JPS6280832A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6280832A JPS6280832A JP22077085A JP22077085A JPS6280832A JP S6280832 A JPS6280832 A JP S6280832A JP 22077085 A JP22077085 A JP 22077085A JP 22077085 A JP22077085 A JP 22077085A JP S6280832 A JPS6280832 A JP S6280832A
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- thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は量産化に適した磁気記録媒体の製造方法Ｃ：係
り、特に金属薄膜型垂直磁気記録媒体の製造（：適した
製造方法：：関するものである。
り、特に金属薄膜型垂直磁気記録媒体の製造（：適した
製造方法：：関するものである。
ｔＣ！ｌ 従来の技術
＄８図Ｃ：示すようＣｏｏ−Ｏｒ、０Ｏ−Ｏｒ−Ｒｈな
どの強磁性金属の垂直磁化膜（２）をＰＫＴフィルム等
の非磁性基板（１）上に形成して得られる垂直磁気記録
媒体は、残留磁束密度が大きく、高密度記録Ｃ二連して
いる。
どの強磁性金属の垂直磁化膜（２）をＰＫＴフィルム等
の非磁性基板（１）上に形成して得られる垂直磁気記録
媒体は、残留磁束密度が大きく、高密度記録Ｃ二連して
いる。
非磁性基板（１）上に垂直磁化膜（２）を形成する方法
としては、一般にスパッタ法または蒸着法が用いられて
いる。
としては、一般にスパッタ法または蒸着法が用いられて
いる。
例えば、スパッタ法としては対向ターゲット式高速スパ
ッタ法やマグネトロン式高速スパッタ法を応用すること
が提案されている。（雑誌応用物理第４８巻第６号５５
７〜５６１頁「新しいスパッタ膜形成技術の動向」） 第９図は、一般的な対向ターゲット式スパッタ法を利用
した磁気記録媒体製造装置の概略図である。この装置（
二おいて、！！ず真空槽（３）を十分排気した後、Ａｒ
ガスを導入し、スパッタ電源（４）によりターゲット（
５）（５１（例えばｃｏ−ａｒ合合板）に負の高電圧を
印加するとＡｒガスがイオン化してプラズマ放電が起る
。この正に帯電したＡＴイオンが前記ターゲットに衝突
すると、ターゲット表面の原子がスパッタされてキャン
ロール（６１ｃよって定速移送されるＰＥＴ等の非磁性
基板（１）上に。
ッタ法やマグネトロン式高速スパッタ法を応用すること
が提案されている。（雑誌応用物理第４８巻第６号５５
７〜５６１頁「新しいスパッタ膜形成技術の動向」） 第９図は、一般的な対向ターゲット式スパッタ法を利用
した磁気記録媒体製造装置の概略図である。この装置（
二おいて、！！ず真空槽（３）を十分排気した後、Ａｒ
ガスを導入し、スパッタ電源（４）によりターゲット（
５）（５１（例えばｃｏ−ａｒ合合板）に負の高電圧を
印加するとＡｒガスがイオン化してプラズマ放電が起る
。この正に帯電したＡＴイオンが前記ターゲットに衝突
すると、ターゲット表面の原子がスパッタされてキャン
ロール（６１ｃよって定速移送されるＰＥＴ等の非磁性
基板（１）上に。
ｃ ｏ −ｃ ｒなどの磁性膜が形成される。そしてキ
ャンロール（６）の周面の一部をマスク（９）で被覆し
。
ャンロール（６）の周面の一部をマスク（９）で被覆し
。
キャンロール（６）Ｃ纒周案内される非磁性基板（田：
対するスパッタ金属の入射角度を小さく規制すると、基
板上に垂直磁化膜が形成される。！１！９図において、
（７）は供給ロール、（８）は巻取ロール、αＱα■は
プラズマ収束用の磁石を示す。
対するスパッタ金属の入射角度を小さく規制すると、基
板上に垂直磁化膜が形成される。！１！９図において、
（７）は供給ロール、（８）は巻取ロール、αＱα■は
プラズマ収束用の磁石を示す。
このような高速スパッタ法においては、膜面（−垂直方
向の抗磁力が高く、かつ垂直対水平残留磁化比の大きい
良質な垂直磁化膜が容易感−得られるとともに、このよ
うな良質な垂直磁化膜が蒸着法に比べてかなり低い基板
温度で形成できるという利点を有する一方、成膜速度が
蒸着法より１桁以上低く、量産性（二劣る点という欠点
を余儀かくされる。
向の抗磁力が高く、かつ垂直対水平残留磁化比の大きい
良質な垂直磁化膜が容易感−得られるとともに、このよ
うな良質な垂直磁化膜が蒸着法に比べてかなり低い基板
温度で形成できるという利点を有する一方、成膜速度が
蒸着法より１桁以上低く、量産性（二劣る点という欠点
