JPH0468783B2 - - Google Patents
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- JPH0468783B2 JPH0468783B2 JP59152892A JP15289284A JPH0468783B2 JP H0468783 B2 JPH0468783 B2 JP H0468783B2 JP 59152892 A JP59152892 A JP 59152892A JP 15289284 A JP15289284 A JP 15289284A JP H0468783 B2 JPH0468783 B2 JP H0468783B2
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- JP
- Japan
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- tab
- lead
- leads
- semiconductor device
- sealing body
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に関する。
レジンモールド型半導体装置の組立には金属製
のリードフレームが用いられている。このリード
フレームは薄い金属板をプレスで打ち抜いたり、
エツチングによつて形成し、その形状は、第１図
で示すように、半導体素子１を取り付ける矩形の
タブ２をその内端で支持するタブリード３と、タ
ブ２の周縁に内端を臨ませる複数のリード４と、
これらのリード４およびタブリード３の外端を支
持する矩形枠からなる枠部５と、枠部５、各リー
ド４、タブリード３を繋ぎレジンモールド時に溶
けたレジンの流出を防止するダム片６とからなつ
ている。また、枠部５の両側縁に沿つて定間隔に
ガイド孔７が設けられ、リードフレームを用いて
の組立、搬送にはこのガイド孔７が位置決め孔や
引掛移送孔として用いられる。
のリードフレームが用いられている。このリード
フレームは薄い金属板をプレスで打ち抜いたり、
エツチングによつて形成し、その形状は、第１図
で示すように、半導体素子１を取り付ける矩形の
タブ２をその内端で支持するタブリード３と、タ
ブ２の周縁に内端を臨ませる複数のリード４と、
これらのリード４およびタブリード３の外端を支
持する矩形枠からなる枠部５と、枠部５、各リー
ド４、タブリード３を繋ぎレジンモールド時に溶
けたレジンの流出を防止するダム片６とからなつ
ている。また、枠部５の両側縁に沿つて定間隔に
ガイド孔７が設けられ、リードフレームを用いて
の組立、搬送にはこのガイド孔７が位置決め孔や
引掛移送孔として用いられる。
このようなリードフレームを用いて半導体装置
を組み立てるには、まずタブ２上に半導体素子１
を取り付けた後、半導体素子１の各電極とこれに
対応するリード４の内端をワイヤ８で接続し、そ
の後、矩形枠随に配列されたダム片６の内側領域
をレジンでモールドし、モールド部９で半導体素
子１等を被う。ついで、ダム片６および枠部５を
切断除去しフラツトリードの半導体装置を得る。
また、インライン形の半導体装置を得るには、モ
ールド部９から突出するリード４を途中で折り曲
げる。
を組み立てるには、まずタブ２上に半導体素子１
を取り付けた後、半導体素子１の各電極とこれに
対応するリード４の内端をワイヤ８で接続し、そ
の後、矩形枠随に配列されたダム片６の内側領域
をレジンでモールドし、モールド部９で半導体素
子１等を被う。ついで、ダム片６および枠部５を
切断除去しフラツトリードの半導体装置を得る。
また、インライン形の半導体装置を得るには、モ
ールド部９から突出するリード４を途中で折り曲
げる。
ところで、タブはその両側を細いタブリードで
支持される構造であることから、強度的には弱
い。特に、最近のようにリード数が増加しかつ小
型化を維持するためにはリード（タブリード）の
幅も狭くならざるを得ない。また、リードの幅を
狭くする（たとえば0.3mm幅）ためには打抜加工
上の問題からリードフレームを作る素材は従来の
較べてより薄くなる（たとえば0.15mm）。この結
果、タブはリードと同様に小さい外力でも簡単に
傾いたり、浮き上がつたりして組立に支障を来た
してしまう。たとえば、半導体素子の取付時には
タブが揺れ動くことから接合が不完全となり、ワ
イヤボンデイング時には接合の不完全性とともに
ワイヤが切れたりする。また、レジンモールド時
には流れるレジンによつてタブが傾いて動き、ワ
イヤが破断したり、タブが傾くことによる渦の発
生によつて気泡がモールド内部や表面に残留して
耐湿性が低下したりあるいは窪みができて外観が
悪くなつてしまう。
支持される構造であることから、強度的には弱
