JPH0472638A - 半導体素子用絶縁板 - Google Patents
半導体素子用絶縁板Info
- Publication number
- JPH0472638A JPH0472638A JP18396290A JP18396290A JPH0472638A JP H0472638 A JPH0472638 A JP H0472638A JP 18396290 A JP18396290 A JP 18396290A JP 18396290 A JP18396290 A JP 18396290A JP H0472638 A JPH0472638 A JP H0472638A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- metallized
- insulating plate
- insulating board
- warp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子用絶縁板に係り、特に絶縁板の焼結
工程時に発生する反りを低減するのに好適な反り防止用
メタライズ面を有する絶縁板に関する。
工程時に発生する反りを低減するのに好適な反り防止用
メタライズ面を有する絶縁板に関する。
従来は、特開昭55−118641号公報に記載のよう
に、絶縁板の半導体素子側は、半導体素子電極と外部回
路との接続用パッドの位置決めのために、半導体素子電
極部、外部回路との接続用パッド部及び半導体素子電極
と接続用パッドを導通させる部分のみにメタライズを施
し、他の不必要な部分にはメタライズを施さないように
していた。また、絶縁板の放熱板側は、ボイドの発生を
軽減させるための中心部のスリット部等以外の全面にメ
タライズを施していた。
に、絶縁板の半導体素子側は、半導体素子電極と外部回
路との接続用パッドの位置決めのために、半導体素子電
極部、外部回路との接続用パッド部及び半導体素子電極
と接続用パッドを導通させる部分のみにメタライズを施
し、他の不必要な部分にはメタライズを施さないように
していた。また、絶縁板の放熱板側は、ボイドの発生を
軽減させるための中心部のスリット部等以外の全面にメ
タライズを施していた。
上記従来技術は、半導体素子用絶縁板の半導体素子側と
放熱板側とのメタライズパターンの違いによる熱膨張率
の差により、窒化アルミニウム絶縁板とタングステン、
ニッケルメタライズパターンを同時焼結する工程におい
て反りが発生することが考慮されておらず、以下のよう
な問題があった。半導体素子、外部回路との接続用パッ
ド及び放熱板を絶縁板のメタライズ面に半田付した場合
、絶縁板の反りのために、半田付の位置がずれたり、反
りによって生じる各半田付部の半田厚みの違いにより半
田付部の耐熱疲労性が悪化したり、半導体素子の動作に
よって発生する熱の放熱性が悪化したりした。本発明は
、半導体素子用絶縁板の焼結工程時に発生する絶縁板の
反りを低減することにある。
放熱板側とのメタライズパターンの違いによる熱膨張率
の差により、窒化アルミニウム絶縁板とタングステン、
ニッケルメタライズパターンを同時焼結する工程におい
て反りが発生することが考慮されておらず、以下のよう
な問題があった。半導体素子、外部回路との接続用パッ
ド及び放熱板を絶縁板のメタライズ面に半田付した場合
、絶縁板の反りのために、半田付の位置がずれたり、反
りによって生じる各半田付部の半田厚みの違いにより半
田付部の耐熱疲労性が悪化したり、半導体素子の動作に
よって発生する熱の放熱性が悪化したりした。本発明は
、半導体素子用絶縁板の焼結工程時に発生する絶縁板の
反りを低減することにある。
上記目的を達成するために、半導体素子用絶縁板の半導
体素子側と放熱板側のメタライズパターンがほぼ同一と
なるように、絶縁板の半導体素子側に反り防止用メタラ
イズ面を設けたものである。
体素子側と放熱板側のメタライズパターンがほぼ同一と
なるように、絶縁板の半導体素子側に反り防止用メタラ
イズ面を設けたものである。
半導体素子用絶縁板の半導体素子側に反り防止用メタラ
イズ面を設けることにより、絶縁板の半導体素子側と絶
縁板側のメタライズパターンの違いによる熱膨張率の差
が小さくなり、半導体素子用絶縁板の焼結工程時に発生
する反りの低減を図ることができる。
イズ面を設けることにより、絶縁板の半導体素子側と絶
縁板側のメタライズパターンの違いによる熱膨張率の差
が小さくなり、半導体素子用絶縁板の焼結工程時に発生
する反りの低減を図ることができる。
以下1本発明の一実施例を第1図〜第6図により説明す
る。
る。
半導体素子としてパワートランジスタチップ、外部回路
との接続用パッドとしてアルミニウムパッドを用いる場
合、第1図に示す絶縁板1の半導体素子側には、パワー
トランジスタチップマウント部、アルミニウムパッドマ
ウント部及びパワートランジスタへチップとアルミニウ
ムパッドを導通させている部分の゛メタライズ面3の他
に、反り防止用メタライズ面2を施す。従来は、第2図
に示すように、反り防止用メタライズ面2は施されてい
ない。
との接続用パッドとしてアルミニウムパッドを用いる場
合、第1図に示す絶縁板1の半導体素子側には、パワー
トランジスタチップマウント部、アルミニウムパッドマ
ウント部及びパワートランジスタへチップとアルミニウ
ムパッドを導通させている部分の゛メタライズ面3の他