を余儀かくされる。
一方、蒸着法（二よる垂直磁化膜の形成では第１０図に
示すような連続蒸着装置！＝よる方法が提案されている
。（東北大学電気通信研究所 第１８回シンポジウム論
文集 １４９〜１５７頁「真空蒸着法によるＱＯ−Ｑｒ
垂直記録媒体」）この装置（＝おいて、まず真空槽芝十
分排気した後１図には示していないが電子ビームによシ
例えばＣｏ−０ｒ合金インゴツ）Ｕを加熱、蒸発させキ
ャンロール（６）によって定速移送される非磁性基板（
１）上にＱ ｏ −Ｑ ｒ膜が形成される。そしてキャ
ンロール（６）と蒸発＃ｒ１４との間にマスク＋１）１
を設けて非磁性基板（１）（：対する蒸発原子の入射角
度を規制することにより、基板上（二垂直磁化膜を形成
する。
示すような連続蒸着装置！＝よる方法が提案されている
。（東北大学電気通信研究所 第１８回シンポジウム論
文集 １４９〜１５７頁「真空蒸着法によるＱＯ−Ｑｒ
垂直記録媒体」）この装置（＝おいて、まず真空槽芝十
分排気した後１図には示していないが電子ビームによシ
例えばＣｏ−０ｒ合金インゴツ）Ｕを加熱、蒸発させキ
ャンロール（６）によって定速移送される非磁性基板（
１）上にＱ ｏ −Ｑ ｒ膜が形成される。そしてキャ
ンロール（６）と蒸発＃ｒ１４との間にマスク＋１）１
を設けて非磁性基板（１）（：対する蒸発原子の入射角
度を規制することにより、基板上（二垂直磁化膜を形成
する。
第１０図において（７）は供給ロール、（８）は巻取ロ
ール、（１３はルツボを示す。
ール、（１３はルツボを示す。
このような蒸着法（：おいては、特Ｃ：成膜速度が大き
く、量産性に優れているが、スパッタ法に比べて膜質が
劣り、かつ基板温度を５００℃程度ζ−かなり高くする
必要があることから基板として従来から使用されている
ＰＥＴフィルムが使えず。
く、量産性に優れているが、スパッタ法に比べて膜質が
劣り、かつ基板温度を５００℃程度ζ−かなり高くする
必要があることから基板として従来から使用されている
ＰＥＴフィルムが使えず。
高価なポリアミド、ポリイミドなどの耐熱性の良いフィ
ルムの使用が不可欠であった。
ルムの使用が不可欠であった。
このようじ蒸着法では高価な耐熱性フィルムを使用しな
ければならないとともイ：垂直磁化膜としての磁気特性
がスパッタ法による膜と比べて劣るという欠点があった
。
ければならないとともイ：垂直磁化膜としての磁気特性
がスパッタ法による膜と比べて劣るという欠点があった
。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
本発明は成膜速度が小さいというスパッタ法の問題点と
、基板を高温に保つことを不可欠とされ７、）−ともに
スパッタ＃：Ｃ二土１６岳直耕（）−荊シ７．ての磁気
特性も劣るという蒸着法の問題点とを解決した高性能な
垂直磁気記録媒体を量産性よく製造するための方法を提
供するものである。
、基板を高温に保つことを不可欠とされ７、）−ともに
スパッタ＃：Ｃ二土１６岳直耕（）−荊シ７．ての磁気
特性も劣るという蒸着法の問題点とを解決した高性能な
垂直磁気記録媒体を量産性よく製造するための方法を提
供するものである。
に）問題点を解決するための手段
定速移送されるＰＥＴ等の非磁性基板上ニー、こした状
態で１強磁性金属を極く薄くスパッタして＄１薄膜を形
成し、この第１薄膜上（ニスバッタ法以外のドライプロ
セスにより前記強磁性金属をエビタキンヤルに結晶させ
乍ら所定の膜厚となる様に第２薄膜を形成させる。
態で１強磁性金属を極く薄くスパッタして＄１薄膜を形
成し、この第１薄膜上（ニスバッタ法以外のドライプロ
セスにより前記強磁性金属をエビタキンヤルに結晶させ
乍ら所定の膜厚となる様に第２薄膜を形成させる。
犀）作 用
ＰＥＴ、ポリアミド、ポリイミドなどの非磁性基板上（
−男１薄膜を形成する際に、強磁性金属を所定の入射角
θｉ（例えば１５°）以下、基板温［Ｔ８例えば１００
℃以上でスパッタリングすること（二より垂直対水平残
留磁化比が高くかつ高抗磁力でその上（二後の工程で被
着する蒸着原子のヱビタキンヤルな結晶成長を可能とす
る第１薄阪を形成する。
−男１薄膜を形成する際に、強磁性金属を所定の入射角
θｉ（例えば１５°）以下、基板温［Ｔ８例えば１００
℃以上でスパッタリングすること（二より垂直対水平残
留磁化比が高くかつ高抗磁力でその上（二後の工程で被
着する蒸着原子のヱビタキンヤルな結晶成長を可能とす
る第１薄阪を形成する。
その後、この第１薄膜上Ｃ：強磁性金属を真空蒸着法ま
たはイオンブレーティング法等のドライプロセスによっ
て被着し、エビタキンヤルに結晶成長させて第２薄膜を
高速形成させると、高性能な垂直磁気記録媒体Σ猛産性
よく製造することができる。
たはイオンブレーティング法等のドライプロセスによっ
て被着し、エビタキンヤルに結晶成長させて第２薄膜を
高速形成させると、高性能な垂直磁気記録媒体Σ猛産性
よく製造することができる。
（へ）実施例
本発明の基礎となる実験
（１，１第９図の対向ターゲット式スパッタ装置と第１
０図の真空蒸着装置を用いて、それぞれポリアミドフィ
ルムベース上にＱ ｏ −Ｑ ｒ膜を形成した場合の基
板温度Ｔ１）（以下Ｔ８はキャンロールの表面温度を表
わす）とＧｏ−Ｏｒ膜の残留磁化比Ｍｒｌ／Ｍｒ／／お
よび垂直方向抗磁力Ｈａ上との関係を測定した。これら
の測定結果を第２因と第３図（：示す。第２図は基板温
度７日を横軸に、残留磁化比Ｍ ｒ ｌ ／ Ｍ ｒ
／を縦軸Ｃ−とって表わしたものである。また、第３図
は基板温度Ｔ９を横軸（：垂直方向抗磁力Ｈａｘを縦軸
にとって表わしたものである。
０図の真空蒸着装置を用いて、それぞれポリアミドフィ
ルムベース上にＱ ｏ −Ｑ ｒ膜を形成した場合の基
板温度Ｔ１）（以下Ｔ８はキャンロールの表面温度を表
わす）とＧｏ−Ｏｒ膜の残留磁化比Ｍｒｌ／Ｍｒ／／お
よび垂直方向抗磁力Ｈａ上との関係を測定した。これら
の測定結果を第２因と第３図（：示す。第２図は基板温
度７日を横軸に、残留磁化比Ｍ ｒ ｌ ／ Ｍ ｒ
／を縦軸Ｃ−とって表わしたものである。また、第３図
は基板温度Ｔ９を横軸（：垂直方向抗磁力Ｈａｘを縦軸
にとって表わしたものである。
第２図と第３図から明らかなよう（＝、スパッタ法蒸着
法とも基板温度ＴＢが高い程、ＱＯ−Ｑｒ膜の残留磁化
比Ｍｒｌ／Ｍｒ／、垂直方向抗磁力ＨＱＩとも高くなる
。蒸着法では基板温度ＴＳ＝２５０〜３００℃程度の高
温で残留磁化比Ｍｒ／ＭＹ／が最大ｔ７のｃｏ−〇ｒｌ
ｌ＋が得られるが。
法とも基板温度ＴＢが高い程、ＱＯ−Ｑｒ膜の残留磁化
比Ｍｒｌ／Ｍｒ／、垂直方向抗磁力ＨＱＩとも高くなる
。蒸着法では基板温度ＴＳ＝２５０〜３００℃程度の高
温で残留磁化比Ｍｒ／ＭＹ／が最大ｔ７のｃｏ−〇ｒｌ
ｌ＋が得られるが。
このような膜はスパッタ法では１３０℃程度の低い基板
温度Ｔ１）で得られる。本実験（二用いたスパッタ装置
では加熱機構上の制約により基板温度Ｔ８は最高１４０
℃までしか上げられなかったが。
温度Ｔ１）で得られる。本実験（二用いたスパッタ装置
では加熱機構上の制約により基板温度Ｔ８は最高１４０
℃までしか上げられなかったが。
この温度で残留磁化比Ｍｒ、／Ｍ？／／がｔ９という優
れたＱ Ｏ−Ｑ ｒ膜が得られている。一方垂直方向抗
磁力ＨＱ １ （二ついてもスパッタ法と蒸着法とで前
記の残留磁化比Ｍｒ１／Ｍｒ／／と同様の傾向を示して
いる。蒸着法Ｃ二よるＣｏ−０ｒ膜の形成（−おいては
ポリアミド、ポリイミドなどの耐熱性フィルムが基板と
して不可欠であるが蒸着中は蒸着原子の凝縮熱、蒸発源
からの輻射熱、電子衝撃などにより、基板の表面温度が
更Ｃ：上昇するため、フィルムの熱損傷やシワの発生な
（Ｏｏ−（３ｒ膜を形成する（二は、基板温度ＴＦｉは
２００℃以下にすることが望ましい。従って蒸着法によ
るＯＯ＋、 Ｑ ｒ膜は残留磁化比Ｍｒ↓／Ｍｒ、ｙ、
垂直方向抗磁力Ｈａ土ともスパッタ法（；よる（ｌ Ｏ
−Ｏｒ膜より劣るということができる。即ちスパッタ法
によるｏｏ−ｃｒ膜は蒸着法による（３ｏ−ｃｒ膜（：
比べ低い基板温度でより優れた股が得られる。
れたＱ Ｏ−Ｑ ｒ膜が得られている。一方垂直方向抗
磁力ＨＱ １ （二ついてもスパッタ法と蒸着法とで前
記の残留磁化比Ｍｒ１／Ｍｒ／／と同様の傾向を示して
いる。蒸着法Ｃ二よるＣｏ−０ｒ膜の形成（−おいては
ポリアミド、ポリイミドなどの耐熱性フィルムが基板と
して不可欠であるが蒸着中は蒸着原子の凝縮熱、蒸発源
からの輻射熱、電子衝撃などにより、基板の表面温度が
更Ｃ：上昇するため、フィルムの熱損傷やシワの発生な
（Ｏｏ−（３ｒ膜を形成する（二は、基板温度ＴＦｉは
２００℃以下にすることが望ましい。従って蒸着法によ
るＯＯ＋、 Ｑ ｒ膜は残留磁化比Ｍｒ↓／Ｍｒ、ｙ、
垂直方向抗磁力Ｈａ土ともスパッタ法（；よる（ｌ Ｏ
−Ｏｒ膜より劣るということができる。即ちスパッタ法
によるｏｏ−ｃｒ膜は蒸着法による（３ｏ−ｃｒ膜（：
比べ低い基板温度でより優れた股が得られる。
特にリングヘッド（：よる垂直磁気記録では少なくとも
垂直方向抗磁力ＨＱ上が７０００ｅ 以上。
垂直方向抗磁力ＨＱ上が７０００ｅ 以上。
好ましくは１００００ｅ 以上、残留磁化比Ｍｒｉ／
Ｍ ｒ ／が１以上の膜が必要であるから、このような
垂直磁化膜をスパッタ法で形成する（：は、第２図、第
３図の実験結果から基板温度を少なくとも１００℃以上
