JPH0714161A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0714161A JPH0714161A JP34406092A JP34406092A JPH0714161A JP H0714161 A JPH0714161 A JP H0714161A JP 34406092 A JP34406092 A JP 34406092A JP 34406092 A JP34406092 A JP 34406092A JP H0714161 A JPH0714161 A JP H0714161A
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- vapor deposition
- crucible
- partial pressure
- heating
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 蒸着による磁気記録媒体の製造方法におい
て、基板部材の大きさに拘らず保磁力の均一な蒸着膜を
形成させる。 【構成】 蒸着材料３を収容するるつぼ９の周囲に、こ
のるつぼ９を加熱するヒータ13と、チャンバ11内のガス
分圧を計測する分圧計測手段14とを設ける。電子ビーム
５が蒸着材料３を加熱溶解させるのに先立って、つるぼ
９をヒータ13により加熱し、このつるぼ９に吸着されて
いるＨ2 Ｏを蒸発させ、チャンバ11内のＨ2 Ｏ成分分圧
値が、るつぼ９を加熱する直前のチャンバ11内のＨ2 Ｏ
成分分圧値の２倍未満の範囲の雰囲気になったのちに、
電子ビーム５による蒸着材料３の加熱を開始する。
て、基板部材の大きさに拘らず保磁力の均一な蒸着膜を
形成させる。 【構成】 蒸着材料３を収容するるつぼ９の周囲に、こ
のるつぼ９を加熱するヒータ13と、チャンバ11内のガス
分圧を計測する分圧計測手段14とを設ける。電子ビーム
５が蒸着材料３を加熱溶解させるのに先立って、つるぼ
９をヒータ13により加熱し、このつるぼ９に吸着されて
いるＨ2 Ｏを蒸発させ、チャンバ11内のＨ2 Ｏ成分分圧
値が、るつぼ９を加熱する直前のチャンバ11内のＨ2 Ｏ
成分分圧値の２倍未満の範囲の雰囲気になったのちに、
電子ビーム５による蒸着材料３の加熱を開始する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、蒸着による磁気テープ
等の磁気記録媒体の製造方法に関し、詳細には蒸着材料
を加熱蒸発させるのに先立って、この蒸着材料を収容す
るるつぼに吸着されている水を予め蒸発させたうえで蒸
着を行うことにより磁気記録媒体を製造する方法に関す
るものである。
等の磁気記録媒体の製造方法に関し、詳細には蒸着材料
を加熱蒸発させるのに先立って、この蒸着材料を収容す
るるつぼに吸着されている水を予め蒸発させたうえで蒸
着を行うことにより磁気記録媒体を製造する方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より磁気テープ等の磁気記録媒体に
記録し得る情報量の増大化および高音質化、高画質化が
要望されていて、この要望に応えるためには高密度記録
が必要であることは周知のとおりである。
記録し得る情報量の増大化および高音質化、高画質化が
要望されていて、この要望に応えるためには高密度記録
が必要であることは周知のとおりである。
【０００３】近年この高密度記録を行なう磁気記録媒体
として蒸着テープが開発されて、Ｈｉ８ＭＥテープとし
て実用化されている。この蒸着テープは高真空雰囲気中
で、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ
（ポリエチレンナフタレート）などの基板部材上に鉄、
コバルト、ニッケル等の強磁性金属を蒸着させたもので
あり、実行磁束密度Ｂｍ、保磁力Ｈｃ、角型比ＳＱが大
きく、また短波長領域における電磁変換特性に優れ、さ
らに形成される磁性層を薄くすることができるために記
録減磁や再生時の厚み損失を効果的に低減でき、さらに
また塗布型の磁気テープのように添加剤やバインダなど
の介在物を含有していないために磁性材料の充填密度を
高めるなどの特長がある。
として蒸着テープが開発されて、Ｈｉ８ＭＥテープとし
て実用化されている。この蒸着テープは高真空雰囲気中
で、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ
（ポリエチレンナフタレート）などの基板部材上に鉄、
コバルト、ニッケル等の強磁性金属を蒸着させたもので
あり、実行磁束密度Ｂｍ、保磁力Ｈｃ、角型比ＳＱが大
きく、また短波長領域における電磁変換特性に優れ、さ
らに形成される磁性層を薄くすることができるために記
録減磁や再生時の厚み損失を効果的に低減でき、さらに
また塗布型の磁気テープのように添加剤やバインダなど
の介在物を含有していないために磁性材料の充填密度を
高めるなどの特長がある。
【０００４】そしてこの蒸着テープを製造する方法は通
常、るつぼに収容された鉄、コバルト、ニッケル等の強
磁性金属やこれらの合金である蒸着材料を電子ビーム等
の加熱手段によって加熱蒸発させ、この蒸着材料の蒸発
粒子を、円筒状の冷却キャンの周壁に沿わせて搬送され
るＰＥＴやＰＥＮなどの高分子フイルム（基板部材）に
蒸着することによって行なわれている。
常、るつぼに収容された鉄、コバルト、ニッケル等の強
磁性金属やこれらの合金である蒸着材料を電子ビーム等
の加熱手段によって加熱蒸発させ、この蒸着材料の蒸発
粒子を、円筒状の冷却キャンの周壁に沿わせて搬送され
るＰＥＴやＰＥＮなどの高分子フイルム（基板部材）に
蒸着することによって行なわれている。
【０００５】ところで蒸着テープの電磁変換特性におい
て保磁力Ｈｃをさらに向上させることは、特に再生信号
出力を増大させるために重要な課題である。
て保磁力Ｈｃをさらに向上させることは、特に再生信号
出力を増大させるために重要な課題である。
【０００６】そこで上述の蒸着方法において蒸発材料を
高分子フイルムに蒸着する際に、この高分子フイルムの
蒸着部近傍にＯ2 等の反応性ガスを吹き付けつつ、蒸着
を行なうことにより、蒸着によって形成されたコバルト
−ニッケル合金等の磁性層の表面に酸化膜を形成させ、
それによって保磁力Ｈｃを向上させる技術が開発されて
いる（例えば特開昭57-88531号公報参照）。
高分子フイルムに蒸着する際に、この高分子フイルムの
蒸着部近傍にＯ2 等の反応性ガスを吹き付けつつ、蒸着
を行なうことにより、蒸着によって形成されたコバルト
−ニッケル合金等の磁性層の表面に酸化膜を形成させ、
それによって保磁力Ｈｃを向上させる技術が開発されて
いる（例えば特開昭57-88531号公報参照）。
【０００７】しかし上記のような蒸着により製造された
磁気記録媒体は、その長手方向の保磁力の変動が大きい
という問題がある。この保磁力の変動は具体的には、蒸
着し始めにおいて保磁力が著しく小さく、蒸着が進むに
つれてに増加し、やがてある一定の値にサチレートする
というものである。
磁気記録媒体は、その長手方向の保磁力の変動が大きい
という問題がある。この保磁力の変動は具体的には、蒸
着し始めにおいて保磁力が著しく小さく、蒸着が進むに
つれてに増加し、やがてある一定の値にサチレートする
というものである。
【０００８】そこでこの問題を解決するために、種々の
提案がなされている。例えば特開昭58-45625号、特公平
4-30644 号公報によれば、蒸着材料が高分子フイルムに
蒸着する際に、蒸着材料の入射角を制限する入射角規制
部材の端面から上記Ｏ2 ガスを蒸着部に吹き付け、この
Ｏ2 ガスの吹き付け角度や高分子フイルムとの距離およ
び角度を最適化して、上記長手方向の保磁力の変動を低
減させるものである。
提案がなされている。例えば特開昭58-45625号、特公平
4-30644 号公報によれば、蒸着材料が高分子フイルムに
蒸着する際に、蒸着材料の入射角を制限する入射角規制
部材の端面から上記Ｏ2 ガスを蒸着部に吹き付け、この
Ｏ2 ガスの吹き付け角度や高分子フイルムとの距離およ
び角度を最適化して、上記長手方向の保磁力の変動を低
減させるものである。
【０００９】また特開昭60-69834号公報に開示されてい
る技術は、上記反応性ガスを吹き付けて保磁力Ｈｃを向
上させる蒸着方法において、反応性ガスと蒸着材料との
酸化反応量を検出し、この反応量に応じて基板部材の搬
送スピードや反応性ガスの供給量をコントロールして形
成される蒸着膜の膜厚を均一化させることによって、保
磁力の変動を低減させるものである。
る技術は、上記反応性ガスを吹き付けて保磁力Ｈｃを向
上させる蒸着方法において、反応性ガスと蒸着材料との
酸化反応量を検出し、この反応量に応じて基板部材の搬
送スピードや反応性ガスの供給量をコントロールして形
成される蒸着膜の膜厚を均一化させることによって、保
