JPH0477369B2 - - Google Patents
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- JPH0477369B2 JPH0477369B2 JP58002451A JP245183A JPH0477369B2 JP H0477369 B2 JPH0477369 B2 JP H0477369B2 JP 58002451 A JP58002451 A JP 58002451A JP 245183 A JP245183 A JP 245183A JP H0477369 B2 JPH0477369 B2 JP H0477369B2
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- Japan
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- head
- magnetic
- film
- amorphous
- gap
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
本発明はギヤツプ部の構造に特徴を有するリン
グ型磁気ヘツドに関する。 本発明の目的は高密度磁気記録に適した磁気ヘ
ツドを得ることにある。 本発明の関わるリング型磁気ヘツドの概念図が
第１図に示してある。コア１、ギヤツプ２、書き
込み再生用コイル３からなつている。リング型磁
気ヘツドを用いる高密度磁気記録における方向は
記録媒体の抗磁力の値を大きくする方向であり、
それに対応する磁気ヘツドが要求されている。磁
気ヘツドの開発の方向は高い周波数領域（数ＭHz
〜10MHz）で高透磁率を示し、飽和磁束密度も高
いコアを使つた狭ギヤツプのヘツドを得ようとす
る方向である。記録媒体では、メタル媒体、蒸着
あるいはメツキによる合金媒体等の抗磁力1KOe
より大きくなるような記録媒体が高記録密度用媒
体として考えられている。このような高抗磁力の
高記録密度用媒体に確実な記録を可能とするため
にはヘツドコアの飽和磁束密度は10KG程度以上
なければならないと考えられている。これを満足
するのはメタル系軟磁性材料であるが数ＭHz〜
10MHzの周波数領域では透磁率は著しく低下して
しまう。現在、この周波数領域で透磁率の高い材
料はMn−Zn単結晶フエライト、Mn−Zn多結晶
フエライトに限られている。コアの耐摩耗性を考
慮すれば、合金媒体のような硬い記録媒体には上
記のフエライト系材料にコアは限られてしまう。 このような状況において、本発明はフエライト
系コアのギヤツプ面にアモルフアス系軟磁性膜を
形成せしめることにより上記の問題点を解決し、
1KOe以上の抗磁力を有す記録媒体に数ＭHz以上
の記録周波数で確実に書き込みできる磁気ヘツド
を得ようとするものである。 第２図に本発明のヘツドのギヤツプ部の実施例
の一つを示す。コア１のギヤツプ面にアモルフア
ス系軟磁性薄膜がスパツタリングにより形成され
直流磁場中あるいは回転磁場中でアニール処理が
され磁気特性を出す。アモルフアス系軟磁性薄膜
としては、Co−Fe−Ｂ、Fe−Ｂ、Co−Ta、Co
−Zr、Co−Zr−Nb等の膜が挙げられる。熱的安
定性の観点からはＢ、Siの入つている膜は駄目
で、Co−Ta、Co−Zrが優れている。Co−Zr−
Nbは零磁歪組成を示し、磁気特性において何ら
劣るものではない。 アモルフアス膜の膜厚は0.5〜10μｍ程度であり
透磁率は10MHz以上でも優れており3000程度は示
す。また飽和磁化は、組成により異なるが9KG
〜16KG程度と大きい。フエライト系材料をコア
とした場合、ヘツドの特性は透磁率1000程度、飽
和磁化9KG〜16KGのコアにより製造されたヘツ
ドと同等の特性を数ＭHz〜20MHzの領域で示す。 ギヤツプ面に形成する高透磁率薄膜として他の
膜（センダスト膜、パーマロイ膜）との比較を第
１表に示す。膜の硬度はバルク材の硬度より一般
的に硬くなるが、アモルフアス膜は断然硬度は高
い。そのためかヘツド研摩後の膜のだれ（ヘツド
先端から見て観測できる膜厚が真の膜圧より大き
く見える現象、金属膜の持つ粘りと関係あると思
われる）はアモルフアス膜が断然小さい。観察は
1500倍の金属顕微鏡によつた、アモルフアス膜を
使用すればギヤツプ精度の良いヘツドがギヤツプ
長の小さい場合にも得られることがこれから分
る。通常の単結晶フエライトのみのヘツドと本発
明のヘツドの耐久性の比較データが第１表の最後
に載せてある。
グ型磁気ヘツドに関する。 本発明の目的は高密度磁気記録に適した磁気ヘ
ツドを得ることにある。 本発明の関わるリング型磁気ヘツドの概念図が
第１図に示してある。コア１、ギヤツプ２、書き
込み再生用コイル３からなつている。リング型磁
気ヘツドを用いる高密度磁気記録における方向は
記録媒体の抗磁力の値を大きくする方向であり、
それに対応する磁気ヘツドが要求されている。磁
気ヘツドの開発の方向は高い周波数領域（数ＭHz
〜10MHz）で高透磁率を示し、飽和磁束密度も高
いコアを使つた狭ギヤツプのヘツドを得ようとす
る方向である。記録媒体では、メタル媒体、蒸着
あるいはメツキによる合金媒体等の抗磁力1KOe
より大きくなるような記録媒体が高記録密度用媒
体として考えられている。このような高抗磁力の
高記録密度用媒体に確実な記録を可能とするため
にはヘツドコアの飽和磁束密度は10KG程度以上
なければならないと考えられている。これを満足
