JP2712250B2 - ガスソースｍｂｅ装置 - Google Patents
ガスソースｍｂｅ装置Info
- Publication number
- JP2712250B2 JP2712250B2 JP63066111A JP6611188A JP2712250B2 JP 2712250 B2 JP2712250 B2 JP 2712250B2 JP 63066111 A JP63066111 A JP 63066111A JP 6611188 A JP6611188 A JP 6611188A JP 2712250 B2 JP2712250 B2 JP 2712250B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- source
- source gas
- growth
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 ガスソースMBE装置の原料ガス導入部の改良に関し、 原料ガスの導入量を正確に制御でき、被成長基板に形
成する成長膜の膜厚の精密な制御が可能なガスソースMB
E装置の提供を目的とし、 被成長基板を載置する載物台を室内に設けた成長室
と、この被成長基板の表面に形成する成長膜の原料ガス
をガス噴出口からこの成長室内に導入する原料ガス導入
管とを備えたガスソースMBE装置であって、この原料ガ
ス導入管側の空間とこの成長室とを分離する、この原料
ガス導入管のガス噴出口とこの被成長基板の間に配設す
るシャッタと、この原料ガス導入管側の空間の室内圧を
この成長室内圧よりも高真空にする手段とを具備するよ
うに構成する。
成する成長膜の膜厚の精密な制御が可能なガスソースMB
E装置の提供を目的とし、 被成長基板を載置する載物台を室内に設けた成長室
と、この被成長基板の表面に形成する成長膜の原料ガス
をガス噴出口からこの成長室内に導入する原料ガス導入
管とを備えたガスソースMBE装置であって、この原料ガ
ス導入管側の空間とこの成長室とを分離する、この原料
ガス導入管のガス噴出口とこの被成長基板の間に配設す
るシャッタと、この原料ガス導入管側の空間の室内圧を
この成長室内圧よりも高真空にする手段とを具備するよ
うに構成する。
本発明は、ガスソースMBE装置に係り、特に原料ガス
導入部の改良に関するものである。
導入部の改良に関するものである。
従来のガスソースMBE装置はマスフローコントローラ
により原料ガスの流量を制御して導入し、処理終了後に
原料ガスの導入を停止しているが、マスフローコントロ
ーラと原料ガス導入管の先端のガス噴出口との間の残留
原料ガスがガス噴出口から徐々に噴出しており、膜厚の
精密な制御が困難である。
により原料ガスの流量を制御して導入し、処理終了後に
原料ガスの導入を停止しているが、マスフローコントロ
ーラと原料ガス導入管の先端のガス噴出口との間の残留
原料ガスがガス噴出口から徐々に噴出しており、膜厚の
精密な制御が困難である。
以上のような状況から原料ガスの導入量を正確に制御
でき、被成長基板の表面に形成する成長膜の膜厚の精密
の制御が可能なガスソースMBE装置が要望されている。
でき、被成長基板の表面に形成する成長膜の膜厚の精密
の制御が可能なガスソースMBE装置が要望されている。
従来のガスソースMBE装置を第２図〜第３図により説
明する。
明する。
第２図はガスソースMBE装置の概略構造図であり、ヒ
ータ2aを内蔵する載物台２に搭載されている被成長基板
３は成長室１の内部の中央部に配設されている。
ータ2aを内蔵する載物台２に搭載されている被成長基板
３は成長室１の内部の中央部に配設されている。
室内圧が５×10-5Torrの成長室１はゲートバルブ４に
よりロードロック室５と接続されている。
よりロードロック室５と接続されている。
成長室１の室壁の内側には全周にわたってシュラウド
６が設けられており、室壁が加熱されるのを防止してい
る。
６が設けられており、室壁が加熱されるのを防止してい
る。
成長室１内に原料ガスを導入する原料ガス導入部は通
常２〜３個設けられており、いずれも被成長基板３の表
面に原料ガスが導入されるような方向に設けられてい
る。
常２〜３個設けられており、いずれも被成長基板３の表
面に原料ガスが導入されるような方向に設けられてい
る。
従来のガス導入部は第３図に示すように、原料ガス、
例えばトリメチル・ガリウム（TMGa）とアルシン（As
H3）はそれぞれマスフローコントローラ27により導入量
が制御され、ヒータ29により加熱される原料ガス導入管
28を通ってガス噴出口28aから成長室１内に導入され、
被成長基板３の表面に成長膜が形成される。
例えばトリメチル・ガリウム（TMGa）とアルシン（As
H3）はそれぞれマスフローコントローラ27により導入量
が制御され、ヒータ29により加熱される原料ガス導入管
28を通ってガス噴出口28aから成長室１内に導入され、
被成長基板３の表面に成長膜が形成される。
所定時間の原料ガスの導入が終わると、マスフローコ
ントローラ27により原料ガスの導入を停止し、シャッタ
30をガス噴出口28aと被成長基板３の間に配設すると、
