JPH0472812B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はカロチノイド合成における中間工程と
して特に適する、シクロアルケニルアルキン類の
新規な製造方法に関する。

本発明によつて提供される方法は一般式 式中、 R²は水素またはヒドロキシを表わし、 R³はヒドロキシまたは＝CH−CH₂−OHを表
わし、 R⁴は−CO−OR⁶′または−CO−R⁶″を表わし、 R⁶′はアルキルを表わし、そして R⁶″はアリールまたはアルキルアリールを表わ
す、 で示される化合物を、R⁴OHの開裂（cleavage）
によつて一般式 式中、R²及びR³は上記の意味を有する、 で示される化合物に転化することを特徴とする。

「アルキル」、「アリール」及び「アルキルアリ
ール」なる語には、好ましくは炭素原子10個まで
を含むアルキル、アリール及びアルキルアリール
基が包含される。これらの基の例はメチル、エチ
ル、フエニル、トリル等である。

本発明にした違えば、式の化合物を比較的温
和な条件下で且つ良好な収率において式の純粋
な化合物に転化し得ることが見出された。

式の化合物の本発明による製造はそれ自体既
知の方法において、加熱によりそして／または触
媒の存在下において、式の化合物における
R⁴OHを開裂させることによつて行うことができ
る。適当な触媒は例えば次のものである：ａ）
（例えばイミダゾール、１，２，４−トリアゾー
ル、アニリン）、ｂ）強酸（好ましくはpKa＜１
の酸）と有機窒素塩基との塩、特にクロライド、
ブロマイド及びトシレート（例えばピリジニウム
ｐ−トシレート）、ｃ）ホスホニウム塩（例えば
トリフエニルホスホニウムクロライドまたはブロ
マイド）、ｄ）酸、好ましくはpKa＜１の強酸
［例えばトルエンスルホン酸、アンバーリスト
（Amberlyst）Ａ 15 （Fluka AG）塩化水素
酸、硫酸］、ｅ）トリアルキルクロロシラン（例
えばトリメチルクロロシラン）、ｆ）リチウム塩、
例えば強（pKa＜１）酸のリチウム塩（例えば塩
化リチウム、過塩素酸リチウム、四フツ化ホウ素
酸リチウム）、並びにｇ）パラジウム−（Ｏ）触媒
（例えば酢酸パラジウムの付加による）。

反応温度は殊にR⁴の意味及び反応を触媒の存
在下または不存在下で行うかに依存する。要求さ
れる反応温度は一般に200℃以下である；しかし
ながら、或る場合には、R⁴OHの開裂は室温でも
起こる。圧力は臨界的ではない。従つてこの反応
は好ましくは大気圧下で行う。

本発明による式の化合物の式の化合物への
転化は、不活性有機溶媒、例えばエーテル、アル
コール、ニトリル、アミドまたは飽和した、芳香
族もしくは塩素化された炭化水素中で有利に行わ
れる。好ましい溶媒の例はジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、エチレングリコールジメチル
エーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、
メタノール、アセトニトリル、ジメチルホルムア
ミド、ヘキサン、トルエン、ベンゼン、キシレ
ン、塩化メチレン、ジクロロエタン等である。

本発明によつて提供される方法は触媒の存在下
においてまた不存在下において行うことができ
る。本方法を触媒の存在下において行う場合、触
媒を触媒量またはそれ以上の量で用いることがで
きる。好ましい触媒は有機窒素塩基、これらの塩
基の塩及びリチウム塩である。

本発明によつて提供される方法の更に好ましい
態様は、R³が基＝CH−CH₂OHを表わす式の
化合物をホスホニウム塩、好ましくはトリフエニ
ルホスホニウムクロライドまたはブロマイドの等
モル量またはこれ以上の量の存在下において反応
させることからなる。この態様に従えば、まず対
応する式の化合物が生成せしめられ、次いでこ
のものが対応するホスホニウム塩に直接転化され
る［即ち、R³におけるヒドロキシ基がホスホニ
ウム塩、例えば−Ｐ（C₆H₅）₃ Cl または−Ｐ
（C₆H₅）₃ Br に転化される］。

