JPH0489687A - 同期式バーストアクセスメモリ - Google Patents

同期式バーストアクセスメモリ

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JPH0489687A
JPH0489687A JP2196877A JP19687790A JPH0489687A JP H0489687 A JPH0489687 A JP H0489687A JP 2196877 A JP2196877 A JP 2196877A JP 19687790 A JP19687790 A JP 19687790A JP H0489687 A JPH0489687 A JP H0489687A
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Atsushi Takasugi
敦 高杉
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、高速なシリアルアクセスが要求される画像処
理やRISC等の高周波クロック信号でコントロールさ
れるプロセッザシステム等において、外部コントロール
人カクロック信号により、同期コントロールされるダイ
ナミック・ランダム・アクセス・メモリ(以下、DRA
Mという)を用いた同期式バーストアクセスメモリに関
するものである。
(従来の技術) 従来、このような分野の技術としては、次のような文献
に記載されるものがあった。
文献1:日本技術情報センター教育企画部技術資料r1
MデュアルポートRAMの開 発動向とその応用」 文献2:日経エレクトロニクスブックス「キャッシュ・
メモリを使わずにA m 29000の性能を引き出す
」 ビデオ等の画像処理システム専用のメモリとしては、前
記文献に記載されているように、シリアルアクセスメモ
リ、及びマルチポートRAMがある。マルチポートRA
M (即ち、リアルポートRAM)は、一般にビデオR
AM (以下、VRAMという〉と呼ばれており、シリ
アル・コントロール・クロック(以下、SCという)に
同期して1ワ一ドライン分のメモリデータを高速に出力
するためのシリアルポートが標準のDRAMに設けられ
たメモリであり、画像処理システム専用のメモリとして
広く使用されている。
第2図は、前記文献に記載された従来のビデオRAM 
(VRAM)の−構成例を示すブロック図である。
このVRAMは、RAM部1部上0シリアルアクセス・
メモリ部(以下、SAM部という)20とで、構成され
ている。
RAM部1部上0行アドレス・ストローブ信号(以下、
RASという)、列アドレス・ストローブ信号(以下、
CASという)、ライト・パー・ビット・コントロール
信号/ライトイネーブル信号(以下、WB/WEという
〉、及びデータ転送コントロール信号/アウトプット・
イネーブル信号(以下、DT/σ丁という)からなる外
部入力コントロール信号に基づき各種のコントロールク
ロック(以下、φという)を発生するタイミング発生回
路1]−を有し、このタイミング発生回路11から出力
されるφによって内部回路が同期動作するようになって
いる。
アドレスAo〜A7がアドレス人力バッファ12に収り
込まれると、その取り込まれたアドレスAo〜A7が行
アドレスデコーダ13でデコードされ、複数のワードラ
イン14中の1ワードライン14、が選択される。さら
にアドレス入力バッファ12から取り込まれたアドレス
Ao〜A7は、列アドレスデコーダ15により、複数の
ビットライン16中の1本が選択される。そして、ワー
ドライン14及びビットライン16の交差箇所に接続さ
れたメモリセルアレイ17中のメモリセルに対し、デー
タの書き込み(ライト)または読み出しくリード)が行
われる。ライト・パービット選択データW工〜W4と入
出力データ■0、〜工04とは、RAMポートで゛ある
人出カバッファ18を介して、列アドレスデコーダ15
との間でデータの転送が行われる。
一方、SAM部20では、1ワードライン14、分の情
報を高速シリアルアクセスするために、その1ワードラ
イン14・のデータを、トランスファゲート21.を介
してデータレジスタ22へ転送している。シリアル・コ
ントロール・クロック信号SCを入力するアドレスカウ
ンタ23から、シリアルアドレスがシリアルデータセレ
クタ24へ出力される。すると、シリアルデータセレク
タ24は、アドレスカウンタ23からのシリアルアドレ
スに基づき、データレジスタ22からのパラレルデータ
をシリアルデータに変換し、そのシリアルデータをシリ
アル出力バッファ25へ送る。
シリアル出力バッファ25では、シリアル・アウトプッ
ト・イネーブル信号SOEにより活性化され、シリアル
データセレクタ24からのシリアルデータSO〜SO4
を順次出力していく。
RAM部1部上0AM部20の図示しないコントロール
回路は、相互の転送を除き、それぞれ独立にコントロー
ル(制御〉される。
近年、RISCシステム等のプロセッサシステムでは、
高速化されつつあるので、第2図のVRAMの持つラン
ダムアクセス機能の他に、SAM動作がバーストアクセ
スモードとして使用されるようになってきた。特に、R
ISCシステムにおいては、シリアルデータを高速に授
受することが多く、使い易い、高速のVRAMの要求が
高まっている。
(発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、従来のDRAMを用いたVRAMでは、
次のよう課題があった。
RISCシステム等のプロセッサシステムでVRAMを
用いる場合、該VRAMが人出カバッファ18からなる
RAMポートとシリアル出力バッファ25からなるシリ
アルポートとの2ポートを有し、同時にそれらを独立に
動作させることができるという利点がある。しかし、そ
の2ポートのコントロールが複雑なため、コントロール
回路計が複雑になり、それによって同容量の汎用DRA
Mに比べて例えばチップサイズが40〜50%増大する
ばかりか、それによってコスト高になるという問題があ
った。さらに、コンI・ロールが複雑になるため、プロ
セッサの動作周波数が例えば30MHz〜50MHzと
高速になってくると、高速アクセスのために各スペック
値がゆとりがなくなり、DRAM特有の各入力のスペッ
クを満足させるための入力信号の設定が困難となる。
また、セラ1〜アツプタイム、ホールドタイム等のシス
テムボード上での設計に高度な技術を要し、ボード上に
設けられた複数のメモリを厳しいタイミングスペックを
満足させて動作させるためには、駆動能力の大きなメモ
リ入力信号用のドライバが要求される。しかし、大きな
駆動能力を有するドライバを設けると、大きなノイズを
発生し、誤動作の原因になるという問題があった。
本発明は前記従来技術が持っていた課題として、高速な
シリアルアクセスが要求される画像処理やRISC等の
高周波クロックでコントロールされるプロセッサシステ
ムに等において、従来のVRAMを用いた場合、2ポー
トを有しているためにコントロールが複雑となってチッ
プサイズの増大、テスト時間の長時間化及びコスト高に
なるという点と、高速化に伴なうタイミングスペックの
設定の困難さ、及びそのタイミングコントロールのため
の大駆動用ドライバによるノイズの発生という点につい
て解決した同期式バーストアクセスメモリを提供するも
のである。
(課題を解決するための手段) 前記課題を解決するために、第1の発明は、複数のワー
ドライン及びビットラインにそれぞれ接続された複数の
ダイナミックメモリセルが配列されたメモリセルアレイ
と、行アドレスをデコードして前記ワードラインを選択
する行アドレスデコーダと、列アドレスをデーコドして
前記ビットラインを選択する列アドレスデコーダとを、
備えたDRAMにおいて、次のような手段を設けて同期
式バーストアクセスメモリを構成したものである。
即ち、この第1の発明では、■As及びCASを含む外
部入力のコントロール信号と行アドレス及び列アドレス
とを外部入力システムクロック等のクロック信号により
ラッチするラッチ手段と、てτHの立ち下がり直後の前
記クロック信号により前記ラッチ手段でラッチされた列
アドレスを初期値としてプリセットされ、前記クロック
信号に同期してインクリメント(増分)またはデクレメ
ント(減分〉して生成したアドレス群を前記列アドレス
デコーダへ与えるアドレス発生手段と、前記アドレス群
をデコードする前記列アドレスデコーダの出力に基づき
、前記行アドレスデコーで選択された前記ワードライン
上のメモリデータをシリアルデータに変換して出力し、
かつシリアルアクセスをパラレルデータに変換して前記
ビットラインへ入力するデータ転送手段と、前記クロッ
ク信号に同期して前記データ転送手段に対するデータの
入出力を行い、かつ前記列CASの立ち上がり直後の前
記クロック信号に基づき該入出力動作が制御される入出
力手段とを、設けている。
第2の発明は、第1の発明において、外部人力クロック
を分周して前記クロック信号を生成する分周手段を設け
ている。
第3の発明では、第1の発明において、前記でτ百に基
づき前記クロック信号に対する導通状態を制御し、その
出力を前記クロック信号に代えて前記アドレス発生手段
及び入出力手段に与えるクロックコントロール手段を設
けている。
第4の発明は、第1の発明において、前記行アドレス及
び列アドレスをラッチした後、前記CASを2度目に立