、好ましくは１２０℃程度にする必要がある。
Ｍ ｒ ／が１以上の膜が必要であるから、このような
垂直磁化膜をスパッタ法で形成する（：は、第２図、第
３図の実験結果から基板温度を少なくとも１００℃以上
、好ましくは１２０℃程度にする必要がある。
（２）同様（：第９図の装置を用いてポリアミドフィル
ムベース上に、ｃｏ−〇ｒをスパッタリングする際に、
初期入射角θｉとフィルムベース上（：形成されたｏ
ｏ −ｃ ｒ膜の残留磁化比Ｍ ｒ ｉ／Ｍｒ／および
垂直方向抗磁力）（ｃｌとの関係を測定した。
ムベース上に、ｃｏ−〇ｒをスパッタリングする際に、
初期入射角θｉとフィルムベース上（：形成されたｏ
ｏ −ｃ ｒ膜の残留磁化比Ｍ ｒ ｉ／Ｍｒ／および
垂直方向抗磁力）（ｃｌとの関係を測定した。
第４図は、測定結果を初期入射角０１を横軸に。
残留磁化比Ｍｒ↓／Ｍｒ／を縦軸Ｃ二とって表わしたも
のである。垂直方向磁力ＨａＬは初期入射角θｉよ二依
存しないことが確認されたので図（：は省略した。この
図から明らかなようＣ：初期入射角θｉが小さい程 （
１０−Ｑｒ膜の残留磁化比Ｍｒｉ／ Ｍ ｒ ／が大き
くなる。上述のように残留磁化比Ｍｒ上／ Ｍ ｒ膜が
１以上のリングヘッド（＝よる垂直磁気記録に適したＧ
ｏ−Ｏｒ膜を得るには、第４図より初期入射角０１を略
１５°以内Ｃ二制限する必要があることが分る。
のである。垂直方向磁力ＨａＬは初期入射角θｉよ二依
存しないことが確認されたので図（：は省略した。この
図から明らかなようＣ：初期入射角θｉが小さい程 （
１０−Ｑｒ膜の残留磁化比Ｍｒｉ／ Ｍ ｒ ／が大き
くなる。上述のように残留磁化比Ｍｒ上／ Ｍ ｒ膜が
１以上のリングヘッド（＝よる垂直磁気記録に適したＧ
ｏ−Ｏｒ膜を得るには、第４図より初期入射角０１を略
１５°以内Ｃ二制限する必要があることが分る。
前述の２つの実１！ｉ（１＋＋２）からリングヘッド（
＝よる垂直磁気記録Ｃ適した高性能なＱ Ｏ−Ｑ ｒ垂
直磁化膜を得るため：：は非磁性基板の耐熱性％を考慮
とが分った。尚実験（１）（２＋ を二おいて成膜速度
は蒸着法では２４μｍ／ｍｉｎであるに対しスパッタ法
では１５μｍ／ｍ１ｎＩ！：かなり低い結果を得た。
＝よる垂直磁気記録Ｃ適した高性能なＱ Ｏ−Ｑ ｒ垂
直磁化膜を得るため：：は非磁性基板の耐熱性％を考慮
とが分った。尚実験（１）（２＋ を二おいて成膜速度
は蒸着法では２４μｍ／ｍｉｎであるに対しスパッタ法
では１５μｍ／ｍ１ｎＩ！：かなり低い結果を得た。
（８，）上述の実験結果に基づいて１本発明者等はＰＥ
Ｔ、ポリイミド、ポリアミドなどの非磁性基板上にｏｏ
−ａｒの第１薄膜Ｑυ（第５図）をスパッタ法にて小さ
い初期入射角θｉと比較的高い基板温度条件下で極薄く
形成し、その−ヒにＣ０−Ｃｒの第２薄膜■（第５図）
を真空蒸着法またはイオンブレーティング法で被着しエ
ピタキシャルに結晶成長させれば残留磁化比Ｍ ｒ ｌ
／ １＊ζｒ／、垂直方向抗磁力ＨＯ１とも高い（ｊ
Ｏ−Ｑ ｒ垂直磁化膜が高速形成できるのではないか
という予測をもとこ、まずポリアミド、ポリイミドなど
の耐熱フィルム上に初期入射角θｉ＝−５、基板淘１ｔ
’ｒｓ（１）−１２０℃でＣｏ−０ｒ膜の第１薄膜（２
Ｂを種々の膜厚で対向ターゲット式スパッタ法にてスパ
ッタ形成し、更にその上Ｃ二基板温度’ｒｌｉ（２＋−
１２０℃でＱＯ−Ｃｒ膜の第２薄膜のを全厚ｔが０．３
μｍシ：なるように真空蒸着法にて形成したときの第１
薄膜の膜厚と全１）００−ａｒ膜の残留磁化比Ｍ ｒ
Ｌ ／ Ｍ ｒ ／および垂直方向抗磁力Ｈａ↓との関
係を求めた。第６図は第１薄瞭（２］＋の厚みを横軸。
Ｔ、ポリイミド、ポリアミドなどの非磁性基板上にｏｏ
−ａｒの第１薄膜Ｑυ（第５図）をスパッタ法にて小さ
い初期入射角θｉと比較的高い基板温度条件下で極薄く
形成し、その−ヒにＣ０−Ｃｒの第２薄膜■（第５図）
を真空蒸着法またはイオンブレーティング法で被着しエ
ピタキシャルに結晶成長させれば残留磁化比Ｍ ｒ ｌ
／ １＊ζｒ／、垂直方向抗磁力ＨＯ１とも高い（ｊ
Ｏ−Ｑ ｒ垂直磁化膜が高速形成できるのではないか
という予測をもとこ、まずポリアミド、ポリイミドなど
の耐熱フィルム上に初期入射角θｉ＝−５、基板淘１ｔ
’ｒｓ（１）−１２０℃でＣｏ−０ｒ膜の第１薄膜（２
Ｂを種々の膜厚で対向ターゲット式スパッタ法にてスパ
ッタ形成し、更にその上Ｃ二基板温度’ｒｌｉ（２＋−
１２０℃でＱＯ−Ｃｒ膜の第２薄膜のを全厚ｔが０．３
μｍシ：なるように真空蒸着法にて形成したときの第１
薄膜の膜厚と全１）００−ａｒ膜の残留磁化比Ｍ ｒ
Ｌ ／ Ｍ ｒ ／および垂直方向抗磁力Ｈａ↓との関
係を求めた。第６図は第１薄瞭（２］＋の厚みを横軸。
