JPH0481892B2 - - Google Patents

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JPH0481892B2
JPH0481892B2 JP62051873A JP5187387A JPH0481892B2 JP H0481892 B2 JPH0481892 B2 JP H0481892B2 JP 62051873 A JP62051873 A JP 62051873A JP 5187387 A JP5187387 A JP 5187387A JP H0481892 B2 JPH0481892 B2 JP H0481892B2
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Siemens AG
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    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
    • H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ソースと基準電位との間にある負荷
を備えたMOSFETの制御のために、 (a) 第１のMOSFETのドレインが端子に接続さ
れ、 (b) 前記端子は運転電圧源の一方の極に接続さ
れ、 (c) 第１のMOSFETのゲートと基準電位との間
にスイツチが接続され、 (d) 第１のMOSFETのゲート導線中に２つのダ
イオードの直列回路が挿入され、 (e) その直列回路の中間接続点はコンデンサの一
端に接続され、 (f) そのコンデンサの他端はクロツクされる直流
電圧が印加可能な第１の入力端子と接続されて
いる MOSFETの制御回路装置に関する。
〔従来の技術〕
かかる回路装置は、例えば刊行物「シーメン
ス・コンポーネンツ（Siemens Components）」
22（1984）、第４号、頁169ffに記載されている。
それは、ソース側負荷を備えたMOSFET（ソー
スホロワ）のソース電位が導通時に変化すること
に基いている。MOSFETを導通状態に保つべき
場合には、ゲート電位は絶えず少なくとも動作電
圧だけソース電位よりも高くなければならない。
したがつて、MOSFETの完全な導通状態では、
ゲート電位は少なくとも動作電圧だけドレイン電
位の上になければならない。公知の回路は、ドレ
イン・ソース電圧源よりも高い電圧（運転電圧）
が得られない場合にも、ソースホロワを確実に導
通状態に保つことを可能にする。その場合には、
この回路は倍電圧回路を使用する。この倍電圧回
路ではコンデンサがダイオードの１つを介して運
転電圧に充電される。付加的にコンデンサには運
転電圧よりも大きい電圧までコンデンサを充電す
るタクトされる直流電圧が供給される。コンデン
サは第２のダイオードを介してMOSFETのゲー
ト・ソース間静電容量へ放電し、そのMOSFET
を導通状態に制御する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、産業上の利用分野の項におい
て定義した如き回路装置を半導体チツプ上に集積
化可能にすることにある。その場合に、特に両ダ
イオードのために集積化可能な構成を提供しよう
とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の目的は、本発明によれば、冒頭に述べた
回路装置において、次の(g)〜(n)のようにすること
により達成される。即ち、 (g) 前記ダイオードの直列回路は第２の
MOSFETのドレイン・ソース区間を介して前
記端子に接続され、 (h) 第２のMOSFETは第１のMOSFETとは反
対のチヤネル型であり、ソース側を前記端子に
接続され、 (i) 第２のMOSFETのソースとゲートとの間に
抵抗が接続され、 (j) 第２のMOSFETのゲートと基準電位との間
に第１のMOSFETに対応するチヤネル型の第
３のMOSFETのソース・ドレイン区間が接続
され、 (k) 第３のMOSFETゲートは第２の入力端子に
接続され、 (l) 前記スイツチは第１のMOSFETに対応する
チヤネル型の第４のMOSFETによつて形成さ
れ、 (m) 第４のMOSFETのゲートが第３の入力端子
と接続され、 (n) 第２および第３の入力端子に互いに逆の論理
信号が印加される ようにすることである。
〔実施例〕
以下、第１図ないし第３図に示す実施例を参照
しながら本発明を更に詳細に説明する。
第１図は本発明による回路装置を示し、第２図
は３つの入力端子における電圧および負荷電流の
タイムチヤートを示し、第３図はダイオードの集
積回路装置を示す。
第１図による回路装置におけるソースホロワと
して運転される第１のMOSFETはＴ１にて示さ
