JPS61261485A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS61261485A JPS61261485A JP10192985A JP10192985A JPS61261485A JP S61261485 A JPS61261485 A JP S61261485A JP 10192985 A JP10192985 A JP 10192985A JP 10192985 A JP10192985 A JP 10192985A JP S61261485 A JPS61261485 A JP S61261485A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- etching
- chamber
- plasma etching
- wafers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマエツチング装置に関するものである。
従来この種のプラズマエツチング装置は第２図に示すよ
うにガスの導入口は１つで上部電極部４に多数穴をあけ
たガス吹き出し口の電極構造となっていた。
うにガスの導入口は１つで上部電極部４に多数穴をあけ
たガス吹き出し口の電極構造となっていた。
プラズマエツチング方法に於いては、エツチングが均一
に行なわれるかどうかは電極の構造、エツチングガスの
種類、流量等に依存している。が、またエツチングガス
の吹き出し口の位置にも大きく依存している。このガス
の吹き出し口のもっともよい位置というのは何度かの条
件出しによってもっともバラツキが少なくなる様な定位
置を求めてはいるが、実際にエツチングする膜は多層と
なっている場合があシ、それぞれの膜を単独でエツチン
グするとその穴のもつともよい位置というのはそれぞれ
違っておシ、従来に於いては、ガスの吹き出し口という
のは第２図に示すようＫ、１組のガスコントロール！［
１５、／（ルグ１４、ガス分散板１７からなっている。
に行なわれるかどうかは電極の構造、エツチングガスの
種類、流量等に依存している。が、またエツチングガス
の吹き出し口の位置にも大きく依存している。このガス
の吹き出し口のもっともよい位置というのは何度かの条
件出しによってもっともバラツキが少なくなる様な定位
置を求めてはいるが、実際にエツチングする膜は多層と
なっている場合があシ、それぞれの膜を単独でエツチン
グするとその穴のもつともよい位置というのはそれぞれ
違っておシ、従来に於いては、ガスの吹き出し口という
のは第２図に示すようＫ、１組のガスコントロール！［
１５、／（ルグ１４、ガス分散板１７からなっている。
このような構造であると、どうしてもある１種類のガス
吹き出し口となっている為に、ある膜に於いてはＣの位
置がもっともよい位置であったり、他の膜に於いてはＤ
の位置であったシする為にエツチングのバラツキを小さ
くするには限度があった。また従来のガス吹き出し口は
対向電極部に穴をあけたガス分散板となっている為に１
ある一方からはガスが多く出て、他方からは少なく出る
ということがあり、エツチングの均一性を悪くしＣいる
という問題があった。
吹き出し口となっている為に、ある膜に於いてはＣの位
置がもっともよい位置であったり、他の膜に於いてはＤ
の位置であったシする為にエツチングのバラツキを小さ
くするには限度があった。また従来のガス吹き出し口は
対向電極部に穴をあけたガス分散板となっている為に１
ある一方からはガスが多く出て、他方からは少なく出る
ということがあり、エツチングの均一性を悪くしＣいる
という問題があった。
本発明は前記問題を解消するもので、あらかじめそれぞ
れの膜質におけるエツチングガスの吹き出し口位置を決
めておき、それぞれのエツチングガスの吹き出し元には
それぞれバルブとガス流量コントロールする機構を設け
ておき、エツチングする際はそれぞれの条件におけるも
つともよいエツチングガスの吹き出し口を選択してガス
コントロールすることによって、エツチングする際にウ
ェーハース処理室の条件が変化してもエツチングの均一
性を悪くすることなく処理出来、またガスコントロール
機構がそれぞれのガス吹き出し口にある為に出てくるガ
ス流量にバラツキがなくなる。
れの膜質におけるエツチングガスの吹き出し口位置を決
めておき、それぞれのエツチングガスの吹き出し元には
それぞれバルブとガス流量コントロールする機構を設け
ておき、エツチングする際はそれぞれの条件におけるも
つともよいエツチングガスの吹き出し口を選択してガス
コントロールすることによって、エツチングする際にウ
ェーハース処理室の条件が変化してもエツチングの均一
性を悪くすることなく処理出来、またガスコントロール
機構がそれぞれのガス吹き出し口にある為に出てくるガ
ス流量にバラツキがなくなる。
以上のように行なうことによって問題を解決できるもの
である。
である。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。ウェーハー
ス処理室１にはウェハハース２を乗せ回転するテーブル
３と対向電極４を有しておシ、対向電極４にはウェーハ
ース上にガスを吹き付けるガス吹き出し口５があシ、そ
れぞれのガスの吹き出し口５にはバルブ６とガス流量コ
ントロール機構７を有し、真空予備室８にはウェーハー
スの入ったキャリア９が設置され、ウェーハース処理室
１と真空予備８とはバルブ１０で区切られ、真空予備室
８と大気とはバルブ１１で区切られ、ウェーハース処理
室１と真空予備室８はそれぞれ排気機構１２で排気され
る構造となっている。ウェーハースは真空予備室８から
ウェーハース処理室１のテーブル３に運ばれ、ガスを流
す際にエツチングする膜質に応じたガスの吹き出し口５
を選択しそれに合った種類のガスと流量をコントロール
し流す。たとえばある１つ目の膜に於いては人のガスラ
インを使用し、２つ目の暎に於いてはＢのガスラインを
使用する膜膜がそれ以上になっても同様にガスラインを
増設することによって目的を達することが出来るのであ
る。
ス処理室１にはウェハハース２を乗せ回転するテーブル
３と対向電極４を有しておシ、対向電極４にはウェーハ
ース上にガスを吹き付けるガス吹き出し口５があシ、そ
れぞれのガスの吹き出し口５にはバルブ６とガス流量コ
ントロール機構７を有し、真空予備室８にはウェーハー
スの入ったキャリア９が設置され、ウェーハース処理室
１と真空予備８とはバルブ１０で区切られ、真空予備室
８と大気とはバルブ１１で区切られ、ウェーハース処理
室１と真空予備室８はそれぞれ排気機構１２で排気され
る構造となっている。ウェーハースは真空予備室８から
ウェーハース処理室１のテーブル３に運ばれ、ガスを流
す際にエツチングする膜質に応じたガスの吹き出し口５
を選択しそれに合った種類のガスと流量をコントロール
し流す。たとえばある１つ目の膜に於いては人のガスラ
インを使用し、２つ目の暎に於いてはＢのガスラインを
使用する膜膜がそれ以上になっても同様にガスラインを
増設することによって目的を達することが出来るのであ
る。
以上説明したように本発明は、それぞれの膜質に合わせ
たガスの吹き出し口を選択する事によって多層膜を均一
にエツチングできる効果がある。
たガスの吹き出し口を選択する事によって多層膜を均一
にエツチングできる効果がある。
第１図は本発明の縦断面図、第２図は従来装置の縦断面
である。 １・・・・・・ウェーハース処理室、２・・・・・・ウ
ェーハース、３・・・・・・テーブル、４・・・・・・
対向電極、５・・・・・・ガスの吹き出し口、６・・・
・・・ガスバルブ、７・・・・・・ガスコントロール機
構、８・・・・・・真空予備室、９・・・・・・キャリ
ア、１０・・・・・・ウェーハース処理室と真空予備室
の区切シバルプ、１１・・・・・−真空予備室と大気と
の区切シバルブ、１２・・・・・・真空排気機構、１３
・・・ガス供給源、１４・・・・・・従来のガスバルブ
、１５・・・従来のガスコントロール機構、１６・・・
・・・従来のガス供給源、１７・・・・・・従来の対向
電極。
である。 １・・・・・・ウェーハース処理室、２・・・・・・ウ
ェーハース、３・・・・・・テーブル、４・・・・・・
対向電極、５・・・・・・ガスの吹き出し口、６・・・
・・・ガスバルブ、７・・・・・・ガスコントロール機
構、８・・・・・・真空予備室、９・・・・・・キャリ
ア、１０・・・・・・ウェーハース処理室と真空予備室
の区切シバルプ、１１・・・・・−真空予備室と大気と
の区切シバルブ、１２・・・・・・真空排気機構、１３
・・・ガス供給源、１４・・・・・・従来のガスバルブ
、１５・・・従来のガスコントロール機構、１６・・・
・・・従来のガス供給源、１７・・・・・・従来の対向
電極。
Claims (1)
- プラズマエッチングするウェーハース処理室と前記ウェ
ーハース処理室へウェーハースを搬入搬出する真空予備
室を有するプラズマエッチング装置に於いて、該ウェー
ハース処理室に複数のガス吹き出し口を有し、前記ガス
吹き出し口のガスをそれぞれ独立に開閉するバルブと、
ガスの流量をそれぞれ独立にコントロールする機構を備
えたこと特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192985A JPS61261485A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10192985A JPS61261485A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61261485A true JPS61261485A (ja) | 1986-11-19 |
Family
ID=14313600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10192985A Pending JPS61261485A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61261485A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995033082A2 (en) * | 1994-05-26 | 1995-12-07 | Philips Electronics N.V. | Plasma treatment and apparatus in electronic device manufacture |
-
1985
- 1985-05-14 JP JP10192985A patent/JPS61261485A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995033082A2 (en) * | 1994-05-26 | 1995-12-07 | Philips Electronics N.V. | Plasma treatment and apparatus in electronic device manufacture |
| US5532190A (en) * | 1994-05-26 | 1996-07-02 | U.S. Philips Corporation | Plasma treatment method in electronic device manufacture |
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