ち上げた後に立ち下げた時のアドレス入力をその直後の
前記クロック信号によりラッチする機能を、前記ラッチ
手段に設けると共に、アクセスクロック計数手段を設け
ている。このアクセスクロック計数手段は、前記ラッチ
手段によってラッチされた前記アドレス入力をアクセス
ビット数またはアクセスブロック数とし、そのアクセス
ビット数またはアクセスブロック数までの該アクセス数
またはアクセスブロック数を計数してその計数結果に基
づき、前記アドレス発生手段の動作を禁止状態(ディス
エーブル)にすると共に、前記入出力の例えば出力端子
をハイインピーダンス状態にして出力動作を停止させる
機能を有している。
第5の発明は、第1の発明において、前記行アドレス及
び列アドレスをラッチした後、前記CASを2度目に立
ち上げた後に立ち下げた時のアドレス入力をその直後の
前記クロック信号によりラッチする機能を、前記ラッチ
手段に設け、さらに次のような手段も設けている。即ち
、前記ラッチ手段によってラッチされた前記アドレス入
力をアクセスビット数またはアクセスブロック数とし、
再設定時まで該アクセスビット数またはアクセスブロッ
ク数を記憶する記憶手段と、前記クロック信号に基づき
アクセスビット数またはアクセスブロック数を計数する
計数手段と、前記記憶手段の出力と前記計数手段の出力
との一致状態を検出し、その検出結果に基づき前記アド
レス発生手段の動作をディスエーブルにすると共に前記
入出力手段の出力動作を停止させる一致検出手段とを、
設けている。
第6の発明は、第1の発明おいて、アドレスラッチ手段
、アドレス入力禁止手段、及びアクセスクロック計数手
段を設けている。ここで、アドレスラッチ手段は、前記
行アドレス及び列アドレスをラッチした後、前記πN百
を2度目に立ち上げた後に立ち下げた時のアドレス入力
をその直後の前記クロック信号によりラッチする機能を
有している。アドレス入力禁止手段は、前記2度目の百
N百の立ち下がりが1度目のCASの立ち下がりより所
定のクロック信号数以上遅れた時に前記アドレスラッチ
手段の動作を禁止するものである。
またアクセスクロック計数手段は、前記アドレスラッチ
手段によってラッチされた前記アドレス入力をアクセス
ビット数またはアクセスブロック数とし、そのアクセス
ビット数またはアクセスブロック数までの該アクセス数
またはアクセスブロック数を計数してその計数結果に基
づき、前記アドレス発生手段の動作をディスエーブルに
すると共に、前記入出力手段の出力動作を停止させる機
能を有している。
第7の発明は、第4の発明において、前記アクセスクロ
ック計数手段の計数結果に基づき、アクセス完了状態を
外部へ出力するフラグ等のアクセス完了状態出力手段を
設けている。
第8の発明は、第7の発明において、前記アクセス完了
状態出力手段の出力タイミングを所定のクロック信号数
だけシフトするシフト手段を、設けている。
(作用) 第1の発明から第8の発明によれば、以上のように同期
式バーストアクセスメモリを構成したので、次のように
動作する。
第1の発明において、外部入力のコントロール信号、行
アドレス、及び列アドレスがラッチ手段にラッチされ、
そのラッチ手段でラッ、チされた列アドレスを初期値と
してアドレス発生手段がプリセットされる。すると、ア
ドレス発生手段では、クロック信号に同期してインクリ
メントまたはデクレメントしてアドレス群を生成し、そ
れを列アドレスデコーダへ与える。列アドレス発生手段
では、入力されたアドレス群をデコードし、データ転送
手段へ送る。データ転送手段では、列アドレスデコーダ
の出力に基づき、メモリセルアレイからの読出しデータ
をシリアルデータの形で入出力手段へ送り、あるいはそ
の入出力手段から入力されたシリアルデータをパラレル
データに変換してメモリセルアレイへ入力する。
第2の発明において、分周手段は、外部入力クロックを
分周してその分周したクロック信号によってラッチ手段
、アドレス発生手段及び入出力手段を動作させる。
第3の発明において、クロックコントロール手段は、ク
ロック信号を百λ百でゲーティングしてそのゲーティン
グ結果によってアドレス発生手段及び入出力手段を動作
させる。
第4の発明において、第1の発明のラッチ手段に付加し
たラッチ機能は、CASを2度目に立上げた後に立下げ
た時のアドレス入力をその直後のクロック信号にラッチ
し、そのラッチ結果をアクセスクロック計数手段へ送る
。すると、アクセスクロック計数手段では、アクセス終
了時を検出してアドレス発生手段及び入出力手段の動作
を停止させる。
第5の発明において、第1の発明のラッチ手段に付加し
たラッチ機能は、πNSを2度目に立ち上げた後に立ち
下げた時のアドレス入力をその直後のクロック信号によ
りラッチし、そのラッチ結果を記憶手段へ送る。すると
、一致検出手段は、記憶手段の出力と計数手段の出力と
を比較し、アクセスの終了時を検出し、アドレス発生手
段及び入出力手段の動作を停止させる。
第6の発明において、アドレス入力禁止手段は、2度目
のπN百の立ち上がりが1度目のCASの立ち下がりよ
り所定のクロック信号数以上遅れた時に、アドレスラッ
チ手段のラッチ動作を禁止させる。すると、アドレスラ
ッチ手段の出力がアクセスクロック計数手段へ与えられ
ず、それによってアドレス発生手段及び入出力手段の動
作が停止する。
第7の発明において、アクセス完了状態出力手段は、ア
クセスクロック計数手段の出力に基づきアクセス完了状
態を外部へ出力する。
第8の発明において、シフト手段は、アクセス完了状態
出力手段の出力タイミングを所定のクロック信号数だけ
シフトし、プロセッサシステム等における仕様に合わせ
たメモリ動作の実行を可能とさせる。
従って、前記課題を解決できるのである。
(実施例) 第1図は、本発明の第1の実施例を示す同期式バースト
アクセスメモリの構成図である。
この同期式バーストアクセスメモリは、RASo。
UτS、WE、σr等の外部入力コントロール信号をラ
ッチする入力ラッチ回路30と、アドレスADDを入力
するアドレスバッファ31とで構成されるラッチ手段を
有している。入力ラッチ回路30の出力側には、メモリ
コントロール信号発生回路32が接続され、その出力1
則には、メモリコントロール用の信号線33を介してア
ドレスバッファ31と、アドレス発生手段である例えば
プリセットアドレスカウンタ35と、入出力コントロー
ル回路36とが接続され、さらにそのアドレスバッファ
31の出力側が列アドレスバス34を介してプリセット
アドレスカウンタ35に接続されている。これらの大力
ラッチ回路30、アドレスバッファ31、プリセットア
ドレスカウンタ35、及び′入出力コントロール回路3
6は、メモリ同期コントロール用のクロック信号である
、例えば外部入力のシステムクロック(以下、CLKと
いう〉に同期して動作するようになってる。
アドレスバッファ31は、行アドレスロス40を介して
行アドレスデコーダ41に接続され、その行アドレスデ
コーダ41の出力側がワードライントライバ42、及び
複数のワードラインWLを介して複数のダイナミックメ
モリセルからなるメモリセルアレイ43に接続されてい
る。ワードライントライバ42は、行アドレスデコーダ
41で選択された1ワードラインWL、を立ち上げる機
能を有している。
アドレスバッファ31に列アドレスバス34を介して接
続されたセットアドレスカウンタ35は、CLKに同期
してカウントアツプ(カウントダウンでもよい)して複
数のアドレスAo〜Amからなる列アドレス群Aを生成
する回路であり、その出力側には列アドレスデコーダを
介してデータ転送手段51が接続されている。データ転
送手段51は、トランスファゲート及びデータレジスタ
等で構成されるもので、該データ転送手段51には複数
のビットラインを介してメモリセルアレイ43に接続さ
れると共に、データバス52を介して入出力回路53に
接続されている。入出力コントロール回路36の出力(
則は、入出力コントロール用の信号線56を介して入出
力回路53の入力側に接続されている。この入出力回路
53は、CLKに同期して動作し、信号線56によって
入出力状態が制御される入出力手段としての機能を有し
、それには入出力端子I10が接続されている。
第3図(a)、(b)は第1図のタイミング図であり、
同図(a)はリードサイクル(読み出しサイクル)、及
び同図(b)はライトサイクル(書き込みサイクル)で
あり、これらの図を参照しつつ第1図の動作を説明する
まず、第3図(a)のリードサイクルについて説明する
外部入力コントロール信号RA So、CA百、W「、
テ「はCLKの立ち上がり時に入力ラッチ回路32でラ
ッチされると共に、アドレスADDがアドレスバッファ
31によりラッチされる。なお、機能的に問題がなけれ
ば、第1−図の各回路は、CLKにラッチされる以前に
必要な動作まで、前もって回路動作をしていてもよい。
RAS“が立ち下がった直後の時刻1−0において、ア
ドレス入力値Xoがアドレスバッファ31に入力し、そ
のアドレスバッファ31で発生した行アドレスが行アド
レスバス40を介して行アドレスデコーダ41に入力さ
れる。行アドレスデコーダ41は、行アドレスをデコー
ドして複数のワードラインWL中の1ワードラインWL
、を選択し、その選択されたワードラインwL・がワー
ドライントライバ40により駆動されて゛H°゛レベル
に立ち上がる。
てλ百が゛圭″レベルとなった直後のCLKの立ち上が
