JPH0474765B2 - - Google Patents
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- JPH0474765B2 JPH0474765B2 JP58033083A JP3308383A JPH0474765B2 JP H0474765 B2 JPH0474765 B2 JP H0474765B2 JP 58033083 A JP58033083 A JP 58033083A JP 3308383 A JP3308383 A JP 3308383A JP H0474765 B2 JPH0474765 B2 JP H0474765B2
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- Japan
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- magnetic
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- magnetic head
- magnetic pole
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- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 description 1
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- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 発明の技術分野
本発明はデイジタル磁気記録に用いられる
（ｄ、ｋ、ｍ、ｎ）表記法のいづれにも一般化し
て適用しうる磁極面長及び半ギヤツプ長の規定方
法で、これらの値を決定して形成された薄膜磁気
ヘツドに関する。
（ｄ、ｋ、ｍ、ｎ）表記法のいづれにも一般化し
て適用しうる磁極面長及び半ギヤツプ長の規定方
法で、これらの値を決定して形成された薄膜磁気
ヘツドに関する。
(ロ) 技術の背景
従来、デイジタル磁気記録装置で薄膜磁気ヘツ
ドが用いられているが、このヘツドから読出され
る出力電圧のパターンピークシフトの可及的減少
を図るため、読出電圧の記録密度特性とパターン
ピークシフトとを両立させるようにして磁極面長
Ｐとギヤツプ長ｇとを決定している。
ドが用いられているが、このヘツドから読出され
る出力電圧のパターンピークシフトの可及的減少
を図るため、読出電圧の記録密度特性とパターン
ピークシフトとを両立させるようにして磁極面長
Ｐとギヤツプ長ｇとを決定している。
例えば、特開昭52−63711号公報では、記録波
長をλとしたとき、 ｇ＋2P≦λ とすることにより、パターンピークシフトが小さ
い値となることを開示している。
長をλとしたとき、 ｇ＋2P≦λ とすることにより、パターンピークシフトが小さ
い値となることを開示している。
又、1982年度インタマグコンフアレンス、セツ
シヨンCFの第３の講演でのアブストラクトでは、
ビツトの反転間隔をBLとしたとき、 ｇ＋2P≒５×BL であるとき最適となるとし、又同コンフアレン
ス、セツシヨンCFの第２の講演では、IBM社
3370、3380デイスク装置で用いられている変調法
と同じ２×7codingを24000BPIで用いる場合に
は、ｇ×0.7μｍ、Ｐ＝3.5μｍが最適である旨を、
本発明の発明者を含むグループが発表している。
シヨンCFの第３の講演でのアブストラクトでは、
ビツトの反転間隔をBLとしたとき、 ｇ＋2P≒５×BL であるとき最適となるとし、又同コンフアレン
ス、セツシヨンCFの第２の講演では、IBM社
3370、3380デイスク装置で用いられている変調法
と同じ２×7codingを24000BPIで用いる場合に
は、ｇ×0.7μｍ、Ｐ＝3.5μｍが最適である旨を、
本発明の発明者を含むグループが発表している。
これらの開示はいづれも、記録密度と記録ビツ
ト長との特定な関係についてのみなされているに
過ぎず、デイジタル磁気記録の各種変復調方式に
応用する際の、磁気ヘツドの形状決定のための統
一的な知見を何んら開示するものではない。
ト長との特定な関係についてのみなされているに
過ぎず、デイジタル磁気記録の各種変復調方式に
応用する際の、磁気ヘツドの形状決定のための統
一的な知見を何んら開示するものではない。
又、従来知られている各種変復調方式を統一的