磁力の変動を低減させるものである。
【００１０】さらに特開昭64-57424号公報によれば、高
真空雰囲気中における残留ガスの１つとしてＨ2 Ｏガス
を積極的に導入することによって、保磁力の向上を図る
試みがある。
真空雰囲気中における残留ガスの１つとしてＨ2 Ｏガス
を積極的に導入することによって、保磁力の向上を図る
試みがある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで磁気記録媒体
の製造は量産性の観点から、上記基板部材を幅方向およ
び長手方向に長大化させ、１回の蒸着で大量の磁気記録
媒体を得ることが望ましく、例えば幅300mm 以上、長さ
2000m 以上の基板部材に対して蒸着を行うことが生産過
程では一般的である。このような長大な基板部材に対し
て上記蒸着を行なおうとすれば、蒸着材料を加熱する際
に、蒸着材料を収容するるつぼおよび加熱された蒸着室
壁面等から大量の放出ガス（具体的には主としてＨ2 Ｏ
ガス）が発生し、上述の反応性ガスの吹き付けを適切に
コントロールすることはできず、上記長手方向の保磁力
の変動を低減させることはできない。
の製造は量産性の観点から、上記基板部材を幅方向およ
び長手方向に長大化させ、１回の蒸着で大量の磁気記録
媒体を得ることが望ましく、例えば幅300mm 以上、長さ
2000m 以上の基板部材に対して蒸着を行うことが生産過
程では一般的である。このような長大な基板部材に対し
て上記蒸着を行なおうとすれば、蒸着材料を加熱する際
に、蒸着材料を収容するるつぼおよび加熱された蒸着室
壁面等から大量の放出ガス（具体的には主としてＨ2 Ｏ
ガス）が発生し、上述の反応性ガスの吹き付けを適切に
コントロールすることはできず、上記長手方向の保磁力
の変動を低減させることはできない。
【００１２】また蒸着作用において高真空雰囲気中にお
ける残留ガスは、通常Ｈ2 ＯガスおよびＨ2 Ｏより分解
生成したＨ2 ガスが最大分圧を示すことが知られてお
り、このＨ2 Ｏが蒸着膜中に取り込まれることによっ
て、この蒸着膜の保磁力の低下を招くと考えられる。ま
た保磁力を向上させるうえでＨ2 Ｏガスの存在を全く考
慮しない、上記反応性ガスの供給量をコントロールする
方法は、Ｈ2 Ｏガスの影響を排除することができず上記
課題を解決することはできない。
ける残留ガスは、通常Ｈ2 ＯガスおよびＨ2 Ｏより分解
生成したＨ2 ガスが最大分圧を示すことが知られてお
り、このＨ2 Ｏが蒸着膜中に取り込まれることによっ
て、この蒸着膜の保磁力の低下を招くと考えられる。ま
た保磁力を向上させるうえでＨ2 Ｏガスの存在を全く考
慮しない、上記反応性ガスの供給量をコントロールする
方法は、Ｈ2 Ｏガスの影響を排除することができず上記
課題を解決することはできない。
【００１３】本発明の目的は上記事情に鑑みなされたも
のであって、生産過程で使用される長大な基板部材に対
しても適用可能な、保磁力の変動の少ない蒸着膜を形成
させることのできる磁気記録媒体の製造方法を提供する
ことにある。
のであって、生産過程で使用される長大な基板部材に対
しても適用可能な、保磁力の変動の少ない蒸着膜を形成
させることのできる磁気記録媒体の製造方法を提供する
ことにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の磁気記録
媒体の製造方法は、高真空雰囲気中で、るつぼに収容さ
れた蒸着材料を加熱蒸発させるのに先立って、るつぼを
直接加熱してこのるつぼに吸着されているＨ2 Ｏを予め
蒸発させ、加熱後のＨ2 Ｏの分圧Ｐ2 (H2 O)が減少に転
じて上記加熱の直前のＨ2 Ｏの分圧Ｐ1 (H2 O)と上記加
熱後のＨ2 Ｏの分圧Ｐ2 (H2 O)との比Ｐ1 (H2 O)／Ｐ2
(H2 O)が0.5 以上になった後に、上記蒸着材料を加熱蒸
発させることを特徴とするものである。
媒体の製造方法は、高真空雰囲気中で、るつぼに収容さ
れた蒸着材料を加熱蒸発させるのに先立って、るつぼを
直接加熱してこのるつぼに吸着されているＨ2 Ｏを予め
蒸発させ、加熱後のＨ2 Ｏの分圧Ｐ2 (H2 O)が減少に転
じて上記加熱の直前のＨ2 Ｏの分圧Ｐ1 (H2 O)と上記加
熱後のＨ2 Ｏの分圧Ｐ2 (H2 O)との比Ｐ1 (H2 O)／Ｐ2
(H2 O)が0.5 以上になった後に、上記蒸着材料を加熱蒸
発させることを特徴とするものである。
【００１５】また本発明の第２の磁気記録媒体の製造方
