊陶業株式会社 | センサ制御用回路ユニット、および検出装置 |
| WO2012144228A1 (ja) * | 2011-04-21 | 2012-10-26 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5476640U (ja) * | 1977-11-11 | 1979-05-31 | ||
| DE3112235A1 (de) * | 1981-03-27 | 1982-10-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrisches bauelement, dessen aktiver teil auf einem metalltraeger aufgebracht ist, und verfahren zur herstellung des bauelementes |
| DE3131887A1 (de) * | 1981-08-12 | 1983-02-24 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrisches bauelement, bauelementegruppe oder integrierte schaltung, deren aktiver teil auf einem metalltraeger aufgebacht ist, und verfahren zu ihrer herstellung |
| JPS633623U (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-11 | ||
| JPS63105509A (ja) * | 1986-10-22 | 1988-05-10 | Toshiba Corp | 電子部品装置 |
| JPS63111713A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面波フイルタ |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP8259277A patent/JP2892993B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09121137A (ja) | 1997-05-06 |
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