に分類、表記する方法として、（ｄ、ｋ、ｍ、ｎ）
表記法が提唱されている。この（ｄ、ｋ、ｍ、
ｎ）表記法を要約して述べると、ｍビツトの原デ
ータをｎビツトの符号語に変換した後、その符号
語のビツト“１”を磁化反転に対応させ且つビツ
ト“０”を磁化無反転に対応させて記録する際
の、“０”が連続する下限値をｄ、その上限値を
ｋとして表わす表記法である。
に分類、表記する方法として、（ｄ、ｋ、ｍ、ｎ）
表記法が提唱されている。この（ｄ、ｋ、ｍ、
ｎ）表記法を要約して述べると、ｍビツトの原デ
ータをｎビツトの符号語に変換した後、その符号
語のビツト“１”を磁化反転に対応させ且つビツ
ト“０”を磁化無反転に対応させて記録する際
の、“０”が連続する下限値をｄ、その上限値を
ｋとして表わす表記法である。
この表記法によれば、媒体上の最短磁化反転間
隔Tminは、原データのビツト長をTbで表わすと
すると、 Tmin＝（ｄ＋１）ｍ／ｎTb で表わし得ると共に、最大磁化反転間隔Tmaxは Tmax＝（ｋ＋１）ｍ／ｎTb で表わし得ることも知られている。又、データの
弁別窓の幅Twは Tw＝ｍ／ｎTb で表わし得ることも知られている。
隔Tminは、原データのビツト長をTbで表わすと
すると、 Tmin＝（ｄ＋１）ｍ／ｎTb で表わし得ると共に、最大磁化反転間隔Tmaxは Tmax＝（ｋ＋１）ｍ／ｎTb で表わし得ることも知られている。又、データの
弁別窓の幅Twは Tw＝ｍ／ｎTb で表わし得ることも知られている。
そして、上記表記法に従う変復調方式におい
て、復調エラーを減少させるためには、原データ
の記録密度がヘツド−媒体によつて定まるD50と
同等か、それより低い密度で用いることも又、知
られている。この条件を低めるD50は再生出力値
が孤立波出力値の50％の値に低下する記録密度を
表わすものであるが、媒体の遷移長をａ、ヘツド
と媒体との距離をｈ、ヘツドの半ギヤツプ長を
ｇ／２とし、Ｐ＝∞のときには、上記D50は で表わされる（F.S.T.J.、VOl.15、No.３、P110〜
P112参照）。但し、式(1)の1.38は実験的に求めた
係数である。
て、復調エラーを減少させるためには、原データ
の記録密度がヘツド−媒体によつて定まるD50と
同等か、それより低い密度で用いることも又、知
られている。この条件を低めるD50は再生出力値
が孤立波出力値の50％の値に低下する記録密度を
表わすものであるが、媒体の遷移長をａ、ヘツド
と媒体との距離をｈ、ヘツドの半ギヤツプ長を
ｇ／２とし、Ｐ＝∞のときには、上記D50は で表わされる（F.S.T.J.、VOl.15、No.３、P110〜
P112参照）。但し、式(1)の1.38は実験的に求めた
係数である。
この記録密度におけるビツト長をTD50で表わす
と TD50１／D50 ……(2) となり、原データのビツト長をTbで表わせば、 Tb≧T50 ……(3) なる関係を得る。これらの関係式をギヤツプ長に
ついて解いて得られる、復調エラーを減少させる
半ギヤツプ長は次式 で与えられることも又、知られている。
と TD50１／D50 ……(2) となり、原データのビツト長をTbで表わせば、 Tb≧T50 ……(3) なる関係を得る。これらの関係式をギヤツプ長に
ついて解いて得られる、復調エラーを減少させる
半ギヤツプ長は次式 で与えられることも又、知られている。
これらの、（ｄ、ｋ、ｍ、ｎ）表記法の下での
知見も又、磁気ヘツドの形状決定のための統一し
た手段たり得ていない。
知見も又、磁気ヘツドの形状決定のための統一し
た手段たり得ていない。
(ハ) 従来技術と問題点
このように、従来技法は磁極面長とギヤツプ長
との関係は記録密度或いは磁気記録媒体上の最短
磁化反転間隔についてのみ考察されているだけで
あるから、変復調方式の変更に伴つてとられる最
適形状への変更は記録再生すべき多様なパターン
のうちの、ただ１つの特例に対して行われるに過
ぎなく、磁気ヘツドの総合的な評価基準となるタ
イミングマージンを大きくする１つの因子である
パターンピークシフトの減少を十分に達成し得て
いない。
との関係は記録密度或いは磁気記録媒体上の最短
磁化反転間隔についてのみ考察されているだけで
あるから、変復調方式の変更に伴つてとられる最
適形状への変更は記録再生すべき多様なパターン
のうちの、ただ１つの特例に対して行われるに過
ぎなく、磁気ヘツドの総合的な評価基準となるタ
イミングマージンを大きくする１つの因子である
パターンピークシフトの減少を十分に達成し得て
いない。
