JPH0479011A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は強磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録媒
体およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、カール
が充分に抑制された前記の磁気記録媒体とその製造方法
に関する。

〔従来の技術〕

強磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録媒体は、通常
、冷却ドラムなどによって、走行するポリエステルフィ
ルムなどの高分子成形物からなる基体フィルムの裏面を
冷却しながら、この基体フィルムの表面に強磁性材を真
空蒸着するなどしてつくられている。このため、真空蒸
着時、基体フィルム表面は、高融点の溶融金属の輻射熱
や蒸発金属粒子のエネルギーにより架橋して、熱硬化層
を生じ、また、強磁性金属薄膜層自体は残留内部応力を
生じて、強磁性金属薄膜層側にカールが生しるという問
題があった。

そこで、従来より、強磁性金属薄膜層の内部応力を除去
してカールを軽減する目的で、たとえば、特公平１−３
５０７４号のように強磁性金属薄膜層形成後、強磁性金
属薄膜層表面を加熱ロールに接触させたり、特開昭６２
−６０１２７号のように強磁性金属薄膜層形成後、強磁
性金属薄膜層表面に熱風を吹きつけたりすることが提案
されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、これらの方法では強磁性金属薄膜層の内部応
力を除去することはできても、高分子成形物からなる基
体フィルム自体の変質に起因するカールを軽減すること
は難しく、いまひとつこの種の強磁性金属薄膜型磁気記
録媒体のカールを充分に抑制することができない。

〔課題を解決するための手段］ この発明はかかる現状に鑑み種々検討を行った結果なさ
れたもので、高分子成形物からなる基体フィルムの表面
に、強磁性金Ｎ薄膜層を形成する前、もしくは強磁性金
属薄膜層を形成した後に、高分子成形物からなる基体フ
ィルムの裏面をＨｅプラズマ処理することによって、強
磁性金属薄膜層を記録層とする磁気記録媒体のカールを
充分に抑制したものである。

この発明において、高分子成形物からなる基体フィルム
裏面のＨｅプラズマ処理は、処理槽内で、Ｈｅガスを高
周波によりプラズマ放電させて活性化させ、この活性化
したＨｅガス中に高分子成形物からなる基体フィルムの
裏面を曝すことによって行われる。このようなＨｅプラ
ズマ処理が行われると、活性化したＨｅガスの作用によ
り、高分子成形物からなる基体フィルム裏面で、ＣＨ２
−ＣＨ２−→−ＣＨ＝ＣＨ−÷Ｈ２−ＣＨ２−４−ＣＨ
２−→−ＣＨ＝ＣＨ−ｆＨ２などの橋かけ層が生じて裏
面に強化層が生しる。

しかして、高分子成形物からなる基体フィルムの表面が
、真空蒸着時の溶融金属の輻射熱や蒸発金属粒子のエネ
ルギーにより架橋して熱硬化しても、基体フィルム内で
の応力バランスが均衡し、基体フィルムの変質によるカ
ールが充分に軽減されて、カールの発生が充分に抑制さ
れた強磁性金属薄膜型磁気記録媒体が得られる。

このようなＨｅプラズマ処理は、Ｈｅガスのガス圧が０
．１〜１．０　　トール、ガス流量が５〜１００ｍ／ｍ
ｉｎ、高周波電力が０．１〜１００Ｗで、処理時間が１
〜６０秒間の範囲内で行うのが好ましく、この範囲内で
それぞれの条件を変えることによって、高分子成形物か
らなる基体フィルムの橋かけ度を変えることができる。

このようなＨｅプラズマ処理の処理時間は、短すぎると
初期の目的が達せられず、長ずざると橋かけ度は平衡状
態に達してしまう。

このようなＨｅプラズマ処理を行う高分子成形物からな
る基体フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート
フィルムの他ポリスチレンフィルム、ナイロンフィルム
、ポリフン化ビニルフィルムなどの−ＣＨｚ　　ＣＨｚ
−や−ＣＨｚ−を持つ高分子フィルムが用いられる。

強磁性金属薄膜層を形成する強磁性材としては、コバル
ト、ニッケル、鉄などの金属単体の他、これらの合金あ
るいは酸化物、及びＣｏ−Ｐ、Ｃ。

−Ｎｉ−Ｐなどが好適なものとして使用され、強磁性金
属薄膜層の形成は真空蒸着による他、イオンブレーティ
ング、スパッタリング、メツキ等の手段によっても形成
される。

なお、強磁性金属薄膜層形成後に、さらに加熱処理、熱
風処理などにより、強磁性金属薄膜層の残留内部応力に
より生じるカールを除去すると、カール量がさらに一段
と軽減できるのはいうまでもない。

〔実施例〕

次に、この発明の実施例について説明する。

実施例１ 第１図に示すように、真空槽１内にプラズマ処理用冷却
ロール２と真空蒸着用冷却ロール３とを隣接して配設し
たプラズマ処理兼用真空蒸着装置を使用し、厚さが１０
μｍで、幅が２４０価のポリエチレンテレフタレートフ
ィルム４を、送り出しロール５からガイドロール６を介
して、上部に放電室７を近接して配設したプラズマ処理
用冷却ロール２０周側面に沿って移動させ、さらに隣接
した真空蒸着用冷却ロール３の周側面に沿って移動させ
、ガイドロール８および９を介して、巻き取りロール１
０に巻き取られるようにセットした、同時に、真空槽１
の下部に配設した強磁性材蒸発源１１にＣｏ−Ｎ１（重
量比８０：２０）合金１２をセットした。

次いで、ポリエチレンテレフタレートフィルム４を、フ
ィルムテンション２４０ｍｎ幅、６）ｃｇで５ｍ、／＋
ｉｎの速度で走行させるとともに、真空槽１の下底に取
りつけた排気系１３で、真空槽１内を１、ＯＸ　１０−
’　トールに真空排気し、プラズマ処理用冷却ロール２
および真空蒸着用冷却ロール３を＝３０°Ｃに冷却して
、高周波電源１４から放電室７内の電極１５に、周波数
１３．５６ＭＨｚの高周波を高周波電力５０Ｗで印加し
、放電室７のガス導入口１６からＨｅガスを、ガス圧０
．３トール、ガス流量２０　ｍａｌ　／　ｎ＋ｉｎで導
入して、３秒間Ｈｅプラズマ処理した。

引きつづき、真空蒸着用冷却ロール３直下のガス導入口
１７から酸素ガスを流量２００　ｍ／ｌｌｌ１ｎで導入
しながら、強磁性材蒸発源１１でＣｏ−Ｎｉ合金を蒸発
させ、防着板１８．１９の作用により、真空薄着用冷却
ロール３０周側面に沿って走行するポリエチレンテレフ
タレートフィルム４のＨ’ｅプラズマ処理面と反対面側
に、斜め入射蒸着させ、厚さ２０００人のＣｏ　−Ｎ　
ｉ　−０からなる強磁性金属薄膜層を形成した。しかる
後、これを所定の巾に裁断して磁気テープをつくった。

実施例２ 実施例１において、Ｈｅプラズマ処理工程と、強磁性金
属薄膜層の形成工程の順序を逆にした以外は、実施例１
と同様にして磁気テープをつくっ比較例１ 実施例１において、Ｈｅプラズマ処理工程を省いた以外
は、実施例１と同様にして磁気テープをつくった。

各実施例および比較例で得られた磁気テープについて、
カール量を測定した。カール量の測定は、第２図に示す
ように、ポリエチレンテレフタレートフィルム４の表面
に強磁性金属薄膜層２０を形成して得られた磁気テープ
Ａが、強磁性金属薄膜層２０を内側にしてカールした状
態でのテープの最大高さＨを測定して行った。また、得
られた磁気テープから希塩酸で強磁性金属薄膜層を溶解
除去したテープについても、同様にしてカール量を測定
した。

下記第１表はその結果である。

第１表 〔発明の効果〕 上記第１表から明らかなように、この発明で得られた磁
気テープ（実施例１および２）は、いずれも比較例１で
得られた磁気テープに比しカール量が小さく、また得ら
れた磁気テープから希塩酸で強磁性金属ＦＲＭ層を溶解
除去したテープについても、実施例１および２のテープ
は、比較例１のテープに比してカール量が小さく、この
ことからこの発明で得られる磁気記録媒体は、高分子成
型物からなる基体フィルム自体の変質によるカール量が
充分に抑制され、その結果カールが充分に抑制されてい
ることがわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の磁気記録媒体を製造するのに使用す
るプラズマ処理兼用真空蒸着装置の１例を示す概略断面
図、第２図は実施例および比較例で得られた磁気テープ
のカール量測定方法を説明する磁気テープの断面図であ
る。 １・・・真空槽、２・・・プラズマ処理用冷却ロール、
３・・・真空蒸着用冷却ロール、４−・・ポリエチレン
テレフタレートフィルム（高分子成型物からなる基体フ
ィルム）、７・・・放電室、１１・・・強磁性材蒸発源
、１２・・・Ｃｏ−Ｎｉ合金（強磁性材）、１３・・・
排気系、１４・・・高周波ＮＢ、１５・・・電極、１６
・・・Ｈｅガス導入口、２０・・・強磁性金属薄膜層、
Ａ・・・磁気テープ（磁気記録媒体）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、裏面がＨｅプラズマ処理された高分子成形物からな
   る基体フィルムの表面に、強磁性金属薄膜層が形成され
   てなる磁気記録媒体 ２、高分子成形物からなる基体フィルムの裏面をＨｅプ
   ラズマ処理し、次いで、この基体フィルムの表面に強磁
   性金属薄膜層を形成することを特徴とする磁気記録媒体
   の製造方法３、高分子成形物からなる基体フィルム表面
   に強磁性金属薄膜層を形成し、次いで、この基体フィル
   ムの裏面をＨｅプラズマ処理することを特徴とする磁気
   記録媒体の製造方法