ガス噴出口28aからの原料ガスの導入はシャッタ30によ
り遮られるが、マスフローコントローラ27が成長室１の
外に設けられているので、このときマスフローコントロ
ーラ27とガス噴出口28aとの間の原料ガス導入管28内に
原料ガスが残留しており、TMGaのガス噴出口28a付近の
圧力は約２×10-2Torrと真空度が低いため、この残留ガ
スは徐々にガス噴出口28aから噴出し、図における矢印
の方向に流出し、この残留ガスにより被成長基板３に成
長膜が形成されるので、膜厚の精密な制御を行うのが困
難である。
ントローラ27により原料ガスの導入を停止し、シャッタ
30をガス噴出口28aと被成長基板３の間に配設すると、
ガス噴出口28aからの原料ガスの導入はシャッタ30によ
り遮られるが、マスフローコントローラ27が成長室１の
外に設けられているので、このときマスフローコントロ
ーラ27とガス噴出口28aとの間の原料ガス導入管28内に
原料ガスが残留しており、TMGaのガス噴出口28a付近の
圧力は約２×10-2Torrと真空度が低いため、この残留ガ
スは徐々にガス噴出口28aから噴出し、図における矢印
の方向に流出し、この残留ガスにより被成長基板３に成
長膜が形成されるので、膜厚の精密な制御を行うのが困
難である。
以上説明の従来のガスソースMBE装置においては、所
定時間の原料ガスの導入を終わった時点でマスフローコ
ントローラにより原料ガスの導入を停止し、ガス噴出口
からの原料ガスの導入をシャッタにより遮断するが、こ
のときマスフローコントローラとガス噴出口との間の原
料ガス導入管内に原料ガスが残留し、この残留ガスのガ
ス噴出口付近の圧力が約２×10-2Torrと真空度が低いた
め、徐々にガス噴出口から噴出し、この残留ガスにより
被成長基板に成長膜が形成されるので、50〜60Åの膜厚
の成長層の原子層レベルの膜厚の精密な制御を行うのが
困難になるという問題点があった。
定時間の原料ガスの導入を終わった時点でマスフローコ
ントローラにより原料ガスの導入を停止し、ガス噴出口
からの原料ガスの導入をシャッタにより遮断するが、こ
のときマスフローコントローラとガス噴出口との間の原
料ガス導入管内に原料ガスが残留し、この残留ガスのガ
ス噴出口付近の圧力が約２×10-2Torrと真空度が低いた
め、徐々にガス噴出口から噴出し、この残留ガスにより
被成長基板に成長膜が形成されるので、50〜60Åの膜厚
の成長層の原子層レベルの膜厚の精密な制御を行うのが
困難になるという問題点があった。
本発明は以上のような状況から原料ガスの導入量を正
確に制御でき、被成長基板に形成する成長膜の膜厚の精
密な制御が可能なガスソースMBE装置の提供を目的とし
たものである。
確に制御でき、被成長基板に形成する成長膜の膜厚の精
密な制御が可能なガスソースMBE装置の提供を目的とし
たものである。
本発明のガスソースMBE装置は、被成長基板を載置す
る載物台を室内に設けた成長室と、この被成長基板の表
面に形成する成長膜の原料ガスをガス噴出口からこの成
長室内に導入する原料ガス導入管とを備えたガスソース
MBE装置であって、この原料ガス導入管側の空間とこの
成長室とを分離する、この原料ガス導入管のガス噴出口
とこの被成長基板の間に配設するシャッタと、この原料
ガス導入管側の空間の室内圧をこの成長室内圧よりも高
真空にする手段とを具備するように構成する。
る載物台を室内に設けた成長室と、この被成長基板の表
面に形成する成長膜の原料ガスをガス噴出口からこの成
長室内に導入する原料ガス導入管とを備えたガスソース
MBE装置であって、この原料ガス導入管側の空間とこの
成長室とを分離する、この原料ガス導入管のガス噴出口
とこの被成長基板の間に配設するシャッタと、この原料
ガス導入管側の空間の室内圧をこの成長室内圧よりも高
真空にする手段とを具備するように構成する。
即ち本発明においては成長室内に設けた載物台に被成
長基板を載置し、原料ガス導入管のガス噴出口から噴出
する原料ガスを用いてこの被成長基板の表面に成長膜を
形成し、成長膜を成長した後にマスフローコントローラ
により原料ガスの導入を停止すると同時に、この原料ガ
ス導入管と被成長基板の間にシャッタを配設し、このシ
ャッタの原料ガス導入管側の空間の室内圧を成長室内圧
よりも高真空にする手段により真空排気するから、原料
ガスの供給を停止した後に原料ガス導入管内に残留した
原料ガスの残留ガスが徐々にガス噴出口から噴出しても
真空排気される。
長基板を載置し、原料ガス導入管のガス噴出口から噴出
する原料ガスを用いてこの被成長基板の表面に成長膜を
形成し、成長膜を成長した後にマスフローコントローラ
により原料ガスの導入を停止すると同時に、この原料ガ
ス導入管と被成長基板の間にシャッタを配設し、このシ
ャッタの原料ガス導入管側の空間の室内圧を成長室内圧
よりも高真空にする手段により真空排気するから、原料
ガスの供給を停止した後に原料ガス導入管内に残留した
原料ガスの残留ガスが徐々にガス噴出口から噴出しても
真空排気される。
従って、この残留ガスにより被成長基板に成長膜が形
成されることがなくなるので、被成長基板に成長する膜