に、反り防止用メタライズ面2を施す。従来は、第2図
に示すように、反り防止用メタライズ面2は施されてい
ない。
この絶縁板1を用いて、外部回路基板6、パワートラン
ジスタチップ9等を放熱板5に実装した例を第3図以降
に示す。第4図は、絶縁板付近の拡大図であり、第5図
は、パワートランジスタチップ部の断面図、第6図は外
部回路との接続用アルミニウムパッド部の断面図である
。パワートランジスタチップ9及び外部回路との接続用
アルミニウムパッド7は絶縁板1のメタライズ面3に半
田付けされ、さらにメタライズ面4を介して放熱板5に
半田付けされている。パワートランジスタとの接続用ア
ルミニウムパッド7は、外部回路基板6に半田付けされ
ており、さらに外部回路基板6は接着剤10によって放
熱板6に固定されている。外部回路板上のアルミニウム
バットとパワートランジスタチップ側のアルミニウムパ
ッドとは。
ジスタチップ9等を放熱板5に実装した例を第3図以降
に示す。第4図は、絶縁板付近の拡大図であり、第5図
は、パワートランジスタチップ部の断面図、第6図は外
部回路との接続用アルミニウムパッド部の断面図である
。パワートランジスタチップ9及び外部回路との接続用
アルミニウムパッド7は絶縁板1のメタライズ面3に半
田付けされ、さらにメタライズ面4を介して放熱板5に
半田付けされている。パワートランジスタとの接続用ア
ルミニウムパッド7は、外部回路基板6に半田付けされ
ており、さらに外部回路基板6は接着剤10によって放
熱板6に固定されている。外部回路板上のアルミニウム
バットとパワートランジスタチップ側のアルミニウムパ
ッドとは。
アルミニウムワイヤ8をボンディングすることにより結
線される。
線される。
自動車用点火装置においては、コントロールユニットの
信号が外部回路6を介してパワートランジスタ9のベー
スに入力され、パワートランジスタ9がコントロールユ
ニットからの信号に応じてオン−オフを繰り返し、パワ
ートランジスタ9のコレクタ端子に電気的に接続された
イグニションコイルを導通、遮断し点火を制御する。
信号が外部回路6を介してパワートランジスタ9のベー
スに入力され、パワートランジスタ9がコントロールユ
ニットからの信号に応じてオン−オフを繰り返し、パワ
ートランジスタ9のコレクタ端子に電気的に接続された
イグニションコイルを導通、遮断し点火を制御する。
本実施例によれば、半導体素子用絶縁板1の半導体素子
側と放熱板側のメタライズパターンがほぼ同一となるよ
うに、絶縁板1の半導体素子側に反り防止用メタライズ
面2を設けたため、絶縁板の焼結工程時に発生する絶縁
板1の反りを低減することができる。10.5■X7m
、厚さo、6■の絶縁板1において、反り防止用メタラ
イズ面2を設けることにより焼結工程時に発生する反り
が0.1mmから0.05o*へと50%低減した。
側と放熱板側のメタライズパターンがほぼ同一となるよ
うに、絶縁板1の半導体素子側に反り防止用メタライズ
面2を設けたため、絶縁板の焼結工程時に発生する絶縁
板1の反りを低減することができる。10.5■X7m
、厚さo、6■の絶縁板1において、反り防止用メタラ
イズ面2を設けることにより焼結工程時に発生する反り
が0.1mmから0.05o*へと50%低減した。
本発明によれば、半導体素子用絶縁板の半導体素子側に
反り防止用メタライズ面を設けることにより、絶縁板の
半導体素子側と放熱板側のメタライズパターンをほぼ同
一とすることが出来るので、メタライズパターンの違い
による熱膨張率の差が小さくなるため、#!縁板の焼結
工程時に絶縁板に発生する反りを低減する効果がある。
反り防止用メタライズ面を設けることにより、絶縁板の
半導体素子側と放熱板側のメタライズパターンをほぼ同
一とすることが出来るので、メタライズパターンの違い
による熱膨張率の差が小さくなるため、#!縁板の焼結
工程時に絶縁板に発生する反りを低減する効果がある。
第1図は反り防止用メタライズ面を設けた絶縁板を示す
図、第2図は従来の絶縁板を示す図、第3図は反り防止
用メタライズ面を設けた絶縁板の実装例を示す図、第4
図は第3図の絶縁板部の拡大図、第5図は第4図におけ
るパワートランジスタチップ部のA−Aを示す図、第6
図は第4図における外部回路との接続用アルミニウムパ
ッド部のB−Bを示す図である。
図、第2図は従来の絶縁板を示す図、第3図は反り防止
用メタライズ面を設けた絶縁板の実装例を示す図、第4
図は第3図の絶縁板部の拡大図、第5図は第4図におけ
るパワートランジスタチップ部のA−Aを示す図、第6
図は第4図における外部回路との接続用アルミニウムパ
ッド部のB−Bを示す図である。
Claims (1)
- 1、自動車用点火装置の半導体素子積層構造中、窒化ア
ルミニウム板の両面にタングステン、ニッケルをメタラ
イズしたことから成る半導体素子の電極と放電板を電気
的に絶縁するために用いる半導体素子用絶縁板において
、半導体素子側と放熱板側のメタライズパターンがほぼ
同一となるように、反り防止用メタライズ面を設けたこ