(ニ) 発明の目的
本発明は上述したような従来磁気ヘツドが抱え
ている技術的課題に着目して創案されたもので、
その目的は（ｄ、ｋ、ｍ、ｎ）表記法に従つて記
録再生される読出信号のパターンピークシフトの
低減乃至最小化と同時に書き込み効率の向上をも
実現しうる薄膜磁気ヘツド形状に形成された薄膜
磁気ヘツドを提供することにある。
ている技術的課題に着目して創案されたもので、
その目的は（ｄ、ｋ、ｍ、ｎ）表記法に従つて記
録再生される読出信号のパターンピークシフトの
低減乃至最小化と同時に書き込み効率の向上をも
実現しうる薄膜磁気ヘツド形状に形成された薄膜
磁気ヘツドを提供することにある。
(ホ) 発明の構成
そして、この目的は原データを（ｄ、ｋ、ｍ、
ｎ）表記法に従つて磁気記録媒体に記録再生する
際の原データのビツト長をTb、磁極面長をＰ、
半ギヤツプ長をｇ／２で表したとき （ｄ＋２）ｍ／ｎTb≦Ｐ＋ｇ／２≦（ｋ＋１） ｍ／ｎTb となるようにＰ＋ｇ／２の値を規定して形成する
ことによつて達成される。
ｎ）表記法に従つて磁気記録媒体に記録再生する
際の原データのビツト長をTb、磁極面長をＰ、
半ギヤツプ長をｇ／２で表したとき （ｄ＋２）ｍ／ｎTb≦Ｐ＋ｇ／２≦（ｋ＋１） ｍ／ｎTb となるようにＰ＋ｇ／２の値を規定して形成する
ことによつて達成される。
(ヘ) 発明の実施例
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施
例を説明する。
例を説明する。
第１図は薄膜磁気ヘツド（第３図参照。この図
のＰは磁極面長、ｇはギヤツプ長、１は上磁極、
２は下磁極、３はコイルであり、４は磁気記録媒
体である。）による任意の記録パターンにおける
パターンピークシフトを説明する図であり、この
図はビツト間隔T1のダイビツトパターンが周期
Ｔで繰り返す波形を示す。図中のT2は T2＝Ｔ−T1 で与えられる。又、第１図中の破線は孤立波形を
示し、実線は各孤立波形の合成波形を示す。
のＰは磁極面長、ｇはギヤツプ長、１は上磁極、
２は下磁極、３はコイルであり、４は磁気記録媒
体である。）による任意の記録パターンにおける
パターンピークシフトを説明する図であり、この
図はビツト間隔T1のダイビツトパターンが周期
Ｔで繰り返す波形を示す。図中のT2は T2＝Ｔ−T1 で与えられる。又、第１図中の破線は孤立波形を
示し、実線は各孤立波形の合成波形を示す。
この合成波形のピーク間隔をTPとし、
△Ｔ＝（TP−T1）／２で表わすときのパターンピ
ークシスト率をP.Sを P.S＝△Ｔ／Tw ……(5) で表わす。Twは上述のところと同じである。
ークシスト率をP.Sを P.S＝△Ｔ／Tw ……(5) で表わす。Twは上述のところと同じである。
式(5)で与えられるパターンピークシフト率を上
述の（ｄ、ｋ、ｍ、ｎ）表記法に従つて記録した
とする場合について示したのが第４図乃至第７図
である。これらの場合における上述のT1及びT2
は T1＝Tmin＝（ｄ＋１）ｍ／ｎTb T2＝αTb なる関係を有する。
述の（ｄ、ｋ、ｍ、ｎ）表記法に従つて記録した
とする場合について示したのが第４図乃至第７図
である。これらの場合における上述のT1及びT2
は T1＝Tmin＝（ｄ＋１）ｍ／ｎTb T2＝αTb なる関係を有する。
第４図乃至第６図は夫々、（ｄ、ｋ、ｍ、ｎ）＝
（２、７、１、２）である場合に記録密度が
30000BPI、20000BPI、12700BPIの夫々の場合に
おける各種の磁極面長に対するパターンピークシ
フト率の関係を示し、第７図は（ｄ、ｋ、ｍ、
ｎ）＝（１、８、２、３）である場合に記録密度が
30000BPIの場合における各種の磁極面長に対す
るパターンピークシフト率の関係を示したもので
ある。第４図乃至第６図におけるＣ１、Ｃ２、Ｃ
３、Ｃ４、Ｃ５は夫々、上述αの値がα＝４、α
＝3.5、α＝３、α＝2.5、α＝２である場合を示
し、第７図におけるC6〜C12は夫々、上述のαの
値がα＝1.333、α＝２、α＝2.667、α＝3.333、
α＝４、α＝4.667、α＝5.333である場合を示
す。又、これらの図中のａ、ｈ、ｇは夫々、遷移
長、磁気ヘツドと磁気記録媒体との距離、ギヤツ
プ長である。
（２、７、１、２）である場合に記録密度が
30000BPI、20000BPI、12700BPIの夫々の場合に
おける各種の磁極面長に対するパターンピークシ
フト率の関係を示し、第７図は（ｄ、ｋ、ｍ、
ｎ）＝（１、８、２、３）である場合に記録密度が
30000BPIの場合における各種の磁極面長に対す
るパターンピークシフト率の関係を示したもので
ある。第４図乃至第６図におけるＣ１、Ｃ２、Ｃ
３、Ｃ４、Ｃ５は夫々、上述αの値がα＝４、α
＝3.5、α＝３、α＝2.5、α＝２である場合を示
し、第７図におけるC6〜C12は夫々、上述のαの
値がα＝1.333、α＝２、α＝2.667、α＝3.333、
α＝４、α＝4.667、α＝5.333である場合を示
す。又、これらの図中のａ、ｈ、ｇは夫々、遷移
長、磁気ヘツドと磁気記録媒体との距離、ギヤツ
プ長である。
これらの図の視察から判るように、図中の・印
で示したように、各αに対してパターンピークシ
フト率が最小となる最適磁極面長Poptが存在す
るということを確認しうる。
で示したように、各αに対してパターンピークシ
フト率が最小となる最適磁極面長Poptが存在す
るということを確認しうる。
同様の関係を同一の（ｄ、ｋ、ｍ、ｎ）例えば
（２、７、１、２）であつて他の記録密度につい
て求め、その場合に存在するPoptと反転間隔T1
との関係は第８図に示す如くなることが判つた。
（２、７、１、２）であつて他の記録密度につい
て求め、その場合に存在するPoptと反転間隔T1
との関係は第８図に示す如くなることが判つた。
第８図において、縦軸は最適磁極面長Poptと
半ギヤツプ長ｇ／２との和、横軸は繰り返しダイ
ビツトパターンのダイビツト間隔（反転間隔）
T1である。又、パラメータαはT2／Tbの比で、
その下限値は最短反転間隔の次に短い反転間隔と
の比（ｄ＋２）ｍ／ｎで、その上限値は最大反転間 隔との比（ｋ＋１）ｍ／ｎである。
半ギヤツプ長ｇ／２との和、横軸は繰り返しダイ
ビツトパターンのダイビツト間隔（反転間隔）
T1である。又、パラメータαはT2／Tbの比で、
その下限値は最短反転間隔の次に短い反転間隔と
の比（ｄ＋２）ｍ／ｎで、その上限値は最大反転間 隔との比（ｋ＋１）ｍ／ｎである。
これらのことから、磁極面長Ｐと半ギヤツプ長
ｇ／２との和を （ｄ＋２）ｍ／ｎTb≦Ｐ＋ｇ／２≦（ｋ＋１）ｍ／
ｎ Tb ……(6) としたとき、最小のパターンピークシフトが得ら
れる。
ｇ／２との和を （ｄ＋２）ｍ／ｎTb≦Ｐ＋ｇ／２≦（ｋ＋１）ｍ／
ｎ Tb ……(6) としたとき、最小のパターンピークシフトが得ら
れる。
又、式(6)は、
λ＋2T≦ｇ＋2P≦２（ｋ＋１）Ｔ ……(7)
と表せる。但し、式(7)において、λは最小記録波
長、Ｔはｍ×Tb／ｎであり、２（ｋ＋１）Ｔは最
大記録波長である。
長、Ｔはｍ×Tb／ｎであり、２（ｋ＋１）Ｔは最
大記録波長である。
式(7)から明らかなように、磁極面長Ｐは、最小
記録波長より次に長い記録波長より厚く、最大記
録波長より薄い磁極面長範囲に設定されるから、
書き込み効率の向上にもなる。
記録波長より次に長い記録波長より厚く、最大記
録波長より薄い磁極面長範囲に設定されるから、
書き込み効率の向上にもなる。
又、半ギヤツプ長は上述の如く式(4)で与えられ
ることが望ましく、又その遷移長ａは磁気記録媒
体の残留磁化Brの磁気記録媒体トラツク方向ｘ
における分布Ｂ（ｘ）を Ｂ（ｘ）＝２／π×Br×tan-1（ｘ／ａ）で近似す
る場合におけるＢ(a)＝Br／２となるｘ＝ａの値
に選定するのがよい。
ることが望ましく、又その遷移長ａは磁気記録媒
体の残留磁化Brの磁気記録媒体トラツク方向ｘ
における分布Ｂ（ｘ）を Ｂ（ｘ）＝２／π×Br×tan-1（ｘ／ａ）で近似す
る場合におけるＢ(a)＝Br／２となるｘ＝ａの値
に選定するのがよい。
(ト) 発明の効果
以上述べたように、本発明によれば、（ｄ、ｋ、
ｍ、ｎ）表記法を用いて記録再生する場合のパタ
ーンピークシフトの最小化をもたらしうる値に、
磁気ヘツドの磁極面長と半ギヤツプ長との和を設
定しうる。このようにして、パターンピークシフ
トは最小化されうるから、磁気ヘツドの総合的な
特性評価基準となるタイミングマージンを増大し
て読出しエラーの低減をもたらす等の効果が得ら
れる。
ｍ、ｎ）表記法を用いて記録再生する場合のパタ
ーンピークシフトの最小化をもたらしうる値に、
磁気ヘツドの磁極面長と半ギヤツプ長との和を設
定しうる。このようにして、パターンピークシフ
トは最小化されうるから、磁気ヘツドの総合的な
特性評価基準となるタイミングマージンを増大し
て読出しエラーの低減をもたらす等の効果が得ら
れる。
又、書き込み効率の向上を同時に得られる。
第１図は本発明の説明に用いるダイビツトパタ
ーンの繰返し波形図、第２図は第１図の波形図中
の円Ａ内を拡大して示す図、第３図は薄膜磁気ヘ
ツドの縦断面図、第４図乃至第７図は磁極面長に
対するパターンピークシフト率を示すグラフ、第
８図はT1に対するＰ＋ｇ／２の関係を示す図で
ある。 図中、Ｐは磁極面長、ｇはギヤツプ長、ａは遷
移長、ｈは磁気ヘツドと磁気記録媒体との距離で
ある。
ーンの繰返し波形図、第２図は第１図の波形図中
の円Ａ内を拡大して示す図、第３図は薄膜磁気ヘ
ツドの縦断面図、第４図乃至第７図は磁極面長に
対するパターンピークシフト率を示すグラフ、第
８図はT1に対するＰ＋ｇ／２の関係を示す図で
ある。 図中、Ｐは磁極面長、ｇはギヤツプ長、ａは遷
移長、ｈは磁気ヘツドと磁気記録媒体との距離で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 原データを（ｄ、ｋ、ｍ、ｎ）表記法に従つ
て磁極記録媒体に記録再生する際の原データのビ
ツト長をTb、磁極面長をＰ、半ギヤツプ長を
ｇ／２で表したとき、 （ｄ＋２）ｍ／ｎTb≦Ｐ＋ｇ／２≦（ｋ＋１） ｍ／ｎTb となるようにＰ＋ｇ／２の値を規定して形成した
ことを特徴とする薄膜磁気ヘツド。 ２ 上記半ギヤツプ長が、 （但し、ａは遷移長、ｈは磁気ヘツドと磁気記録
媒体との距離である。）となるように規定されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の薄膜磁気ヘツド。 ３ 上記遷移長は、磁気記録媒体の残留磁化Br
の磁気記録媒体トラツク方向ｘにおける分布Ｂ
（ｘ）を Ｂ（ｘ）＝２／π×Br×tan-1（ｘ／ａ） で近似しうる場合においてＢ(a)＝Br／２となる
ｘ＝ａの値として定められることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の薄膜磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3308383A JPS59160815A (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3308383A JPS59160815A (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59160815A JPS59160815A (ja) | 1984-09-11 |
| JPH0474765B2 true JPH0474765B2 (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=12376796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3308383A Granted JPS59160815A (ja) | 1983-03-01 | 1983-03-01 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59160815A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH056624U (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-29 | 日本開閉器工業株式会社 | 光フアイバ式光電スイツチ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5263711A (en) * | 1975-11-21 | 1977-05-26 | Hitachi Ltd | Film magnetic head |
-
1983
- 1983-03-01 JP JP3308383A patent/JPS59160815A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5263711A (en) * | 1975-11-21 | 1977-05-26 | Hitachi Ltd | Film magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59160815A (ja) | 1984-09-11 |
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|---|---|---|
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