厚の精密な制御を行うことが可能となる。
成されることがなくなるので、被成長基板に成長する膜
厚の精密な制御を行うことが可能となる。
以下第１図〜第２図について本発明の一実施例を説明
する。
する。
第２図に示すガスソースMBE装置の概略構造は従来の
技術において説明したものと同じであるが、本発明と従
来技術との相違点は第１図に示す原料ガス導入部の構造
である。
技術において説明したものと同じであるが、本発明と従
来技術との相違点は第１図に示す原料ガス導入部の構造
である。
第１図に示すように、本発明においては原料ガス導入
部に設けるシャッタ10は図示のように周囲に円筒部を有
しており、マスフローコントローラ７でガス噴出口8aか
らの原料ガスの導入を停止した時点では、シャッタ10は
シュラウド６と略密着する位置に配設されている。
部に設けるシャッタ10は図示のように周囲に円筒部を有
しており、マスフローコントローラ７でガス噴出口8aか
らの原料ガスの導入を停止した時点では、シャッタ10は
シュラウド６と略密着する位置に配設されている。
このシャッタ10の原料ガス導入部側の空間は図示のよ
うに二分されており、原料ガス導入管８のガス噴出口8a
を含む部分は真空ポンプ11と接続されて真空排気され、
この空間の室内圧が１×10-6Torrになり、室内圧が５×
10-5Torrの成長室１よりも高真空になっている。
うに二分されており、原料ガス導入管８のガス噴出口8a
を含む部分は真空ポンプ11と接続されて真空排気され、
この空間の室内圧が１×10-6Torrになり、室内圧が５×
10-5Torrの成長室１よりも高真空になっている。
このような構造の原料ガス導入部においては、マスフ
ローコントローラ７により原料ガスの導入が停止され、
シャッタ10が第１図に示す位置に配設されると、マスフ
ローコントローラ７と原料ガス導入管８のガス噴出口8a
との間に残留した原料ガスが徐々にガス噴出口8aから噴
出しても、第１図におけるシャッタ10の左側の空間が真
空排気されているから、この残留ガスが成長室１内に導
入されることがなくなり、被成長基板３の表面に形成さ
れる成長膜の原子層レベルの膜厚制御を行うことが可能
となる。
ローコントローラ７により原料ガスの導入が停止され、
シャッタ10が第１図に示す位置に配設されると、マスフ
ローコントローラ７と原料ガス導入管８のガス噴出口8a
との間に残留した原料ガスが徐々にガス噴出口8aから噴
出しても、第１図におけるシャッタ10の左側の空間が真
空排気されているから、この残留ガスが成長室１内に導
入されることがなくなり、被成長基板３の表面に形成さ
れる成長膜の原子層レベルの膜厚制御を行うことが可能
となる。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば極め
て簡単な原料ガス導入部の構造の改良により、原料ガス
の導入の制御を正確に行うことができ、被成長基板の表
面に形成する成長膜の膜厚の精密な制御を正確に行うこ
とが可能となる等の利点があり、著しい経済的及び、信
頼性向上の効果が期待でき工業的には極めて有用なもの
である。
て簡単な原料ガス導入部の構造の改良により、原料ガス
の導入の制御を正確に行うことができ、被成長基板の表
面に形成する成長膜の膜厚の精密な制御を正確に行うこ
とが可能となる等の利点があり、著しい経済的及び、信
頼性向上の効果が期待でき工業的には極めて有用なもの
である。
第１図は本発明による一実施例の原料ガス導入部を示す
側断面図、 第２図はガスソースMBE装置の概略構造図、 第３図は従来の原料ガス導入部を示す側断面図、であ
る。 図において、 １は成長室、 ２は載物台、 2aはヒータ、 ３は被成長基板、 ４はゲートバルブ、 ５はロードロック室、 ６はシュラウド、 ７はマスフローコントローラ ８は原料ガス導入管、 8aはガス噴出口、 ９はヒータ、 10はシャッタ、 11は真空ポンプ、 を示す。
側断面図、 第２図はガスソースMBE装置の概略構造図、 第３図は従来の原料ガス導入部を示す側断面図、であ
る。 図において、 １は成長室、 ２は載物台、 2aはヒータ、 ３は被成長基板、 ４はゲートバルブ、 ５はロードロック室、 ６はシュラウド、 ７はマスフローコントローラ ８は原料ガス導入管、 8aはガス噴出口、 ９はヒータ、 10はシャッタ、 11は真空ポンプ、 を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】被成長基板を載置する載物台を室内に設け
た成長室と、前記被成長基板の表面に形成する成長膜の
原料ガスをガス噴出口から前記成長室内に導入する原料
ガス導入管とを備えたガスソースMBE装置であって、 前記原料ガス導入管側の空間と前記成長室とを分離す
る、前記原料ガス導入管のガス噴出口と前記被成長基板
の間に配設するシャッタと、 前記原料ガス導入管側の空間の室内圧を前記成長室内圧