法は、上記第１の磁気記録媒体の製造方法における上記
るつぼの加熱を、温度 700度以上1200度以下で１時間以
上６時間以下の条件で行なうことを特徴とするものであ
る。
法は、上記第１の磁気記録媒体の製造方法における上記
るつぼの加熱を、温度 700度以上1200度以下で１時間以
上６時間以下の条件で行なうことを特徴とするものであ
る。
【００１６】上記Ｈ2 Ｏガスの分圧とは、蒸着室内の高
真空雰囲気を全圧Ｐ0 としたときの、全圧Ｐ0 における
Ｈ2 Ｏガスの圧力をいう。
真空雰囲気を全圧Ｐ0 としたときの、全圧Ｐ0 における
Ｈ2 Ｏガスの圧力をいう。
【００１７】また上記反応性ガスとは、特開昭64-57424
号公報に開示されている、酸素等を意味する。
号公報に開示されている、酸素等を意味する。
【００１８】さらに上記高真空雰囲気中とは概ね１×10
-3〜１×10-7Torrの圧力範囲の真空状態を意味する。
-3〜１×10-7Torrの圧力範囲の真空状態を意味する。
【００１９】
【作用および発明の効果】蒸着による磁気記録媒体の製
造方法によれば、るつぼに収容された蒸着材料を電子ビ
ーム等の加熱手段により加熱し、蒸発材料の温度が上昇
してこの材料が溶融を開始するまでの間に、これを収容
するるつぼの温度も上昇してるつぼに吸着されていた水
（Ｈ2 Ｏ）が蒸発を開始し、それにより高真空雰囲気中
のＨ2 Ｏガス分圧が上昇し始める。また加熱された材料
およびるつぼ周辺の蒸着室壁面や蒸発源回りに存在する
部材は蒸発材料の付着あるいは輻射熱の作用によって同
様に温度上昇をきたし、表面に吸着していた成分等のガ
スを放出する。このＨ2 Ｏガス分圧の上昇は、上述した
ように蒸着により形成される蒸着膜に取り込まれてこの
蒸着膜の保磁力を低下させる。
造方法によれば、るつぼに収容された蒸着材料を電子ビ
ーム等の加熱手段により加熱し、蒸発材料の温度が上昇
してこの材料が溶融を開始するまでの間に、これを収容
するるつぼの温度も上昇してるつぼに吸着されていた水
（Ｈ2 Ｏ）が蒸発を開始し、それにより高真空雰囲気中
のＨ2 Ｏガス分圧が上昇し始める。また加熱された材料
およびるつぼ周辺の蒸着室壁面や蒸発源回りに存在する
部材は蒸発材料の付着あるいは輻射熱の作用によって同
様に温度上昇をきたし、表面に吸着していた成分等のガ
スを放出する。このＨ2 Ｏガス分圧の上昇は、上述した
ように蒸着により形成される蒸着膜に取り込まれてこの
蒸着膜の保磁力を低下させる。
【００２０】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、蒸着
材料を加熱する以前にるつぼを加熱し、このるつぼに吸
着されている水分（Ｈ2 Ｏ）を予め蒸発させてＨ2 Ｏガ
ス分圧を上昇させる。そしてこの高められたＨ2 Ｏガス
分圧はポンプ等の排気手段により常に排気され続ける。
一方上記るつぼに吸着されているＨ2 Ｏは有限であるた
め、上記排気によりチャンバ内の上昇したＨ2 Ｏガス分
圧はあるピークをすぎた後に減少に転じ、その後、るつ
ぼを加熱する直前のＨ2 Ｏの分圧Ｐ1 (H2 O)とこの加熱
後のＨ2 Ｏの分圧Ｐ2 (H2 O)との比Ｐ1 (H2 O)／Ｐ2 (H
2 O)が0.5 以上の範囲で、蒸着材料を加熱蒸発させて基
板部材に蒸着させる。
材料を加熱する以前にるつぼを加熱し、このるつぼに吸
着されている水分（Ｈ2 Ｏ）を予め蒸発させてＨ2 Ｏガ
ス分圧を上昇させる。そしてこの高められたＨ2 Ｏガス
分圧はポンプ等の排気手段により常に排気され続ける。
一方上記るつぼに吸着されているＨ2 Ｏは有限であるた
め、上記排気によりチャンバ内の上昇したＨ2 Ｏガス分
圧はあるピークをすぎた後に減少に転じ、その後、るつ
ぼを加熱する直前のＨ2 Ｏの分圧Ｐ1 (H2 O)とこの加熱
後のＨ2 Ｏの分圧Ｐ2 (H2 O)との比Ｐ1 (H2 O)／Ｐ2 (H
2 O)が0.5 以上の範囲で、蒸着材料を加熱蒸発させて基
板部材に蒸着させる。
【００２１】蒸着材料の加熱に伴って材料表面に付着し
ていた不純物は蒸発され、るつぼ周辺の蒸着室壁面、蒸
発源回りに存在する部材は蒸着材料の付着あるいは輻射
熱の作用によって温度上昇し表面に吸着していたＨ2 Ｏ
成分等のガスを放出する。一方るつぼ本体も材料の加熱
に伴って温度上昇するが、このるつぼ本体は前述の蒸発
材料を加熱する以前に予め十分に加熱されて脱ガスを終
了しているため、その後の材料溶解に伴う放出ガス量は
極めて少ない。したがって材料溶解工程において発生す
るＨ2 Ｏ成分分圧の上昇は主に前記蒸発材料表面および
るつぼ周辺からの脱ガスに限られるため、この材料溶解
工程の早い段階でＨ2 Ｏ成分が減少し、この蒸着膜の初
期的な保磁力低下を防止し、全体として保磁力の変動の
少ない蒸着膜を形成させる。
ていた不純物は蒸発され、るつぼ周辺の蒸着室壁面、蒸
発源回りに存在する部材は蒸着材料の付着あるいは輻射
熱の作用によって温度上昇し表面に吸着していたＨ2 Ｏ
成分等のガスを放出する。一方るつぼ本体も材料の加熱
に伴って温度上昇するが、このるつぼ本体は前述の蒸発
材料を加熱する以前に予め十分に加熱されて脱ガスを終
了しているため、その後の材料溶解に伴う放出ガス量は
極めて少ない。したがって材料溶解工程において発生す
るＨ2 Ｏ成分分圧の上昇は主に前記蒸発材料表面および
るつぼ周辺からの脱ガスに限られるため、この材料溶解
工程の早い段階でＨ2 Ｏ成分が減少し、この蒸着膜の初
期的な保磁力低下を防止し、全体として保磁力の変動の
少ない蒸着膜を形成させる。
【００２２】上述のように本発明の磁気記録媒体の製造
方法によれば、生産過程で使用される長大な基板部材に
対しても、保磁力の変動の少ない蒸着膜を形成させるこ
とができる。
方法によれば、生産過程で使用される長大な基板部材に
対しても、保磁力の変動の少ない蒸着膜を形成させるこ
とができる。
【００２３】なお上記ガス分圧の比Ｐ1 (H2 O)／Ｐ2 (H
2 O)が0.5 未満の状態で蒸発材料の加熱蒸発を開始する
と、るつぼに吸着しているＨ2 Ｏ成分が十分に脱し切れ
ず、蒸発材料の溶解過程において再びＨ2 Ｏ成分の放出
が始まるため、形成される蒸着膜中にＨ2 Ｏ成分が取り
込まれて、この蒸着膜の保磁力の変動を顕著に低減させ
る効果が認められない。
2 O)が0.5 未満の状態で蒸発材料の加熱蒸発を開始する
と、るつぼに吸着しているＨ2 Ｏ成分が十分に脱し切れ
ず、蒸発材料の溶解過程において再びＨ2 Ｏ成分の放出
が始まるため、形成される蒸着膜中にＨ2 Ｏ成分が取り
込まれて、この蒸着膜の保磁力の変動を顕著に低減させ
る効果が認められない。
【００２４】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の具体的な実施例
について説明する。
について説明する。
【００２５】図１は本発明にかかる磁気記録媒体の製造
方法を実施する製造装置の一例を示す概略構成図であ
る。図示の製造装置１は、図示されないクライオポンプ
によって真空度1.0 ×10-4Torr以下の高真空状態まで排
気されたチャンバ11内に、巻出ロール６に巻き付けられ
たＰＥＴからなる帯状のベースフイルム10a をパスロー
ル15a,15b を介して懸架し、矢印方向に搬送する冷却キ
ャン２、この冷却キャン２の下方に設けられたコバルト
（融点1494℃）とニッケル（同1455℃）との合金Ｃｏ80
Ｎｉ20などの蒸着材料３を収容したマグネシア等により
形成されたるつぼ９、このるつぼ９の外周に配置され、
該るつぼ９を700 ℃〜1200℃まで加熱しうる出力のヒー
タ13、上記蒸着材料３を加熱蒸発させる電子ビーム５を
射出する電子銃４を具備している。さらに、冷却キャン
２の周壁に沿って懸架された上記ベースフイルム10a に
対する、蒸着材料３が蒸発された蒸発粒子3aの入射角を
規制する最小入射角規制部材8aおよび最大入射角規制部
材8bと、この最小入射角規制部材8aと冷却キャン２との
間に設けられ、所定流量の酸素ガス（以下Ｏ2 ガスとい
う）を、蒸発粒子3aがベースフイルム10a に蒸着するベ
ースフイルム10a に吹き付ける下流側酸素ガス供給管12
a と、最大入射角規制部材8bと冷却キャン２との間に設
けられ上記下流側酸素ガス供給手段12a と同様にＯ2 ガ
スを吹き付ける上流側酸素ガス供給手段12b と、このチ
ャンバ11内に存するＨ2 Ｏガスの分圧および全圧を計測
する分圧計測手段14とを備えている。
方法を実施する製造装置の一例を示す概略構成図であ
る。図示の製造装置１は、図示されないクライオポンプ
によって真空度1.0 ×10-4Torr以下の高真空状態まで排
気されたチャンバ11内に、巻出ロール６に巻き付けられ
たＰＥＴからなる帯状のベースフイルム10a をパスロー
ル15a,15b を介して懸架し、矢印方向に搬送する冷却キ
ャン２、この冷却キャン２の下方に設けられたコバルト
（融点1494℃）とニッケル（同1455℃）との合金Ｃｏ80
Ｎｉ20などの蒸着材料３を収容したマグネシア等により
形成されたるつぼ９、このるつぼ９の外周に配置され、
該るつぼ９を700 ℃〜1200℃まで加熱しうる出力のヒー
タ13、上記蒸着材料３を加熱蒸発させる電子ビーム５を
射出する電子銃４を具備している。さらに、冷却キャン
２の周壁に沿って懸架された上記ベースフイルム10a に
対する、蒸着材料３が蒸発された蒸発粒子3aの入射角を
規制する最小入射角規制部材8aおよび最大入射角規制部
材8bと、この最小入射角規制部材8aと冷却キャン２との
間に設けられ、所定流量の酸素ガス（以下Ｏ2 ガスとい
う）を、蒸発粒子3aがベースフイルム10a に蒸着するベ
ースフイルム10a に吹き付ける下流側酸素ガス供給管12
a と、最大入射角規制部材8bと冷却キャン２との間に設
けられ上記下流側酸素ガス供給手段12a と同様にＯ2 ガ
スを吹き付ける上流側酸素ガス供給手段12b と、このチ
ャンバ11内に存するＨ2 Ｏガスの分圧および全圧を計測
する分圧計測手段14とを備えている。
【００２６】次に本実施例の作用について説明する。
【００２７】図２はチャンバ11内のＨ2 Ｏガスの分圧の
変動を示すグラフである。
変動を示すグラフである。
【００２８】チャンバ11内は図示されないクライオポン
プにより内部の空気が排気され１×10-4Torr程度の高真
空状態にされる。次いで蒸着材料３を収容したるつぼ９
をヒータ13により800 〜900 ℃まで加熱する。るつぼ９
は通常吸水性の高いマグネシアにより形成されているた
め、このヒータ13による加熱によって、このるつぼ９に
吸着されている水（Ｈ2 Ｏ）が蒸発されて、図２に示す
ようにチャンバ11内のＨ2 Ｏガス分圧Ｐ(H2 O)が上昇す
る。しかしこのチャンバ11内は上記クライオポンプによ
り常に排気されているため、るつぼ９を加熱することに
よって増大したＨ2 Ｏガスも排気されて、やがてその分
圧Ｐ(H2 O)も減少に転じる。
プにより内部の空気が排気され１×10-4Torr程度の高真
空状態にされる。次いで蒸着材料３を収容したるつぼ９
をヒータ13により800 〜900 ℃まで加熱する。るつぼ９
は通常吸水性の高いマグネシアにより形成されているた
め、このヒータ13による加熱によって、このるつぼ９に
吸着されている水（Ｈ2 Ｏ）が蒸発されて、図２に示す
ようにチャンバ11内のＨ2 Ｏガス分圧Ｐ(H2 O)が上昇す
る。しかしこのチャンバ11内は上記クライオポンプによ
り常に排気されているため、るつぼ９を加熱することに
よって増大したＨ2 Ｏガスも排気されて、やがてその分
圧Ｐ(H2 O)も減少に転じる。
【００２９】ここで前述のＨ2 Ｏガス分圧において、ヒ
ータ13によりるつぼを加熱する直前の分圧値をＰ1 (H2
O)、ヒータ13によりるつぼを加熱してＨ2 Ｏ成分を放出
し、これと同時にクライオポンプによって排気されてＨ
2 Ｏガス分圧値が減少しつつある時の分圧値をＰ2 (H2
O)とすると、これらの比Ｐ1 (H2 O)／Ｐ2 (H2 O)が0.5
以上の範囲の値になったのち、ヒータ13によるるつぼ９
の加熱を終了する。
ータ13によりるつぼを加熱する直前の分圧値をＰ1 (H2
O)、ヒータ13によりるつぼを加熱してＨ2 Ｏ成分を放出
し、これと同時にクライオポンプによって排気されてＨ
2 Ｏガス分圧値が減少しつつある時の分圧値をＰ2 (H2
O)とすると、これらの比Ｐ1 (H2 O)／Ｐ2 (H2 O)が0.5
以上の範囲の値になったのち、ヒータ13によるるつぼ９
の加熱を終了する。
【００３０】次いで電子銃４から電子ビーム５が射出さ
れ、るつぼ９に収容された蒸着材料３を加熱溶解させ
る。この加熱溶解された蒸着材料３は表層から蒸発を開
始し、蒸発粒子3aとして飛翔し、最小入射角規制部材8a
と最大入射角規制部材8bとの間の空間を通過して前記酸
素ガス供給管12a,12b から吹き出された酸素と反応しつ
つ冷却キャン２の周壁上を矢印方向に搬送されるベース
フイルム10a 上に堆積して、保磁力の変動の少ないＣｏ
・Ｎｉ・Ｏの蒸着膜10b を形成する。
れ、るつぼ９に収容された蒸着材料３を加熱溶解させ
る。この加熱溶解された蒸着材料３は表層から蒸発を開
始し、蒸発粒子3aとして飛翔し、最小入射角規制部材8a
と最大入射角規制部材8bとの間の空間を通過して前記酸
素ガス供給管12a,12b から吹き出された酸素と反応しつ