残留磁化比Ｍｒ１／Ｍｒｚと垂直方向抗磁力Ｈｅを縦軸
シーとり、実験（３）の結果を示すものである。
シーとり、実験（３）の結果を示すものである。
コノ図からＭ ｒ １７ Ｍ ｒ ／が１以上 Ｈａま
が７００ ’Ｏｅ 以上の０Ｏ−Ｃｒ膜を得る［−は第
１薄膜の膜厚を０．０１μｍ以上Ｃ二すればよいことが
分る。
が７００ ’Ｏｅ 以上の０Ｏ−Ｃｒ膜を得る［−は第
１薄膜の膜厚を０．０１μｍ以上Ｃ二すればよいことが
分る。
このように第１薄膜を初期入射角θｉを十分小さく、基
板温度Ｔｌ１ｌを比較的高くしてスパッタ形成すれば結
晶粒子が膜面（−垂直（−成長し易くなり。
板温度Ｔｌ１ｌを比較的高くしてスパッタ形成すれば結
晶粒子が膜面（−垂直（−成長し易くなり。
更にその上（−第２薄膜を成膜速度の高い真空蒸着法ま
たはイオンブレーティング法で形成しても。
たはイオンブレーティング法で形成しても。
第２薄膜の膜は第１薄膜の上にエビタキンヤルＣ：結晶
成長する九め、第２薄膜も垂直配向性のよい結晶粒子層
となり、その結果残留磁化比’ｈｔｒ１／Ｍｒ／、垂直
方向抗磁力Ｈａ上とも高い膜を得ることができることを
確認した。従って全層ａ Ｏ−Ｃｒ膜の大部分の厚みを
占める第２薄膜を高速で成膜できるので高性能な垂直磁
気記録媒体を量産性よく製造することができる。
成長する九め、第２薄膜も垂直配向性のよい結晶粒子層
となり、その結果残留磁化比’ｈｔｒ１／Ｍｒ／、垂直
方向抗磁力Ｈａ上とも高い膜を得ることができることを
確認した。従って全層ａ Ｏ−Ｃｒ膜の大部分の厚みを
占める第２薄膜を高速で成膜できるので高性能な垂直磁
気記録媒体を量産性よく製造することができる。
（４）他の実施例として基板としてＰＥ’Ｉ’フィルム
を使用し、まず初期入射角θｉ＝５” 、基板温度Ｔ
！＋（１）−１２０℃で且つＰＩＨＴフィルムが熱損傷
を受けぬ様に短期間だけキャンロール（二纒周し移送さ
れる様態；キャンロールの回転速度を制御して、ｃｏ−
ａｒ膜の第１薄膜ｃ！ｎを０．０３／ｊｍの極く薄い膜
厚となる様に対向ターゲット式スパッタ法ｉｎテ形成し
、更（：その上Ｃｏｏ−Ｏｒ膜の＄２薄膜のを種々の基
板温度Ｔ ８ （２）で全厚がα３μｍ（二なるよう【
：真空蒸着法で形成したときの＄２薄膜の基板温度Ｔｌ
１（２）と全５ｏｏ−ａｒ膜の残留磁化比Ｍ ｒ Ｌ
／ Ｍ ｒ ／／、垂直方向抗磁力Ｈａｔとの関係を求
めた。
を使用し、まず初期入射角θｉ＝５” 、基板温度Ｔ
！＋（１）−１２０℃で且つＰＩＨＴフィルムが熱損傷
を受けぬ様に短期間だけキャンロール（二纒周し移送さ
れる様態；キャンロールの回転速度を制御して、ｃｏ−
ａｒ膜の第１薄膜ｃ！ｎを０．０３／ｊｍの極く薄い膜
厚となる様に対向ターゲット式スパッタ法ｉｎテ形成し
、更（：その上Ｃｏｏ−Ｏｒ膜の＄２薄膜のを種々の基
板温度Ｔ ８ （２）で全厚がα３μｍ（二なるよう【
：真空蒸着法で形成したときの＄２薄膜の基板温度Ｔｌ
１（２）と全５ｏｏ−ａｒ膜の残留磁化比Ｍ ｒ Ｌ
／ Ｍ ｒ ／／、垂直方向抗磁力Ｈａｔとの関係を求
めた。
第７図は第２薄膜圓の基板温度Ｔｅｌ＋２）を横軸。
残留磁化比Ｍｒ１／Ｍｒ７／と垂直方向抗磁力Ｆ１ａ１
を縦軸にとり、実験（４）の結果を示すものである。
を縦軸にとり、実験（４）の結果を示すものである。
この図からＭ ｒ １ ／ Ｍ ｒ ／／が１以上 ｑ
ａｆが７００δＣ以上のＣｏ−０ｒ膜を得るＣ−は第２
薄膜の基板温１ｉ Ｔ ！ｉ （２）を４０℃以上（−
すればよいことが分る。一方、真空蒸着法（二よりＰＥ
ＴフィルムＣ二熱損傷なく、０．３μ程度膜形成できる
基板温度は、実験では１００℃以下であった。これらの
ことから第２薄膜の基板温度Ｔ！３（２）は４０〜１０
０℃にすればよいことが分る。このよう１；シてＰＫＴ
フィルムの如く耐熱性の低いフィルムを使用しても高性
能な垂直磁気記録媒体を献厘性よく得ることができる。
ａｆが７００δＣ以上のＣｏ−０ｒ膜を得るＣ−は第２
薄膜の基板温１ｉ Ｔ ！ｉ （２）を４０℃以上（−
すればよいことが分る。一方、真空蒸着法（二よりＰＥ
ＴフィルムＣ二熱損傷なく、０．３μ程度膜形成できる
基板温度は、実験では１００℃以下であった。これらの
ことから第２薄膜の基板温度Ｔ！３（２）は４０〜１０
０℃にすればよいことが分る。このよう１；シてＰＫＴ
フィルムの如く耐熱性の低いフィルムを使用しても高性
能な垂直磁気記録媒体を献厘性よく得ることができる。
製造装置
第１図は１本発明の製造方法を実施するための装置の一
実施例を示すものである。この装置は基本的（一対向タ
ーゲット式のスパッタ装置と電子ビーム加熱式の真空蒸
着装置と全採用して一体化したものである。