するのはメタル系軟磁性材料であるが数ＭHz〜
10MHzの周波数領域では透磁率は著しく低下して
しまう。現在、この周波数領域で透磁率の高い材
料はMn−Zn単結晶フエライト、Mn−Zn多結晶
フエライトに限られている。コアの耐摩耗性を考
慮すれば、合金媒体のような硬い記録媒体には上
記のフエライト系材料にコアは限られてしまう。 このような状況において、本発明はフエライト
系コアのギヤツプ面にアモルフアス系軟磁性膜を
形成せしめることにより上記の問題点を解決し、
1KOe以上の抗磁力を有す記録媒体に数ＭHz以上
の記録周波数で確実に書き込みできる磁気ヘツド
を得ようとするものである。 第２図に本発明のヘツドのギヤツプ部の実施例
の一つを示す。コア１のギヤツプ面にアモルフア
ス系軟磁性薄膜がスパツタリングにより形成され
直流磁場中あるいは回転磁場中でアニール処理が
され磁気特性を出す。アモルフアス系軟磁性薄膜
としては、Co−Fe−Ｂ、Fe−Ｂ、Co−Ta、Co
−Zr、Co−Zr−Nb等の膜が挙げられる。熱的安
定性の観点からはＢ、Siの入つている膜は駄目
で、Co−Ta、Co−Zrが優れている。Co−Zr−
Nbは零磁歪組成を示し、磁気特性において何ら
劣るものではない。 アモルフアス膜の膜厚は0.5〜10μｍ程度であり
透磁率は10MHz以上でも優れており3000程度は示
す。また飽和磁化は、組成により異なるが9KG
〜16KG程度と大きい。フエライト系材料をコア
とした場合、ヘツドの特性は透磁率1000程度、飽
和磁化9KG〜16KGのコアにより製造されたヘツ
ドと同等の特性を数ＭHz〜20MHzの領域で示す。 ギヤツプ面に形成する高透磁率薄膜として他の
膜（センダスト膜、パーマロイ膜）との比較を第
１表に示す。膜の硬度はバルク材の硬度より一般
的に硬くなるが、アモルフアス膜は断然硬度は高
い。そのためかヘツド研摩後の膜のだれ（ヘツド
先端から見て観測できる膜厚が真の膜圧より大き
く見える現象、金属膜の持つ粘りと関係あると思
われる）はアモルフアス膜が断然小さい。観察は
1500倍の金属顕微鏡によつた、アモルフアス膜を
使用すればギヤツプ精度の良いヘツドがギヤツプ
長の小さい場合にも得られることがこれから分
る。通常の単結晶フエライトのみのヘツドと本発
明のヘツドの耐久性の比較データが第１表の最後
に載せてある。
【表】
出力の減小比は次式で定義される。
出力の減小比（％）＝（フエライト＋膜のヘツド
の1000h後の出力）／（フエライト＋膜のヘツドの初期
出力／（フエライトのみのヘツドの1000h後の出力）／
（フエライトのみのヘツドの初期の出力×100 ヘツドのギヤツプ長は約1μｍ、ギヤツプ部は
SiO2膜によつて埋められているヘツドによりヘ
ツドと記録媒体の相対速度１ｍ／Ｓで測定した。
この例ではパーマロイ、ハードパーム系高透磁率
膜が耐久性がないことが分る。センダストとアモ
ルフアス膜では差がないようであり、フエライト
のみのヘツドと較べて耐久性は低下していないと
言える。以上を総合してみるとアモルフアス高透
磁率薄膜が極めて優れた特性を示していると結論
できる。 第３図は本発明の別の実施例であり、高透磁率
薄膜４がギヤツプ面全面でなく、ギヤツプ面の一
部に形成され、ヘツド効率をよく向上させている
例である。 以上述べたように本願発明では、アモルフアス
軟磁性薄膜はCo−Ta、Co−ZrあるいはCo−Zr
−Nb系合金よりなる構成としたので、例えば、
Fe系のアモルフアス材料と比較すれば結晶化温
度が高いことから、耐摩耗性に優れた高融点ガラ
ス等の高融点物質をヘツドギヤツプ部に形成する
ことが可能となり、ヘツドの寿命を著しく向上す
るという効果を有し、さらに、上記の構成からな
るアモルフアス軟磁性薄膜は熱的安定性に優れて
いることから、例えば、ヘツド加工時の材料の選
定及びその加工方法に制限を受けないこととな
り、磁気ヘツドの製造が著しく容易にできるとい
う効果を有するものである。 また、上記の構成からなるアモルフアス軟磁性
薄膜、特にCo−Zr−Nb系合金などは零磁歪材料
であるため、ヘツド加工時に加わる外力に対して
歪を生ぜず製造時の劣化を極小に抑えることがで
き、且つ周波数特性も優れているので、信頼性の
高い磁気ヘツドが得られるという効果も有する。
の1000h後の出力）／（フエライト＋膜のヘツドの初期
出力／（フエライトのみのヘツドの1000h後の出力）／
（フエライトのみのヘツドの初期の出力×100 ヘツドのギヤツプ長は約1μｍ、ギヤツプ部は
SiO2膜によつて埋められているヘツドによりヘ
ツドと記録媒体の相対速度１ｍ／Ｓで測定した。
この例ではパーマロイ、ハードパーム系高透磁率
膜が耐久性がないことが分る。センダストとアモ
ルフアス膜では差がないようであり、フエライト
のみのヘツドと較べて耐久性は低下していないと
言える。以上を総合してみるとアモルフアス高透
磁率薄膜が極めて優れた特性を示していると結論
できる。 第３図は本発明の別の実施例であり、高透磁率
薄膜４がギヤツプ面全面でなく、ギヤツプ面の一
部に形成され、ヘツド効率をよく向上させている
例である。 以上述べたように本願発明では、アモルフアス
軟磁性薄膜はCo−Ta、Co−ZrあるいはCo−Zr
−Nb系合金よりなる構成としたので、例えば、
Fe系のアモルフアス材料と比較すれば結晶化温
度が高いことから、耐摩耗性に優れた高融点ガラ
ス等の高融点物質をヘツドギヤツプ部に形成する
ことが可能となり、ヘツドの寿命を著しく向上す
るという効果を有し、さらに、上記の構成からな
るアモルフアス軟磁性薄膜は熱的安定性に優れて
いることから、例えば、ヘツド加工時の材料の選
定及びその加工方法に制限を受けないこととな
り、磁気ヘツドの製造が著しく容易にできるとい
う効果を有するものである。 また、上記の構成からなるアモルフアス軟磁性
薄膜、特にCo−Zr−Nb系合金などは零磁歪材料
であるため、ヘツド加工時に加わる外力に対して
歪を生ぜず製造時の劣化を極小に抑えることがで
き、且つ周波数特性も優れているので、信頼性の
高い磁気ヘツドが得られるという効果も有する。
第１図はリング型磁気ヘツドの概念図である。
第２図、第３図は本発明の磁気ヘツドのギヤツプ
部の例である。 １……コア、２……ギヤツプ部、３……コイ
ル、４……アモルフアス高透磁率薄膜。
第２図、第３図は本発明の磁気ヘツドのギヤツプ
部の例である。 １……コア、２……ギヤツプ部、３……コイ
ル、４……アモルフアス高透磁率薄膜。
Claims (1)
- １ 高透磁率材により形成された閉磁路、前記閉
磁路の一部に設けられた空〓部、前記空〓部の前
記高透磁率材の相対向する面上に形成されたアモ
ルフアス軟磁性薄膜、前記閉磁路のまわりに巻き
回されたコイルから構成され、前記アモルフアス
軟磁性薄膜はCo−Ta、Co−ZrあるいはCo−Zr
−Nb系合金よりなることを特徴とする磁気ヘツ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP245183A JPS59127213A (ja) | 1983-01-11 | 1983-01-11 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP245183A JPS59127213A (ja) | 1983-01-11 | 1983-01-11 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59127213A JPS59127213A (ja) | 1984-07-23 |
| JPH0477369B2 true JPH0477369B2 (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=11529642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP245183A Granted JPS59127213A (ja) | 1983-01-11 | 1983-01-11 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59127213A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59146426A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS60103511A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘツド |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56124111A (en) * | 1980-03-06 | 1981-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic head |
| JPS57162118A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-05 | Fujitsu Ltd | Manufacture of magnetic head |
| JPS5898824A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS58118015A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57118531U (ja) * | 1981-01-19 | 1982-07-23 | ||
| JPH0142815Y2 (ja) * | 1981-05-08 | 1989-12-13 |
-
1983
- 1983-01-11 JP JP245183A patent/JPS59127213A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56124111A (en) * | 1980-03-06 | 1981-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic head |
| JPS57162118A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-05 | Fujitsu Ltd | Manufacture of magnetic head |
| JPS5898824A (ja) * | 1981-12-09 | 1983-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS58118015A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59127213A (ja) | 1984-07-23 |
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