つ冷却キャン２の周壁上を矢印方向に搬送されるベース
フイルム10a 上に堆積して、保磁力の変動の少ないＣｏ
・Ｎｉ・Ｏの蒸着膜10b を形成する。
【００３１】すなわち、るつぼ９は、蒸発材料３を加熱
する以前に予め十分に加熱されて脱ガスを終了している
ため、その後の材料溶解に伴う放出ガス量は極めて少な
く、したがって材料溶解工程において発生するＨ2 Ｏ成
分分圧の上昇は主に蒸発材料３表面およびるつぼ９周辺
からの脱ガスに限られるため、この材料溶解工程の早い
段階でＨ2 Ｏ成分が減少して蒸着の初期からチャンバ11
内のＨ2 Ｏガス分圧Ｐ(H2 O)は低く抑えられるため、こ
の雰囲気中で形成される蒸着膜10b は長手方向の初期の
部分から高保磁力を有するように形成される。またこの
蒸着膜10b はＨ2 Ｏガス分圧Ｐ(H2 O)の変動の少ない雰
囲気中で形成されるため、長手方向における最初の部分
からＨ2 Ｏの含有量が少ない、すなわち保磁力が高く、
かつ長手方向のＨ2 Ｏの含有量の変動もわずかな上昇・
下降にすぎず（図２参照）、すなわち保磁力の変動の度
合いが非常に少ないものである。
する以前に予め十分に加熱されて脱ガスを終了している
ため、その後の材料溶解に伴う放出ガス量は極めて少な
く、したがって材料溶解工程において発生するＨ2 Ｏ成
分分圧の上昇は主に蒸発材料３表面およびるつぼ９周辺
からの脱ガスに限られるため、この材料溶解工程の早い
段階でＨ2 Ｏ成分が減少して蒸着の初期からチャンバ11
内のＨ2 Ｏガス分圧Ｐ(H2 O)は低く抑えられるため、こ
の雰囲気中で形成される蒸着膜10b は長手方向の初期の
部分から高保磁力を有するように形成される。またこの
蒸着膜10b はＨ2 Ｏガス分圧Ｐ(H2 O)の変動の少ない雰
囲気中で形成されるため、長手方向における最初の部分
からＨ2 Ｏの含有量が少ない、すなわち保磁力が高く、
かつ長手方向のＨ2 Ｏの含有量の変動もわずかな上昇・
下降にすぎず（図２参照）、すなわち保磁力の変動の度
合いが非常に少ないものである。
【００３２】また従来の方法のように反応性ガスの吹き
付け方法を特別なものとする必要がないため、基板部材
の大きさに拘らず、保磁力の変動を低減させることがで
きる。
付け方法を特別なものとする必要がないため、基板部材
の大きさに拘らず、保磁力の変動を低減させることがで
きる。
【００３３】以下、本実施例の装置１による具体的な実
験結果を示す。
験結果を示す。
【００３４】本実験はチャンバ内の真空度が1.0 ×104
Torr以下の状態において、幅300mm、厚さ10μｍのＰＥ
Ｔフイルムを、搬送スピード60ｍ/min、半径800mm 、温
度-25 ℃に維持された冷却キャンの周壁に沿わせて搬送
させた。またＰＥＴフイルムに蒸着させる蒸着材料３と
してＣｏ80Ｎｉ20合金を用い、この蒸着材料を収容する
るつぼを予め800 〜900 ℃に加熱し、さらにＰＥＴフイ
ルムの搬送される下流側から導入する酸素量を800cc/mi
n とした。
Torr以下の状態において、幅300mm、厚さ10μｍのＰＥ
Ｔフイルムを、搬送スピード60ｍ/min、半径800mm 、温
度-25 ℃に維持された冷却キャンの周壁に沿わせて搬送
させた。またＰＥＴフイルムに蒸着させる蒸着材料３と
してＣｏ80Ｎｉ20合金を用い、この蒸着材料を収容する
るつぼを予め800 〜900 ℃に加熱し、さらにＰＥＴフイ
ルムの搬送される下流側から導入する酸素量を800cc/mi
n とした。
【００３５】そして四重極質量分析計により計測された
るつぼ加熱後のＨ2 Ｏガス分圧Ｐ2(H2 O)が減少に転
じ、るつぼ加熱直前のＨ2 Ｏガス分圧Ｐ1 (H2 O)との比
Ｐ1 (H2 O)／Ｐ2 (H2 O)が0.5 以上となった後に出力80
ｋＷの電子ビームにより蒸着材料を加熱蒸発させて蒸着
を行なった。
るつぼ加熱後のＨ2 Ｏガス分圧Ｐ2(H2 O)が減少に転
じ、るつぼ加熱直前のＨ2 Ｏガス分圧Ｐ1 (H2 O)との比
Ｐ1 (H2 O)／Ｐ2 (H2 O)が0.5 以上となった後に出力80
ｋＷの電子ビームにより蒸着材料を加熱蒸発させて蒸着
を行なった。
【００３６】また本実験例の比較例としてるつぼの加熱
およびガス分圧の計測を除く上記実験と同一条件で蒸着
を行ない、両者の蒸着膜の長手方向の保磁力の変動率に
よって評価を行なった。
およびガス分圧の計測を除く上記実験と同一条件で蒸着
を行ない、両者の蒸着膜の長手方向の保磁力の変動率に
よって評価を行なった。
