JPH02173912A - 磁気ヘッドおよび磁気記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、フロッピーディスク、磁気テープ等の磁気記
録媒体用の磁気ヘッド、特に記録および再生兼用の磁気
ヘッドに関し、さらに詳しくは、コアのギャップ部の一
方の端面に、コアより高い飽和磁束密度を有する膜を有
し、他方の端面に、コアより低い飽和磁束密度を有する
膜を有するいわゆるエンハンストデュアルギャップレン
グス（Ｅｌ）Ｇ）型の磁気ヘッドおょびこの磁気ヘッド
を用いる磁気記録方法に関する。

〈従来の技術〉 磁気記録媒体に情報の記録、再生を行う場合、大きな磁
束を与えるために、記録時には広いギャップのコアを有
する磁気ヘッドを用いることが好ましく、また、再生時
には分解能を高めるために、狭いギャップのコアを有す
る磁気ヘッドを用いることが好ましい。

しかし、記録、再生兼用の一個の磁気ヘッドを用いて記
録および再生を行う場合には、ギャップ長が固定されて
いるため上記の要件を満足することができない。

このような欠点を解消するために、特開昭６０−８７４
１１号公報には、第２図に示すような磁気ヘッドが提案
されている。

第２図に示される磁気ヘッドは、フェライトコア１のギ
ャップ部の一方の端面にコア１の飽和磁束密度よりも飽
和磁束密度の小さいガーネット等の酸化物系軟磁性薄膜
１４を形成し、他方の端面にコア１の飽和磁束密度より
も飽和磁束密度の大きいパーマロイ、センダスト等の高
飽和磁束密度磁性層１２を有する。　この磁気ヘッドは
、いわゆるエンハンストデュアルギャップレングス（Ｅ
ＤＧ）型の磁気ヘッドである。

この磁気ヘッドでは、記録時には飽和磁束密度の小さい
酸化物系軟磁性薄膜１４が磁気飽和する結果、この酸化
物系軟磁性薄膜１４が非磁性部３とともにギャップとし
てはたらくため広ギャップによる記録を行うことができ
、しかも、高飽和磁束密度磁性層１２から強力な磁束を
磁気記録媒体に印加できるため、高い保磁力を有する媒
体に有効な記録が行なえ、また、再生時には、磁気記録
媒体からのａ洩磁束が微小であるので、酸化物系軟磁性
薄膜１４がコア１の一部としてはたらくため狭ギャップ
による再生を行うことができ、高い分解能が得られると
している。

〈発明が解決しようとする課題〉 上記のようなＥＤＧ型の磁気ヘッドにおける高飽和磁束
密度磁性層としては、高い飽和磁束密度と大きな透磁率
と小さな保磁力とを有しなければならないためセンダス
トを用いることが好ましいが、このときコア材質として
フェライトを用いた場合、センダストとフェライトとの
結晶構造が異なるためにセンダスト膜に歪みが生じ、セ
ンダストとフェライトとの境界、すなわち、高飽和磁束
密度磁性層とコアとの境界に擬似ギャップを生じ、記録
・再生特性、特に再生特性に悪影響を与える。

また、特開昭６０−８７４１１号公報に記載の酸化物系
軟磁性材料では、所定の結晶構造をとることにより磁化
を発生するため、薄膜形成時にスピネル構造等をとらせ
なければならず、成膜条件を厳しくしぼりこむ必要があ
る。　さらに、成膜後にこれら結晶構造を付与するため
の熱処理を施さなければならない場合が多（、製造上難
点がある。　そして、このため特性がバラつ（という不
都合がある。

また、上記のような性能を満足するためには、ギャップ
部の端面に設ける薄膜はフェライトより小さな飽和磁束
密度と大きな透磁率と小さな保磁力とを有しなければな
らない。

しかし、酸化物系軟磁性材料では結晶構造により飽和磁
束密度が規定されており、これよりも小さな飽和磁束密
度、特に３，０ＯＯＧ以下の飽和磁束密度を得るために
は非磁性物質を添加しなければならず、この場合、非磁
性物質は結晶構造中にアイランド状態で存在するため透
磁率を極端に低下させてしまう。

従って、酸化物系軟磁性薄膜を有する磁気ヘッドでは、
十分な記録、再生特性を得ることは困難である。

より具体的には、再生出力が低（、また、媒体の繰返し
走行により磁気ヘッドが着磁して再主出力の劣化が生じ
る。

さらに、この公報の実施例に示される酸化物系軟磁性材
料の飽和磁束密度は１，０ＯＯＧであり、この程度の飽
和磁束密度の軟磁性材料はキュリー点が４０℃程度と低
いため、室温付近で透磁率が得られなくなり、磁気特性
が不安定であり、また、分解能が低下してしまう。　さ
らに、オーバーライト記録を行なう場合に、問題を生じ
る。

一方、磁気記録媒体の高３己録密度化の隻求は増す一方
であり、高記録密度を達成するために、磁気ヘッドの狭
ギャップ化および媒体の高保磁力化が進行している。

しかし、上記公報に記載の磁気ヘッドでは、酸化物系軟
磁性材料を用いるため、上記したように低飽和磁束密度
かつ高透磁率が得られないため、広ギヤツプ記録・狭ギ
ヤツプ再生が不十分である。

なお、低飽和磁束密度の軟磁性材料としては、結晶質の
各種金属も知られているが、これら結晶質を薄膜化する
ときにも、前記酸化物同様、低飽和磁束密度で高初透磁
率、低保磁力のものは得られず、十分な記録、再生特性
が得られず、また、特性のバラつきも生じる。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、擬似
ギャップが生じず、記録・再生特性が良好な記録・再生
兼用のＥＤＧ型の磁気ヘッドを提供することを目的とし
、また、このようなＥＤＧ型の磁気ヘッドであって、オ
ーバーライト特性、分解能等の記録・再生特性が良好で
、その劣化がなく、温度特性が安定であり、特性のバラ
つきが少なく製造−ト有利であり、しかも、高密度記録
が可能な記録・再生兼用の磁気ヘッドを提供することを
目的とする。

さらに、本発明は、オーバーライトが良好に行なえる磁
気記録方法を提供することを目的とする。

〈課題を解決するための手段〉 上記目的は、下記（１）〜（５）の本発明によって達成
される。

（１）コアのギャップ部の一方の端面に、前記コアより
高い飽和磁束密度を有する高飽和磁束密度合金薄膜を有
し、他方の端面に、前記コアより低い飽和磁束密度を有
する低飽和磁束密度合金薄膜を有する磁気ヘッドであっ
て、前記高飽和磁束密度合金薄膜が軟磁性金属から構成
される下地膜上に成膜されたことを特徴とする磁気ヘッ
ド。

（２）前記コアがフェライトから構成され、前記高飽和
磁束密度合金薄膜がセンダストから構成されたものであ
る」１記（１）に記載の磁気ヘッド。

（３）前記下地膜がパーマロイから構成されたものであ
る」１記（１）または（２）に記載の磁気ヘッド。

（４）前記低飽和磁束密度合金薄膜がＣｏ系アモルファ
ス合金から構成されたものである上記（１）ないしく３
）のいずれかに記載の磁気ヘッド。

（５）Ｊ：記（１）ないしく４）のいずれかに記載の磁
気ヘッドを用い、オーバーライト記録を行なうことを特
徴とする磁気配録方法。

〈作用〉 本発明の磁気ヘッドは、記録時には、飽和磁束密度の小
さい低飽和磁束密度合金薄膜が磁気飽和する結果、この
薄膜がギャップの一部としてはたらくため、広ギャップ
による記録を行うことができ、しかも、高飽和磁束密度
合金薄膜から強力な磁束を磁気記録媒体に印加できるた
め、高い保磁力を有する媒体に有効な記録が行なえる。

　そして再生時には、磁気記録媒体からの漏洩磁束が微
小でありかつ低飽和磁束密度合金薄膜の透磁率が大きい
ので低飽和磁束密度合金薄膜がコアの一部としてはたら
き、狭ギャップによる再生を行うことができる。

そして、本発明では、高飽和磁束密度合金薄膜を、コア
のギャップ部端面に形成された下地膜上に成膜する。

この下地膜は、高飽和磁束密度合金薄膜の結晶構造とコ
アの結晶構造の双方に類似した結晶構造から構成される
ため、高飽和磁束密度合金薄膜を下地膜上に歪みなく成
膜することができ、結果として、高飽和磁束密度合金薄
膜とコアとの境界に擬似ギャップが生じることがない。

このため、本発明の磁気ヘッドは、記録・再生特性、特
に、再生特性が良好となる。

本発明の磁気記録方法は、上記の本発明の磁気ヘッドを
用いてオーバーライト記録を行なうものである。

く具体的構成〉 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の磁気ヘッドの好適実施例を、第１図に示す。

第１図に示される磁気ヘッドは、コア１のギャップ部の
一方の端面に、下地膜５を有し、この下地膜５上に、前
記コアより高い飽和磁束密度を有する高飽和磁束密度合
金薄膜２を有し、他方の端面に、前記コアより低い飽和
磁束密度を有する低飽和磁束密度合金薄膜４を有する。

　そして、高飽和磁束密度合金薄膜２と低飽和磁束密度
合金薄膜４との間に、非磁性物質または非磁性空間によ
って形成される非磁性部３を有する。

本発明において、コア１はフェライトから構成されるこ
とが好ましい。

用いるフェライトに特に制限はないが、Ｍｎ−Ｚｎフェ
ライトまたはＮｉ−Ｚｎフェライトを、目的に応じて用
いることが好ましい。

Ｍｎ−Ｚｎフェライトとしては、Ｆ　ｅ　ｚ　Ｏｓ５０
〜６０モル％程度、Ｚｎ０８〜２５モル％程度、残部が
実質的にＭｎＯのものが好適である。

また、Ｎ　１−Ｚｎフェライトは特に高周波領域におい
て優れた特性を示すものであり、好ましい組成としては
、Ｆ　ｅ　２０　ｓが３０〜６０モル％、ＮｉＯが１５
〜５０モル％、ＺｎＯが５〜４０モル％程度のものであ
る。

コア１の直流での飽和磁束密度は、好ましくは４，００
０〜６．０ＯＯＧ、より好ましくは４．５００〜５，５
００Ｇとする。　飽和磁束密度が上記範囲未満であると
、インピーダンスが低くなるため再生感度が低下する他
、キニリー温度が低くなるため熱的安定性が低下してし
まう、　また、上記範囲を超えると、磁歪が増加して磁
気ヘッドとしての特性が悪化し、また、着磁し易くなる
。

コア１の５００ｋＨｚでの初透磁率は ３．０００〜５，０００程度、保磁力は０．３０ｅ以下
であることが好ましい。

下地膜５は、コアｌの結晶構造と高飽和磁束密度合金薄
膜２の結晶構造の双方に類似した結晶構造から構成され
ることが好ましい。　このように構成することにより、
コア１との結晶構造の違いによる高飽和磁束密度合金薄
膜２の成膜時の歪を、防止することができる。

下地膜５の材質としては、このような条件を満足するも
のであれば特に制限はな（、パーマロイ系合金、タフパ
ーム、アルパーム等を好適に用いることができる。

これらのうち、特に好ましいものはパーマロイである。

　パーマロイとしては、Ｎｉ含有量７５〜８５ｖｔ％程
度で残部Ｆｅであるものが好ましく、さらに、耐摩耗性
などを改善する目的で、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｃｒなどが
１０ｗｔ％程度以下含有されていてもよい。

なお、下地膜５は、下記のような磁気特性を有すること
が好ましい。

直流での飽和磁束密度は９，０００〜 １４．０ＯＯＧ、また、５００　ｋＨｚでの初透磁率は
５００〜３．０００、保磁力は１．ＯＯｅ以下であるこ
とが好ましい。

下地膜５の膜厚は、０．０１−１μｍ程度、特に０．０
５〜０，３μｍ稈度であることが好ましい。

また、下地ＩＩＩ　５の成膜は、スパッタ法により行な
うことが好ましい。

高飽和磁束密度合金薄膜２は、記録時に密度の高い磁束
を発生させ、高い保磁力を有する磁気記録媒体に有効な
記録を行なうために設けられる。

本発明において、高飽和磁束密度合金薄膜２は、Ｆｅお
よびＳｉを含有する合金がら形成されることが好ましい
。

ＦｅおよびＳｉを含有する合金に特に制限はないが、磁
気ヘッド摺動面の偏摩耗を避けるために、後述する低飽
和磁束密度合金薄膜４と同程度の耐摩耗性を有する合金
であることが好ましい。

そして、高飽和磁束密度合金薄膜２の直流での飽和磁束
密度は、好ましくは９，０００〜１４．０ＯＯＧ、より
好ましくは９，０００〜１１．０ＯＯＧとする。　飽和
磁束密度が」１配範囲未満であると密度の高い磁束を発
生することができず、高保磁力の磁気記録記録媒体への
記録が困難となり、また、高密度言己録にも不適当とな
る。　上記範囲を超えると、磁歪が大幅に増加して透磁
率が著しく低下し、また、保磁力が数エルステッド以」
−に達するため残留磁化が存在するようになり、記録減
磁、Ｓ／Ｎ劣化、記録電流の増大が生じてしまう。

また、５００　ｋＨｚでの初透磁率は５００−３．００
０、特に１，０００〜３，０００程度、保磁力は０．２
　０ｅ以下であることが好ましい。

このような高飽和磁束密度合金としては、Ｆｅ−Ａｊ２
−３ｉ系合金（センダスｌ−）Ｆｅ−Ｇａ−５ｉ系合金
あるいはＦｅ−３ｆ合金が好ましい。

Ｆｅ−Ａｆｆ−Ｓｉ系合金としては、センダストの他、
Ａｌ２２〜６ｗｔ％、Ｓｉ６〜１２ｗｔ％で残部Ｆｅで
あるもの、あるいけこれにＣｒ等の添加元素を３ｗｔ％
程度以下含有するもの、Ｆｅ−Ｇａ−３ｉ系合金として
は、Ｇａ５〜１５ｗｔ％、　Ｓ　Ｌ　７〜２０ｗｔ％、
残部Ｆｅであるものが好ましく、Ｆｅ−Ｓｉ合金として
は、Ｓｉ０．５〜１０ｗｔ％で残部Ｆｅであるものが好
ましく、特に、Ｓｉ１〜６ｗｔ％で残部Ｆｅであるもの
が好ましい。

高飽和磁束密度合金薄膜２の膜厚は、好ましくは０．２
〜５μｍ、さらに好ましくは０１５〜３μｍである。

膜厚が上記範囲未満であると、高飽和磁束密度合金薄膜
全体の体積が不足して飽和し易くなり、上記のような作
用を十分に果たすことが困難となる。　また、上記範囲
を超えると、高飽和磁束密度合金薄膜の摩耗が大きくな
る他、渦電流損失が増大してしまう。

このような高飽和磁束密度合金薄膜を有することにより
、本発明の磁気ヘッドは保磁力９０００ｅ以上、特に９
００〜１．５００　０ｅの磁気記録媒体に対し有効な記
録を行なうことができる。

低飽和磁束密度合金薄膜４は、記録時に後述する非磁性
部３どともにギャップとしてはたらき、再生時にコアｌ
の一部としてはたらくものである。

低飽和磁束密度合金薄膜４の直流での飽和磁束密度は、
好ましくは１，５００〜３．０００Ｇ、より好ましくは
］、、８００〜１．５００Ｇとする。

飽和磁束密度が上記範囲未満である低飽和磁束密度合金
薄膜はキュリニ点が低いため熱的に不安定であり、温度
特性が不安定となる。

また、この場合、分解能が低下してしまう。

なお、分解能とは、例えば、１ｆの出力を■Ｉｆ、２ｆ
の出力をｖａｒとしたとき、（Ｖ　２ｔ／　Ｖ　＋ｒ）
　Ｘ　１００　［％］で表わされるものである。

さらに、この場合、オーバーライト特性値はきわめて高
い値が得られるが、逆にオーバーライト特性が高過ぎる
ため、この磁気ヘッドにより記録を行なった媒体に対し
、他の磁気ヘッドでオーバーライト記録を行なった場合
、オーバーライトによる消去が困難となってしまう。

飽和磁束密度が上記範囲を超えるとオーバーライト特性
が低下する。

低飽和磁束密度合金薄膜４の５００ｋＨｚでの初透磁率
は５００〜３，０００、特に１．０００〜３，０００程
度、保磁力は０．　２０ｅ以下であることが好ましい。

　初透磁率が上記範囲未満であると、再生時に低飽和磁
束密度合金薄膜４がコア１の一部としてはだら（ことが
困難となり、狭ギヤツプ磁気ヘッドとしての性能が期待
できないからである。　なお、初透磁率が高くなるほど
再生出力が向上するので、低飽和磁束密度合金薄膜４の
初透磁率は高いほど好ましいが、後述する組成を有する
低飽和磁束密度合金薄膜４は、初透磁率として１．００
０〜３，０００程度が得られる。　また、このような低
飽和磁束密度合金薄膜４は、薄膜化しても０．２０ｅ以
下の低保磁力が得られる。

本発明において、低飽和磁束密度合金薄膜４は、Ｃｏ系
アモルファス合金から構成されることが好ましい。

用いるＣｏ系アモルファス合金に特に制限はないが、例
えば、Ｃｏと、Ｆｅ、ＮｉおよびＣｒ　（１）　１種以
上と、Ｓｉ、Ｂ、ＰおよびＣの１種以上とを含有するア
モルファス合金が好ましい。

このようなアモルファス合金のうち、上記の磁気特性を
得る点では、下記式で示される原子組成が好ましい。

式　　（Ｃ：ｏ＋−、−、−、Ｆｅ、Ｎｔ、Ｃｒｒ）、
−＋＋Ｍｘ前記式において、ＭはＳｉ、Ｂ、ＰおよびＣ
の１種以上を表わし、０．０５≦ｘＳ０．３．０≦ｐ≦
０．１５．０≦ｑ≦０．５５．０≦ｒ≦０．１０である
。　この場合、０．０４≦ｐ＋ｑ＋ｒ≦０．２であるこ
とが好ましい。

また、Ｍは、Ｓｉ＋Ｂ、Ｂ＋ＰあるいはＰ＋Ｃを含む２
〜４種の組み合わせであることが好ましい。　この場合
、各元素の含有比は、任意である。

なお、上記の組成中には、さらに、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｒｕ、
Ｒｈ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ等の遷
移金属元素の１種以上を、全体の１０ｗｔ％以下含有し
てもよい。　また、Ｇｅ、ＡＱ等のメタロイド元素を、
全体の１０ｗｔ％以下含有してもよい。

上記のような組成とすることにより、低飽和磁束密度合
金薄膜の耐摩耗性が向上し、また、成膜速度も向上する
。

また、上記のよりなＣｏ系アモルファス合金の他、本発
明では、Ｃｏと、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｙ、ＳｔおよびＢ
からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素と、Ｖ、
Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭＯおよびＷからなる群から選ばれ
る少なくとも１種の元素とを含有するアモルファス合金
も、好適に用いられる。

Ｃｏの含有量は、好ましくは７０〜８０ａｔ％、より好
ましくは７２〜７８ａｔ％である。

なお、Ｃｏの一部がＦｅ、ＮｉおよびＭｎによって置換
されていてもよい。　これらの元素のＣＯに対する置換
量は、合計で３０ａｔ％以下であることが好ましい。

Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｙ、Ｓｉ、Ｂの群がら選ばれる元素
の含有量は、好ましくは３０ａｔ％以下、特に５〜２５
ａｔ％である。

また、■、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗの群から選ばれ
る元素の含有量は、好ましくは３゜ａｔ％以下、特に５
〜２５ａｔ％である。

これらの元素の含有量が上記範囲外となると、非晶質お
よび所望の特性を得るのが困難となる。

低飽和磁束密度合金薄膜４の膜厚は、好ましくは０．３
〜５μｍ、より好ましくは０．３〜２μｍ、さらに好ま
しくは０．３〜１μｍである。

膜厚が」１配範囲未満であると、記録時と再生時の有効
ギャップ長の差が小さ（なり、記録特性および再生特性
の両方を満足することはできない。　また、膜厚が上記
範囲を超えると、記録時の有効ギャップ長が広くなりす
ぎ、記録に必要なパワーが増大してしまう。

上記のような高飽和磁束密度合金薄膜２および低飽和磁
束密度合金薄膜４は、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等
の公知の各種気相成膜法により形成されることが好まし
く、特にスパッタ法により形成されることが好ましい。

成膜されたこれらの薄膜に誘導磁気異方性が生じた場合
、静磁界または回転磁界中で結晶温度以下の温度にて熱
処理することにより、異方性を除去することができる。

コア１、高飽和磁束密度合金薄膜２および低飽和磁束密
度合金薄膜４の飽和磁束密度が上記範囲内であれば、磁
気ヘッドとして高い分解能が得られる。　また、オーバ
ーライｌ−特性も一３０ｄＢ以下の良好な値が得られる
ため、本発明の磁気ヘッドは、オーバーライト記録を良
好に行なうことができる。　そして、これらのうちのい
ずれか一つでも上記範囲を外れた場合、このような効果
は実現しない。

非磁性部３は、再生時にギャップとしてはたらくもので
あり、ＳｉＯ□、ガラス等の非磁性物質または非磁性空
間から形成される。　非磁性部３の厚さ、すなわち、再
生時のギャップ長は、好ましくは０．１〜２．０１１ｍ
、より好ましくは０．１〜１．０ａｍ、さらに好ましく
は０．１〜０．４μｍ程度が好ましい。　この範囲であ
れば、高密度記録が良好に行なえる。

本発明の磁気ヘッドは、必要に応じスライダーと一体化
され、組立てられヘッドアセンブリーとされる。

そして、いわゆるラミネートタイプやバルクタイプ等の
トンネルイレーズ型あるいはイレーズヘッドを有しない
リードライト型などのオーバーライト記録を行なうフロ
ッピーヘッド、モノリシック型やコンポジット型の浮上
型の計算機用ヘッドなどの各種磁気ヘッドとして用いら
れる。

本発明の磁気ヘッドは、特に公知の種々の方式のオーバ
ーライト記録に使用した場合、従来の磁気ヘッドと比較
して極めて優れた特性を示す。

そして、本発明の磁気記録方法は、このような本発明の
磁気ヘッドを用いて、公知の種々の方式のオーバーライ
ト記録を行なうものである。

〈実施例〉 以下、本発明を、具体的実施例を挙げて詳細に説明する
。

［実施例１］ 第１図に示すように、ギャップ部の一方の端面に下地膜
５を介して高飽和磁束密度合金簿膜２を、他方の端面に
低飽和磁束密度合金薄膜４を形成した磁気ヘッドサンプ
ルＮｏ、１を作製した。

下地膜５、高飽和磁束密度合金薄膜２および低飽和磁束
密度合金薄膜４の組成、膜厚、磁気特性を、下記に示す
。　なお、これらの膜の成膜はスパッタ法により行なっ
た。

（下地膜） 組成：　Ｎ　Ｌ　ｓｏＦ　ｅ　ｔｏ　（ｗｔ％）膜厚：
０．２μｍ 直流での飽和磁束密度二１０，０ＯＯＧ初透磁率：１５
００ 保磁カニ〇、２０ｅ （高飽和磁束密度合金薄膜） 組成：センダスト ＦｅａｓＡｆｌｓ　Ｓ　ｉｓ　Ｃｒｌ　　（ｗｔ％）膜
厚：２．０μｍ 直流での飽和磁束密度：　ｌ　１，０ＯＯＧ初透磁率：
　２８００ 保磁カニ０．１５０ｅ （低飽和磁束密度合金薄膜） 組成：ＣＯ系アモルファス合金 ＣＯ７５２ｒ　＋ｏＭ　Ｏ＋ｓ　　（ａｔ％　）膜厚：
１．０μｍ 直流での飽和磁束密度＋２，５００Ｇ 初透磁率：１５００ 保磁カニ０．１５０ｅ コアｌの材質はＭｎ−Ｚｎフェライトとし、直流での飽
和磁束密度は４，５００Ｇ、初透磁率は３，０００、保
磁力は０．１０ｅであった。

非磁性部３はＳ　ｉ　０２で形成し、その厚さは０．４
μｍとした。　また、コイルターン数は１００Ｘ２ター
ンとした。

また、比較のために、下地膜を成膜しない他は上記と同
様にして磁気ヘッドサンプルＮｏ、２を作製した。

上記各サンプルと、保磁力が１３０００ｅのフロッピー
ディスクとを用いて、トラック幅１２０μｍにて下記の
特性を測定した。

なお、測定に際しては、低飽和磁束密度合金薄膜を、フ
ロッピーディスク進行側とした。

（擬似ギャップ測定） １０ｋＨｚの信号を記録し、その孤立波形を再生して主
パルスに対する擬似パルスの比率を測定し、百分率で表
わした。

なお、擬似パルスが１０％以上では、データエラーが発
生する。

（オーバーライト特性） １．２５ＭＨｚの１ｆ信号を記録し、次いでこの上から
２．５０ＭＨｚの２ｆ信号を重ね書きした。

２ｆ信号の出力に対する１ｆ信号の出力を算出し、オー
バーライト特性を評価した。

なお、この値が一３０ｄＢを超える場合、オーバーライ
ト特性としては不十分である。

また、この値が一４０ｄＢ未満である場合、他の磁気ヘ
ッドを用いたときとの互換性がとれない。

（分解能） １．２５ＭＨｚの１ｆ信号を記録し、この信号の出力を
Ｖ　ｌｔとした。　また、別に、２．５０ＭＨｚの２ｆ
信号を記録し、この出力をＶａｔとした。　これらから
、下記の式により分解能を算出した。

式　　　　（Ｖ＊ｒ／Ｖ＋ｔ）　　ｘ　　ｌ　　００　
　［％］なお、分解能が７０％未満では、実用に耐えな
い。

表１に、結果を示す。

表　　　　　１ Ｎｏ、　　　　　比率（％）　　ライト特性（ｄＢ）　
　　　（％） １　（本発明）　　　　０　　　　　−３２　　　　８
２２　（比較）２０−３２８２ ［実施例２］ 高飽和磁束密度合金薄膜および低飽和磁束合金薄膜を、
下記表２に示すように組み合わせ、実施例１と同様にし
て磁気ヘッドサンプルを作製した。

これらのサンプルにおいて、下地膜は、実施例１と同一
のものを用いた。

これらのサンプルに対し、実施例１と同様な評価を行な
ったところ、実施例１で作製したヅンブルとほぼ同等の
結果が得られた。

［実施例３］ 高飽和磁束密度合金薄膜を下記組成のものとした他は実
施例１および２と同様にして磁気ヘッドを作製し、実施
例１と同様な評価を行なった。

この結果、これらは実施例１０本発明サンプルと同等の
特性を示した。

（高飽和磁束密度合金薄膜組成） Ｆ　ｅ　７７Ｇ　ａ　９　Ｓ　ｉ　１４　（ｗｔ％）Ｆ
　ｅ　ｓｉ、ｓｓ　ｉ　４．Ｑ　　　（ｉｖｔ％）上記
各実施例の結果から、本発明の効果が明らかである。

〈発明の効果〉 本発明の磁気ヘッドは、コアのギャップ部に高飽和磁束
密度合金薄膜と低飽和磁束密度合金薄膜とを有する。

このため、記録時には広ギヤツプ磁気ヘッドとして使用
でき、しかも、強力な磁束を発生できるので、保磁力の
大きい磁気記録媒体に有効な記録を行なうことができる
。　また、再生時には狭ギヤツプ磁気ヘッドとして使用
できる。

従って、本発明の磁気ヘッドは記録特性および再生特性
が良好である。

また、低飽和磁束密度合金薄膜の飽和磁束密度を所定の
範囲とすることにより、分解能およびオーバーライト特
性の両者を満足することができる。　また、この場合、
低飽和磁束密度合金薄膜のキュリー点は１００℃程度以
上となり、温度特性が良好である。

さらに、低飽和磁束密度合金薄膜を所定の組成とするこ
とにより、耐摩耗性が良好で、成膜性も向上する。

また、高飽和磁束密度合金薄膜と低飽和磁束密度合金薄
膜の耐摩耗性をほぼ同程度とすることができるため、ヘ
ッドの偏摩耗を防止することができる。

そして、本発明の磁気ヘッドは、高飽和磁束密度合金薄
膜を下地膜上に成膜するため、コアの結晶構造と高飽和
磁束密度合金薄膜の結晶構造の違いに起因する高飽和磁
束密度合金薄膜の歪を防止することができ、その結果、
擬似ギャップを生じることがなく、記録・再生特性が良
好である。

【図面の簡単な説明】

符号の説明 １・・・コア、 ２・・・高飽和磁束密度合金薄膜、 ３・・・非磁性部、 ４・・・低飽和磁束密度合金薄膜、 ５・・・下地膜、 １２・・・高飽和磁束密度磁性層、 １４・・・酸化物系軟磁性薄膜

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）コアのギャップ部の一方の端面に、前記コアより
   高い飽和磁束密度を有する高飽和磁束密度合金薄膜を有
   し、他方の端面に、前記コアより低い飽和磁束密度を有
   する低飽和磁束密度合金薄膜を有する磁気ヘッドであっ
   て、 前記高飽和磁束密度合金薄膜が軟磁性金属から構成され
   る下地膜上に成膜されたことを特徴とする磁気ヘッド。
2. （２）前記コアがフェライトから構成され、前記高飽和
   磁束密度合金薄膜がセンダストから構成されたものであ
   る請求項１に記載の磁気ヘッド。
3. （３）前記下地膜がパーマロイから構成されたものであ
   る請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
4. （４）前記低飽和磁束密度合金薄膜がＣｏ系アモルファ
   ス合金から構成されたものである請求項１ないし３のい
   ずれかに記載の磁気ヘッド。
5. （５）請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気ヘッド
   を用い、オーバーライト記録を行なうことを特徴とする
   磁気記録方法。