実施例を示すものである。この装置は基本的（一対向タ
ーゲット式のスパッタ装置と電子ビーム加熱式の真空蒸
着装置と全採用して一体化したものである。
この装置では真空槽としてスパッタ室Ｃ３１）と蒸着室
（至）との間（二分離室ｃ個を配置し、この分離室にも
排気系を設けること（二よυ、連連続膜膜中スパッタ室
Ｃｌ１ｌと蒸着室０２との真空度の安定化を図っている
。スパッタ室１３１）の中央Ｃ二それぞれ背面！−プラ
ズマ収束用の永久磁石ｔｌｆｌｌ（１）を備えるＱ Ｏ
−Ｑ ｒの対向ターゲット（５０５１を配し、その開口
Ｃ：面してキャンロール（６１）を配置する。供給ロー
ル（７）はこのスパッタ室ｃ３旧；設ける。一方、蒸着
富国艦二は蒸発源Ｉの真上にキャンロール（６２）を配
し、このキャンロール（６２）と蒸発源ｒｉＩとの間礪
：マスクｕ１）を配置する。巻取ロール（８）はこの蒸
着室Ｃｌ５ｇ二設け６゜非磁性基板（１）は供給ロール
（７）−キャンロール（６１）−案内ロール１）５１α
９−キャンロール（６２）−巻取ロール（８）の経路で
略定速で移送される。キャンロール（６１）へのスパッ
タ原子の入射角はマスク（９）（：よシ調整することが
できる。ま九キャンロール（６２） （：、部局案内さ
れる非磁性基板（１）に対し蒸発原子の垂直入射に近い
成分を堆積させるようマスクｒ１）１は配置する。
（至）との間（二分離室ｃ個を配置し、この分離室にも
排気系を設けること（二よυ、連連続膜膜中スパッタ室
Ｃｌ１ｌと蒸着室０２との真空度の安定化を図っている
。スパッタ室１３１）の中央Ｃ二それぞれ背面！−プラ
ズマ収束用の永久磁石ｔｌｆｌｌ（１）を備えるＱ Ｏ
−Ｑ ｒの対向ターゲット（５０５１を配し、その開口
Ｃ：面してキャンロール（６１）を配置する。供給ロー
ル（７）はこのスパッタ室ｃ３旧；設ける。一方、蒸着
富国艦二は蒸発源Ｉの真上にキャンロール（６２）を配
し、このキャンロール（６２）と蒸発源ｒｉＩとの間礪
：マスクｕ１）を配置する。巻取ロール（８）はこの蒸
着室Ｃｌ５ｇ二設け６゜非磁性基板（１）は供給ロール
（７）−キャンロール（６１）−案内ロール１）５１α
９−キャンロール（６２）−巻取ロール（８）の経路で
略定速で移送される。キャンロール（６１）へのスパッ
タ原子の入射角はマスク（９）（：よシ調整することが
できる。ま九キャンロール（６２） （：、部局案内さ
れる非磁性基板（１）に対し蒸発原子の垂直入射に近い
成分を堆積させるようマスクｒ１）１は配置する。
次Ｃニキャンマスク（６１）の初期入射角０１を５ に
設定し、真空槽Ｃ１）１Ｃ３１５（３３ｅ ｉ Ｘ １
０ ＴＯｒｒ口排気し九後、スパッタ室ｃ３１）Ｃ
Ａｒガスを導入して２Ｘ１０ ＴＯｒｒとした。そ
の後キャンロール（６１）（６２）の温度をそれぞれ１
２０℃。
設定し、真空槽Ｃ１）１Ｃ３１５（３３ｅ ｉ Ｘ １
０ ＴＯｒｒ口排気し九後、スパッタ室ｃ３１）Ｃ
Ａｒガスを導入して２Ｘ１０ ＴＯｒｒとした。そ
の後キャンロール（６１）（６２）の温度をそれぞれ１
２０℃。
９０℃とした状態で、ＰＥＴフィルムを４．５ｍ／ｍｉ
Ｈの送り速度で移動させながら、ｔずスパッタ室Ｃ３１
）でスパッタ電力密度４０Ｗ／−でｃｏ−ｏｒの第１薄
膜圓（第５図）をＱ、０２μｍ（推定値）スパッタ形成
し、続いて蒸着室Ｇ３で９ＫＷの電力にて電子ビーム加
熱によりＱ Ｏ−Ｑ ｒ膜の１ｑ２薄膜の（第５図）を
形成すると、全厚α３μｍ、残留磁化比ＭｒＬ ／Ｍｒ
／７１．０．垂直方向抗磁力９５０６ｅの良好な０Ｏ−
ａｒｆｉ［磁化膜が得られ九。以上のようシー高性能な
ｏ ｏ −ｃ ｒ垂直磁気記録媒体を十分高いベースフ
ィルム送り速度で製造し得ることが確認された。
Ｈの送り速度で移動させながら、ｔずスパッタ室Ｃ３１
）でスパッタ電力密度４０Ｗ／−でｃｏ−ｏｒの第１薄
膜圓（第５図）をＱ、０２μｍ（推定値）スパッタ形成
し、続いて蒸着室Ｇ３で９ＫＷの電力にて電子ビーム加
熱によりＱ Ｏ−Ｑ ｒ膜の１ｑ２薄膜の（第５図）を
形成すると、全厚α３μｍ、残留磁化比ＭｒＬ ／Ｍｒ
／７１．０．垂直方向抗磁力９５０６ｅの良好な０Ｏ−
ａｒｆｉ［磁化膜が得られ九。以上のようシー高性能な
ｏ ｏ −ｃ ｒ垂直磁気記録媒体を十分高いベースフ
ィルム送り速度で製造し得ることが確認された。
上記実施例では、対向ターゲット式スパッタ法と真空蒸
着法でプラスチックフィルム上に〇ｏ−ｏｒ膜を形成す
る場合１二ついて述べたが１本発明はこれＣ：限定する
ものではなく、そｎぞれマグネトロン式スパッタ法とイ
オンブレーティン法ｔ：＠き換えてもよ＜、１九〇 〇
−Ｏｒ膜以外のｃｏ−Ｏｒ−Ｒｈ等の垂直磁化膜、ま
たはＮｉ−ｌＦｅなどの茜透磁率膜の上にＯｏ−Ｏｒ垂
直磁化膜を積層し九所謂垂直二層膜媒体でも同様の効果
が得られることも確認された。
着法でプラスチックフィルム上に〇ｏ−ｏｒ膜を形成す
る場合１二ついて述べたが１本発明はこれＣ：限定する
ものではなく、そｎぞれマグネトロン式スパッタ法とイ
オンブレーティン法ｔ：＠き換えてもよ＜、１九〇 〇
−Ｏｒ膜以外のｃｏ−Ｏｒ−Ｒｈ等の垂直磁化膜、ま
たはＮｉ−ｌＦｅなどの茜透磁率膜の上にＯｏ−Ｏｒ垂
直磁化膜を積層し九所謂垂直二層膜媒体でも同様の効果
が得られることも確認された。
（ト１ 発明の効果
本発明に依れば、比較的耐熱性の低いＰＢｉ’Ｉ’等の
非磁性フィルム上Ｃ：強磁性金属を被着し磁性薄膜を形
成する（；際して、磁化特性等磁気媒体ζ；不可欠な特
性Ｃ二ついては、スパッタ法に依存して決定され、成膜
速度等製造効率（６係わる点については、蒸着法或はイ
オンブレーティン法等の他のドライプロセスに依存して
決定されるので、高性能な垂直磁気記録媒体を量産効率
よく製造することが出来る。
非磁性フィルム上Ｃ：強磁性金属を被着し磁性薄膜を形
成する（；際して、磁化特性等磁気媒体ζ；不可欠な特
性Ｃ二ついては、スパッタ法に依存して決定され、成膜
速度等製造効率（６係わる点については、蒸着法或はイ
オンブレーティン法等の他のドライプロセスに依存して
決定されるので、高性能な垂直磁気記録媒体を量産効率
よく製造することが出来る。
第１図乃至第７図はいずれも本発明Ｃ：係り、第１図は
本発明方法を実施するための装置の概略因。 第２図は基板温度対垂直対水平残留磁化比の関係を示す
図、第３図は、基板温度対垂直方向抗磁力の関係を示す
図、第４図は初期入射角０１対垂厘対水平残留磁化比の
関係を示す図、第５図は磁気記録媒体の断面図、第６図
は第１薄膜厚対全ａ。 Ｏ−Ｑ ｒの垂直対水平残留磁化比及び垂直方向抗磁力
の関係を示す図、第７図は第２薄膜形成時の基板温度対
全層○０−Ｑｒの垂直対水平残留磁化比及び垂直方向抗
磁力の関係を示す図である。 ＩＪ！８図乃至′ｉＩ＆１０図は従来例に係り、′ＷＩ
Ｂ図は磁気記録媒体の断面図、第９図は対向ターゲット
式スパッタ装置の略図、第１０図は真空蒸着装置の略図
である。 （７）・・・ＰＩＮＴフィルム、（６２）・・・キャン
ロール。 （６１）・・・キャンロール、ａｖ−・蒸着マスク、
ｔ５）ｃａｉ・・・ターゲット、 （１４１・・・蒸発
源、（９）・・・キャンマスク。 （７）・・・供給ロール、 （８）・・・巻取ロール。
本発明方法を実施するための装置の概略因。 第２図は基板温度対垂直対水平残留磁化比の関係を示す
図、第３図は、基板温度対垂直方向抗磁力の関係を示す
図、第４図は初期入射角０１対垂厘対水平残留磁化比の
関係を示す図、第５図は磁気記録媒体の断面図、第６図
は第１薄膜厚対全ａ。 Ｏ−Ｑ ｒの垂直対水平残留磁化比及び垂直方向抗磁力
の関係を示す図、第７図は第２薄膜形成時の基板温度対
全層○０−Ｑｒの垂直対水平残留磁化比及び垂直方向抗
磁力の関係を示す図である。 ＩＪ！８図乃至′ｉＩ＆１０図は従来例に係り、′ＷＩ
Ｂ図は磁気記録媒体の断面図、第９図は対向ターゲット
式スパッタ装置の略図、第１０図は真空蒸着装置の略図
である。 （７）・・・ＰＩＮＴフィルム、（６２）・・・キャン
ロール。 （６１）・・・キャンロール、ａｖ−・蒸着マスク、
ｔ５）ｃａｉ・・・ターゲット、 （１４１・・・蒸発
源、（９）・・・キャンマスク。 （７）・・・供給ロール、 （８）・・・巻取ロール。
Claims (5)
- （１）定速移送される非磁性フィルム上にこのフィルム
を所定の温度以上に保ち乍ら、初期入射角θ＿ｉを製造
する磁気記録媒体の所望の磁化方向に適した角度とした
状態で、磁磁性金属を極く薄くスパッタして第１薄膜を
形成し、この第１薄膜上にスパッタ法以外のドライプロ
セスによって前記強磁性金属をエピタキシャルに結晶さ
せ乍ら所定の膜厚となる様に第２薄膜を形成させること
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - （２）前記ドライプロセスが蒸着法であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体の製造方
法。 - （３）前記ドライプロセスがイオンプレート法であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒
体の製造方法。 - （４）上記所定の温度が１００℃以上で初期入射角θ＿
ｉが１５°以下であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項乃至第３項記載の磁気記録媒体の製造方法。 - （５）上記媒体が垂直磁気記録媒体であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至第４項記載の磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22077085A JPS6280832A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US06/864,357 US4767516A (en) | 1985-05-20 | 1986-05-19 | Method for making magnetic recording media |
| DE8686106807T DE3682942D1 (de) | 1985-05-20 | 1986-05-20 | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung magnetischer aufzeichnungstraeger. |
| EP86106807A EP0202645B1 (en) | 1985-05-20 | 1986-05-20 | Method and apparatus for making magnetic recording media |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22077085A JPS6280832A (ja) | 1985-10-03 | 1985-10-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280832A true JPS6280832A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16756284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22077085A Pending JPS6280832A (ja) | 1985-05-20 | 1985-10-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6280832A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05193845A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | 油圧エレベータのかご床補正装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5680831A (en) * | 1979-11-30 | 1981-07-02 | Toshiba Corp | Producing device for magnetic recording medium |
| JPS56165933A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Toshiba Corp | Production of magnetic recording body |
| JPS60167123A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
-
1985
- 1985-10-03 JP JP22077085A patent/JPS6280832A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5680831A (en) * | 1979-11-30 | 1981-07-02 | Toshiba Corp | Producing device for magnetic recording medium |
| JPS56165933A (en) * | 1980-05-27 | 1981-12-19 | Toshiba Corp | Production of magnetic recording body |
| JPS60167123A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05193845A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-08-03 | Mitsubishi Electric Corp | 油圧エレベータのかご床補正装置 |
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