本発明によつて提供される方法に従えば、R²
がヒドロキシを表わす式の化合物を使用するこ
とが好ましい。

R³によつて表わされる基＝CH−CH₂−OH中
に存在する二重結合はトランス立体配置を有する
ことが好ましい。

上記式においてR⁴で表わされる特に好まし
い基は基−CO−CR⁶′であり、特にR⁶′がC₁〜C₆
−アルキルを表わす基である。殊に好ましい基は
−CO−OCH₃及び−CO−OC₂H₅である。上記式
においてR⁴が基−CO−R⁶″を表わす場合、そ
れは殊にR″がアリールであるような基（例えば
ベンゾイル）である。

原則的に、シクロヘキシル環の６−位における
水素元素及び基R⁴O−が相互にシス位置［syn除
去（elimnation）］を表わす式の化合物が更に
好ましい。

本発明によつて提供される方法の更に好ましい
態様は一般式 式中、R₃及びR⁴は上記の意味を有する、 の化合物またはその光学的対掌体を立体的に障害
された塩基性リチウム化合物の存在下において
R⁴OHの開裂によつて一般式 式中、R³は上記の意味を有する、 の化合物またはその光学的対掌体に転化すること
からなる。

「立体的に障害された塩基性リチウム化合物］ なる語には、塩基性基上に立体障害を有し［基−
OR⁴に対する求核的攻撃（nucleophilic attack）
を避けるため］且つ少なくとも９、好ましくは少
なくとも11のpKa値をもつ有機化合物から誘導さ
れるリチウム−有機化合物が包含される。立体障
害は例えば１−位における炭素原子で枝分れまた
は置換によつて、或いはベンゼン環のオルト位置
における置換によつて行うことができる。かかる
化合物の中で好ましいものは上記の条件を満すア
ルキルリチウム、リチウムアルカノレート、リチ
ウムフエノレート、リチウムアルキルアミド等、
例えばリチウムtert.ブチレート、リチウム１，１
−ジメチルペンタノレート、リチウム２，６−ジ
メチルフエノレート、リチウム２，６−ジ（tert.
ブチル）フエノレート、リチウム２，６−ジクロ
ロフエノレート、tert.ブチルリチウム、２，６−
ジ（tert.ブチル）フエニルリチウム及びリチウム
ジイソプロピルアミドである。

この態様において、式ａ（またはその対掌体）
の化合物１モル当り好ましくは少なくとも約２モ
ルのリチウム化合物を用いる。特に好ましい具体
化例においては、リチウム化合物約２〜３モル当
量を用いるが、さらに多量に用いても反応に何ら
有害な影響はない。

式の化合物の反応に関連して上に述べた温
度、圧力及び溶媒は同様にこの態様にも適用され
うる。しかしながら、この態様は好ましくは約40
℃〜約70℃の温度で行われる。飽和炭化水素及び
芳香族炭化水素が特に好ましい溶媒である。

この態様は高収率を与える。更にR³が＝CH−
CH₂−OHを表わす場合のR³中に存在する二重結
合の立体配置は保持される。更に、一般に式の
化合物及びその光学的対掌体（但し残りの立体異
性体ではない）のみが上記の温和な温度条件下で
十分に反応するために、この態様は純粋な異性体
化合物を製造する際に特に適当である。

上記式ａにおけるR³は好ましくは基＝CH−
CH₂−OHを表わす。この基における二重結合は
好ましくはトランス立体配置で存在する。R⁴に
よつて表わされる好ましい基は−CO−OCH₃、−
CO−OC₂H₅及び−CO−C₆H₅である。

式の化合物は新規なものであり、そしてまた
本発明の一部を構成するものである。この化合物
はそれ自体既知の方法において、例えば対応する
リチウムアルコレート（R⁴がリチウムを表わす
式の化合物）から、対応するクロライド、即ち
式Cl−CO−CR⁶′またはCl−CO−CR⁶″［ここで、
R⁶′及びR⁶″は上記の意味を有する］の化合物との
反応によつて製造することができる。この反応に
対して必要なリチウムアルコレートはそれ自体既
知の方法において、対応するシクロヘキサノンを
対応するアルキニルリチウムと反応させることに
より得ることができる。この場合に更に存在する
ヒドロキシ基（R³中）は有利には保護された形
態で存在する。これらの保護基は必要に応じて、
基R⁴の導入前または後に離脱させることができ
る。

