JPS62298026A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS62298026A JPS62298026A JP14215586A JP14215586A JPS62298026A JP S62298026 A JPS62298026 A JP S62298026A JP 14215586 A JP14215586 A JP 14215586A JP 14215586 A JP14215586 A JP 14215586A JP S62298026 A JPS62298026 A JP S62298026A
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Landscapes
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
この発明は強磁性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記
録媒体の製造方法に関する。
録媒体の製造方法に関する。
強磁性金属薄膜層を磁気記録層とする磁気記録媒体は、
通常、ポリエステルフィルムなどの基体を真空槽内に取
りつけた円筒状キャンの周側面に沿って移動させ、この
基体に強磁性材を真空蒸着するなどしてつくられており
、耐食性、耐久性および電磁変換特性を良好にするため
、強磁性材の蒸気流を斜めに入射して蒸着するとともに
、近傍から強磁性材の蒸気流に向かって酸素ガスを導入
することが行われている。（特開昭５８−４１４３９号
、特開昭５８−８３３２７号、特開昭５８−８３２２８
号、特開昭５８−３７８４３号）〔発明が解決しようと
する問題点〕 ところが、強磁性材の蒸気流を斜め入射蒸着するととも
に、近傍から強磁性材の蒸気流に向かって酸素ガスを導
入する方法では、導入した酸素ガスの一部が強磁性材の
蒸気流と衝突して散乱し、強磁性材と反応することなく
真空槽内へ拡散して真空槽内の真空度が低下するため、
強磁性材を加熱蒸発するのに使用する電子銃の放電が生
じやすくなり、強磁性金属薄膜層の連続形成に支障をき
たして、強磁性材が蒸着されない部分が発生するという
難点がある。
通常、ポリエステルフィルムなどの基体を真空槽内に取
りつけた円筒状キャンの周側面に沿って移動させ、この
基体に強磁性材を真空蒸着するなどしてつくられており
、耐食性、耐久性および電磁変換特性を良好にするため
、強磁性材の蒸気流を斜めに入射して蒸着するとともに
、近傍から強磁性材の蒸気流に向かって酸素ガスを導入
することが行われている。（特開昭５８−４１４３９号
、特開昭５８−８３３２７号、特開昭５８−８３２２８
号、特開昭５８−３７８４３号）〔発明が解決しようと
する問題点〕 ところが、強磁性材の蒸気流を斜め入射蒸着するととも
に、近傍から強磁性材の蒸気流に向かって酸素ガスを導
入する方法では、導入した酸素ガスの一部が強磁性材の
蒸気流と衝突して散乱し、強磁性材と反応することなく
真空槽内へ拡散して真空槽内の真空度が低下するため、
強磁性材を加熱蒸発するのに使用する電子銃の放電が生
じやすくなり、強磁性金属薄膜層の連続形成に支障をき
たして、強磁性材が蒸着されない部分が発生するという
難点がある。
この発明はかかる欠点を改善するため種々検討を行った
結果なされたもので、真空雰囲気内で、移動する基体に
強磁性材蒸発源で加熱蒸発した強磁性材の蒸気流を差し
向けると同時に、基体の被蒸着面と強磁性材蒸発源とを
結ぶ空間内から、強磁性材の蒸気流と平行に基体に酸化
性ガスを吹きつけることによって、導入した酸化性ガス
と強磁性材の蒸気流との衝突散乱を効果的に抑制し、酸
化性ガスを強磁性材と良好に反応させて、蒸着中の酸化
性ガス導入による真空度の低下を抑制したものである。
結果なされたもので、真空雰囲気内で、移動する基体に
強磁性材蒸発源で加熱蒸発した強磁性材の蒸気流を差し
向けると同時に、基体の被蒸着面と強磁性材蒸発源とを
結ぶ空間内から、強磁性材の蒸気流と平行に基体に酸化
性ガスを吹きつけることによって、導入した酸化性ガス
と強磁性材の蒸気流との衝突散乱を効果的に抑制し、酸
化性ガスを強磁性材と良好に反応させて、蒸着中の酸化
性ガス導入による真空度の低下を抑制したものである。
その結果、強磁性材を加熱蒸発するのに使用する電子銃
の放電が著しく減少し、強磁性金属薄膜層の連続形成に
支障をきたして強磁性材が蒸着されない部分が発生した
りすることもなく、良好に強磁性金属薄膜層が連続形成
される。
の放電が著しく減少し、強磁性金属薄膜層の連続形成に
支障をきたして強磁性材が蒸着されない部分が発生した
りすることもなく、良好に強磁性金属薄膜層が連続形成
される。
以下、図面を参照しながらこの発明について説明する。
第１図はこの発明で使用する真空蒸着装置の断面図を示
したものであり、１は真空槽でこの真空槽１の内部は排
気系２により所定の真空度に保持される。３は真空槽１
の中央部に配設された円筒状キャンであり、ポリエステ
ルフィルム等の基体４は原反ロール５よりこの円筒状キ
ャン３の周側面に沿って移動し、巻き取りロール６に巻
き取られる。この間円筒状キャン３の周側面に沿って移
動する基体４に対向して真空槽１の下部に配設された強
磁性材蒸発源７で強磁性材８が加熱蒸発され、この蒸気
流Ａが円筒状キャン３の下方に配設された防着板９の作
用で基体４に斜め入射蒸着される。このとき同時に円筒
状キャン３と強磁性材蒸発源７との間に配設されたガス
導入口１０から、酸化性ガスが強磁性材の蒸気流Ａと平
行に基体４に吹きつけられる。
したものであり、１は真空槽でこの真空槽１の内部は排
気系２により所定の真空度に保持される。３は真空槽１
の中央部に配設された円筒状キャンであり、ポリエステ
ルフィルム等の基体４は原反ロール５よりこの円筒状キ
ャン３の周側面に沿って移動し、巻き取りロール６に巻
き取られる。この間円筒状キャン３の周側面に沿って移
動する基体４に対向して真空槽１の下部に配設された強
磁性材蒸発源７で強磁性材８が加熱蒸発され、この蒸気
流Ａが円筒状キャン３の下方に配設された防着板９の作
用で基体４に斜め入射蒸着される。このとき同時に円筒
状キャン３と強磁性材蒸発源７との間に配設されたガス
導入口１０から、酸化性ガスが強磁性材の蒸気流Ａと平
行に基体４に吹きつけられる。
ここで、ガス導入口１０は、第２図に示すように、基体
４の被蒸着面４１と強磁性材蒸発源７とを結ぶ空間内の
蒸気流Ａ内に設置され、ガス導入口１０と基体４のガス
吹きつけ位置４１ａとの距離ｌを、強磁性材蒸発源７と
基体４のガス吹きつけ位置４１ａとの距離りの１／２０
〜１／２の範囲内となるようにしである。しかして、ガ
ス導入口１０から円筒状キャン３の周側面に沿って移動
する基体４の被蒸着面４１に向かって、酸化性ガスが吹
きつけられる際１、酸化性ガス流の周囲がほとんど強磁
性材の蒸気流となるため、酸化性ガス流がある程度法が
りをもって基体４の被蒸着面４１に向かっても、大部分
を強磁性材と反応させることができる。またガス導入口
１０を充分に小さくするとともに、基体４のガス吹きつ
け位置４１ａとの距離ｌを、強磁性材蒸発源７と基体４
のガス吹きつけ位置４１ａとの距離りの１／２０〜１／
２の範囲内となるようにしているため、ガス導入口１０
の影へ強磁性材の蒸気流Ａが充分にまわりこみ、また、
強磁性材の蒸着による導入口１０の急激な肥大を防止で
きる。従って強磁性材の連続的な成長が良好に行われて
強磁性材が蒸着されない部分が発生したりすることもな
く、良好に連続した強磁性金運薄膜層が形成される。こ
れに対し、ガス導入口１０と基体４のガス吹きつけ位置
４１ａとの距離ｌを、強磁性材蒸発源７と基体４のガス
吹きつけ位置４１ａとの距離りの１／２０より小さくす
ると、導入口１０が強磁性材の蒸気流Ａを遮蔽し、強磁
性材が連続的に成長した強磁性金運薄膜層が得られない
。またガス導入口１０と基体４のガス吹きつけ位置４１
ａとの距離ｌを、強磁性材蒸発源７と基体４のガス吹き
つけ位置４１ａとの距離りの１／２より大きくすると、
ガス導入口１０が強磁性材の蒸着により急激に肥大して
、蒸気流Ａを遮蔽し、強磁性材が連続的に成長した強磁
性金属薄膜層が得られない。
４の被蒸着面４１と強磁性材蒸発源７とを結ぶ空間内の
蒸気流Ａ内に設置され、ガス導入口１０と基体４のガス
吹きつけ位置４１ａとの距離ｌを、強磁性材蒸発源７と
基体４のガス吹きつけ位置４１ａとの距離りの１／２０
〜１／２の範囲内となるようにしである。しかして、ガ
ス導入口１０から円筒状キャン３の周側面に沿って移動
する基体４の被蒸着面４１に向かって、酸化性ガスが吹
きつけられる際１、酸化性ガス流の周囲がほとんど強磁
性材の蒸気流となるため、酸化性ガス流がある程度法が
りをもって基体４の被蒸着面４１に向かっても、大部分
を強磁性材と反応させることができる。またガス導入口
１０を充分に小さくするとともに、基体４のガス吹きつ
け位置４１ａとの距離ｌを、強磁性材蒸発源７と基体４
のガス吹きつけ位置４１ａとの距離りの１／２０〜１／
２の範囲内となるようにしているため、ガス導入口１０
の影へ強磁性材の蒸気流Ａが充分にまわりこみ、また、
強磁性材の蒸着による導入口１０の急激な肥大を防止で
きる。従って強磁性材の連続的な成長が良好に行われて
強磁性材が蒸着されない部分が発生したりすることもな
く、良好に連続した強磁性金運薄膜層が形成される。こ
れに対し、ガス導入口１０と基体４のガス吹きつけ位置
４１ａとの距離ｌを、強磁性材蒸発源７と基体４のガス
吹きつけ位置４１ａとの距離りの１／２０より小さくす
ると、導入口１０が強磁性材の蒸気流Ａを遮蔽し、強磁
性材が連続的に成長した強磁性金運薄膜層が得られない
。またガス導入口１０と基体４のガス吹きつけ位置４１
ａとの距離ｌを、強磁性材蒸発源７と基体４のガス吹き
つけ位置４１ａとの距離りの１／２より大きくすると、
ガス導入口１０が強磁性材の蒸着により急激に肥大して
、蒸気流Ａを遮蔽し、強磁性材が連続的に成長した強磁
性金属薄膜層が得られない。
酸化性ガスとしては、酸素ガスが良好なものとして使用
され、この他酸素ガスに他のガスを混合したものも好適
に使用される。
され、この他酸素ガスに他のガスを混合したものも好適
に使用される。
基体としては、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド
等一般に使用されている高分子成形物からなるプラスチ
ックフィルムおよび銅などの非磁性金属からなる金属フ
ィルムが使用され、また、強磁性金属薄膜層を形成する
強磁性材料としては、ＣＯ％ Ｎ ｉ ％ Ｆ ｅなど
の強磁性金属単体の他、これらの強磁性金属単体を少な
くとも１種含む合金あるいは酸化物、およびＣｏ−Ｐ、
Ｃｏ−Ｎ１−Ｐの如き強磁性金属との化合物など、一般
に真空爆着に使用される強磁性材料がいずれも使用され
る。
等一般に使用されている高分子成形物からなるプラスチ
ックフィルムおよび銅などの非磁性金属からなる金属フ
ィルムが使用され、また、強磁性金属薄膜層を形成する
強磁性材料としては、ＣＯ％ Ｎ ｉ ％ Ｆ ｅなど
の強磁性金属単体の他、これらの強磁性金属単体を少な
くとも１種含む合金あるいは酸化物、およびＣｏ−Ｐ、
Ｃｏ−Ｎ１−Ｐの如き強磁性金属との化合物など、一般
に真空爆着に使用される強磁性材料がいずれも使用され
る。
また、磁気記録媒体としては、ポリエステルフィルム、
ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムを基体
とする磁気テープ、プラスチックフィルム、アルミニウ
ム板およびガラス板等からなる円盤やドラムを基体とす
る磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接す
る構造の種々・の形態を包含する。
ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムを基体
とする磁気テープ、プラスチックフィルム、アルミニウ
ム板およびガラス板等からなる円盤やドラムを基体とす
る磁気ディスクや磁気ドラムなど、磁気ヘッドと摺接す
る構造の種々・の形態を包含する。
次に、この発明の実施例について説明する。
実施例１
第１図および第２図に示す真空蒸着装置を使用し、厚さ
１２μｍのポリエステルフィルム４を、原反ロール５よ
り円筒状キャン３の周側面に沿って移動させ、巻き取り
ロール６に巻き取るようにセットするとともに、強磁性
材蒸発源７内にコバルト−ニッケル合金（重量比８０：
２０）８をセットした。また、ガス導入口１０とポリエ
ステルフィルム４のガス吹きつけ位置４１ａとの距離２
が、強磁性材蒸発源７とポリエステルフィルム４のガス
吹きつけ位置４１ａとの距離りの１／３となる位置にガ
ス導入口１０をセントし、排気系２で真空槽１内を約５
Ｘ１０−６トールにまで真空排気した。次いで、ガス導
入口１０から酸素ガスを２００ ｍｌ／ｍｉｎの流量で
導入し、コバルト−ニッケル合金８を加熱蒸発させて、
ポリエステルフィルム４の走行速度１０ ｍ／ｍｉｎ
、最低入射角５０度で斜め入射薄着を行い、ポリエステ
ルフィルム４上にコバルト−ニッケル合金からなる厚さ
１５００人の強磁性金属薄膜層を長さ２０００ｍにわた
って形成した。
１２μｍのポリエステルフィルム４を、原反ロール５よ
り円筒状キャン３の周側面に沿って移動させ、巻き取り
ロール６に巻き取るようにセットするとともに、強磁性
材蒸発源７内にコバルト−ニッケル合金（重量比８０：
２０）８をセットした。また、ガス導入口１０とポリエ
ステルフィルム４のガス吹きつけ位置４１ａとの距離２
が、強磁性材蒸発源７とポリエステルフィルム４のガス
吹きつけ位置４１ａとの距離りの１／３となる位置にガ
ス導入口１０をセントし、排気系２で真空槽１内を約５
Ｘ１０−６トールにまで真空排気した。次いで、ガス導
入口１０から酸素ガスを２００ ｍｌ／ｍｉｎの流量で
導入し、コバルト−ニッケル合金８を加熱蒸発させて、
ポリエステルフィルム４の走行速度１０ ｍ／ｍｉｎ
、最低入射角５０度で斜め入射薄着を行い、ポリエステ
ルフィルム４上にコバルト−ニッケル合金からなる厚さ
１５００人の強磁性金属薄膜層を長さ２０００ｍにわた
って形成した。
実施例２
実施例１において、ガス導入口１０のセント位置を、ガ
ス導入口１０とポリエステルフィルム４のガス吹きつけ
位置４１ａとの距離ｌが、強磁性材蒸発源７とポリエス
テルフィルム４のガス吹きつけ位置４１ａとの距離りの
１／１０となる位置に変更した以外は実施例１と同様に
して強磁性金属薄膜層をつくった。
ス導入口１０とポリエステルフィルム４のガス吹きつけ
位置４１ａとの距離ｌが、強磁性材蒸発源７とポリエス
テルフィルム４のガス吹きつけ位置４１ａとの距離りの
１／１０となる位置に変更した以外は実施例１と同様に
して強磁性金属薄膜層をつくった。
比較例１
実施例１において、ガス導入口１０のセント位置を、ガ
ス導入口１０とポリエステルフィルム４のガス吹きつけ
位置４１ａとの距離ｌが、強磁性材蒸発源７とポリエス
テルフィルム４のガス吹きつけ位置４１ａとの距ＭＬの
１／３０となる位置に変更した以外は実施例１と同様に
して強磁性金属薄膜層をつくった。
ス導入口１０とポリエステルフィルム４のガス吹きつけ
位置４１ａとの距離ｌが、強磁性材蒸発源７とポリエス
テルフィルム４のガス吹きつけ位置４１ａとの距ＭＬの
１／３０となる位置に変更した以外は実施例１と同様に
して強磁性金属薄膜層をつくった。
比較例２
実施例１において、ガス導入口１０のセント位置を、ガ
ス導入口１０とポリエステルフィルム４のガス吹きつけ
位置４１ａとの距離ｌが、強磁性材蒸発源７とポリエス
テルフィルム４のガス吹きつけ位置４１ａとの距ＭＬの
２／３となる位置に変更した以外は実施例１と同様にし
て強磁性金属薄膜層をつくった。
ス導入口１０とポリエステルフィルム４のガス吹きつけ
位置４１ａとの距離ｌが、強磁性材蒸発源７とポリエス
テルフィルム４のガス吹きつけ位置４１ａとの距ＭＬの
２／３となる位置に変更した以外は実施例１と同様にし
て強磁性金属薄膜層をつくった。
比較例３
第１図に示す真空蒸着装置に代えて、第３図に示すよう
に、酸素ガス導入口１０を防着板９と円筒状キャン３と
の間に配置した真空蒸着装置を使用し、酸素ガス導入口
１０から強磁性材の蒸気流Ａの入射角が最低となる部分
に酸素ガスを吹きつけた以外は、実施例１と同様にして
強磁性金属薄膜層を形成した。
に、酸素ガス導入口１０を防着板９と円筒状キャン３と
の間に配置した真空蒸着装置を使用し、酸素ガス導入口
１０から強磁性材の蒸気流Ａの入射角が最低となる部分
に酸素ガスを吹きつけた以外は、実施例１と同様にして
強磁性金属薄膜層を形成した。
各実施例および比較例において、強磁性材蒸着中の電子
銃の放電回数と真空槽内の真空度を測定し、また得られ
た強磁性金属薄膜層の２００ｍ部分と１８００ｍ部分に
おける強磁性金属薄膜層中の柱状粒子の連続性を調べた
。柱状粒子の連続性は、超薄切片法により強磁性金属薄
膜層を厚さ方向に薄くスライスした後、透過型電子顕微
鏡で観察し、判断した。
銃の放電回数と真空槽内の真空度を測定し、また得られ
た強磁性金属薄膜層の２００ｍ部分と１８００ｍ部分に
おける強磁性金属薄膜層中の柱状粒子の連続性を調べた
。柱状粒子の連続性は、超薄切片法により強磁性金属薄
膜層を厚さ方向に薄くスライスした後、透過型電子顕微
鏡で観察し、判断した。
下記第１表はその結果である。
第１表
〔発明の効果〕
上記第１表から明らかなように、この発明の製造方法（
実施例１および２）によるものは、比較例３の製造方法
に比し、真空度が高くて、放電回数が少なく、このこと
からこの発明の製造方法によれば、蒸着中の酸素導入に
よる真空度悪化を低減できて、電子銃の放電回数を著し
く減少できることがわかる。またこの発明で得られた磁
気テープ（実施例１および２）は、比較例１および２で
得られた磁気テープに比し、強磁性金属薄膜層の連続性
がよく、このことからこの発明の製造方法によれば、強
磁性材柱状粒子の連続成長を損なうことなく、良好に連
続された強磁性金属薄膜層が形成されることがわかる。
実施例１および２）によるものは、比較例３の製造方法
に比し、真空度が高くて、放電回数が少なく、このこと
からこの発明の製造方法によれば、蒸着中の酸素導入に
よる真空度悪化を低減できて、電子銃の放電回数を著し
く減少できることがわかる。またこの発明で得られた磁
気テープ（実施例１および２）は、比較例１および２で
得られた磁気テープに比し、強磁性金属薄膜層の連続性
がよく、このことからこの発明の製造方法によれば、強
磁性材柱状粒子の連続成長を損なうことなく、良好に連
続された強磁性金属薄膜層が形成されることがわかる。
第１図はこの発明の製造方法を実施するために使用する
真空蒸着装置の概略断面図、第２図は同要部拡大断面図
、第３図は従来の製造方法を実施するために使用する真
空蒸着装置の概略断面図である。 １・・・真空槽、３・・・円筒状キャン、４・・・基体
、７・・・強磁性材蒸発源、８・・・強磁性材、９・・
・防着板、１０・・・ガス導入口、Ａ・・・莫気流、Ｌ
・・・強磁性材蒸発源とガス吹きつけ位置との距離、ｌ
・・・酸化性ガス導入口位置とガス吹きつけ位置との距
離第１図 第３図
真空蒸着装置の概略断面図、第２図は同要部拡大断面図
、第３図は従来の製造方法を実施するために使用する真
空蒸着装置の概略断面図である。 １・・・真空槽、３・・・円筒状キャン、４・・・基体
、７・・・強磁性材蒸発源、８・・・強磁性材、９・・
・防着板、１０・・・ガス導入口、Ａ・・・莫気流、Ｌ
・・・強磁性材蒸発源とガス吹きつけ位置との距離、ｌ
・・・酸化性ガス導入口位置とガス吹きつけ位置との距
離第１図 第３図
Claims (1)
- １、真空雰囲気内で、移動する基体に強磁性材蒸発源で
加熱蒸発した強磁性材の蒸気流を差し向けると同時に、
基体の被蒸着面と強磁性材蒸発源とを結ぶ空間内から、
強磁性材の蒸気流と平行に基体に酸化性ガスを吹きつけ
、酸化性ガスの導入口位置と基体のガス吹きつけ位置と
の距離を、強磁性材蒸発源と基体のガス吹きつけ位置と
の距離の１／２０〜１／２の範囲内にすることを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14215586A JPS62298026A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14215586A JPS62298026A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62298026A true JPS62298026A (ja) | 1987-12-25 |
Family
ID=15308639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14215586A Pending JPS62298026A (ja) | 1986-06-17 | 1986-06-17 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62298026A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009235545A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Toray Ind Inc | 金属酸化物薄膜形成装置ならびに金属酸化物薄膜付きシートの製造方法 |
-
1986
- 1986-06-17 JP JP14215586A patent/JPS62298026A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009235545A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Toray Ind Inc | 金属酸化物薄膜形成装置ならびに金属酸化物薄膜付きシートの製造方法 |
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