い。特に、最近のようにリード数が増加しかつ小
型化を維持するためにはリード（タブリード）の
幅も狭くならざるを得ない。また、リードの幅を
狭くする（たとえば0.3mm幅）ためには打抜加工
上の問題からリードフレームを作る素材は従来の
較べてより薄くなる（たとえば0.15mm）。この結
果、タブはリードと同様に小さい外力でも簡単に
傾いたり、浮き上がつたりして組立に支障を来た
してしまう。たとえば、半導体素子の取付時には
タブが揺れ動くことから接合が不完全となり、ワ
イヤボンデイング時には接合の不完全性とともに
ワイヤが切れたりする。また、レジンモールド時
には流れるレジンによつてタブが傾いて動き、ワ
イヤが破断したり、タブが傾くことによる渦の発
生によつて気泡がモールド内部や表面に残留して
耐湿性が低下したりあるいは窪みができて外観が
悪くなつてしまう。
四方からリードを取り出したレジンモールド半
導体装置は特開昭53−80969号に開示されている。
導体装置は特開昭53−80969号に開示されている。
次に、本発明を説明するための参考技術につい
て述べる。これは、タブが組立時に簡単に動かな
い剛性の優れた半導体装置に関するものである。
て述べる。これは、タブが組立時に簡単に動かな
い剛性の優れた半導体装置に関するものである。
第２図は本発明を説明するための参考技術に係
るリードフレームの一実施例を示す平面図であ
り、第３図は第２図で示すリードフレームを用い
て組立てた半導体の平面図、第４図ａは同じくそ
の組立の一作業工程時の状態を示す平面図および
一部拡大図である。まず、リードフレームの形状
について説明すると、このリードフレームは0.15
の厚さの金属板を打抜加工やエツチング加工によ
つて作られる。そして、その形状は部分的には幅
の異なる箇所はあるが全体として矩形枠を形作る
枠部１０の中央に半導体素子（ペレツト）１１を
取り付ける矩形のタブ１２を有する形状となつて
いる。そして、このタブ１２はその４隅を外端を
枠部１０の隔部にそれぞれ連結する細いタブリー
ド１３の内端で支持されている。また、４方向か
らこのタブ１２に向かつて複数の１４が延び、そ
の先端（内端）はタブ１２の周縁近傍に臨んでい
る。また、４方向に延びるリード１４の後端はそ
れぞれ枠部１０の内側に連結されている。また、
レジンモールド時に溶けたレジンの流出を阻止す
べく各リード間およびリードと枠部１０間に延び
るダム片１５がタブ１２を取り囲むように配設さ
れている。また、枠部１０には従来と同様にガイ
ド孔１６が穿たれている。
るリードフレームの一実施例を示す平面図であ
り、第３図は第２図で示すリードフレームを用い
て組立てた半導体の平面図、第４図ａは同じくそ
の組立の一作業工程時の状態を示す平面図および
一部拡大図である。まず、リードフレームの形状
について説明すると、このリードフレームは0.15
の厚さの金属板を打抜加工やエツチング加工によ
つて作られる。そして、その形状は部分的には幅
の異なる箇所はあるが全体として矩形枠を形作る
枠部１０の中央に半導体素子（ペレツト）１１を
取り付ける矩形のタブ１２を有する形状となつて
いる。そして、このタブ１２はその４隅を外端を
枠部１０の隔部にそれぞれ連結する細いタブリー
ド１３の内端で支持されている。また、４方向か
らこのタブ１２に向かつて複数の１４が延び、そ
の先端（内端）はタブ１２の周縁近傍に臨んでい
る。また、４方向に延びるリード１４の後端はそ
れぞれ枠部１０の内側に連結されている。また、
レジンモールド時に溶けたレジンの流出を阻止す
べく各リード間およびリードと枠部１０間に延び
るダム片１５がタブ１２を取り囲むように配設さ
れている。また、枠部１０には従来と同様にガイ
ド孔１６が穿たれている。
このようなリードフレームを用いて半導体装置
を組み立てる場合には、第２図で示すように、タ
ブ１２上に半導体素子１１を固定し、この半導体
素子１１の電極とリード１４の内端とをワイヤ
（第３図に示されている。）で接続し、その後、第
４図ａで示すように、ダム片１５の内側をレジン
でモールドし、レジンからなるモールド部１７で
半導体素子１１等を被う。
を組み立てる場合には、第２図で示すように、タ
ブ１２上に半導体素子１１を固定し、この半導体
素子１１の電極とリード１４の内端とをワイヤ
（第３図に示されている。）で接続し、その後、第
４図ａで示すように、ダム片１５の内側をレジン
でモールドし、レジンからなるモールド部１７で
半導体素子１１等を被う。
しかしながら、このような構成では、タブリー
ドが封止体の実質的な角部から封止体外へ導出さ
れることとなり、タブリードを切断する際に封止
体の実質的な角部が欠け易いという問題点があ
る。
ドが封止体の実質的な角部から封止体外へ導出さ
れることとなり、タブリードを切断する際に封止
体の実質的な角部が欠け易いという問題点があ
る。
従つて、本発明の目的は、半導体装置の多ピン
化のニーズを担保しつつ、封止体の実質的な角部
が欠けにくい構造を有する半導体装置を提供する
ことにある。
化のニーズを担保しつつ、封止体の実質的な角部
が欠けにくい構造を有する半導体装置を提供する
ことにある。
このための本発明の要旨は、次の二つにある。
1. 半導体素子をその主面に固定したタブと、前
記タブと一体的に形成されたタブリードと、前
記タブの近くから遠い方へ延びる複数本のリー
ドと、前記リードの一端近傍と前記半導体素子
の電極とを電気的に接続したワイヤと、前記タ
ブ、前記タブリード、前記ワイヤ及び前記リー
ドの少なくとも一部をレジンでモールドするこ
とにより形成した封止体とを有する半導体装置
において、 (1) 前記タブリードは第一のタブリード、第二の
タブリード、第三のタブリードおよび第四のタ
ブリードよりなり、 (2) 前記第一乃至第四のタブリードは前記封止体
外周の第一乃至第四の実質的な角部で終端し、 (3) 前記複数本のリードは前記四つのタブリード
間に配置された第一のリード群、第二のリード
群、第三のリード群および第四のリード群を有
し、 (4) 前記封止体外周の第一乃至第四の実質的な角
部の少なくとも一つは面取りされた面取り面を
有し、 (5) 前記第一乃至第四のタブリードのうち、少な
くとも一のタブリードは前記面取り面で終端し
ていることを特徴とする半導体装置。
記タブと一体的に形成されたタブリードと、前
記タブの近くから遠い方へ延びる複数本のリー
ドと、前記リードの一端近傍と前記半導体素子
の電極とを電気的に接続したワイヤと、前記タ
ブ、前記タブリード、前記ワイヤ及び前記リー
ドの少なくとも一部をレジンでモールドするこ
とにより形成した封止体とを有する半導体装置
において、 (1) 前記タブリードは第一のタブリード、第二の
タブリード、第三のタブリードおよび第四のタ
ブリードよりなり、 (2) 前記第一乃至第四のタブリードは前記封止体
外周の第一乃至第四の実質的な角部で終端し、 (3) 前記複数本のリードは前記四つのタブリード
間に配置された第一のリード群、第二のリード
群、第三のリード群および第四のリード群を有
し、 (4) 前記封止体外周の第一乃至第四の実質的な角
部の少なくとも一つは面取りされた面取り面を
有し、 (5) 前記第一乃至第四のタブリードのうち、少な
くとも一のタブリードは前記面取り面で終端し
ていることを特徴とする半導体装置。
2. 半導体素子をその主面に固定したタブと、前
記タブと一体的に形成されたタブリードと、前
記タブの近くから遠い方へ延びる複数本のリー
ドと、前記リードの一端近傍と前記半導体素子
の電極とを電気的に接続したワイヤと、前記タ
ブ、前記タブリード、前記ワイヤ及び前記リー
ドの少なくとも一部をレジンでモールドするこ
とにより形成した封止体とを有する半導体装置
において、 (1) 前記タブリードは第一のタブリードと、第二
のタブリード、第三のタブリードおよび第四の
タブリードよりなり、 (2) 前記第一乃至前記第四のタブリードは前記封
止体外周の第一乃至第四の実質的な角部で終端
し、 (3) 前記複数本のリードは前記四つのタブリード
間に配置された第一のリード群、第二のリード
群、第三のリード群および第四のリード群を有
し、 (4) 前記第一乃至第四のタブリードのうち、少な
くとも一のタブリードは前記封止体外周の一の
角部から離間した前記封止体側面であつて、か
つ、一の実質的な角部で終端していることを特
徴とする半導体装置。
記タブと一体的に形成されたタブリードと、前
記タブの近くから遠い方へ延びる複数本のリー
ドと、前記リードの一端近傍と前記半導体素子
の電極とを電気的に接続したワイヤと、前記タ
ブ、前記タブリード、前記ワイヤ及び前記リー
ドの少なくとも一部をレジンでモールドするこ
とにより形成した封止体とを有する半導体装置
において、 (1) 前記タブリードは第一のタブリードと、第二
のタブリード、第三のタブリードおよび第四の
タブリードよりなり、 (2) 前記第一乃至前記第四のタブリードは前記封
止体外周の第一乃至第四の実質的な角部で終端
し、 (3) 前記複数本のリードは前記四つのタブリード
間に配置された第一のリード群、第二のリード
群、第三のリード群および第四のリード群を有
し、 (4) 前記第一乃至第四のタブリードのうち、少な
くとも一のタブリードは前記封止体外周の一の
角部から離間した前記封止体側面であつて、か
つ、一の実質的な角部で終端していることを特
徴とする半導体装置。
以下、実施例にしたがつて本発明を説明する。
第４図ｂに示すように、タブリードが封止体の
実質的な角部へ延在する半導体装置においては、
タブリード１３と交差するモールド部１７の角部
（隅部）はタブリード１３と直交するように切り
欠いた面１８を有する面取状態でモールドするの
が好ましい。これは、その後モールド部の付け根
でタブリードを切断する際、モールド部の角部が
切断時に欠けたりしないようにするために配慮さ
れた結果である。つぎに、タブリード１３をモー
ルド部１７の付け根部分で切断するとともに不要
となるダム片１５および枠部１０を切断除去し、
フラツトリードの半導体装置を得る。また、必要
ならば、モールド部１７から長く突出するリード
１４をその途中から折り曲げてインライン形の半
導体装置を作る。
実質的な角部へ延在する半導体装置においては、
タブリード１３と交差するモールド部１７の角部
（隅部）はタブリード１３と直交するように切り
欠いた面１８を有する面取状態でモールドするの
が好ましい。これは、その後モールド部の付け根
でタブリードを切断する際、モールド部の角部が
切断時に欠けたりしないようにするために配慮さ
れた結果である。つぎに、タブリード１３をモー
ルド部１７の付け根部分で切断するとともに不要
となるダム片１５および枠部１０を切断除去し、
フラツトリードの半導体装置を得る。また、必要
ならば、モールド部１７から長く突出するリード
１４をその途中から折り曲げてインライン形の半
導体装置を作る。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。た
とえば、タブリードにはモールド部との境界とな
る位置にモールド部周縁に沿うようなＶ字溝を設
け、タブリード切断時に簡単にタブリードがＶ字
溝から分断するようにしてもよい。
とえば、タブリードにはモールド部との境界とな
る位置にモールド部周縁に沿うようなＶ字溝を設
け、タブリード切断時に簡単にタブリードがＶ字
溝から分断するようにしてもよい。
また、複数のタブリード１乃至数本をリードと
しても用いてもよい。
しても用いてもよい。
また、モールド部の角部を面取りしない構造の
場合には、第５図および第６図で示すように、枠
部１０の隅部に延びるタブリード１３をふたまた
にして分離リード１９となり、この分離リード１
９の途中をモールド部の外周面と交差させ、タブ
リードの切断時モールド部の隅部が破損しないよ
うにしてもよい。第６図ａで示す一点鎖線部分で
分離リード１９を切断する。また、この切断箇所
にも第６図ａで示すように分断し易いようにＶ字
溝２０を設けてもよい。
場合には、第５図および第６図で示すように、枠
部１０の隅部に延びるタブリード１３をふたまた
にして分離リード１９となり、この分離リード１
９の途中をモールド部の外周面と交差させ、タブ
リードの切断時モールド部の隅部が破損しないよ
うにしてもよい。第６図ａで示す一点鎖線部分で
分離リード１９を切断する。また、この切断箇所
にも第６図ａで示すように分断し易いようにＶ字
溝２０を設けてもよい。
また、第７図ａに示すように、Ｙ字形に延びる
２本の分離リード１９と枠部１０（ダム片１５）
とによつて形成される空間部を枠部側に広げて大
きくし、レジンモールド時のレジン注入用ゲート
２１とすれば、第７図ｂで示すように、ランナ２
２に段差が付き、モールド部とランナとの分離時
にこの段差部に応力集中が働いて、この段差部で
分離する（分離は第７図ｂで示す鎖線部分とな
る。）。このため、モールド品におけるランナ分離
部の形状が一定し、分離部が不整となる弊害が防
止できる。
２本の分離リード１９と枠部１０（ダム片１５）
とによつて形成される空間部を枠部側に広げて大
きくし、レジンモールド時のレジン注入用ゲート
２１とすれば、第７図ｂで示すように、ランナ２
２に段差が付き、モールド部とランナとの分離時
にこの段差部に応力集中が働いて、この段差部で
分離する（分離は第７図ｂで示す鎖線部分とな
る。）。このため、モールド品におけるランナ分離
部の形状が一定し、分離部が不整となる弊害が防
止できる。
さらに、このリードフレームはタブ部分を一段
と低くした構造にしても、強度（鋼性）は大き
い。
と低くした構造にしても、強度（鋼性）は大き
い。
以上のように、本発明では、タブが四本のタブ
リードで支持されているので、タブの強度を従来
に比して大きくできる。
リードで支持されているので、タブの強度を従来
に比して大きくできる。
また、本発明では、タブリードが各々封止体外
周の実質的な角部で終端し、かつ、各タブリード
間に配置されたリード群を有する構成をとる。従
つて、リードを多数本有する半導体装置とするこ
とが可能であり、多ピン化に対するニーズに容易
の対応できるという効果を有する。
周の実質的な角部で終端し、かつ、各タブリード
間に配置されたリード群を有する構成をとる。従
つて、リードを多数本有する半導体装置とするこ
とが可能であり、多ピン化に対するニーズに容易
の対応できるという効果を有する。
それに加えて、本発明では、封止体の角部を面
取りし、面取り面でタブリードを終端させる或い
はタブリードを封止体の角部から離間した実質的
な角部で終端する構成をとる。これにより、封止
体内のタブリードが封止体の実質的な角部に延在
する場合において、タブリードの切断時における
封止体の角部の欠けを防止できるという効果があ
る。
取りし、面取り面でタブリードを終端させる或い
はタブリードを封止体の角部から離間した実質的
な角部で終端する構成をとる。これにより、封止
体内のタブリードが封止体の実質的な角部に延在
する場合において、タブリードの切断時における
封止体の角部の欠けを防止できるという効果があ
る。
第１図は従来のリードフレームを示す平面図、
第２図、第３図および第４図ａは本発明を説明す
るための参考技術に係るリードフレームを示す平
面図、第４図ｂは本発明の一実施例を示す図、第
５図は本発明に用いるリードフレームの他の実施
例による平面図、第６図ａ，ｂは同じくモールド
状態の説明図およびタブリードの部分拡大斜視
図、第７図ａ，ｂはリードフレームのレジン注入
用ゲート部の拡大平面図およびモールド時の状態
を示す説明図である。 １…半導体素子、２…タブ、３…タブリード、
４…リード、５…枠部、６…ダム片、７…ガイド
孔、８…ワイヤ、９…モールド部、１０…枠部、
１１…半導体素子、１２…タブ、１３…タブリー
ド、１４…リード、１５…ダム片、１６…ガイド
孔、１７…モールド部、１８…切り欠いた面、１
９…分離リード、２０…Ｖ字溝、２１…レジン注
入用ゲート、２２…ランナ。
第２図、第３図および第４図ａは本発明を説明す
るための参考技術に係るリードフレームを示す平
面図、第４図ｂは本発明の一実施例を示す図、第
５図は本発明に用いるリードフレームの他の実施
例による平面図、第６図ａ，ｂは同じくモールド
状態の説明図およびタブリードの部分拡大斜視
図、第７図ａ，ｂはリードフレームのレジン注入
用ゲート部の拡大平面図およびモールド時の状態
を示す説明図である。 １…半導体素子、２…タブ、３…タブリード、
４…リード、５…枠部、６…ダム片、７…ガイド
孔、８…ワイヤ、９…モールド部、１０…枠部、
１１…半導体素子、１２…タブ、１３…タブリー
ド、１４…リード、１５…ダム片、１６…ガイド
孔、１７…モールド部、１８…切り欠いた面、１
９…分離リード、２０…Ｖ字溝、２１…レジン注
入用ゲート、２２…ランナ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子をその主面に固定したタブと、前
記タブと一体的に形成されたタブリードと、前記
タブの近くから遠い方へ延びる複数本のリードと
前記リードの一端近傍と前記半導体素子の電極と
を電気的に接続したワイヤと、前記タブ、前記タ
ブリード、前記ワイヤ及び前記リードの少なくと
も一部をレジンでモールドすることにより形成し
た封止体とを有する半導体装置において、 (1) 前記タブリードは第一のタブリード、第二の
タブリード、第三のタブリードおよび第四のタ
ブリードよりなり、 (2) 前記第一乃至前記第四のタブリードは前記封
止体外周の第一乃至第四の実質的な角部で終端
し、 (3) 前記複数本のリードは前記四つのタブリード
間に配置された第一のリード群、第二のリード
群、第三のリード群および第四のリード群を有
し、 (4) 前記封止体外周の第一乃至第四の実質的な角
部の少なくとも一つは面取りされた面取り面を
有し、 (5) 前記第一乃至第四のタブリードのうち、少な
くとも一つのタブリードは前記面取り面で終端
していることを特徴とする半導体装置。 ２ 前記第一乃至第四のタブリードはそれぞれ対
応する前記封止体外周の前記第一乃至第四の実質
的な角部に形成された第一乃至第四の面取り面で
終端していることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置。 ３ 前記第一乃至前記第四のタブリードは前記タ
ブの第一乃至第四の実質的な角部からそれぞれ対
応する前記封止体外周の前記第一乃至第四の実質
的な角部へ向けて延在していることを特徴とする
特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体
装置。 ４ 前記リードおよび前記タブリードは予めそれ
らを一体に形成したリードフレームを切断するこ
とにより形成したものであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項、第２項または第３項記載の
半導体装置。 ５ 半導体素子をその主面に固定したタブと、前
記タブと一体的に形成されたタブリードと、前記
タブの近くから遠い方へ延びる複数本のリード
と、前記リードの一端近傍と前記半導体素子の電
極とを電気的に接続したワイヤと、前記タブ、前
記タブリード、前記ワイヤ及び前記リードの少な
くとも一部をレジンでモールドすることにより形
成した封止体とを有する半導体装置において、 (1) 前記タブリードは第一のタブリード、第二の
タブリード、第三のタブリードおよび第四のタ
ブリードよりなり、 (2) 前記第一乃至前記第四のタブリードは前記封
止体外周の第一乃至第四の実質的な角部で終端
し、 (3) 前記複数本のリードは前記四つのタブリード
間に配置された第一のリード群、第二のリード
群、第三のリード群および第四のリード群を有
し、 (4) 前記第一乃至第四のタブリードのうち、少な
くとも一つのタブリードは前記封止体外周の一
つの角部から離間した前記封止体側面であつ
て、かつ、一つの実質的な角部で終端している
ことを特徴とする半導体装置。 ６ 前記第一乃至第四のタブリードはそれぞれ対
応する前記封止体外周の第一乃至第四の角部から
離間した前記封止体側面であつて、かつ、前記第
一乃至第四の実質的な角部で終端していることを
特徴とする特許請求の範囲第５項記載の半導体装
置。 ７ 前記第一乃至前記第四のタブリードは前記タ
ブの第一乃至第四の実質的な角部からそれぞれ対
応する前記封止体外周の前記第一乃至第四の実質
的な角部へ向けて延在していることを特徴とする
特許請求の範囲第５項または第６項記載の半導体
装置。 ８ 前記リードおよび前記タブリードは予めそれ
らを一体に形成したリードフレームを切断するこ
とにより形成したものであることを特徴とする特
許請求の範囲第５項、第６項または第７項記載の
半導体装置。 ９ 前記第一乃至第四のタブリードの少なくとも
一つのタブリードは前記封止体に内在し、かつ、
前記封止体の実質的な角部近傍において二つに分
岐しており、かつ、分岐した第一および第二のタ
ブリードは前記封止体外周の前記一つの角部から
離間した前記封止体側面であつて、かつ、前記実
質的な角部で各々終端していることを特徴とする
特許請求の範囲第５項、第６項、第７項または第
８項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15289284A JPS60121747A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15289284A JPS60121747A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9360778A Division JPS5521128A (en) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60121747A JPS60121747A (ja) | 1985-06-29 |
| JPH0468783B2 true JPH0468783B2 (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=15550405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15289284A Granted JPS60121747A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60121747A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2834990B2 (ja) * | 1993-11-02 | 1998-12-14 | ローム株式会社 | クワッド型半導体装置用リードフレームの構造 |
| JP4523138B2 (ja) * | 2000-10-06 | 2010-08-11 | ローム株式会社 | 半導体装置およびそれに用いるリードフレーム |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5521128A (en) * | 1978-08-02 | 1980-02-15 | Hitachi Ltd | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15289284A patent/JPS60121747A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5521128A (en) * | 1978-08-02 | 1980-02-15 | Hitachi Ltd | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60121747A (ja) | 1985-06-29 |
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