【００３７】実験結果を下表１に示す。
【００３８】
【表１】
【００３９】上記のとおり本発明の磁気記録媒体の製造
方法により製造された磁気記録テープ（実験No.1）は従
来の製造方法により製造された磁気記録テープ（実験N
o.2）に対して長手方向の保磁力の変動の度合いが少な
い磁気記録テープを製造し得ることが示された。
方法により製造された磁気記録テープ（実験No.1）は従
来の製造方法により製造された磁気記録テープ（実験N
o.2）に対して長手方向の保磁力の変動の度合いが少な
い磁気記録テープを製造し得ることが示された。
【図１】本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法を実施
する製造装置の一例を示す概略構成図
する製造装置の一例を示す概略構成図
【図２】図１に示したチャンバ内のＨ2 Ｏ分圧変動を示
すグラフ
すグラフ
１ 蒸着装置 ２ 冷却キャン ３ 蒸着材料 3a 蒸発粒子 ４ 電子銃 ５ 電子ビーム 8a 最小入射角規制部材 8b 最大入射角規制部材 ９ るつぼ 10a ベースフイルム 10b 蒸着膜 11 チャンバ 12a,12b 酸素ガス供給手段 13 ヒータ 14 分圧計測手段 15a,15b パスローラ
Claims (2)
- 【請求項１】 高真空雰囲気中で、るつぼに収容された
蒸着材料を加熱蒸発させ、該加熱蒸発された蒸着材料の
蒸発粒子を、円筒状の冷却キャンの周壁に沿わせて搬送
される帯状の基板部材に、反応性ガスを吹き付けつつ連
続的に蒸着する磁気記録媒体の製造方法において、 前記蒸着材料を加熱蒸発させるのに先立って、前記るつ
ぼを加熱して該るつぼに吸着されているＨ2 Ｏを予め蒸
発させ、加熱後のＨ2 Ｏの分圧Ｐ2 (H2 O)が減少に転じ
て前記加熱の直前のＨ2 Ｏの分圧Ｐ1 (H2 O)と前記加熱
後のＨ2 Ｏの分圧Ｐ2 (H2 O)との比Ｐ1 (H2 O)／Ｐ2 (H
2 O)が0.5 以上になった後に、前記蒸着材料を加熱蒸発
させることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 前記るつぼを温度 700度以上1200度以下
で１時間以上６時間以下加熱することを特徴とする請求
項１記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34406092A JPH0714161A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34406092A JPH0714161A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714161A true JPH0714161A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=18366346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34406092A Withdrawn JPH0714161A (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714161A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009287087A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空成膜装置 |
| JP2009287089A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空成膜装置 |
-
1992
- 1992-12-24 JP JP34406092A patent/JPH0714161A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009287087A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空成膜装置 |
| JP2009287089A (ja) * | 2008-05-29 | 2009-12-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空成膜装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |