JPS63241723A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体の製造方法

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Publication number
JPS63241723A
JPS63241723A JP7659087A JP7659087A JPS63241723A JP S63241723 A JPS63241723 A JP S63241723A JP 7659087 A JP7659087 A JP 7659087A JP 7659087 A JP7659087 A JP 7659087A JP S63241723 A JPS63241723 A JP S63241723A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
magnetic
iron nitride
iron
vessel
Prior art date
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Pending
Application number
JP7659087A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Yasunaga
正 安永
Akio Yanai
矢内 明郎
Koji Sasazawa
笹沢 幸司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP7659087A priority Critical patent/JPS63241723A/ja
Publication of JPS63241723A publication Critical patent/JPS63241723A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関する。特に
本発FiAFi装置的に簡便であシ、かつ生産性に優れ
た窒化鉄薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
磁気記録媒体としては強磁性粉末を結合剤中に分散した
磁性層を有するいわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く用
いられているが、近年高密度化記録への要求の高まυと
共に真空蒸着、スパッタリング等によるCo、Ni、F
e等の合金の薄膜型磁性層を有する磁気記録媒体が注目
されはじめている。これらの薄膜型磁気記録媒体は、高
密度化のための超薄層化が可能と云う利点があるが、耐
蝕性が悪く、長時間保存、使用すると錆が生ずるという
欠点があった。
この欠点を除く1つの試みとして、最近、窒化鉄(Fe
xN:χは2〜.r)磁性薄膜を形成した磁気記録媒体
が提案されている。
(例えば、特開昭60−234//J号公報)〔本発明
が解決しようとする問題点〕 上記の窒化鉄磁性膜を有する磁気記録媒体は良好な磁気
特性を有すると同時に耐蝕性にも優れ、高密度磁気記録
媒体として適している。
窒化鉄磁性膜の製造方法としては例えば特開昭to−2
34//J、特開昭JO−2J弘りtコ等に開示された
反応性イオンブレーティングの方法、特開昭40−21
02を等に開示されたイオン銃を使用する方法、特開昭
A/−j弘032に開示された高周波放電イオン化とイ
オン銃を組合わせた方法、あるいはまた特開昭67−!
≠0弘OVc開示された中空陰極によるイオン化の方法
等が知られている。しかし、これらの方法は、あるもの
は成膜時の圧力が高く膜質が劣化し、あるいは、あるも
のは複雑な装置を必要とし、装置の安定運転といった面
からも不利である、といった種々の問題点を有していた
したがって、本発明は簡便で生産性にすぐれる。
磁気特性の良好な磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とにある。
〔問題点を解決するための手段〕
前記問題点は下記手段により解決される。
すなわち、本発明は非磁性基体上に鉄を主成分とする磁
性材料蒸気流と、窒素イオンを主成分とするイオンビー
ムとを差し向け、窒化鉄磁性薄膜を該非磁性基体上に作
成する磁気記録媒体の製造方法において、該磁性材料を
高周波誘導加熱法によシ加熱蒸発せしめることを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法、に関する。ここで特K、
上記窒素イオンを主成分とするイオンビームはイオン銃
により発生せしめることが好ましい。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明で用いる基体の素材としては、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンλ、6−ナフタレートなどの
ポリエステル類;ポリエチレン、ポリプロピレンなどの
ポリオレフィン類、セルローストリアセテートなどのセ
ルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリ
アミドイミドなどのプラスチック、等がある。
本発明で使用される真空蒸着装置は例えば第1図に示す
ごときものである。これは、λ室構成の巻取υ式真空蒸
着装置であシ、上室コと蒸着室3に分離されている。非
磁性基体!は送り出しロール≠より冷却ドラム12の外
周に沿って搬送され、その表面に薄膜が形成された後1
巻き取シロールぶに巻き取られる。この間ルツボ10内
に収納すれた純Fe、)’eCo、FeCoNi、pe
Ni等の銃を主成分とする磁性材料は加熱蒸発せしめら
れ基体に差し向けられる。この際、防着マスク//I/
Cより入射角が限定される。これと同時にこの装置の場
合真空槽外側に7ランジを介して取シ付けられたイオン
銃7に窒素を主成分とするガスを導入作動せしめ、窒素
イオンを主成分とするイオンビームを基体上に同時に差
し向け、窒化鉄磁性薄膜を形成する。
本発明において、上記磁性材料の加熱蒸発は高周波誘導
加熱法により行なわれる。高周波誘導加熱法は酸化マグ
ネシウム、酸化カルシウム、酸化アルミニウム等の耐火
物で作られたルツボlO内に蒸発材料を収容し、このル
ツボ外周に巻かれた加熱コイルによシ蒸発材料を加熱溶
解せしめる。
加熱コイルへは高周波電源jより電力を供給する。
Hz これは周波数!0−200.出力容量20〜IQQKW
程度が適している。
従来金化鉄系磁性薄膜の真空蒸着法による作成にはもっ
ばら電子ビーム加熱方式が用いられてきた。電子ビーム
加熱方式は普及した実績も多い手法であり種々の利点を
有するが、窒化鉄磁性薄膜の作成に関してはイオン銃作
動による干渉のため安定性が失われる結果蒸着原反の長
手方向安定性に欠けることがしばしばみられる。本発明
者らはよってこの電子ビーム加熱方式に代えて高周波誘
導加熱方式による磁性材料蒸着を試みたところ、上記安
定性の問題が解決するのみならず電子ビーム加熱方式の
場合に比べ窒化鉄薄膜がより生産性高く成膜されうる。
蒸着方法につき更に記せばイオン銃作動によυ成膜部分
へは窒素イオン、励起分子、原子、ラジカル等が到達す
るが同時に第1図にて示したようなガス導入口/3より
N2ガス、02ガス、NH3ガスあるいは混合ガス等を
導入することができる。
窒化鉄は一般にFexN(χ:2〜r)で表わされる種
々のものが存在し例えばε−F e 2〜3N、γ−F
e4N、FegN等が知られているが蒸着条件、イオン
銃作動条件等の制御により薄膜中の組成分布、構造等を
ある程度制御することができる。
つまり本発明中で窒化鉄と呼んでいるのはより正確には
窒化鉄あるいは部分窒化した鉄あるいは窒化鉄複合体と
も呼ぶべきものであるが簡便のために窒化鉄と呼んでい
るものである。更に例えば特開昭A/−j4LO2J号
等に開示されている酸化窒化鉄をも含むものである。こ
れはイオン銃7に02ガスとN2ガスの混合ガスを導入
すること等により得られるものである。
蒸着中の真空度は1O−8Torr〜10  Torr
程度、更に窒化鉄薄膜の厚さはtoo−joo。
A程度である。
〔実施例〕
第1図に示す真空蒸着装置を用いて窒化鉄薄膜を成膜し
た。円筒状ドラムは直径≠00tx、で非磁性基体は厚
さ13μm、幅1100tのポリエチレンテレフタレー
トである。入射角を7j0としイオン銃はロ径jOfi
Oカウフマン型イオン銃であり窒素ガスを圧力が/、j
xlo−5Torrとなるまで導入した。加速電圧0 
、 j KV、イオン電流JjmAを作動条件とした。
更にガス導入口13から窒素ガスを圧力がλ、!×10
  Torrとなるまで追加導入した。以上の条件は一
定にした上でJN(タタ、り%) −Feを高周波誘導
加熱法によシ蒸着し、膜厚/!100又となるように成
膜した。この時基体の搬送スピードを種々かえて(加熱
パワーもその都度変化させる)成膜したところ、3m4
の搬送スピードでHcyzo□e以上の膜が得られた。
また、テープ各所で測定したHcも±j%以内の値を示
した。これに対し電子ビーム加熱法で同様の成膜を行な
ったところOll m10以下の搬送スピードでしかH
c7jOOe以上の膜が得られ危かった。また、テープ
各所で測定したHc値は士tr%程度のバラツキを示し
た。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば簡便な装置にて生産性良く
安定かつ均一な窒化鉄薄膜磁気記録媒体を作成しうる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に用いられる蒸着装置の一例を示す。 l:真空槽      −二上室 ≠:送υ出しロール  、t:基体 7:イオン銃     r:高周波電源10:高周波誘
導   /コニ冷却ドラム加熱ルツボ /3:ガス導入口 特許出願人 富士写真フィルム株式会社第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)非磁性基体上に鉄を主成分とする磁性材料蒸気流
    と、窒素イオンを主成分とするイオンビームを差し向け
    窒化鉄磁性薄膜を該非磁性基体上に作成する磁気記録媒
    体の製造方法において、該磁性材料を高周波誘導加熱法
    により加熱蒸発せしめることを特徴とする磁気記録媒体
    の製造方法。
JP7659087A 1987-03-30 1987-03-30 磁気記録媒体の製造方法 Pending JPS63241723A (ja)

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JP7659087A JPS63241723A (ja) 1987-03-30 1987-03-30 磁気記録媒体の製造方法

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JP7659087A Pending JPS63241723A (ja) 1987-03-30 1987-03-30 磁気記録媒体の製造方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100768548B1 (ko) 2005-01-04 2007-10-18 이곤구 고밀도 플라즈마 이온주입에 의한 표면처리 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100768548B1 (ko) 2005-01-04 2007-10-18 이곤구 고밀도 플라즈마 이온주입에 의한 표면처리 장치

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