り時刻上〇において、アドレス入力値YOがアドレスバ
ッファ31に取り込まれ、列アドレスバス34を介して
、シリアルアクセスの先頭ダリアドレスがプリセットア
ドレスカウンタ35へ出力される。すると、プリセット
アドレスカウンタ35は、入力された列アドレスYoが
シリアルアクセスの初期値としてプリセットされる。こ
の時、同時にプリセットアドレスカウンタ35は、列ア
ドレスY。を列アドレストコータ50へ転送する。列ア
ドレスデコーダ50では、列アドレスYoをデコードし
、行アドレスデコーダ41によって選択された一本のワ
ードラインWL、上のメモリデータ中より、該列アドレ
スY。に対応するデータを選択し、データ転送手段51
を介してデータバス52へ送る。データバス52上のメ
モリデータは、入出力回路53へ転送され、読み出しデ
ータD□として入力端子I10より読み出される。
次のCLKの立ち上がり時刻t2に、あるいは時刻t2
までに、プリセットアドレスカウンタ35の出力が1ビ
ツトインクリメントし、このプリセットアドレスカウン
タ35の変化した列アドレス群Aにより、時刻t にお
いて、時刻t1の時と同様に、選択されたワードライン
WL、上のメモリデータが選択され、データバス52を
介して入出力回路53へ転送される。そして、読み出し
データD2が入出力端子■/○より読み出される。
以下、順次、時刻t2.t3.・・・、t のCLKの
立ち上がりに対応し、選択されな1ワードラインWL、
上のメモリデータが、読み出しデータDD   ・・・
、D   の形で入出力端子■/2・  3・    
n−1 0よりシリアルに出力されていく。その後、CA百の立
ち上がり直後のCLKの立ち上がり時刻tn+1におい
て、入出力コントロール回路36は、CA百立ち上がり
状態を検出し、信号線56を介して入出力回路53をデ
ィスエーブルさせ、入出力端子I10をハイインピーダ
ンスにする。これにより、時刻t   以降のサイクル
においては、n+1 CLKが入力しても、入出力端子I10はハイインピー
ダンスに保持される。
第3図(1つ)のライトサイクルにおいては、前記第3
図(a)のリードサイクルと同様の動作でCLKに同期
して書き込みデータDよ〜Dm+1が入出力端子I10
よりシリアルライトされる。
以上のように、この第1の実施例では、外部入力のCL
Kに同期して動作させ、プリセットアドレスカウンタ3
5により、OA百の立ち下がり直後のCLKにより取り
込まれる列アドレスY。を初期値としてプリセットし、
その後のCLKに同期して発生する列アドレスにより、
選択されたワードラインWL、上のメモリデータをCL
Kに同■ 期してシリアルアクセスできるようにしたので、次のよ
うな利点がある。
(1a) クロック同期式のため、入力タイミングスキ
ューに余裕ができる。そのため、RAS。
CAS等の外部入力コントロール信号の外部シスイム上
のドライバが小さくてすみ、それによってノイズ発生を
小さくすることがきる。
(1−1〕)CI、Kによる高速シリアルアクセスが可
能となる。
(lc)  VRAMと同様のRAM動作とSAM動作
との2ボ一■〜分の機能が、従来のVRAMよりチップ
サイズが小さく、しかも汎用のDRAM並のコストで実
現できる。
(ld)  VRAMのようにRAMとSAMの同時動
作ができないものの、VRAMのように複雑なコントロ
ールが不要となり、2ポー■・分の機能が汎用DRAM
とほぼ同様のコントロールで実現できる。例えば、パー
ソナルコンピュータ等の画像処理では、VRAMを搭載
していても、RAMとSAMの同時動作では使われてお
らず、本実施例の同期式バーストアクセスメモリを用い
れば大きな利点が得られる。
第4図は、本発明の第2の実施例を示す同期式バースト
アクセスメモリの構成ブロック図であり、第1図中の要
素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この同期式バーストアクセスメモリでは、第1図のメモ
リに分周手段である分周器60を設けた点が異なってい
る。この分周器60は、外部入カフ クロックφaを1/n(但し、n=2.3.・・・)分
周してメモリ同期用のコントロールクロック(以下、C
LKaという)を生成し、そのCLKaを入力ラッチ回
路30、アドレスバッファ31、プリセットアドレスカ
ウンタ35及び入出力コントロール回路36に与える回
路である。分周器60は、外部信号等で、分周数nを設
定する可変分周器で構成したり、あるいはレーザビーム
、ボンディングポプション、メタルオプション等で分周
数nを設定した固定分周器で構成しても良い。
分周数nを例えば2とした時の、第4図のタイミング図
を第5図(a)、(b)に示す。
第5図(a)はリードサイクル時のタイミング図、及び
第5図(b)はライトサイクル時のタイミング図である
外部入力クロックφaが分周器60に入力されると、そ
の外部入力クロックφaが1/2分周されてCLKaが
生成され、そのCLKaが入力ラッチ回路30、アドレ
スバッファ31.プリセットアドレスカウンタ35及び
入出力コントロール回路36に供給され、第3図(a>
、(b)と同様のリードサイクル動作及びライトサイク
ル動作を実行する。そのため、次のような利点を有して
いる。
(2a) 前記第1の実施例の利点(1a)〜(1d)
と同一の利点を有する。
(2b〉 例えば、中央処理装置(以下、CPUという
)等が複数システム、外部入力クロックφaで1ステイ
トの命令で動作している場合、分周器60の分周数nを
任意に設定することにより、個々のCPU等に合わせた
メモリに変更することができる。
第6図は、本発明の第3の実施例を示す同期式バースト
アクセスメモリの構成ブロック図であり、第1図中の要
素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この同期式バーストアクセスメモリが第1図のメモリと
異なる点は、プリセットアドレスカウンタ35、入出力
コントロール回路36及び入出力回路53に与えるCL
Kに代えて、クロツクコントロール手段であるクロック
コントロール回路6]、により、そのCLKをCASに
よりゲーティングして生成しなコンI〜ロールクロック
(以下、CLKbという)を用い、プリセットアドレス
カウンタ35をインクリメン1〜(なお、デクレメント
でも良い)すると共に、入出力コントロール回路36及
び入出力回路53の入出力動作を行わせるようにした点
である。クロックコントロール回路61は、例えばアン
ドゲート(以下、ANDゲートという)61aで構成さ
れている。このクロックコントロール回路61において
、CASがパHルベルとなると、そのANDゲート61
aから出力されるC L K bがディスエーブルとな
るため、プリセラ1ヘアドレスカウンタ35の出力が変
化せず、さらに入出力回路53がディスエーブルとなり
、入出力端子I10がハイインピーダンス状態となる。
第7図(a)、(b)は第6図のタイミング図であり、
同図(a)はリードサイクル、及び同図(b)はライト
サイクルであり、この図を参照しつつ第6図の動作を説
明する。
第7図(a)のリードサイクルにおいて、時刻t 〜時
刻t3までの期間では、■が“L”′レベルの時にクロ
ックコントロール回路61内のANDゲート61aがオ
ン状態となってCLKがそのままCLKbとなるなめ、
第1の実施例における第3図(a)と同一のリードサイ
クル動作を実行する。
ところが、時刻t3以後では、下が“H”レベルとなる
ため、第3図(a)とは異なるリードサイクル動作を次
のように実行する。
時刻t3後において、下が“Hルベルとなると、時刻t
4以後のメモリ動作はそのCAS”が“用′”レベルの
期間中、−時中断する。つまり、υNKが用”レベルと
なると、クロックコントロール回路61から出力される
CLKbがディスエーブルとなるため、プリセットアド
レスカウンタ35の出力である列アドレス群Aが変化せ
ず、該プリセットアドレスカウンタ35の動作が中断す
る。さらに、CLKbかディスエーブルのため、入出力
回路53もディスエーブルとなり、それに接続された入
出力端子I10がハイインピーダンス状態となる。これ
らの状態は、CASの次の立ち下がり直後のCLKの立
ち上がりタイミングtn−2まで続く。
時刻t   以後は、CASが立上がる以前よでシリア
ルリードしていたのと同様な回路動作により、メモリデ
ータを読み出す。
このように、πλKが“H“レベルの時、−度、シリア
ルリードはホールトし、その後、CASが′“L”ルベ
ルとなった直後より、中断していたアドレスからシリア
ルアクセスが回復する。従って、てλ否は、−時ホール
ト信号として使える。
第7図(b)のライトサイクルでは、第7図(a)のリ
ードサイクルと同様の動作で、シリアルライトが実行さ
れる。
この第3の実施例では、CLKに同期してメモリを動作
させ、クロックコントロール回路61により、該CLK
をてτHによりゲーティングしたCLKbを用いてプリ
セットアドレスカウンタ35をカウントアッフ責あるい
はカウントダウン)する。そしてCASの立ち上がり直
後のCLKによりアドレスバッファ31で取り込まれる
列アドレスYoを初期値として、プリセットアドレスカ
ウンタ35をプリセットする。その後、CLKbに同期
してプリセットアドレスカウンタ35より列アドレス群
Aを発生させ、行アドレスデコーダ41−で選択された
ワードラインWL、上のメモリ■ データを、CL、 K I)に同期して入出力回路53
よりシリアルアクセスできるようにしている。そのため
、次のような利点を有している。
(3a〉 前記第1の実施例の利点(1a)〜(1d)
と同様の利点を有している。
(3b) クロックコン[・ロール回路61を設けなの
で、CASを一時ホールト信号として使える。
そのため、例えばデータバスを共有しているようなCP
U等のプロセッサシステムにおいて、シリアルメモリデ
ータのやりとりをそのデータバスを介してプロセッサと
メモリとで行なっている場合、共有データバスを使用し
ているプロセッサシステム内のコントローラ等から、シ
リアルアクセスのホールトがCASを“H”レベルとす
ることで容易に実行でき、その後のシリアルアクセスを
中断後続けることが可能となる。なお、クロックコント
ロール回路61は、ANDゲート61a以外の回路素子
を用いて構成することも可能である。
第8図は、本発明の第4の実施例を示す同期式バースト
アクセスメモリの構成ブロック図であり、第1図中の要
素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この同期式バーストアクセスメモリが第1図のメモリと
異なる点は、アドレスバッファ31Aの機能を追加する
と共に、そのアドレスバッファ31Aの出力(則に、ア
ドレスバス62を介して、アクセスクロック計数手段で
ある減算カウンタ等で構成されるアクセスクロックカウ
ンタ63を接続し、そのカウンタ63の出力側を、信号
線64を介してプリセットアドレスカウンタ35及び入
出力コントロール回路36に接続した点である。
ここで、アドレスバッファ31Aは、第1図のアドレス
バッファ31と同様の機能を有する他に、行アドレス及
び列アドレスを取り込んだ後、■百を再度立ち上げた後
に立ち下げた時のアドレス入力をその直後のCLKによ
って収り込むような機能を有している。アクセスクロッ
クカウンタ63は、アドレスバッファ31Aにより、2
度目のCAS立ち上がりサイクルに取り込んだアドレス
をアクセスビット数あるいはアクセスブロック数とし、
そのアクセスビット数あるいはアクセスブロック数まで
アクセス数(CLKのクロック数)を計数し、設定アク
セスビット数あるいは設定アクセスブロック数のアクセ
ス完了時に、CLKが入力してもシリアルアクセスを停
止するためのコントロール信号を発生する機能を有して
いる。このコントロール信号により、入出力端子I10
は、リード完了時、自動的にハイインピーダンス状態と
なるように構成されている。
第9図(a)、(b)は第8図の説明図であり、同図(
a)はメモリセルアレイの模式図、及び同図(b)はタ
イミング図であり、この図を参照しつつ第8図の動作を
説明する。
なお、第9図(a>では、列アドレスが縮退したメモリ
アドレス4つで1ブロツクとなるようなメモリセルアレ
イが示されている。このメモリセルアレイでは、アクセ
スピッ■・数がアクセスブロック数に等しい。
先ず、RASが立下がった直後の時刻t□において、ア
ドレス入力値X]−がアドレスバッファ31Aに入力し
、それにより行アドレスデコーダ41で選択されたワー
ドラインWL、がワードライントライバ42で駆動され
る。CASが゛°L°゛レベルになった直後のCLKの
立ち上がり時刻t2においてのアドレス入力値¥1が、
アドレスバッファ31Aに取り込まれる。すると、列ア
ドレスバス34を介してプリセットアドレスカウンタ3
5に、シリアルアクセスの先頭列アドレスが出力される
。この時、プリセットアドレスカウンタ35に入力した
列アドレスY1が、シリアルアクセスの列アドレスの初
期値としてプリセットされる。
第9図(a>では、列アドレスバスで指定されるアドレ
スに、4つのメモリセルからなる1ブロツクを選択する
場合が示されている。
このとき同時に、プリセットアドレスカウンタ35は、
列アドレス¥1.を列アドレス群Aの形で列アドレスデ
コーダ50へ転送する。列アドレスデコーダ50では、
行アドレスデコーダ41により選択された1本のワード
ラインWL、上のメモリデータ中から、行アドレスY1
に対応するブロック中の4つのメモリデータの内、最初
の1ビツト目の情報を選択し、データ転送手段51を介
してデータバス52へ送る。この選択されたメモリデー
タは、データバス52を介して入出力回路53へ転送さ
れ、CLKに同期して入出力端子■10より読み出され
る。その後、ワードラインWL、上のメモリデータは、
同様に、プリセットアト■ レスカウンタ35により、CLKによってカウントアツ
プされたCLアドレスに対応して、順次シリアルに読み
出される。
列アドレスを取り込んだ時刻t2後、下は一度立ち上が
り、アクセスが1ビット単位で実行される時にはアクセ
スビット数であるが、本実施例ではアクセスがブロック
単位で行われるので、そのアクセスブロック数を取り込
むために再度立ち下がる。2度目のOA8′立ち下がり
直後のCLKの立ち上がり時刻t3におけるアドレス入
力値が、アクセスブロック数となる。第9図では、3ブ
ロツク=4X3=12ビツトなので、アクセスブロック
数N=3となる。そして、そのアクセスブロック数N=
3が、アドレスバス62を介してアクセスクロックカウ
ンタ63へ転送される。
アクセスクロックカウンタ63は、CLKによってアク
セスクロック数を数え、指定ブロック数までアクセスが
完了したら、そのアクセス完了を信号線64を介して入
出力コントロール回路36ヘイ云え、さらにプリセット
アドレスカウンタ35をディスエーブルにする。アドレ
スビットが読み出された後、入出力端子I10はハイイ
ンピーダンスH2となる。これにより、例えばプロセッ
サシステムがメモリを共通バス上に接続している場合、
アクセス終了後、ただちにその共通バスを他のコントロ
ール部に渡すことができる。以上のような回路動作によ
り、第9図に示すように、時刻t3により収り込まれた
アクセスブロック数N3に相当するシリアル出力が、C
L、Kに同期して12ビツトの入出力端子I10より、
3ブロック分[−1,2ビツト〉だけ読み出される。
シリアルライトは、以上と同様の回路動作で実行される
この第4の実施例では、CLKに同期してメモリを動作
させ、アドレスバッファ31Aにより、列アドレス取り
込み後の2回目のπN百の立ち下がり直後のアドレス入
力を、アクセスしようとするビット数として、あるいは
ブロック単位のアクセスをするメモリではアクセスブロ
ック数として、取り込む。すると、アクセスクロックカ
ウンタ63では、前記アクセス数分のアクセスが完了し
たら、メモリ動作を停止させる。そのため、次のような
利点を有している。
(4a) 第1の実施例の利点(1a ) 〜(1,d
 )までの利点を有している。
(4b) 例えばプロセッサシステムに本実施例のメモ
リを適用した場合、必要なビット数分だけのメモリをア
クセスできる。
(4c) リードアクセス完了後、入出力端子I10が
、他の入力コントロール信号にかかわらず、ハイインピ
ーダンスH2になるなめ、共通データバスを使用してい
るようなプロセッサシステムでは、共通バスを他のコン
トロール回路に容易に渡せる。
(4d) 特にライトサイクルにおいては、書き込みビ
ット数を設定しておき、指定ビット以上はマスクがかか
ることになる。そのため、VRAMでいうブロックライ
トが、自由に書き込みビット数を代えて容易に行なえ、
ぬりつぶしや、図形の枠取り等といっな画像処理が非常
に便利となる。
第10図は、本発明の第5の実施例を示す同期式バース
トアクセスメモリの構成ブロック図であり、第8図中の
要素と共通の要素には、共通の符号が付されている。
この同期式バーストアクセスメモリが第8図のメモリと
異なる点は、第8図のアクセスクロックカウンタ63に
代えて、記憶手段である記憶回路65と、計数手段であ
るカウンタ66と、−数構出手段である一致検出回路6
7とを設けた点である。
記憶回路65は、アドレスバッファ3]、Aからアドレ
スバス62を介して送られてくるアクセスビット数ある
いはアクセスブロック数を次の入力があるまでデフオー
ルド値として記憶□しておく回路である。カウンタ66
は、CLKのクロック数を計数する回路である。さらに
−数構出回路67は、記憶回路65の出力とカウンタ6
6の出力との一致状態を検出し、その検出結果を信号線
64を介してプリセットアドレスカウンタ35及び入出
力コントロール回路36へ伝送する回路である。
これらの回路により、アドレスバッファ31Aによって
2度目のCAS立ち下がりサイクルに収り込んだアドレ
スを、アクセスビット数あるいはアクセスブロック数と
して、そのアクセスビット数あるいはアクセスブロック
数までアクセス数(CLKのクロック数〉をカウンタ6
6で計数する。そして、−数構出回路67により、設定
アクセスビット数あるいは設定アクセスブロック数のア
クセスの完了を検出し、その検出結果に基づき、CLK
が入力しても、シリアルアクセスのための1リセットア
ドレスカウンタ35の動作を停止させると共に、入出力
端子I10をハイインピーダンスにする機能を有してい
る。
第11図(a)、(b)は第10図の説明図であり、同
図(a)はメモリセルアレイの模式図、及び同図(b)
はタイミング図である。
この図では、列アドレスが縮退したメモリアドレス4つ
で1ブロツクとなったようなメモリセルアレイを示す。
そのため、アクセスビット数は、アクセスブロック数に
等しい。
この第5の実施例の同期式バーストアクセスメモリでは
、第8図のアクセスクロックカウンタ63に対応して記
憶回路65、カウンタ66及び−数構出回路67が設け
られており、その他の回路動作は第8図のメモリとほぼ
同様に実行される。
即ち、第11図(b)のシリアルリード動作におけるサ
イクル1において、時刻11.12では、第9図(b)
のti、t2と同一の動作を行なう。
2度目のでλに立ち下がり直後のCLKの立ち上がり時
刻t3におけるアドレスバッファ31Aのアドレス入力
値が、アクセスブロック数となる。
第11図(a)の例では、3ブロック−4×3−12ビ
ツトなので、アクセスブロック数N=3となる。このア
クセスブロック数Nは、アドレスバッファ31Aから出
力され、アドレスバス62を介して記憶回路65へ転送
される。この時、カウンタ66では、CLKのクロック
数のカウント動作を開始する。−数構出回路67では、
記憶回路65の出力とカウンタ66の出力とを比較し、
両川力が一致する、つまり指定ブロック数までアクセス
が完了したら、そのアクセス完了を信号線64を介して
入出力コントロール回路36へ伝送すると共に、プリセ
ットアドレスカウンタ35をディスエーブルにする。す
ると、全アドレスビットが読み出された後、入出力端子
I10はハイインピーダンス状態となり、例えばプロセ
ッサシステムがメモリを共通バス上に接続している場合
、アクセス終了後にただちにその共通バスを他のコント
ロール部に渡すことが可能となる。
以上のような回路動作により、第11図(b)に示すよ
うに、時刻t3により収り込まれたアクセスブロック数
N=3に相当するシリアル出力が、CLKに同期して1
2ビツトの入出力端子I10より3ブロツク分(−12
ビツト)読み出されることになる。
第11図(b)におけるサイクル2では、アドレスバッ
ファ31Aでの収り込みアドレスが(X□、Y工)から
(X2.Y2)に変化した場合のアクセス動作が示され
ている。
時刻t4.t5における回路動作は、時刻t□t2のそ
れと同一である。このサイクル2において、列アドレス
¥1がアドレスバッファ31Aに取り込まれた後、時刻
t6では下が立ち上がっておらない。そのなめ、サイク
ル1における時刻上3で、アクセスブロック数を取り込
んだのと異なる回路動作となる。即ち、サイクル1にお
いて、記憶回路65に記憶されたアクセスブロック数は
、そのまま保持されているため、サイクル2において再
設定されない限り、その値が指定アクセスブロック数と
して有効となる。従って、このサイクル2の時刻t6に
おけるアクセスフロック数は、N=3のままで′あり、
サイクル1と同しく、シリアル出力はCLKに同期して
12ビツトの入出力端子I10より3ピツ[へ分(−1
2ビツト)だけ読み出されることになる。
シリアルライトについても、以上説明したとほぼ同様の
回路動作で実行されることになる。
この第5の実施例では、CLKに同期してメモリを同期
動作させ、アドレスバッファ31Aにより、列アドレス
取り込み後の2回目のCASの立ち下がり直後のアドレ
ス入力を、アクセスしようとするピッ)−数として、あ
るいはブロック単位のアクセスをするメモリではアクセ
スブロック数として、取り込む。そして、アクセスビッ
ト数あるいはアクセスブロック数を保持する記憶回路6
5と、アクセス数をカウントするカウンタ66と、それ
らの一致状態を検出する一数構出回H@67とにより、
アクセス数分のアクセスを完了したら、メモリ動作を停
止するようにしているなめ、次のような利点がある。
(5a〉 前記第1の実施例の利点(1a)〜(1d)
と同一の利点が得られる。
(5b) 例えば、プロセッサシステムに本実施例のメ
モリを適用した場合、必要なビット数分だけのメモリを
、アクセスビットあるいはアクセスブロック数の設定が
されない場合には最後に設定したサイクルにおける設定
数が有効なアクセスビットあるいはアクセスブロック数
となるバーストアクセスが可能となる。そのため、ある
決まった数のメモリを何回もアクセスする場合、その都
度アクセスの設定数を入力する必要がなく、使い勝手が
向上する。
(5c) アクセス完了後、入出力端子I10は、他の
入力コントロール信号にかかわらず、ハイインピーダン
ス状態となるため、例えば共通データバスを使用してい
るようなプロセッサシステムでは、その共通バスを他に
容易に渡すことが可能となる。なお、最終アクセスピッ
[・がアクセスされた後、例えばフラグ等を出力するよ
うにすれば、より便利な使い方が可能となる。
(5d) 第4の実施例の利点(4d)と同様の利点が
得られる。
第12図は、本発明の第6の実施例を示す同期式バース
トアクセスメモリの構成ブロック図であり、第8図中の
要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この同期式バーストアクセスメモリが第8図のメモリと
異なる点は、第8図のアドレスバッファ31Aを、2つ
のアドレスバッファ31−1と31−2に分割し、その
一方のアドレスバッファ31−2のアドレス入力を禁止
するアドレス入力禁止回路70を、設けた点である。
即ち、アドレスバッファ31−1は、第1図のアドレス
バッファ31と同様に、入力ラッチ回路32と共に、外
部入力のコントロール信号πλ百CAS、WE、OEと
行アドレス及び列アドレスとをCLKによりラッチする
ラッチ手段を構成している。アドレスバッファ31−2
は、行アドレス及び列アドレスをラッチした後、CAS
を2度目に立ち上げた後に立ち下げた時のアドレス入力
をその直後のCLKによりラッチするアドレスラッチ手
段としての機能を有している。また、アドレス入力禁止
回路70は、2回目のCAS立ち下がりが1回目のでλ
に立ち下がりより所定クロック数以上遅れた時に、その
2回目のでτに立ち下がり時のアドレスバッファ31−
2のアドレス取り込みを禁止する禁止手段としての機能
を有し、例えば複数ビットのカウンタ等で構成されてい
る。
このアドレス入力禁止回路70は、その入力側が、CL
Kに接続されると共に信号線33を介してメモリコント
ロール信号発生回路32に接続され、さらに該アドレス
入力禁止回路70の出力側が、アドレスバッファ31−
2及びコントロール信号発生回路32に接続されている
第13図(a>、(b)は第12図の説明図であり、同
図(a)はメモリセルアレイの模式図、及び同図(b)
はタイミング図であり、これらの図を参照しつつ第12
図の動作を説明する。
第13図(b)に示すように、時刻t工〜t3までの期
間におけるシリアルリード動作は、第9図(b)とほぼ
同様に実行される。
先ず、了が立ち下がった直後の時刻t工において、アド
レス入力値X1がアドレスバッファ31−1に収り込ま
れ、それにより行アドレスデコーダ41で選択されたワ
ードラインWL、がワ−ドライントライバ42て゛巧区
動される。τゴフ\]ミ゛が11L″°レベルになった
直後のCLKの立ち上がり時刻t2においてのアドレス
入力値Y1はアドレスバッファ31−1に取り込まれ、
列アドレスバス34を介してプリセラ■・アドレスカウ
ンタ35へ、シリアルアクセスの先頭列アドレスが出力
される。この時、プリセッI〜アドレスカウンタ35に
入力した列アドレス¥1が、シリアルアクセスにおける
列アドレスの初期値としてプリセットされる。第13図
では、列アドレス入力で指定されるアドレスに、4つの
メモリからなる1ブロツクを選択する場合が示されてい
る。
プリセットアドレスカウンタ35がプリセットされると
、該プリセットアドレスカウンタ35は、列アドレスY
1を列アドレスデコーダ50へ転送する。列アドレスデ
コーダ50では、選択された1本のワードラインWL、
上のメモリデータ中から、列アドレスY1に対応するブ
ロック中の4つのメモリデータ内の最初の1ビツト目の
データを選択し、データ転送手段51を介して入出力回
路53及び入出力端子I10から読出しデータとして出
力させる。その後、ワードラインWL、上の■ メモリデータは、同様に、CLKによりカウントアウト
されたプリセットアドレスカウンタ35て゛生成される
シリアルアドレスに対応し、順次シリアルに読み出され
る。
列アドレスを取り込んだ後にてλには1度立ち上がり、
アクセスが1ビット単位で行われる時にはアクセスビッ
ト数を取り込むために再度立下がる。本実施例では、ア
クセスがブロック単位で行われるので、アクセスブロッ
ク数を取り込むためにCASが再度立ち下がる。
2度目のでAs立ち下がり直後のCLKの立ち上がり時
刻上3におけるアドレスバッファ312のアドレス入力
が、アクセスブロック数となる。
第1.3図の例では、2ブロック−4,X 2 = 8
ビツトなので、アクセスブロック数N = 3となる。
このアクセスブロック数Nは、アドレスバス62を介し
てアクセスクロックカウンタ63へ転送される。
アクセスクロックカウンタ63は、CLKによりアクセ
スクロック数Nを数え、指定ブロック数までアクセスが
完了したら、その完了状態を信号線64を介して入出力
コントロール回路36へ転送し、さらにプリセットアド
レスカウンタ35をディスエーブルにする。そして、全
アドレスビットが読み出された後、入出力端子I10は
ハイインピーダンスH2状態となり、例えばプロセッサ
システムがメモリを共通バス上に接続している場合、ア
クセス終了後に直ぐにその共通バスを他のコントロール
部に渡すことが可能となる。
以上のような回路動作により、第13図に示すように、
時刻t3により収り込まれたアクセスブロック数N=3
に相当するシリアル出力が、CLKに同期して12ビツ
トの入出力端子I10より、3ブロツク分く一]2ビッ
ト〉だけ読み出される。
シリアルライトは、上記と同様の回路動作で実行される
この第6図の実施例が前記第4の実施例と基本的に異な
る点は、次のような点である。
即ち、第1−3図(b)における時刻t2におけるπN
Kの1回目の立ち下がりサイクルから、2CLKサイク
ル遅れた時刻t3における2回目のCASの立ち下がり
サイクルで、アクセスブロック数が取り込まれた後のC
LKサイクルにおいて、アドレス入力禁止回路70が、
アドレスバッファ31−2へのアドレス入力を禁止して
いる。このアドレス入力禁止回路70は、1回目のCA
S立ち下がりクロックで初期化され、CLKをカウント
・する簡単なカウンタで実現回部である。本実施例では
、アドレス入力禁止回路70は、3ビツトをカウントし
、アドレスバッファ31−2をディスエーブルにすれば
良い。
これにより、πNKは、その2回目の立ち下がり以後、
プリセットアドレスカウンタ35の一時停止と共に、入
出力コントロール回路36を介して、リード時には入出
力回路53に接続された入出力端子I10をハイインピ
ーダンスH2にして一時出力を停止状態にし、またライ
ト時には、第1−3図(b)に示すように時刻t4〜t
5までのサイクルに示すように、入力禁止状態とする。
メモリコントロール信号発生回路32は、−Hの1回目
の立ち下がり後の該πAsの立ち上がり時、アドレス入
力禁止回路70より、Nアドレス入力可能サイクルであ
ることを知らせる制御信号Pzを受け、この期間に限り
、CASの立ち上がり状態にもかかわらず、アクセスク
ロックカウンタ63、プリセットアドレスカウンタ35
及び入出力コントロール回路36をテ′イスエーブルし
ないように制御する。そのため、第]−3図(b)に示
すように、時刻上3のサイクルでアクセス動作が続けら
れる。その後、時刻t4の下の立ち上がりで、メモリ動
作が一時中断し、時刻t5の後にCAπが“I 1. 
!ルベルとなることで、時刻t3て寸断していたメモリ
アクセス動作を再開できる。
この第6の実施例では、次のような利点を有している。
(6a〉 前記第1の実施例の利点(1a〉〜(1d)
と同様の利点を有している。
(6b)  CLKに同期してメモリを動作させ、さら
に列アドレス取り込み後の2回目のCAS立ち下がり直
後のアドレス入力を、CASの1回目の立ち下がりより
N個目のCLKサイクルまでに収り込んだ場合、アクセ
スしようとするアクセスビット数、あるいはブロックア
クセスする時にはアクセスブロック数として、必要なメ
モリビット数だけをアクセスすることができる。
(6c)  N個のCLKサイクル以後はアドレス入力
禁止回路70によってアドレス入力を無視するようにし
、同時に前記N個のCLKサイクル中はCASが立ち上
がっても、シリアルメモリ動作を全く影響を受けないよ
うにしている。そのため、前記N個のCLKサイクル以
後、CASを立ち上げることにより、メモリ動作を一時
中断し、立ち下げることにより再開できる。従って、例
えばプロセッサシステム等においてデータバスを共有す
るような場合、メモリアクセス中に他のコントロール部
等より共通データバスを強勢的に使用しないようなとき
、メモリ動作を一時ホールトさせることができ、システ
ム設計の柔軟性かより向上する。
第14図は、本発明の第7の実施例を示す同期式バース
トアクセスメモリの構成ブロック図であり、第8図中の
要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この同期式バーストアクセスメモリが第8図のメモリと
異なる点は、アクセスクロックカウンタ63の出力側に
接続された信号線64に、設定されたシリアルアクセス
が完了したことを外部に知らせるための信号あるいはフ
ラグを出力するアクセス完了状態出力手段、例えばフラ
グ出力回路71を設け、そのフラグ出力回路71からア
クセス終了フラグFLAGを出力するようにした点であ
る。
第15図(a>、(b)は第14図の説明図であり、同
図(a>はメモリセルアレイの模式図、及び同図(b)
はタイミング図であり、これらの図を参照しつつ第14
図の動作を説明する。
この同期式バーストアクセスメモリでは、第8図のメモ
リとほぼ同様のシリアルリード及びシリアルライトを実
行するが、次の点のみが第9図の動作と異なっている。
即ち、アクセスクロックカウンタ63は、CLKにより
アクセスクロック数を数え、指定ブロック数までアクセ
スが完了したら、信号線64を介して入出力コントロー
ル回路36にアクセス完了を伝えると共に、プリセット
アドレスカウンタ35をディスエーブルにする。この時
、フラグ出力回路71では、アクセス終了フラグFLA
Gを出カして外部に伝える。そして、全アドレスビット
が読み出された後、入出力端子I10がハイインピーダ
ンスH2状態となり、例えばプロセッサシステム等がメ
モリを共通バス上に接続している場合、アクセス終了フ
ラグFLAGを検出することにより、アクセス終了後、
ただちにその共通バスを他のコントロール部に渡すこと
が可能となる。
以上のように、この第7の実施例では、次のような利点
を有している。
(7a) 前記第4の実施例の利点(4a〉〜(4d)
と同様の利点を有している。
(7b) アクセス完了を外部に知らせる信号を出力す
るアクセス完了状態出力手段、例えばフラグ出力回路7
1を設けたので、プロセッサシステム等において本実施
例を適用すれば、アクセスビットのカウント・をプロセ
ッサ(則かすることなく、メモリコン■・ロールユニッ
トにメモリアクセスをまかせたまま、そのプロセッサが
他の作業を実行することが可能となる。そして、メモリ
アクセス終了時には、アクセス終了フラグF[−4AG
か出力されるなめ、そのフラグFLAGに基づきメモリ
アクセス動作に戻れば良い。
第16図は、本発明の第8の実施例を示す同期式バース
トアクセスメモリの構成ブロック図であり、第14図中
の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この同期式バーストアクセスメモリが第14図のメモリ
と異なる点は、アクセス終了フラグFLAGの出るタイ
ミングを外部入力信号SFTにより、複数CLKサイク
ルシフトさせるシフト手段、例えばフラグシフト回路7
2を設けたことである。
このフラグシフト回路72は、外部入力信号SFT及び
アクセスクロックカウンタ63の出力信号Pendを入
力し、出力信号Pfsftをフラグ出力回路71へ与え
るように接続されている。
第17図は、第16図におけるフラグシフト回路71及
びフラグ出力回路71の構成図である。
このフラグシフト回路72は、CLKにより動作してア
クセスクロックカウンタ63の出力信号Pendをnク
ロック遅延させるnクロック遅延回路80と、出力信号
P e n dが入力される[・ライステートバッファ
81と、nクロック遅延回路80の出力信号が入力され
るトライステートバッファ83と、外部入力信号SFT
を反転するインバータ82と、1〜う・イステートバッ
ファ8]または83のいずれか一方の出力を反転して出
力信号Pfsftをフラグ出力回路71へ与える。イン
バータ84とで、構成されている。このフラグシフ■・
回路72では、外部入力信号SFTによってトライステ
ー1へバッファ81または83のいずれか一方の出力が
オン状態となり、そのオン状態の出力がインバータ84
で反転されて出力信号Pfsftの形で゛フラグ出力回
路71へ出力されるようになっている。
第18図(a)〜(C)は、第16図の説明図であり、
同図(a)はメモリセルアレイの模式図、同図(b)は
外部入力信号SETが” H”レベルの時のリードサイ
クルのタイミング図、及び同図(c)は外部入力信号S
ETが゛°L″レベルの時のリードサイクルのタイミン
グ図である。また第19図は、第17図のタイミング図
である。これらの図を参照しつつ、第16図の動作を説
明する。
第16図のメモリでは、第18図に示すように、第14
図のメモリと同様のシリアルリード及びシリアルライト
動作を実行する。第14図のメモリ動作と異なる点は、
フラグシフト回路72を設けたので、第19図に示すよ
うに、フラグ出力回路71から出力されるアクセス終了
フラグFLAGの立上がりタイミングが、nクロック遅
延回路80によって同期用のCLKに対し、nクロック
だけCLKサイクルがずれるようにコンI・ロールされ
る。
そのなめ、この第8の実施例では、前記第7の実施例と
ほぼ同様の利点を有する他に、フラグシフト回路72を
設けたので、メモリのアクセス終了フラグFLAGの出
るタイミングを外部入力信号SFTでシフトできる。そ
のため、プロセッサシステム等に本実施例を適用すれば
、各プロセッサ等の使用に合わせたメモリ動作をさせる
ことができる。なお、外部入力信号SFTを入力せずに
、外部シフト回路72内において、予めレーザトレミン
グ手段、マスクオプション、あるいはボンディングオプ
ション等で、アクセス終了フラグ下しAGのシフト数を
設定しても良い。
なお本発明は、上記実施例に限定されず、種々の変形が
可能である。その変形例としては、例えば次のようなも
のがある。上記第1〜第8の実施例をそれぞれ別個に構
成する以外に、第6及び第7の実施例の組合わせ、第6
.第7及び第8の実施例の組合わせ、第2.第6.第7
及び第8の実施例の組合わせ、あるいは第2.第6及び
第7の実施例の組合わせにより、同期式バーストアクセ
スメモリを構成すれば、各実施例のもつ利点をより有効
に発揮させることが可能となる。
(発明の効果) 以上詳細に説明したように、第1〜第8の発明では、次
のような効果を有している。
第1の発明によれば、従来のDRAMに、ラッチ回路、
アドレス発生手段、データ転送手段、及び入出力手段を
設けたので、次のような効果が得られる。
■ クロック信号に同期してメモリ動作が実行されるの
で、入力タイミングスキューに余裕ができ、それによっ
て外部入力コントロール信号の外部システム上のドライ
バが小さくてすみ、ノイズ発生を低減できる。
■ クロック信号による高速シリアルアクセスが可能と
なる。
■ VRAM同様のランダムアクセスと高速シリアルア
クセスとが、従来のVRAMより回路構成が簡単で、チ
ップサイズが小さく、及び低コストで実現できる。
■ 従来のVRAMのようにランダムアクセスとシリア
ルアクセスとの同時動作が実行できないが、従来のVR
AMに比べてコン1へロールが簡単となり、しかも従来
のVRAMの2ポ一ト分の機能が汎用のDRAMとほぼ
同様のコントロールで実現できる。
第2の発明によれば、分周手段を設けたので、第1の発
明の効果■〜■に加えて、例えばCPU等が複数のクロ
ック信号で]ステップ命令で動いている場合、個々のC
PU等に合わぜなメモリに簡単に変更できる。
第3の発明によれば、クロックコントロール手段を設け
たので、第1の発明の効果■〜■の他に、例えばデータ
バスを共有しているようなCPU等のプロセッサシステ
ムにおいて、シリアルメモリデータのやりとりをデータ
バスを介してCPU等とメモリとで行なっている場合、
共有データバスを使っているシステム内のコン[・ロー
ラ等から、指定アクセスのホールトが、CASをH”レ
ベルとすることで、容易に実行でき、その後のシリアル
アクセスを中断後も続けることができる。
第4の発明によれば、第1の発明のラッチ手段に、他の
ラッチ機能を付加すると共に、アクセスクロック計数手
段を設けたので、第1の発明の効果■〜■が得られると
共に、次のような効果も期待できる。
(a)  プロセッサシステム等に適用した場合、必要
なビット数分だけのメモリをアクセスできる。
(b)  リードアクセス完了後、入出力手段を他の入
出力コントロール信号にかかわらずハイインピーダンス
状態になるようにしているため、例えば共通データバス
を使用しているようなシステムでは、その共通データバ
スを他のシステムに容易に渡せる。
(c)  特にライトサイクルにおいては、書き込みビ
ット数を設定しておき、指定ビット数以上はマスクがか
かることになるので、VRAMのようなブロックライト
が、自由に書き込みビット数を変えて容易に実行でき、
ぬりつぶしや図形の枠取り等といった画像処理が非常に
便利になる。
第5の発明によれば、第1のラッチ手段に他のラッチ機
能を付加すると共に、記憶手段、計数手段及び−数構出
手段を設けなので、第1の発明の効果■〜■と第4の発
明の効果(C)が得られる他に、次のような効果も期待
できる。
プロセッサシステム等に適用した場合、必要なビット数
分だけのメモリを、バーストアクセスできる。そのため
、決まった数のメモリを何回もアクセスする場合、その
都度メモリを設定する操作が不要となり、コン■・ロー
ルの簡単化が図れる。
その上、アクセス完了後、入出力手段がハイインピーダ
ンス状態になるなめ、例えば共通データバスを使用して
いるようなシステムでは、その共通データバスを他のシ
ステムに容易に渡すことができる。
第6の発明によれば、ア1−レスラッチ手段、アドレス
入力禁止手段、及びアクセスクロック計数手段を設けな
ので、第1の発明の効果■〜■の他に、次のような効果
が期待できる。
必要なメモリビット数だけを簡単にアクセスすることが
できる。さらに、プロセッサシステム等においてデータ
バスを共有するような場合、メモリアクセス中に、他の
システムよりその共通データバスを強勢的に使用しない
ようなとき、メモリ動作を一時ホール)〜させることが
でき、システム設計の自由度がより向上する。
第7の発明によれば、アクセス完了状態出力手段を設け
なので、第4の発明と同様の効果か期待できる上に、プ
ロセッサシステム等において、アクセスピッ1へのカウ
ントをCPU側等がすることなく、メモリコントロール
ユニットにメモリアクセスをまかせたまま、CPU等が
他の作業を実行できる。
第8の発明によれば、シフ■・手段を設けたので、第7
の発明と同様の効果が得られ、さらにシフト手段によっ
てアクセス完了状態の出力をシフトできるため、例えば
共通データバス上に接続されたプロセッサシステム等の
仕様に合わせたメモリ動作をさせることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1.の実施例を示す同期式バースト
アクセスメモリの構成ブロック図、第2図は従来のビデ
オRAM (VRAM)の構成ブロック図、第3図(a
)、(b)は第1図のタイミング図、第4図は本発明の
第2の実施例を示す同期式バース■・アクセスメモリの
構成ブロック図、第5図(a)、(b)は第4図のタイ
ミング図、第6図は本発明の第3の実施例を示す同期式
バーストアクセスメモリリの構成ブロック図、第7図(
a)1)は第6図のタイミング図、第8図は本発明の第
4の実施例を示す同期式バース■・アクセスメモリの構
成ブロック図、第9図(a)、(b)は第8図の説明図
、第10図は本発明の第5の実施例を示す同期式バース
■・アクセスメモリの構成ブロック図、第11図(a)
、(b)は第10図の説明図、第12図は本発明の第6
の実施例を示す同期式バーストアクセスメモリの構成ブ
ロック図、第13図(a)、(b)は第12図の説明図
、第14図は本発明の第7の実施例を示す同期式バース
トアクセスメモリの構成ブロック図、第15図(a>、
(b)は第14図の説明図、第16図は本発明の第8の
実施例を示す同期式バーストアクセスメモリの構成ブロ
ック図、第1−7図は第1−6図におけるフラグシフト
回路及び′フラグ出力回路の構成図、第18図(a、)
、(b)、(C)は第16図の説明図、第19図は第1
7図のタイミング図である。 30・・・・・・入力ラッチ回路、31.31A、3]
1.31−2・・・・・・アドレスバッファ、32・・
メモリコントロール信号発生回路、35・・・・・・プ
リセットアドレスカウンタ、36・・・・・・入出力コ
ントロール回路、4]・・・・・・行アドレスデコーダ
、43・・・・・メモリセルアレイ、50・・・・・・
列アドレスデコーダ、5]・・・・・・データ転送手段
、53・・・・・・人出回路、60・・・・・・分周器
、61・・・・・・クロックコントロール回路、63・
・・・・・アクセスクロックカウンタ、65・・・・・
・記憶回路、66・・・・・・カウンタ、67・・・・
・−数枚出回路、70・・・・・・アドレス入力禁止回
路、71・・・・・・フラグ出力回路、72・・・・・
・フラグシフト回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、複数のワードライン及びビットラインにそれぞれ接
    続された複数のダイナミックメモリセルが配列されたメ
    モリセルアレイと、行アドレスをデコードして前記ワー
    ドラインを選択する行アドレスデコーダと、行アドレス
    をデコードして前記ビットラインを選択する列アドレス
    デコーダとを、備えたダイナミック・ランダム・アクセ
    ス・メモリにおいて、 行アドレス・ストローブ信号及び列アドレス・ストロー
    ブ信号を含む外部入力のコントロール信号と前記行アド
    レス及び列アドレスとをクロック信号によりラッチする
    ラッチ手段と、 前記列アドレス・ストローブ信号の立ち下がり直後の前
    記クロック信号により前記ラッチ手段でラッチされた列
    アドレスを初期値としてプリセットされ、前記クロック
    信号に同期してインクリメントまたはデクレメントして
    生成したアドレス群を前記列アドレスデコーダへ与える
    アドレス発生手段と、 前記アドレス群をデコードする前記列アドレスデコーダ
    の出力に基づき、前記行アドレスデコーダで選択された
    前記ワードライン上のメモリデータをシリアルデータに
    変換して出力し、かつシリアルデータをパラレルデータ
    に変換して前記ビットラインへ入力するデータ転送手段
    と、 前記クロック信号に同期して前記データ転送手段に対す
    るデータの入出力を行い、かつ前記列アドレスストロー
    ブ信号の立ち上がり直後の前記クロック信号に基づき該
    入出力動作が制御される入出力手段とを、 設けたことを特徴とする同期式バーストアクセスメモリ
    。 2、請求項1記載の同期式バーストアクセスメモリにお
    いて、 外部入力クロックを分周して前記クロック信号を生成す
    る分周手段を設けた同期式バーストアクセスメモリ。 3、請求項1記載の同期式バーストアクセスメモリにお
    いて、 前記列アドレス・ストローブ信号に基づき前記クロック
    信号に対する導通状態を制御し、その出力を前記クロッ
    ク信号に代えて前記アドレス発生手段及び入出力手段に
    与えるクロックコントロール手段を、 設けた同期式バーストアクセスメモリ。 4、請求項1記載の同期式バーストアクセスメモリにお
    いて、 前記列アドレス及び列アドレスをラッチした後、前記列
    アドレス・ストローブ信号を2度目に立ち上げた後に立
    ち下げた時のアドレス入力をその直後の前記クロック信
    号によりラッチする機能を、前記ラッチ手段に設け、 前記ラッチ手段によってラッチされた前記アドレス入力
    をアクセスビット数またはアクセスブロック数とし、そ
    のアクセスビット数またはアクセスブロック数までの該
    アクセス数またはアクセスブロック数を計数してその計
    数結果に基づき前記アドレス発生手段の動作を禁止状態
    にすると共に前記入出力手段の出力動作を停止させるア
    クセスクロック計数手段を、 設けた同期式バーストアクセスメモリ。 5、請求項1記載の同期式バーストアクセスメモリにお
    いて、 前記行アドレス及び列アドレスをラッチした後、前記列
    アドレス・ストローブ信号を2度目に立ち上げた後に立
    ち下げた時のアドレス入力をその直後の前記クロック信
    号によりラッチする機能を、前記ラッチ手段に設け、 前記ラッチ手段によってラッチされた前記アドレス入力
    をアクセスビット数またはアクセスブロック数とし、再
    設定時まで該アクセスビット数またはアクセスブロック
    数を記憶する記憶手段と、前記クロック信号に基づきア
    クセスビット数またはアクセスブロック数を計数する計
    数手段と、前記記憶手段の出力と前記計数手段の出力と
    の一致状態を検出し、その検出結果に基づき前記アドレ
    ス発生手段の動作を禁止状態にすると共に前記入出力手
    段の出力動作を停止させる一致検出手段とを、 設けた同期式バーストアクセスメモリ。 6、請求項1記載の同期式バーストアクセスメモリにお
    いて、 前記行アドレス及び列アドレスをラッチした後、前記列
    アドレス・ストローブ信号を2度目に立ち上げた後に立
    ち下げた時のアドレス入力をその直後の前記クロック信
    号によりラッチするアドレスラッチ手段と、 前記2度目の列アドレス・ストローブ信号の立ち下がり
    が1度目の列アドレス・ストローブ信号の立ち下がりよ
    り所定のクロック信号数以上遅れた時に前記アドレスラ
    ッチ手段のラッチ動作を禁止するアドレス入力禁止手段
    と、 前記アドレスラッチ手段によってラッチされた前記アド
    レス入力をアクセスビット数またはアクセスブロック数
    とし、そのアクセスビット数またはアクセスブロック数
    までの該アクセス数またはアクセスブロック数を計数し
    てその計数結果に基づき前記アドレス発生手段の動作を
    禁止状態にすると共に前記入出力手段の出力動作を停止
    させるアクセスクロック計数手段を、 設けた同期式バーストアクセスメモリ。 7、請求項4記載の同期式バーストアクセスメモリにお
    いて、 前記アクセスクロック計数手段の計数結果に基づきアク
    セス完了状態を外部へ出力するアクセス完了状態出力手
    段を、 設けた同期式バーストアクセスメモリ。 8、請求項7記載の同期式バーストアクセスメモリにお
    いて、 前記アクセス完了状態出力手段の出力タイミングを所定
    のクロック信号数だけシフトするシフト手段を、 設けた同期式バーストアクセスメモリ。
JP2196877A 1990-07-25 1990-07-25 同期式バーストアクセスメモリ Pending JPH0489687A (ja)

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US07/735,626 US5268865A (en) 1990-07-25 1991-07-24 Synchronous burst-access memory
EP91112424A EP0468480B1 (en) 1990-07-25 1991-07-24 Synchronous burst-access memory and word-line driving circuit therefor
DE69123890T DE69123890T2 (de) 1990-07-25 1991-07-24 Synchronisierter Burstzugriffsspeicher und Wortleitungstreiber dafür
US07/121,504 US5327390A (en) 1990-07-25 1993-09-15 Synchronous burst-access memory
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05274864A (ja) * 1992-03-30 1993-10-22 Toshiba Corp 画像専用半導体記憶装置
JPH07220468A (ja) * 1994-01-26 1995-08-18 Samsung Electron Co Ltd Ramアレイのアクセス方法及びそのアクセス方法を使用したグラフィックram
US7203809B2 (en) 1994-01-21 2007-04-10 Renesas Technology Corp. Data transfer control method, and peripheral circuit, data processor and processing system for the method
US8035021B2 (en) 2009-03-23 2011-10-11 Yamaha Corporation Tone generation apparatus
US9713875B2 (en) 2011-09-21 2017-07-25 Zenrobotics Oy Shock tolerant structure

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63144490A (ja) * 1986-12-05 1988-06-16 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPS63225990A (ja) * 1987-03-16 1988-09-20 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPS63292494A (ja) * 1987-05-25 1988-11-29 Hitachi Ltd 半導体メモリ
JPH01142986A (ja) * 1987-11-30 1989-06-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像メモリ素子
JPH01179291A (ja) * 1987-12-29 1989-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63144490A (ja) * 1986-12-05 1988-06-16 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPS63225990A (ja) * 1987-03-16 1988-09-20 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPS63292494A (ja) * 1987-05-25 1988-11-29 Hitachi Ltd 半導体メモリ
JPH01142986A (ja) * 1987-11-30 1989-06-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像メモリ素子
JPH01179291A (ja) * 1987-12-29 1989-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05274864A (ja) * 1992-03-30 1993-10-22 Toshiba Corp 画像専用半導体記憶装置
US7203809B2 (en) 1994-01-21 2007-04-10 Renesas Technology Corp. Data transfer control method, and peripheral circuit, data processor and processing system for the method
JPH07220468A (ja) * 1994-01-26 1995-08-18 Samsung Electron Co Ltd Ramアレイのアクセス方法及びそのアクセス方法を使用したグラフィックram
US8035021B2 (en) 2009-03-23 2011-10-11 Yamaha Corporation Tone generation apparatus
US9713875B2 (en) 2011-09-21 2017-07-25 Zenrobotics Oy Shock tolerant structure

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