れている。このMOSFETにはソース側に負荷RL
が直列に接続されている。この直列回路は運転電
圧＋UBにおける端子４と基準電位（アース）と
の間にある。第１のMOSFET Ｔ１はゲート・
ソース間静電容量CGSを有する。Ｔ１のゲートは
２つのダイオードＤ１，Ｄ２の直列回路および第
２のMOSFET Ｔ２のソース・ドレイン区間を
介して回路の端子４と接続されている。第２の
MOSFET Ｔ２は第１のMOSFET Ｔ１とは反
対のチヤネル型である。この実施例においては、
Ｔ１はｎチヤネル型であり、Ｔ２はｐチヤネル型
である。第２のMOSFET Ｔ２はソース側を端
子４に接続されている。
第２のMOSFET Ｔ２のソースとゲートとの
間に抵抗Ｒ１が接続されている。Ｔ２のゲートは
第３のMOSFET Ｔ３を介してアースに接続さ
れている。これはＴ１と同じチヤネル型である。
Ｔ３のドレイン端子はアースに接続され、ゲート
端子は入力端子２に接続されている。
両ダイオードＤ１およびＤ２からなる直列回路
は中間タツプを有し、この中間タツプはコンデン
サＣの一端に接続されている。このコンデンサの
他端は入力端子１を接続されている。
第１のMOSFET Ｔ１のゲート端子は第４の
MOSFET Ｔ４のソース・ドレイン区間と接続
されている。このMOSFET Ｔ４はソース側を
同様にアースに接続され、ゲート端子は入力端子
３に接続されている。
第１のMOSFET Ｔ１の導通のために入力端
子に第２にｕ１，ｕ２およびｕ３で示した電圧が
与えられる。その場合ｕ１はクロツク直流電圧で
あり、そのストロークは例えば運転電圧に相当し
ていてよい。電圧ｕ２およびｕ３は、例えばレベ
ルＬ＝0VおよびＨ＝5Vを有する論理回路の出力
信号である。これらの信号は互いに逆である。
したがつて入力端子１にクロツク電圧が加えら
れている間、電圧ｕ３はＬであり、端子２におけ
る電圧ｕ２はＨである。それにより、第４の
MOSFET Ｔ４は阻止され、第３のMOSFET
Ｔ３は開かれる。それにより、電流が端子４から
第２のMOSFET Ｔ２、ダイオードＤ１を通つ
てコンデンサＣに流れる。それによりコンデンサ
Ｃは運転電圧＋UBに充電される。電圧ｕ２のク
ロツク毎にコンデンサＣの電荷が高まるので、コ
ンデンサＣは運転電圧＋UBよりも高い電圧に充
電される。したがつて、コンデンサＣは常時Ｔ１
のゲート・ソース間静電容量CGSへ放電し、Ｔ１
を連続導通状態に制御する。それにより負荷電流
ILが端子＋UBからアースへ向けて流れる。
第１のMOSFET Ｔ１を遮断させようとする
ときには、端子１における電圧が零にされ、電圧
ｕ３はＨへ移行され、電圧ｕ２はＬへ移行され
る。それにより第３のMOSFET Ｔ３が導通し、
静電容量CGSが放電させられる。同時に第
2MOSFET Ｔ２が阻止されるので、コンデンサ
Ｃの再充電は中止される。
第１図による回路装置は簡単に集積化でき、そ
の場合に MOSFETの集積化はIC回路技術で行
うことができる。したがつて集積化された
MOSFET並びに集積化された抵抗およびコンデ
ンサの図示は省略し、第３図にはダイオードＤ１
およびＤ２の集積回路装置だけを示す。
ダイオードは基板として第１のゾーン５を持つ
半導体に集積されている。第１のゾーン５の一方
の側には強くドーピングされたゾーン６が接して
いる。このゾーン６は運転電圧＋UBと接続され
ている。第１のゾーン５中に反対の導電型のゾー
ン７が表面が平坦になるように埋設されている。
このゾーン７は２つの部分８，９からなる。部分
９は部分８よりも強くドーピングされ、かつ部分
８よりも厚い。部分８にはドレインゾーン１０お
よびソースゾーン１１が埋設されている。両ゾー
ン１０，１１の間において部分８は半導体表面に
露出されており、そこをゲート電極１２によつて
覆われている。ゾーン８はそこでラテラル
MOSFETのゲートゾーンを形成している。ゲー
ト電極１２はドレインゾーン１０および端子ｂに
接続されている。部分９にはダイオードＤ１のカ
ソードであるゾーン１３が埋設されている。アノ
ードゾーンは部分９によつて形成され、これは端
子ａに接続されている。ダイオードＤ２のソース
ゾーン１１およびダイオードＤ１のカソードゾー
ン１３は抵抗Ｒ２を介して互いに接続されて端子
ｃに接続されている。端子の符号は第１図の端子
ａ，ｂ，ｃの符号に対応している。
ラテラルMOSFETはダイオードＤ２を形成す
るのに対して、ダイオードＤ１はゾーン１３およ
び部分９によつて形成されている。端子ｂに電圧
が印加されると、ラテラルMOSFETが導通して
電流をゾーン１０から部分８を通してゾーン１１
へ流して端子Ｃへ導く。端子ａに電圧が印加され
ると電流が部分９へ流れ、ゾーン１３を介して端
子Ｃへ導びかれる。
ゾーン１３は部分９およびゾーン５と共に寄生
バイポーラトランジスタ１５を形成し、これに対
してゾーン１１は部分８およびゾーン５と共に寄
生バイポーラトランジスタ１４を形成している。
寄生バイポーラトランジスタ１５の作用は主とし
て部分９の高ドーピングと部分８に比べて大きい
厚みとによつて除去され、その結果比較的僅かな
電流増幅度となる（β＝10……50）。寄生バイポ
ーラトランジスタ１４の作用は抵抗Ｒ２によつて
制限される。この場合原理的には部分８を厚く実
施することも可能であるが、しかしこの場合には
ドーピングの強さに関して制限が生じる。なぜな
らばテラテルMOSFETの低い動作電圧が望まれ
るからである。部分８および９を互いに分離され
たゾーンとして構成することも可能である。
〔効果〕
以上のように、本発明によれば、MOSFETの
制御回路装置を半導体チツプ上に集積化すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による回路装置の実施例を示す
回路図、第２図は３つの入力端子における電圧お
よび負荷電流の経過をタイムチヤート、第３図は
ダイオードの集積回路装置の実施例を示す半導体
装置構造図である。 Ｔ１……第１のMOSFET、Ｔ２……第２の
MOSFET、Ｔ３……第３のMOSFET、Ｔ４…
…第４のMOSFET、Ｄ１，Ｄ２……ダイオー
ド、Ｒ１，Ｒ２……抵抗、１……第１の入力端
子、２……第２の入力端子、３……第３の入力端
子、４……端子、５……基板、８……ゲートゾー
ン、９……ベースゾーン、１０……ドレインゾー
ン、１１……ソースゾーン、１２……ゲート電
極、１３……エミツタ（カソード）ゾーン。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ソースと基準電位との間にある負荷を備えた
    MOSFETの制御のために、 (a) 第１のMOSFET（Ｔ１）のドレインが端子
    ４に接続され、 (b) 前記端子４は運転電圧源の一方の極に接続さ
    れ、 (c) 第１のMOSFET（Ｔ１）のゲートと基準電
    位との間にスイツチが接続され、 (d) 第１のMOSFET（Ｔ１）のゲート導線中に
    ２つのダイオードＤ１，Ｄ２の直列回路が挿入
    され、 (e) その直列回路の中間接続点はコンデンサＣの
    一端に接続され、 (f) そのコンデンサの他端はクロツク直流電圧が
    印加される第１の入力端子１と接続されている
    MOSFETの制御回路装置において、 (g) 前記ダイオードＤ１，Ｄ２の直列回路は第２
    のMOSFET（Ｔ２）のドレイン・ソース区間
    を介して前記端子４に接続され、 (h) 第２のMOSFET（Ｔ２）は第１のMOSFET
    （Ｔ１）とは反対のチヤネル型であり、ソース
    側を前記端子４に接続され、 (i) 第２のMOSFET（Ｔ２）のソースとゲート
    との間に抵抗Ｒ１が接続され、 (j) 第２のMOSFET（Ｔ２）のゲートと基準電
    位との間に第１のMOSFET（Ｔ１）に対応す
    るチヤネル型の第３のMOSFET（Ｔ３）のソ
    ース・ドレイン区間が接続され、 (k) 第３のMOSFETのゲートは第２の入力端子
    ２に接続され、 (l) 前記スイツチは第２のMOSFET（Ｔ１）に
    対応するチヤネル型の第４のMOSFET（Ｔ４）
    によつて形成され、 (m) 第４のMOSFET（Ｔ４）のゲート端子は第
    ３の入力端子３と接続され、 (n) 第２および第３の入力端子２，３に互いに逆
    の論理信号が印加される ことを特徴とするMOSFETの制御回路装置。 ２ 前記ダイオードの直列回路の構造は次のよう
    に構成されていること、すなわち、半導体基板５
    中に、ソースゾーン１１とドレインゾーン１０と
    ゲートゾーン８とを備え且つゲート電極１２がド
    レインゾーン１０と接続されているラテラル
    MOSFETが埋設されており、エミツタゾーン１
    ３とベースゾーン９と半導体基板５により形成さ
    れたコレクタゾーンを持つ低い電流増幅度の垂直
    方向のバイポーラトランジスタを備え、ソースゾ
    ーン１１とエミツタゾーン１３との間に抵抗Ｒ２
    があり、ベースゾーン９に端子ａが設けられてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    装置。 ３ ゲートゾーン８およびベースゾーン９は唯一
    のつながり合つたゾーンをなしていることを特徴
    とするとする特許請求の範囲第２項記載の装置。 ４ ベースゾーン９はゲートゾーン８よりも厚く
    且つ高ドーピングされていることを特徴とする特
    許請求の範囲第３項記載の装置。
JP62051873A 1986-03-11 1987-03-06 Ｍｏｓｆｅｔの制御回路装置 Granted JPS62219712A (ja)

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DE3608023.3 1986-03-11
DE3608023 1986-03-11

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JPS62219712A JPS62219712A (ja) 1987-09-28
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US (1) US4737667A (ja)
EP (1) EP0236967B1 (ja)
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DE (1) DE3763277D1 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1224644B (it) * 1987-12-22 1990-10-18 Sgs Thomson Microelectronics Circuito per il mantenimento in conduzione di un transistore mos in mancanza di tensione di alimentazione elettrica.
US4888505A (en) * 1988-05-02 1989-12-19 National Semiconductor Corporation Voltage multiplier compatible with a self-isolated C/DMOS process
US4803612A (en) * 1988-06-08 1989-02-07 National Semiconductor Corporation Clock ripple reduction in a linear low dropout C/DMOS regulator
EP0365706B1 (de) * 1988-10-27 1993-02-03 Siemens Aktiengesellschaft Leistungsendstufe mit einer Last
USRE35745E (en) * 1988-10-28 1998-03-17 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Device for generating a reference voltage for a switching circuit including a capacitive bootstrap circuit
US5008568A (en) * 1989-01-24 1991-04-16 Integrated Device Technology, Inc. CMOS output driver
DE59207678D1 (de) * 1992-06-05 1997-01-23 Siemens Ag Ansteuerschaltung für einen Leistungs-FET mit sourceseitiger Last
DE59308057D1 (de) * 1992-08-04 1998-03-05 Siemens Ag Ansteuerschaltung für einen Leistungs-MOSFET mit sourceseitiger Last
DE4423733C2 (de) * 1994-07-06 1999-04-01 Siemens Ag Integriertes Leistungs-Halbleiterbauelement mit Schutzstruktur
DE4446327A1 (de) * 1994-12-23 1996-07-04 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Leistungs-MOSFET
US5672992A (en) * 1995-04-11 1997-09-30 International Rectifier Corporation Charge pump circuit for high side switch
DE19535541A1 (de) * 1995-09-25 1997-03-27 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Depletion-MOSFET
DE59608908D1 (de) * 1995-09-27 2002-04-25 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Leistungs-Enhancement-MOSFET
DE19535985B4 (de) * 1995-09-27 2005-02-17 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines FET
US5726594A (en) * 1995-10-02 1998-03-10 Siliconix Incorporated Switching device including power MOSFET with internal power supply circuit
DE19631751C1 (de) * 1996-08-06 1997-11-27 Siemens Ag Ansteuerschaltung für einen Leistungs-FET mit sourceseitiger Last
DE19737586C2 (de) * 1997-08-28 2002-03-21 Infineon Technologies Ag Smart-Power-Schalter
FR2786629B1 (fr) * 1998-11-27 2001-02-09 St Microelectronics Sa Circuit de commande d'un interrupteur a composants semiconducteurs fonctionnant en alternatif
DE19950022A1 (de) * 1999-10-09 2001-04-12 Bosch Gmbh Robert Ansteuervorrichtung für einen Schalter zum elektronischen Schalten eines Verbrauchers
US6772250B2 (en) * 2001-03-15 2004-08-03 International Business Machines Corporation Boundary scannable one bit precompensated CMOS driver with compensating pulse width control
DE10208585B4 (de) * 2002-02-22 2004-03-25 Trumpf Laser Gmbh + Co. Kg Pumplichtquelle für laseraktive Medien und Verfahren zu ihrem Betreiben
KR20220109110A (ko) * 2021-01-28 2022-08-04 엘지이노텍 주식회사 배터리 스위치 구동회로

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3271640A (en) * 1962-10-11 1966-09-06 Fairchild Camera Instr Co Semiconductor tetrode
US3667115A (en) * 1965-06-30 1972-06-06 Ibm Fabrication of semiconductor devices with cup-shaped regions
DE2547220A1 (de) * 1975-10-22 1977-05-05 Licentia Gmbh Verfahren zum herstellen einer integrierten schaltungsanordnung
JPS57208295A (en) * 1981-06-19 1982-12-21 Ricoh Co Ltd Diazo base heat-sensitive recording material
JPS583264A (ja) * 1981-06-30 1983-01-10 Fujitsu Ltd 高耐圧半導体集積回路およびその製造方法
JPH0612828B2 (ja) * 1983-06-30 1994-02-16 株式会社東芝 半導体装置
JPS6052112A (ja) * 1983-08-31 1985-03-25 Toshiba Corp 論理回路
US4698526A (en) * 1985-10-17 1987-10-06 Inmos Corporation Source follower CMOS input buffer

Also Published As

Publication number Publication date
US4737667A (en) 1988-04-12
EP0236967A1 (de) 1987-09-16
KR930007794B1 (ko) 1993-08-19
DE3763277D1 (de) 1990-07-19
KR870009542A (ko) 1987-10-27
JPS62219712A (ja) 1987-09-28
EP0236967B1 (de) 1990-06-13

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