JPH0466741B2 - - Google Patents
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- JPH0466741B2 JPH0466741B2 JP61013259A JP1325986A JPH0466741B2 JP H0466741 B2 JPH0466741 B2 JP H0466741B2 JP 61013259 A JP61013259 A JP 61013259A JP 1325986 A JP1325986 A JP 1325986A JP H0466741 B2 JPH0466741 B2 JP H0466741B2
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- JP
- Japan
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- circuit
- solenoid valve
- drive circuit
- solenoid
- valve drive
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 4
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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- Regulating Braking Force (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
マイロコンピュータを用いてブレーキ油圧を制
御し、車輪のロツクを防止するアンチスキツド装
置の電磁弁駆動回路に短かいテストパルスを印加
し、その状態変化を論理的にチエツクすることに
より、実際の動作に影響させずに電磁弁駆動回路
の障害診断を行う。
御し、車輪のロツクを防止するアンチスキツド装
置の電磁弁駆動回路に短かいテストパルスを印加
し、その状態変化を論理的にチエツクすることに
より、実際の動作に影響させずに電磁弁駆動回路
の障害診断を行う。
本発明は、自動車等の乗物において、走行中の
制動により横すべりを防止するためのアンチスキ
ツド装置に関するものであり、特にアンチスキツ
ド装置に用いられるソレノイド駆動回路の障害診
断方式に関する。
制動により横すべりを防止するためのアンチスキ
ツド装置に関するものであり、特にアンチスキツ
ド装置に用いられるソレノイド駆動回路の障害診
断方式に関する。
自動車が凍結した路上を走行している際にブレ
ーキ制動をかけると、車輪はロックされて回転を
停止するが、そのまま路面を滑走し、横すべり
(スキツド)を生じて危険な走行状態となること
がある。
ーキ制動をかけると、車輪はロックされて回転を
停止するが、そのまま路面を滑走し、横すべり
(スキツド)を生じて危険な走行状態となること
がある。
このような場合、制動を湯ゆるめて車輪のロツ
ク状態を一時的に解放することにより、タイヤと
路面との間に動摩擦を生じさせ、走行を安定化す
る運転方法がとられる。
ク状態を一時的に解放することにより、タイヤと
路面との間に動摩擦を生じさせ、走行を安定化す
る運転方法がとられる。
アンチスキツド装置は、その操作を自動的に実
行するための装置である。第4図に、一般的なア
ンチスキツド装置の概略構成を示す。
行するための装置である。第4図に、一般的なア
ンチスキツド装置の概略構成を示す。
図において、1ないし4は車輪W1〜W4、5な
いし8は車輪速センサ、9ないし12はブレーキ
油圧系統の電磁弁、13はマイクロプロセツサ、
14は電磁弁駆動回路である。以下、簡単に動作
を説明する。
いし8は車輪速センサ、9ないし12はブレーキ
油圧系統の電磁弁、13はマイクロプロセツサ、
14は電磁弁駆動回路である。以下、簡単に動作
を説明する。
各車輪1ないし4の回転速度は、車輪速センサ
9ないし12によつて個々に検出され、マイクロ
プロセツサ13に伝えられる。
9ないし12によつて個々に検出され、マイクロ
プロセツサ13に伝えられる。
マイクロプロセツサ13は、各車輪速の平均値
と過去の値、制御特性データ等に基づいて、それ
ぞれの車輪ブレーキの制動状態をコントロールす
るため、電磁弁駆動回路14を介して、電磁弁9
ないし12の開閉を行う。
と過去の値、制御特性データ等に基づいて、それ
ぞれの車輪ブレーキの制動状態をコントロールす
るため、電磁弁駆動回路14を介して、電磁弁9
ないし12の開閉を行う。
第5図に、従来の電磁弁駆動回路14の内部構
成を簡略化して示す。
成を簡略化して示す。
図において、15は制御回路、16および17
はスイツチング素子Q1およびQo,18および1
9は電磁弁内のソレノイドコイルを表す。
はスイツチング素子Q1およびQo,18および1
9は電磁弁内のソレノイドコイルを表す。
電磁弁駆動回路14内の制御回路15は、主に
論理ゲートで構成されており、マイクロプロセツ
サ13から各電磁弁ごとに与えられる指令にした
がつて、所定をタイミングとパルス幅をもつ駆動
信号を生成し、該当する電磁弁を作動するソレノ
イドコイル(たとえば18,19)を駆動するス
イツチング素子(たとえば16,17)のベース
に印加する。
論理ゲートで構成されており、マイクロプロセツ
サ13から各電磁弁ごとに与えられる指令にした
がつて、所定をタイミングとパルス幅をもつ駆動
信号を生成し、該当する電磁弁を作動するソレノ
イドコイル(たとえば18,19)を駆動するス
イツチング素子(たとえば16,17)のベース
に印加する。
スイツチング素子16,17はそれぞれのベー
スに駆動信号を印加されている一定の期間導通
(オン)状態となり、対応するソネレノイドコイ
ル18,19に駆動電流を流す。そして駆動信号
がなくなると、スイツチング素子は非導通(オ
フ)状態に戻り、ソレノイドコイルを流れる駆動
電流を遮断する。これらは比較的高速に行われ
る。
スに駆動信号を印加されている一定の期間導通
(オン)状態となり、対応するソネレノイドコイ
ル18,19に駆動電流を流す。そして駆動信号
がなくなると、スイツチング素子は非導通(オ
フ)状態に戻り、ソレノイドコイルを流れる駆動
電流を遮断する。これらは比較的高速に行われ
る。
従来のアンチスキツド装置では、電磁弁駆動回
路からソレノイドへの駆動電流供給ラインが断線
状態となつたり、スイツチング素子が破壊されて
短路あるいは切断状態となるなどの障害が発生し
た場合に対処する手段をもたず、安全性を低下さ
せるおそれがあつた。
路からソレノイドへの駆動電流供給ラインが断線
状態となつたり、スイツチング素子が破壊されて
短路あるいは切断状態となるなどの障害が発生し
た場合に対処する手段をもたず、安全性を低下さ
せるおそれがあつた。
本発明は、電磁弁駆動回路の動作状態を各電磁
弁ごとにチエツクする診断回路を設けることによ
り、障害発生をシステム作動前に検出し、対応可
能にするものである。
弁ごとにチエツクする診断回路を設けることによ
り、障害発生をシステム作動前に検出し、対応可
能にするものである。
このための本発明の構成は、自動車等の乗物の
各車輪のブレーキ油圧を制御するための電磁弁を
駆動する電磁弁駆動回路14を有するアンチスキ
ツド装置において、 前記電磁弁駆動回路14は、各電磁弁内のソレ
ノイドコイル18,19に対する駆動電流をオ
ン、オフにするためのスイツチング素子16,1
7をオン、オフするための制御回路15と、電磁
弁駆動回路14の障害の有無を調べる診断回路2
0とをそなえ、 前記診断回路20は、通常の駆動信号よりもパ
ルス幅の短い一連のテスト信号を発生して前記制
御回路15に供給し、スイツチング素子16,1
7を動作させて、該ソレノイドコイル18,19
に対して、過渡特性から時間的に通常の動作レベ
ルには達しないような駆動電流を供給するととも
に、その結果の状態を検出し、検出された状態と
供給した一連のテスト信号との間に予め定められ
ている論理関係が成立するか否かを検出すること
により、障害の有無を判定することを特徴とす
る。
各車輪のブレーキ油圧を制御するための電磁弁を
駆動する電磁弁駆動回路14を有するアンチスキ
ツド装置において、 前記電磁弁駆動回路14は、各電磁弁内のソレ
ノイドコイル18,19に対する駆動電流をオ
ン、オフにするためのスイツチング素子16,1
7をオン、オフするための制御回路15と、電磁
弁駆動回路14の障害の有無を調べる診断回路2
0とをそなえ、 前記診断回路20は、通常の駆動信号よりもパ
ルス幅の短い一連のテスト信号を発生して前記制
御回路15に供給し、スイツチング素子16,1
7を動作させて、該ソレノイドコイル18,19
に対して、過渡特性から時間的に通常の動作レベ
ルには達しないような駆動電流を供給するととも
に、その結果の状態を検出し、検出された状態と
供給した一連のテスト信号との間に予め定められ
ている論理関係が成立するか否かを検出すること
により、障害の有無を判定することを特徴とす
る。
第1図に、本発明の原理的構成を示す。
図において、14は電磁弁駆動回路、15は制
御回路、16はスイツチング素子Q1、17はス
イツチング素子Qo,18および19は電磁弁の
ソレノイドコイル、20は診断回路である。21
および22は分離(アイソレーシヨン)用ダイオ
ードであつて、図示の例ではトランジスタで構成
されているスイツチング素子16,17の動作レ
ベルを、コレクタ電位によりそれぞれ検出し、状
態信号として診断回路20に通知する。
御回路、16はスイツチング素子Q1、17はス
イツチング素子Qo,18および19は電磁弁の
ソレノイドコイル、20は診断回路である。21
および22は分離(アイソレーシヨン)用ダイオ
ードであつて、図示の例ではトランジスタで構成
されているスイツチング素子16,17の動作レ
ベルを、コレクタ電位によりそれぞれ検出し、状
態信号として診断回路20に通知する。
診断回路20は、テスト信号を発生し、制御回
路15を介してスイツチング素子16,17を動
作させるとともに、その結果のスイツチング素子
の状態を、ダイオード21,22を介して状態信
号により検出し、テスト信号と比較することによ
り、正常/異常を判定する。
路15を介してスイツチング素子16,17を動
作させるとともに、その結果のスイツチング素子
の状態を、ダイオード21,22を介して状態信
号により検出し、テスト信号と比較することによ
り、正常/異常を判定する。
テスト信号は、通常の駆動信号よりもパルス幅
を短くされており、スイツチング素子16,17
をオン動作させることはできるが、ソレノイドコ
イル18,19を流れる駆動電流は、ソレノイド
コイルの過渡特性により、時間的に動作レベルに
まで達することができないようにする。
を短くされており、スイツチング素子16,17
をオン動作させることはできるが、ソレノイドコ
イル18,19を流れる駆動電流は、ソレノイド
コイルの過渡特性により、時間的に動作レベルに
まで達することができないようにする。
第1図に示された構成において、電磁弁駆動回
路14の正常状態では、テスト信号がスイツチン
グ素子16,17をオンにする値をもつとき、ス
イツチング素子のコレクタ電位はぼぼ接地電位
(Lレベルとする)となり、またテスト信号がス
イツチング素子をオフにする値をもつとき、スイ
ツチング素子のコレクタ電位は電磁電位(Hレベ
ルとする)となる。
路14の正常状態では、テスト信号がスイツチン
グ素子16,17をオンにする値をもつとき、ス
イツチング素子のコレクタ電位はぼぼ接地電位
(Lレベルとする)となり、またテスト信号がス
イツチング素子をオフにする値をもつとき、スイ
ツチング素子のコレクタ電位は電磁電位(Hレベ
ルとする)となる。
ダイオード21,22は、対応するスイツチン
グ素子16,17がオフ状態にあれば、診断回路
20にHレベルの状態信号を伝える。
グ素子16,17がオフ状態にあれば、診断回路
20にHレベルの状態信号を伝える。
診断回路20は、各スイツチング素子に与えた
テスト信号の値に対して、各スイツチング素子が
正しく応答したか否かを結果の状態信号から判定
する。
テスト信号の値に対して、各スイツチング素子が
正しく応答したか否かを結果の状態信号から判定
する。
次に、本発明に適用可能な診断論理の1例を説
明する。
明する。
一般に電磁弁がn個あり、それぞれのソレノイ
ドコイルを駆動するスイツチング素子をQ1〜Qo
で表した場合、まずスイツチング素子のいずれか
に、オンになることができない切断(オープン)
障害が発生しているか否かを調べるため、全ての
スイツチング素子Q1〜Qoに、オン駆動するテス
ト信号を印加する。
ドコイルを駆動するスイツチング素子をQ1〜Qo
で表した場合、まずスイツチング素子のいずれか
に、オンになることができない切断(オープン)
障害が発生しているか否かを調べるため、全ての
スイツチング素子Q1〜Qoに、オン駆動するテス
ト信号を印加する。
このとき、いずれか1つのスイツチング素子に
でも、切断状態が発生していれば、その障害は、
そのスイツチング素子のコレクタから取出される
状態信号がHレベルを示すことによつて検出され
る。すなわち、全ての状態信号がLレベルであれ
ば正常と判定する。
でも、切断状態が発生していれば、その障害は、
そのスイツチング素子のコレクタから取出される
状態信号がHレベルを示すことによつて検出され
る。すなわち、全ての状態信号がLレベルであれ
ば正常と判定する。
切断障害が発生していない場合には、次に、あ
る1つのスイツチング素子を除外し、他を全てオ
ン駆動し、その除外されたスイツチング素子の状
態信号がHレベルであれば正常、そしてLレベル
であれば、スイツチング素子の短絡あるいは駆動
電流供給ラインの切断による短絡障害が発生して
いるものと判定する。上記のオン駆動を除外する
スイツチング素子を順次取換えることにより、全
てのスイツチング素子について短絡障害の有無を
判定することができる。
る1つのスイツチング素子を除外し、他を全てオ
ン駆動し、その除外されたスイツチング素子の状
態信号がHレベルであれば正常、そしてLレベル
であれば、スイツチング素子の短絡あるいは駆動
電流供給ラインの切断による短絡障害が発生して
いるものと判定する。上記のオン駆動を除外する
スイツチング素子を順次取換えることにより、全
てのスイツチング素子について短絡障害の有無を
判定することができる。
第2図は、以上の診断論理をないしのスラ
ツプからなるフローで示したものである。
ツプからなるフローで示したものである。
以下に、本発明の詳細を実施例にしたがつて説
明する。
明する。
第3は、本発明の1実施例の構成図であり、第
1図に示されている原理的構成のうち、診断回路
20を具体化した例について内部構成を示してあ
る。したがつて、第1図の全体的構成は共通に用
いられ、その参照番号もそのまま緩用される。
1図に示されている原理的構成のうち、診断回路
20を具体化した例について内部構成を示してあ
る。したがつて、第1図の全体的構成は共通に用
いられ、その参照番号もそのまま緩用される。
また、本実施例における診断論理は第2図のフ
ローに示されているものが適用されている。第3
図中に新たに示されている診断回路20内の構成
は、次の通りである。
ローに示されているものが適用されている。第3
図中に新たに示されている診断回路20内の構成
は、次の通りである。
23はテスト信号発生回路であり、各電磁弁に
対する1連のテスト信号を発生する。
対する1連のテスト信号を発生する。
24はセレクタであり、通常の制御状態(制御
モードという)でマイクロプロセツサから供給さ
れる駆動回路と、診断状態(診断モードという)
でテスト信号発生回路23から供給されるテスト
信号とを、モード制御信号に基づいて切換え、制
御回路15へ出力する。
モードという)でマイクロプロセツサから供給さ
れる駆動回路と、診断状態(診断モードという)
でテスト信号発生回路23から供給されるテスト
信号とを、モード制御信号に基づいて切換え、制
御回路15へ出力する。
25は判定回路であり、診断モード時に、スイ
ツチング素子16,17等に印加されるテスト信
号と、その応答結果を示す状態信号とに基づい
て、電磁弁駆動回路の機能の正常/異常を判定
し、異常と判定した場合には、マイクロプロセツ
サに割込みを行う。
ツチング素子16,17等に印加されるテスト信
号と、その応答結果を示す状態信号とに基づい
て、電磁弁駆動回路の機能の正常/異常を判定
し、異常と判定した場合には、マイクロプロセツ
サに割込みを行う。
25ないし33の各回路要素は、正常/異常の
判定論理をハード的に実現する論理素子であり、
26,27,28はAND回路、29はOR回路、
