JPH0471226A - 減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造に使用される減圧ＣＶＤ装
置に関する。

〔従来の技術〕

従来の減圧ＣＶＤ装置は、所定の減圧状態下の炉芯管内
へガスを導入する際、ガスを遮断しているバルブが開く
と同時に、所定の設定流量のガスが炉内へ急激に供給さ
れるように構成されていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

この従来の減圧ＣＶＤ装置では、反応ガスあるいは圧力
調整用ガスを、高真空状態に保たれている炉芯管内に導
入する際、バルブ開口と同時に設定流量のガスが一気に
流れる為、炉芯管内の圧力が一時的に上昇し、この圧力
差より対流が生じて炉芯管内のパーティクルをまき上げ
、ウェハーに対しパーティクルの付着を引き起す原因と
なっていた。

この現象は特に大流量のガスを流す場合に顕著に現われ
ており、半導体装置の歩留り及び信頼性を低下させると
いう問題点があった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の減圧ＣＶＤ装置は、炉芯管内に導入するガス量
を導入開始から所定の流量になるまで徐々に増加させる
ことの可能な流量コントローラー（以下スロースタート
ＭＦＣという）を設けたものである。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の模式断面図である。

第１図において、炉芯管１内にはボート１２に保持され
たウェハー１１がセットされており、炉芯管１の一端に
は炉芯管１を真空にする為のポンプ４が真空遮断バルブ
３を介して設けられており、更に炉芯管１の表面にはヒ
ーター２が設けられている。また炉芯管１の両端には、
成長ガスを導入する複数の導入管５Ａ、５Ｂと真空度を
コントロールする不活性ガス導入管１０とが設けられて
おり、これらはエアーバルブ６及び８を介してそれぞれ
ガス流量をコントロールするスロースタートＭＦＣ７及
び９に接続された構造となっている。

このように構成された本実施例に於いては、炉芯管１内
を高真空状態に保ち、成膜可能状態になった後、エアー
バルブ６が開きガスが流れる状態になる。この後、スロ
ースタートＬＦＣ７の制御により、流量が０の状態から
徐々にガス流量が増加し、所定の設定流量で安定する。

従って従来のようにガスを導入することで生じる圧力差
は強力に抑えられるため、ウェハー１１にパーティクル
が付着することは極めて少いものとなる。

〔発明の効果〕

以上説明した様に本発明は、炉芯管内にガスを導入する
際、徐々に供給する方式を取る為、炉芯管内の圧力変化
を大幅に抑制し、圧力差によって生じる炉芯管内の対流
を防止できる為、パーティクルの飛散や巻き上げによる
ウェハーへの悪影響を抑えることができるという効果を
有する。従って半導体装置の歩留り及び信頼性は向上す
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の模式断面図である。 １・・・炉芯管、２・・・ヒーター　３・・・真空遮断
バルブ、４・・・ポンプ、５Ａ、５Ｂ・・・ガス導入管
、６．８・・・エアーバルブ、７．９・・・スロースタ
ートＭＦＣ１１０・・・不活性ガス導入管、１１・・・
ウェハー　１２・・・ボート。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　炉芯管内に導入するウェハーを保持する為のボートと
   、該炉芯管内を高真空状態にする為のポンプと、前記炉
   芯管内を高温に昇温しかつ保温する為の加熱ヒーターと
   、前記炉芯管内に成長ガスを導入する為のガス導入管と
   を有する減圧ＣＶＤ装置に於いて、前記炉芯管内に導入
   するガス量を導入開始から所定の設定値まで徐々に増加
   させるための流量コントローラーを設けたことを特徴と
   する減圧ＣＶＤ装置。