式の化合物のカロチノイドへの転化は公知の
方法或いはそれ自体既知の方法において、例えば
滝と得なアルデヒドまたはホスホニウム塩に転化
し、次いでビツテイヒ（Wittig）反応に付すこと
によつて行うことができる。

本発明を以下の実施例によつて更に詳細に説明
する。

実施例 １ エチル（1S，4R，6R）−４−ヒドロキシ−１
−（３−ヒドロキシ−１−ブチニル）−２，２，６
−トリメチルシクロヘキシルカルボネート10.14
ｇを熱ジメチルホルムアミド50mlに溶解した。こ
の溶液をピリジニウムｐ−トシレート１ｇで処理
し、この混合物を予熱した油浴中で1.5時間撹拌
した（油浴温度90〜93℃、内部温度約79〜82℃）。
次に混合物を半飽和塩化ナトリウム溶液500mlに
注ぎ、ジエチルエーテル各200mlで３回抽出した。
有機相を飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄し、
硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして蒸発させた。
得られた粗製の生成物（8.3ｇ）をシリカゲル上
でヘキサン／ジエチルエーテル（容量比１：１）
によつてクロマトグラフイーにかけた。かくし
て、（4R）−４−（４−ヒドロキシ−２，２，６−
トリメチル−１−シクロヘキセニル）−３−ブチ
ン−２−オール5.9ｇ（83.3％）が得られた。

出発物質として用いたエチル（1S，4R，6R）
−４−ヒドロキシ−１−（３−ヒドロキシ−１−
ブチニル）−２，２，６−トリメチルシクロヘキ
シルカルボネートは次の如くして製造した； ａ） 磁気撹拌機、温度計、適下ロート及び不活
性ガス化装置を備えた四つ口フラスコ中で、
（4R，6R）−４−ヒドロキシ−２，２，６−ト
リメチルシクロヘキサノン19.52ｇを無水テト
ラヒドロフラン40ml及びピリジニウムｐ−トシ
レート20mgの混合物にアルゴン下で溶解し、次
にこの溶液に15〜20℃で約20分以内にイソプロ
ピルメチルエーテル14.4ｇを滴下した。得られ
た溶液Ａを節ｃ）に述べた如くして処理した。

ｂ） 撹拌機、温度計、適下ロート上昇管及び不
活性ガス化装置を備えたスルホン化用フラスコ
中に無水テトラヒドロフラン80ml中の３−ブチ
ン−２−イルトリメチルシリルエーテル23.5ｇ
の溶液をアルゴン下で入れ、−30℃に冷却し、−
30℃〜20℃で10分以内に、ヘキサン中のブチル
リチウムの約1.56M溶液105mlで滴下処理した。
この混合物を−10℃で更に30分間撹拌し、次に
再び−40℃に冷却した。得られた溶液Ｂを節
ｃ）に述べた如くして処理した。

ｃ） 溶液Ａを−40℃で10分以内に溶液Ｂに滴下
した。この混合物を更に30分間撹拌し、次にク
ロロギ酸エチル15.7mlで処理し、混合物を撹拌
しながら１時間以内に室温に加温した。次に混
合物を０℃に冷却し、撹拌しながら3N硫酸100
mlで処理し、０〜５℃で更に30分間撹拌した。
この混合物を酢酸エチル250mlで希釈し、水相
を分離した。水相を酢酸エチル各250mlで２回
逆抽出した。有機相を飽和炭酸水素ナトリウム
溶液各250mlで３回、そして飽和塩化ナトリウ
ム溶液で250mlで１回洗浄し、合液し、硫酸ナ
トリウム上で乾燥した。乾燥剤を瀘別し、瀘液
を回転蒸発機で濃縮（水浴温度50℃）した後、
粗製の生成物43.6ｇが得られ、このものをシリ
カゲル上でヘキサン／ジエチルエーテル（容量
比１：１）によつてクロマトグラフイーにかけ
た。生成物を含むフラクシヨンから、やや帯黄
色の油として合計36.5ｇ（97.8％）のエチル
（1S，4R，6R）−４−ヒドロキシ−１−（３−
ヒドロキシ−１−ブチニル）−２，２，６−ト
リメチルシクロヘキシルカルボネートが得られ
た。

実施例 ２ 磁気撹拌機、温度計、還液冷却器及びアルゴン
ヘツドピース（headpiece）を備えた二口フラス
コ中で、イミダゾール6.7ｇをアルゴン下でトリ
エチレングリコールジメチルエーテル40mlに溶解
し、この溶液を油浴中で195℃に加熱した。次に
トリエチレングリコールジメチルエーテル15ml中
のエチル（1S，4R，6R）−４−ヒドロキシ−１
−（５−ヒドロキシ−３−メチル−3E−ペンテン
−１−イニル）−２，２，６−トリメチルシクロ
ヘキシルカルボネート8.0ｇの溶液を内部温度188
〜190℃で60分以内に滴下した。この混合物を同
一温度に更に30分間保存し、次に氷／水200mlに
注いだ。水相をジエチルエーテル各250mlで２回
抽出した。合液したエーテル相を水各10mlで４回
洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、約50℃で回
転蒸発機にて濃縮し、次に高真空下にて室温で３
時間乾燥した。得られた粗製の生成物（0.6ｇ）
をシリカゲル上でジエチルエーテル／ヘキサン
（容量比１：１）によつてクロマトグラフイーに
かけ、かくしてやや帯黄色の油として、（Ｒ）−５
−（４−ヒドロキシ−２，２，６−トリメチル−
１−シクロヘキセニル）−３−メチル−２−ペン
テン−４−イン−１−オール3.5ｇ（61.4％）を
単離することができた（比2E／2Z＝91.0：4.7）。

出発物質として用いたエチル（1S，4R，6R）
−４−ヒドロキシ−１−（５−ヒドロキシ−３−
メチル−3E−ペンテン−１−イニル）−２，２，
６−トリメチルシクロヘキシルカルボネートは次
の如くして製造した： ａ） 磁気撹拌機、温度計、適下ロート及び不活
性ガス化装置を備えた四つ口フラスコ中で、
（4R，6R）−４−ヒドロキシ−２，２，６−ト
リメチルシクロヘキサノン52.0ｇをアルゴン下
でテトラヒドロフラン65ml及びピリジニウムｐ
−トシレート50mgに溶解し、この溶液を15〜20
℃で20分以内にイソプロペニルメチルエーテル
48.0ｇで滴下処理した。得られた帯黄色の溶液
Ａを節ｃ）に述べた如くして直接処理した。

ｂ） 撹拌機、温度計、適下ロート上昇管及び不
活性ガス化装置を備えたスルホン化用フラスコ
中に、無水テトラヒドロフラン50ml中の５−
（２−メトキシ−２−プロピル）オキシ−３−
メチル−3E−ペンテン−１−イン79ｇの溶液
をアルゴン下で入れ、そして−20℃に冷却し
た。この溶液を−30℃〜20℃で20分以内にヘキ
サン中のブチルリチウムの約1.56M溶液280ml
で滴下処理し、生じた混合物を更に30分間撹拌
した。得られた橙色溶液Ｂを節ｃ）に述べた如
くして直接処理した。

ｃ） 溶液Ｂを−15℃で20分以内に溶液Ａで滴下
処理し、この混合物を室温で更に30分間撹拌し
た。混合物を−20℃に冷却し、撹拌しながらク
ロロギ酸エチル42mlで処理し、次に得られた混
合物を１時間にわたつて室温に加温した。次に
混合物をジエチルエーテル250mlで希釈し、水
相をジエチルエーテル250mlで逆洗浄した。有
機相を飽和塩化ナトリウム溶液各250mlで２回
洗浄し、合液し、硫酸ナトリウム上で乾燥し
た。乾燥剤を瀘別し、瀘液を回転蒸発機で濃縮
（水浴温度50℃）した後、褐一黄色油として粗
製のエチル（1S，4R，6R）−４−（２−メトキ
シ−２−プロピル）オキシ−１−［５−（２−メ
トキシ−２−プロピル）オキシ−３−メチル−
3E−ペンテン−１−イニル］−２，２，６−ト
リメチルシクロヘキシルカルボネート181.5ｇ
が得られた。

ｄ） 得られた褐一黄色油をテトラヒドロフラン
450ml及び水50mlに溶解し（濁つた溶液）、ピリ
ジニウムｐ−トシレート２ｇで処理し、更に20
分間撹拌した（透明な溶液）。次にこの褐一黄
色油溶液を固体の炭酸カリウム２ｇで処理し、
回転蒸発機で一定重量になるまで蒸発させた
（浴温50℃）。残渣をジエチルエーテル250mlで
希釈し、水250mlで抽出した。水相を分離し、
ジエチルエーテル250mlで逆抽出した。有機相
を飽和塩化ナトリウム溶液各250mlで２回洗浄
し、合液し、そして硫酸ナトリウム上で乾燥し
た。乾燥剤を瀘別し、瀘液を回転蒸発機で濃縮
（水浴温度50℃）した後、粗製の生成物1.40ｇ
が得られ、このものをシリカゲル上でジエチル
エーテル／ヘキサン（容量比１：１）によつて
クロマトグラフイーにかけた。生成物を含むフ
ラクシヨンから、やや帯黄色油として純粋なエ
チル（1S，4R，6R）−４−ヒドロキシ−１−
（５−ヒドロキシ−３−メチル−3E−ペンテン
−１−イニル）−２，２，６−トリメチルシク
ロヘキシルカルボネート合計99.0ｇ（91.6％）
が得られた。

実施例 ３ 磁気撹拌機、還流冷却器及びアルゴンヘツドピ
ースを備えた二口フラスコ中で、イミダゾール
4.4ｇをトリエチレングリコールジメチルエーテ
ル50mlにアルゴン下で溶解し、この溶液を油浴中
で195℃に加熱した。次にトリエチレングリコー
ルジメチルエーテル10ml中のエチル１−（５−ヒ
ドロキシ−３−メチル−3E−ペンテン−１−イ
ニル）−２，２，６−トリメチルシクロヘキシル
カルボネート５ｇの溶液を内部温度185〜190℃で
約20分以内に滴下した。この混合物を同一温度に
更に１時間保存し、次に氷／水200mlに注いだ。
水相をジエチルエーテル各250mlで２回抽出した。
合液したエーテル相を水各100mlで４回洗浄し、
硫酸ナトリウム上で乾燥し、約40℃にて回転蒸発
器で濃縮し、次に高真空下にて室温で２時間燥し
た。得られた粗製の生成物（3.6ｇ）をシリカゲ
ル上でジエチルエーテル／ヘキサン（容量比１：
１）によつてクロマトグラフイーにかけた。生成
物を含むフラクシヨンから、やや帯黄色の油とし
て５−（２，６，６−トリメチル−１−シクロヘ
キセニル）−３−メチル−２−ペンテン−４−イ
ン−１−オール2.1ｇ（59.5％）が得られた。（比
2E／2Z＝98.8：0.6）。

出発物質として用いたエチル１−（５−ヒドロ
キシ−３−メチル−3E−ペンテン−１−イニル）
−２，２，６−トリメチルシクロヘキシルカルボ
ネートは次の如くして製造した： ａ） 撹拌機、温度計、滴下ロート及びアルゴン
ヘツドピースを備えたスルホン化用フラスコ中
に、５−（２−メトキシ−２−プロピル）オキ
シ−３−メチル−3E−ペンテン−１−イン
115.1ｇ及びテトラヒドロフラン90mlを入れ、
この混合物を−25℃に冷却し、この温度で20分
以内にヘキサン中のブチルリチウムの1.6M溶
液で滴下処理した。この混合物を０℃で更に15
分間撹拌し、次に−10℃に冷却し、この温度で
15分以内に２，２，６−トリメチルシクロヘキ
サノン72.9ｇで滴下処理した。次に混合物を室
温に加温し、更に２時間撹拌した。この混合物
を０℃に冷却し、この温度で15分以内にクロロ
ギ酸エチル67.5mlで滴下処理し、放置して室温
に加温し、そして更に1.5時間撹拌した。次に
混合物を飽和炭酸水素ナトリウム溶液11に注
ぎ、ジエチルエーテル各11で２回抽出した。有
機相を脱イオン水11で洗浄し、硫酸ナトリウム
上で乾燥し、乾燥剤を瀘別し、瀘液を真空下に
て回転蒸発機で濃縮した（浴温度約45℃）。残
渣から高真空下にて浴温度60℃で１時間にわた
り、５−（２−メトキシ−２−プロピル）オキ
シ−３−メチル−3E−ペンテン−１−インを
除去した。粗製のエチル１−［５−（２−メトキ
シ−２−プロピル）オキシ−３−メチル−3E
−ペンテン−１−イニル］−２，２，６−トリ
メチルシクロヘキシルカルボネート232.1ｇ
（117.3％）が得られ、このものを更に精製せず
に直接処理した。

ｂ） 上記節ａ）に述べた如くして得られた粗製
の生成物105.5ｇを、撹拌機、温度計及びアル
ゴン・ヘツドピースを備えたスルホン化用フラ
スコ中のテトラヒドロフラン630mlに溶解し、
この溶液を脱イオン水105ml及びピリジニウム
ｐ−トシレート5.25ｇで処理し、混合物を室温
で更に30分間撹拌した。この混合物を飽和炭酸
水素ナトリウム溶液750mlに注ぎ、ジエチルエ
ーテル各600mlで３回抽出した。有機相を半飽
和炭酸水素ナトリウム溶液750mlで洗浄し、硫
酸ナトリウム上で乾燥し、乾燥剤を瀘別し、瀘
液を真空下にて回転蒸発機（浴温度約45℃）で
濃縮した。高真空下で乾燥した後、粗製の生成
物84.8ｇ（116.9％）が得られ、このものをシ
リカゲル上でヘキサン／ジエチルエーテル（容
量比２：１）によつてクロマトグラフイーにか
けた。かくして５−（２，６，６−トリメチル
−１−シクロヘキセニル）−３−メチル−２−
ペンテン−４−イン−１−オール2.3ｇ（4.5
％）及びエチル１−（５−ヒドロキシ−３−メ
チル−3E−ペンテン−１−イニル）−２，２，
６−トリメチルシクロヘキシルカルボネート
53.6ｇ（73.9％）が得られた。

実施例 ４ 撹拌機、温度計、適下ロート、還流冷却器及び
不活性ガス化装置を備えたスルホン化用フラスコ
中にtert.ブタノール16ml及び無水トルエン20mlを
アルゴン下で入れ、そして−25℃に冷却した。こ
の溶液を−30℃〜−20℃で10分以内にヘキサン中
のブチルリチウムの1.56M溶液25mlで滴下処理
し、この混合物を冷却しながら更に30分間撹拌し
た。次にかくして製造したリチウムtert.ブチレー
トの溶液に約20℃で無水トルエン120ml中の
（1S，4R，6R）−４−ヒドロキシ−１−（５−ヒ
ドロキシ−３−メチル−3E−ペンテン−１−イ
ニル）−２，２，６−トリメチルシクロヘキシル
ベンゾエート14.4ｇの溶液を一度に加えた。得ら
れた懸濁液を油浴によつて注意して65℃に加熱
し、この温度で1.5時間撹拌した。その後、混合
物を氷／水150mlに注いだ。水相を分離し、ジエ
チルエーテル各150mlで２回抽出した。有機相を
飽和塩化ナトリウム溶液150mlで洗浄し、含液し、
そして硫酸ナトリウム上で乾燥し、約40℃にて回
転蒸発機で濃縮し、次に残渣を高真空下にて室温
で１時間乾燥した。得られた粗製の生成物（12.0
ｇ）をシリカゲル上でジエチルエーテル／ヘキサ
ン（容量比１：１）によつてクロマトグラフイー
にかけた。生成物を含むフラクシヨンから、帯黄
色の結晶として（4R）−５−（４−ヒドロキシ−
２，２，６−トリメチル−１−シクロヘキセン−
１−イル）−３−メチル−2E−ペンテン−４−イ
ン−１−オール合計7.5ｇ（80％）が得られた
（純度98.8％、2Z異性体含量1.1％）。

出発物質として用いた（1S，4R，6R）−４−
ヒドロキシ−１−（５−ヒドロキシ−３−メチル
−3E−ペンテン−１−イニル）−２，２，６−ト
リメチルシクロヘキシルベンゾエートは次の如く
して製造した： ａ） テトラヒドロフラン20ml中の（4R，6R）
−４−ヒドロキシ−２，２，６−トリメチルシ
クロヘキサノン16.4ｇ及びピリジニウムｐ−ト
シレート30mgの溶液をアルゴン下にて15〜20℃
で10分以内にイソプロペニルメチルエーテル
16.0ｇで滴下処理した。

ｂ） 無水テトラヒドロフラン30ml中の５−（２
−メトキシ−２−プロピル）オキシ−３−メチ
ル−3E−ペンテン−１−イン27ｇの溶液をア
ルゴン下で、−20℃に冷却し、次に−30℃〜20
℃で10分以内にヘキサン中のブチルリチウムの
1.56M溶液90mlで滴下処理し、この混合物を更
に30分間撹拌した。

ｃ） 上記節ｂ）に述べた如くして得られた溶液
を−15℃で15分以内に、上記節ａ）に述べた如
くして製造した溶液で滴下処理し、この混合物
を室温で更に１時間撹拌した。混合物を−10℃
に冷却し、撹拌しながらベンゾイルクロライド
18.6mlで処理し、次に室温で一夜（18時間）撹
拌した。その後、混合物を飽和炭酸水素ナトリ
ウム溶液200mlに注ぎ、水相を分離し、ジエチ
ルエーテル各300mlで２回逆抽出した。有機相
を飽和塩化ナトリウム溶液各250mlで２回洗浄
し、濃縮し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そし
て乾燥剤を瀘別した。瀘液を回転蒸発機（水浴
温度40℃）で濃縮した後、褐−黄色油として粗
製の（1S，4R，6R）−４−（２−メトキシ−２
−プロピル）オキシ−１−［５−（２−メトキシ
−２−プロピル）オキシ−３−メチル−3E−
ペンテン−１−イニル］−２，２，６−トリメ
チルシクロヘキシルベンゾエートが得られる。
ｄ）得られた褐一黄色油をテトラヒドロフラン
400ml及び水20mlに溶解し（濁つた溶液）、ピリ
ジニウムｐ−トシレート１ｇで処理し、更に15
分間撹拌した（透明な溶液）。次にこの混合物
を飽和炭素水素ナトリウム溶液200mlに注ぎ、
水相を分離し、ジエチルエーテル各300mlで２
回抽出した。有機相を合液し、硫酸ナトリウム
上で乾燥し、乾燥剤を瀘別した。瀘液を回転蒸
発機（浴温度40℃）で濃縮した後、粗製の生成
物51.3ｇが得られ、このものをシリカゲル上で
ジエチルエーテル／ヘキサン（容量比２：１）
によつてクロマトグラフイーにかけた。生成物
を含むフラクシヨンから、淡黄色油として、純
粋な（1S，4R，6R）−４−ヒドロキシ−１−
（５−ヒドロキシ−３−メチル−3E−ペンテン
−１−イニル）−２，２，６−トリメチルシク
ロヘキシルベンゾエート合計32.2ｇ（86.1％）
が得られた。

実施例 ５ 撹拌機、温度計、適下ロート、還流冷却器及び
不活性ガス化装置を備えたスルホン化用フラスコ
中にtert.ブタノール40ml及び無水トルエン50mlを
アルゴン下で入れ、そして−25℃に冷却した。こ
の溶液を−30℃〜20℃で30分以内に、ヘキサン中
のブチルリチウムの1.56M溶液130mlで滴下処理
し、この混合物を冷却しながら更に30分間撹拌し
た。次いでかくして製造したリチウムtert.ブチレ
ートの溶液に６℃で無水トルエン150ml中のエチ
ル（1S，4R，6R）−４−ヒドロキシ−１−（５−
ヒドロキシ−３−メチル−3E−ペンテン−１−
イニル）−２，２，６−トリメチルシクロヘキシ
ルカルボネート（実施例２に従つて製造したも
の）32.4ｇの溶液を一度に加えた。この混合物を
油浴によつて注意して55℃に加熱し、この温度で
30分間撹拌した。その後、混合物を氷／水400ml
に注いだ。水相を分離し、ジエチルエーテル各
300mlで２回抽出した。有機相を飽和塩化ナトリ
ウム溶液300mlで洗浄し、合液し、硫酸ナトリウ
ム上で乾燥し、約40℃にて回転蒸発機で濃縮し、
次に残渣を高真空下にて室温で５時間乾燥した。
かくして（4R）−５−（４−ヒドロキシ−２，６，
６−トリメチル−１−シクロヘキセニル）−３−
メチル−２−ペンテン−４−イン−１−オール
（2Z異性体1.4％と共に2E異性体90.5％含有）の黄
−橙色の結晶生成物23.9ｇ（102.1％）が得られ、
このものをシリカゲル上でジエチルエーテル／ヘ
キサン（容量比１：１）によつてクロマトグラフ
イーにかけた。生成物を含むフラクシヨンから、
帯黄色の結晶として（4R）−５−（４−ヒドロキ
シ−２，６，６−トリメチル−１−シクロヘキセ
ン−１−イル）−３−メチル−2E−ペンテン−４
−イン−１−オール（純度98.0％、2Z異性体含量
0.5％）合計19.9ｇ（85％）が得られた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式 式中、 R²は水素またはヒドロキシを表わし、 R³はヒドロキシまたは＝CH−CH₂−OHを表
   わし、 R⁴は−CO−OR⁶′または−CO−R⁶″を表わし、 R⁶′はアルキルを表わし、そして R⁶″はアリールまたはアルキルアリールを表わ
   す、 で示される化合物を、R⁴OHの開裂によつて一般
   式 式中、R²及びR³は上記の意味を有する、 で示される化合物に転化することを特徴とするシ
   クロアルケニルアルキレン類の製造方法。 ２ R⁴OHの開裂を加熱によつて行う特許請求の
   範囲第１項記載の方法。 ３ 式の化合物の反応を触媒の存在下において
   行う特許請求の範囲第１項または第２項記載の方
   法。 ４ 反応を有機窒素塩基もしくはかかる塩基の塩
   またはリチウム塩の存在下において、好ましくは
   イミダゾール、１，２，４−トリアゾール、アニ
   リン、ピリジニウムｐ−トシレート、塩化リチウ
   ム、過塩素酸リチウム、リチウムtert.ブチレート
   または四フツ化ホウ素酸リチウムの存在下におい
   て行う特許請求の範囲第１〜３項のいずれかに記
   載の方法。 ５ R³がヒドロキシを表わす式の化合物を用
   いる特許請求の範囲第１〜４項のいずれかに記載
   の方法。 ６ 一般式 式中、R³及びR⁴は特許請求の範囲第１項記載
   の意味を有する、 の化合物またはその光学的対掌体を立体障害され
   た塩基性リチウム化合物の存在下において反応さ
   せる特許請求の範囲第１〜５項のいずれかに記載
   の方法。 ７ R⁴が式−CO−CR⁶′または−CO−R⁶″の基、
   好ましくは−CO−OCH₃、−CO−OC₂H₅または
   −CO−C₆H₅を表わす式またはａの化合物を
   用いる特許請求の範囲第１〜６項のいずれかに記
   載の方法。