30,31はラツチ、32,33は反転回路を表
す。
判定論理をハード的に実現する論理素子であり、
26,27,28はAND回路、29はOR回路、
30,31はラツチ、32,33は反転回路を表
す。
次に動作を説明する。
テスト信号発生回路23は、制御対象の4つの
電磁弁の各々に1ビツトずつ対応づけた各A,
B,C,Dで表される4ビツトのテスト信号を発
生する。
電磁弁の各々に1ビツトずつ対応づけた各A,
B,C,Dで表される4ビツトのテスト信号を発
生する。
テスト信号は、第2図の診断論理に基づく次の
ないしで示す5つのパターンで構成され、こ
の順で発生される。
ないしで示す5つのパターンで構成され、こ
の順で発生される。
パターン A B C D
1 1 1 1
0 1 1 1
1 0 1 1
1 1 0 1
1 1 1 0
なお、各ビツトの値“1”はスイツチング素子
をオンに駆動し、“0”はオフにするものとされ
る。
をオンに駆動し、“0”はオフにするものとされ
る。
したがつて、のパターンでは、4つのスイツ
チング素子は全てオンにされ、ないしのパタ
ーンでは、順次の1つのスイツチング素子のみが
オフで、残りをオンに駆動される。
チング素子は全てオンにされ、ないしのパタ
ーンでは、順次の1つのスイツチング素子のみが
オフで、残りをオンに駆動される。
このようなテスト信号のパターンは、正常/異
常の判定論理と密接に結びついており、この例以
外にも種々のパターンが可能である。
常の判定論理と密接に結びついており、この例以
外にも種々のパターンが可能である。
判定回路25は、テスト信号のパターンで各
スイツチング素子の切断障害の有無を判定し、パ
ターンないしで短絡障害の有無を判定する。
スイツチング素子の切断障害の有無を判定し、パ
ターンないしで短絡障害の有無を判定する。
AND回路26は、パターンの発生を検出し、
AND回路27に伝える。AND回路27は、パタ
ーンが発生されたときに状態信号がHレベルで
あると、OR回路29を介してラツチ30をオン
に設定し、切断障害の発生を割込みによりマイク
ロプロセツサに通知する。
AND回路27に伝える。AND回路27は、パタ
ーンが発生されたときに状態信号がHレベルで
あると、OR回路29を介してラツチ30をオン
に設定し、切断障害の発生を割込みによりマイク
ロプロセツサに通知する。
パターンで、切断障害の発生が検出されなか
ったとき、(切断障害)、反転回路32は、ラツチ
31をオンに設定してその事実を記憶する。
ったとき、(切断障害)、反転回路32は、ラツチ
31をオンに設定してその事実を記憶する。
次にパターンないしが順次発生されたと
き、AND回路28は、状態信号がLレベルのま
まであるかどうかを、反転回路33を介して検出
する。もし、状態信号がLレベルのままであれ
ば、短絡障害が存在しているものと判定し、OR
回路29を介してラツチ30をオン設定し、マイ
クロプロセツサに障害発生を通知する。
き、AND回路28は、状態信号がLレベルのま
まであるかどうかを、反転回路33を介して検出
する。もし、状態信号がLレベルのままであれ
ば、短絡障害が存在しているものと判定し、OR
回路29を介してラツチ30をオン設定し、マイ
クロプロセツサに障害発生を通知する。
なお、判定回路25の機能は、ソフト的手段に
より全く同様に実現できる。
より全く同様に実現できる。
また、状態信号は、任意の電磁弁の系統別にあ
るいは適当な制御単位別に論理和をとることがで
き、診断の単位もそれに応じて任意に変更可能で
ある。
るいは適当な制御単位別に論理和をとることがで
き、診断の単位もそれに応じて任意に変更可能で
ある。
尚、上記診断モードは電源投入直後、及び/又
は車輌が停止中であつて、他の適当な条件を満足
した時に有効化される。
は車輌が停止中であつて、他の適当な条件を満足
した時に有効化される。
本発明によれば、アンチスキツド装置の電磁弁
駆動回路や駆動電流供給ライン上の障害を、適確
に検出して運転者に警告することができ、また適
当なフエイルセーフ機構を設けて、障害発生時に
自動的に危険状態を回避する動作をとらせること
ができ、安全性と運転性能とを改善することがで
きる。
駆動回路や駆動電流供給ライン上の障害を、適確
に検出して運転者に警告することができ、また適
当なフエイルセーフ機構を設けて、障害発生時に
自動的に危険状態を回避する動作をとらせること
ができ、安全性と運転性能とを改善することがで
きる。
第1図は本発明の原理的構成図、第2図は本発
明における診断論理の1例のフロー図、第3図は
本発明の1実施例の構成図、第4図は一般のアン
チスキツド装置の概略構成図、第5図は電磁弁駆
動回路の従来例の構成図である。 第1図中、14:電磁弁駆動回路、15:制御
回路、16,17:スイツチング素子、18,1
9:電磁弁のソレノイドコイル、20:診断回
路。
明における診断論理の1例のフロー図、第3図は
本発明の1実施例の構成図、第4図は一般のアン
チスキツド装置の概略構成図、第5図は電磁弁駆
動回路の従来例の構成図である。 第1図中、14:電磁弁駆動回路、15:制御
回路、16,17:スイツチング素子、18,1
9:電磁弁のソレノイドコイル、20:診断回
路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 自動車等の乗物の各車輪のブレーキ油圧を制
御するための電磁弁を駆動する電磁弁駆動回路1
4を有するアンチスキツド装置において、 前記電磁弁駆動回路14は、各電磁弁内のソレ
ノイドコイル18,19に対する駆動電流をオ
ン、オフするためのスイツチング素子16,17
をオン、オフするための制御回路15と、電磁弁
駆動回路14の障害の有無を調べる診断回路20
とをそなえ、 前記診断回路20は、通常の駆動信号よりもパ
ルス幅の短い一連のテスト信号を発生して前記制
御回路15に供給し、スイツチング素子16,1
7を動作させて、該ソレノイドコイル18,19
に対して、過渡特性から時間的に通常の動作レベ
ルルには達しないような駆動電流を供給するとと
もに、その結果の状態を検出し、検出された状態
と供給した一連のテスト信号との間に予め定めら
れている論理関係が成立するか否かを検出するこ
とにより、障害の有無を判定することを特徴とす
るアンチスキッド装置の電磁弁駆動回路診断方
式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61013259A JPS62173366A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | アンチスキッド装置の電磁弁駆動回路診断方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61013259A JPS62173366A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | アンチスキッド装置の電磁弁駆動回路診断方式 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62173366A JPS62173366A (ja) | 1987-07-30 |
JPH0466741B2 true JPH0466741B2 (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=11828221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61013259A Granted JPS62173366A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | アンチスキッド装置の電磁弁駆動回路診断方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62173366A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2590926B2 (ja) * | 1987-09-04 | 1997-03-19 | 日産自動車株式会社 | アンチスキッド制御装置の異常検出装置 |
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