とを特徴とする半導体素子用絶縁板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18396290A JPH0472638A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 半導体素子用絶縁板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18396290A JPH0472638A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 半導体素子用絶縁板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0472638A true JPH0472638A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16144870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18396290A Pending JPH0472638A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 半導体素子用絶縁板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0472638A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6268581B1 (en) | 1999-02-23 | 2001-07-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Seam welding machine |
JP2003002769A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-08 | Toshiba Electronic Engineering Corp | メタライズ層を有する窒化アルミニウム基板 |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP18396290A patent/JPH0472638A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6268581B1 (en) | 1999-02-23 | 2001-07-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Seam welding machine |
JP2003002769A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-08 | Toshiba Electronic Engineering Corp | メタライズ層を有する窒化アルミニウム基板 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100217528B1 (ko) | 반도체 칩 패키지 및 그의 제조 방법 | |
JP3051011B2 (ja) | パワ−モジュ−ル | |
JP3333409B2 (ja) | 半導体モジュール | |
JPH07254759A (ja) | パワー混成集積回路装置 | |
EP0878025A1 (en) | Semiconductor device with a high-frequency bipolar transistor on an insulating substrate | |
JP2735912B2 (ja) | インバータ装置 | |
US6292368B1 (en) | Electrical power component mounted by brazing on a support and corresponding mounting process | |
JPH0472638A (ja) | 半導体素子用絶縁板 | |
JP2526515B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH08274228A (ja) | 半導体搭載基板、電力用半導体装置及び電子回路装置 | |
JPH09199841A (ja) | プリント配線板 | |
JPH10242330A (ja) | パワーモジュール用基板及びその製造法 | |
JPH104167A (ja) | 半導体装置 | |
JP3957341B2 (ja) | 複合半導体装置 | |
JP2867737B2 (ja) | 混成集積回路 | |
JPH05327250A (ja) | 電子機器用放熱装置 | |
WO2001015225A1 (en) | A combined heat sink/electromagnetic shield | |
JP2583507B2 (ja) | 半導体実装回路装置 | |
JP3203806B2 (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
JPH05211378A (ja) | 半導体装置 | |
KR19980021720A (ko) | 절연 금속 기판을 갖는 파워 트랜지스터 패키지 | |
JPS63107194A (ja) | 高周波回路装置 | |
JP3444840B2 (ja) | 半導体素子用基板およびこれを用いた半導体装置 | |
JPH08167762A (ja) | 厚膜混成集積回路 | |
JPH0964232A (ja) | セラミックパッケージ |