よりも高真空にする手段と、 を具備することを特徴とするガスソースMBE装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066111A JP2712250B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | ガスソースｍｂｅ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63066111A JP2712250B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | ガスソースｍｂｅ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01239085A JPH01239085A (ja) | 1989-09-25 |
| JP2712250B2 true JP2712250B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=13306453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63066111A Expired - Fee Related JP2712250B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | ガスソースｍｂｅ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2712250B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2757944B2 (ja) * | 1988-11-25 | 1998-05-25 | 株式会社日立製作所 | 薄膜形成装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01119064U (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-11 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP63066111A patent/JP2712250B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01239085A (ja) | 1989-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1386981B1 (en) | A thin film-forming apparatus | |
| JPH07122498A (ja) | チャンバーへのガス供給方法 | |
| JP2001220677A (ja) | 薄膜製造方法及び薄膜製造装置 | |
| JPH0137476B2 (ja) | ||
| JPH0645256A (ja) | ガスパルスの供給方法およびこれを用いた成膜方法 | |
| JP2712250B2 (ja) | ガスソースｍｂｅ装置 | |
| JPH05320891A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP3067350B2 (ja) | 縦型減圧化学気相成長装置 | |
| JP4490008B2 (ja) | 真空処理装置及び真空処理方法 | |
| JPH0969515A (ja) | 半導体製造装置用真空処理装置 | |
| US4865713A (en) | Apparatus for applying thin layers onto a substrate | |
| JPS6317520A (ja) | 化学気相成長装置用圧力制御装置 | |
| EP1550738A1 (en) | Method and apparatus for atomic layer deposition | |
| JP4498503B2 (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
| KR960015095B1 (ko) | 진공열증착과 스퍼터링을 이용한 초과립박막 형성방법 및 그 형성장치 | |
| JPH06208991A (ja) | 半導体基板の処理方法及び装置 | |
| JP2001081559A (ja) | プラズマｃｖｄ装置における温度制御方法 | |
| JPS62152529A (ja) | 処理装置 | |
| JPH01234560A (ja) | 蒸着装置における低融点蒸発材の供給方法及び装置 | |
| JPS6321573Y2 (ja) | ||
| JPS61217572A (ja) | 真空装置による処理方法 | |
| JPH01270595A (ja) | 気体原料供給装置 | |
| JPH0471226A (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH01255213A (ja) | 真空堆積装置 | |
| JPS61261485A (ja) | プラズマエツチング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |