JPS62173366A - アンチスキッド装置の電磁弁駆動回路診断方式 - Google Patents
アンチスキッド装置の電磁弁駆動回路診断方式Info
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- JPS62173366A JPS62173366A JP61013259A JP1325986A JPS62173366A JP S62173366 A JPS62173366 A JP S62173366A JP 61013259 A JP61013259 A JP 61013259A JP 1325986 A JP1325986 A JP 1325986A JP S62173366 A JPS62173366 A JP S62173366A
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- circuit
- valve drive
- drive circuit
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- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 3
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000283986 Lepus Species 0.000 description 1
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
マイクロコンピュータを用いてブレーキ油圧を制御し、
車輪のロックを防止するアンチスキッド装置の電磁弁駆
動回路に短いテストパルスを印加し、その状態変化を論
理的にチェックすることにより、実際の動作に影響させ
ずに電磁弁駆動回路の障害診断を行う。
車輪のロックを防止するアンチスキッド装置の電磁弁駆
動回路に短いテストパルスを印加し、その状態変化を論
理的にチェックすることにより、実際の動作に影響させ
ずに電磁弁駆動回路の障害診断を行う。
本発明は、自動車等の乗物において、走行中の制動によ
り生じる横ずベリを防止するためのアンチスキッド装置
に関するものであり、特にアンチスキ・ノド装置に用い
られるソレノイド駆動回路の障害診断方式に関する。
り生じる横ずベリを防止するためのアンチスキッド装置
に関するものであり、特にアンチスキ・ノド装置に用い
られるソレノイド駆動回路の障害診断方式に関する。
自動車が凍結した路上を走行している際にブレーキ制動
をかけると、車輪はロックされて回転を停止するが、そ
のまま路面を滑走し、横すべり(スキッド)を生じて危
険な走行状態となることがある。
をかけると、車輪はロックされて回転を停止するが、そ
のまま路面を滑走し、横すべり(スキッド)を生じて危
険な走行状態となることがある。
このような場合、制動をゆるめて車輪のロック状態を一
時的に解放することにより、タイヤと路面との間に動摩
擦を生じさせ、走行を安定化する運転方法がとられる。
時的に解放することにより、タイヤと路面との間に動摩
擦を生じさせ、走行を安定化する運転方法がとられる。
アンチスキッド装置は、この操作を自動的に実行するた
めの装置である。第4図に、一般的なアンチスキッド装
置の概略構成を示す。
めの装置である。第4図に、一般的なアンチスキッド装
置の概略構成を示す。
図において、1ないし4は車輪W、−W、、5ないし8
は車輪速センサ、9ないし12はブレーキ油圧系統の電
磁弁、13はマイクロプロセッサ。
は車輪速センサ、9ないし12はブレーキ油圧系統の電
磁弁、13はマイクロプロセッサ。
14は電磁弁駆動回路である。以下、簡単に動作を説明
する。
する。
各車輪lないし4の回転速度は、車輪速センサ9ないし
12によって個々に検出され、マイクロプロセッサ13
に伝えられる。
12によって個々に検出され、マイクロプロセッサ13
に伝えられる。
マイクロプロセッサ13は、各車輪速の平均値と過去の
値、制御特性データ等に基づいて、それぞれの車輪のブ
レーキ制動状態をコントロールするため、電磁弁駆動回
路14を介して、電磁弁9ないし12の開閉を行う。
値、制御特性データ等に基づいて、それぞれの車輪のブ
レーキ制動状態をコントロールするため、電磁弁駆動回
路14を介して、電磁弁9ないし12の開閉を行う。
第5図に、従来の電磁弁駆動回路14の内部構成を簡略
化して示す。
化して示す。
図において、15は制御回路、16および17はスイッ
チング素子Q、およびQn、18および19は電磁弁内
のソレノイドコイルを表す。
チング素子Q、およびQn、18および19は電磁弁内
のソレノイドコイルを表す。
電磁弁駆動回路14内の制御回路15は、主に論理ゲー
トで構成されており、マイクロプロセッサ13から各電
磁弁ごとに与えられる指令にしたがって、所定のタイミ
ングとパルス幅をもつ駆動信号を生成し、該当する電磁
弁を作動するソレノイドコイル(たとえば18.19)
を駆動するスイッチング素子(たとえば16.17)の
ペースに印加する。
トで構成されており、マイクロプロセッサ13から各電
磁弁ごとに与えられる指令にしたがって、所定のタイミ
ングとパルス幅をもつ駆動信号を生成し、該当する電磁
弁を作動するソレノイドコイル(たとえば18.19)
を駆動するスイッチング素子(たとえば16.17)の
ペースに印加する。
スイッチング素子16.17はそれぞれのベースに駆動
信号を印加されている一定の期間導通(オン)状態とな
り、対応するソレノイドコイル18.19に駆動電流を
流す。そして駆動信号がなくなると、スイッチング素子
は非導通(オフ)状態に戻り、ソレノイドコイルを流れ
る駆動電流を遮断する。これらは比較的高速に行われる
。
信号を印加されている一定の期間導通(オン)状態とな
り、対応するソレノイドコイル18.19に駆動電流を
流す。そして駆動信号がなくなると、スイッチング素子
は非導通(オフ)状態に戻り、ソレノイドコイルを流れ
る駆動電流を遮断する。これらは比較的高速に行われる
。
従来のアンチスキッド装置では、電磁弁駆動回路からソ
レノイドへの駆動電流供給ラインが断線状態となったり
、スイッチング素子が破壊されて短路あるいは切断状態
となるなどの障害が発生した場合に対処する手段をもた
ず、安全性を低下させるおそれがあった。
レノイドへの駆動電流供給ラインが断線状態となったり
、スイッチング素子が破壊されて短路あるいは切断状態
となるなどの障害が発生した場合に対処する手段をもた
ず、安全性を低下させるおそれがあった。
本発明は、電磁弁駆動回路の動作状態を各電磁弁ごとに
チェックする診断回路を設けることにより、障害発生を
システム作動前に検出し、対応可能にするものである。
チェックする診断回路を設けることにより、障害発生を
システム作動前に検出し、対応可能にするものである。
このための診断回路は、電磁弁駆動回路にテスト信号を
印加し、そのテスト信号のレベルとソレノイドコイルを
オン/オフするためのスイッチング素子の応答レベルを
照合して、障害発生の有無を判定する。
印加し、そのテスト信号のレベルとソレノイドコイルを
オン/オフするためのスイッチング素子の応答レベルを
照合して、障害発生の有無を判定する。
第1図に2本発明の原理的構成を示す。
図において、14は電磁弁駆動回路、15は制御回路、
16はスイッチング素子Q+、17はスイッチング素子
Q、、、18および19は電磁弁のソレノイドコイル、
20は診断回路である。21および22は分離(アイソ
レーション)用ダイオードであって2図示の例ではトラ
ンジスタで構成されているスイッチング素子16.17
の動作レベルを、コレクタ電位によりそれぞれ検出し、
状態信号として診断回路20に通知する。
16はスイッチング素子Q+、17はスイッチング素子
Q、、、18および19は電磁弁のソレノイドコイル、
20は診断回路である。21および22は分離(アイソ
レーション)用ダイオードであって2図示の例ではトラ
ンジスタで構成されているスイッチング素子16.17
の動作レベルを、コレクタ電位によりそれぞれ検出し、
状態信号として診断回路20に通知する。
診断回路20は、テスト信号を発生し、制御回路15を
介してスイッチング素子16.17を動作させるととも
に、その結果のスイッチング素子の状態を、ダイオード
21.22を介して状態信号により検出し、テスト信号
と比較することにより、正常/異常を判定する。
介してスイッチング素子16.17を動作させるととも
に、その結果のスイッチング素子の状態を、ダイオード
21.22を介して状態信号により検出し、テスト信号
と比較することにより、正常/異常を判定する。
テスト信号は1通常の駆動信号よりもパルス幅を短(さ
れており、スイッチング素子16.17をオン動作させ
ることはできるが、ソレノイドコイル18.19を流れ
る駆動電流は、ソレノイドコイルの過渡特性により1時
間的に動作レベルにまで達することができないようにす
る。
れており、スイッチング素子16.17をオン動作させ
ることはできるが、ソレノイドコイル18.19を流れ
る駆動電流は、ソレノイドコイルの過渡特性により1時
間的に動作レベルにまで達することができないようにす
る。
第1図に示された構成において、電磁弁駆動回路14の
正常状態では、テスト信号がスイッチング素子16.1
7をオンにする値をもつとき、スイッチング素子のコレ
クタ電位はほぼ接地電位(Lレベルとする)となり、ま
たテスト信号がスイッチング素子をオフにする値をもつ
とき、スイッチング素子のコレクタ電位は電磁電位(H
レベルとする)となる。
正常状態では、テスト信号がスイッチング素子16.1
7をオンにする値をもつとき、スイッチング素子のコレ
クタ電位はほぼ接地電位(Lレベルとする)となり、ま
たテスト信号がスイッチング素子をオフにする値をもつ
とき、スイッチング素子のコレクタ電位は電磁電位(H
レベルとする)となる。
ダイオード21.22は、対応するスイッチング素子1
6.17がオフ状態にあれば2診断回路20にHレベル
の状態信号を伝える。
6.17がオフ状態にあれば2診断回路20にHレベル
の状態信号を伝える。
診断回路20は、各スイッチング素子に与えたテスト信
号の値に対して、各スイッチング素子が正しく応答した
か否かを結果の状態信号から判定する。
号の値に対して、各スイッチング素子が正しく応答した
か否かを結果の状態信号から判定する。
次に2本発明に適用可能な診断論理の1例を説明する。
一般に電磁弁がn個あり、それぞれのソレノイドコイル
を駆動するスイッチング素子をQ1〜Q、lで表した場
合、まずスイッチング素子のいずれかに、オンになるこ
とができない切断(オープン)障害が発生しているか否
かを調べるため、全てのスイッチング素子Q、−Q、に
、オン駆動するテスト信号を印加する。
を駆動するスイッチング素子をQ1〜Q、lで表した場
合、まずスイッチング素子のいずれかに、オンになるこ
とができない切断(オープン)障害が発生しているか否
かを調べるため、全てのスイッチング素子Q、−Q、に
、オン駆動するテスト信号を印加する。
このとき、いずれか1つのスイッチング素子にでも、切
断状態が発生していれば、その障害は。
断状態が発生していれば、その障害は。
そのスイッチング素子のコレクタから取出される状態信
号がHレベルを示すことによって検出される。すなわち
、全ての状態信号がLレベルであれば正常と判定する。
号がHレベルを示すことによって検出される。すなわち
、全ての状態信号がLレベルであれば正常と判定する。
切断障害が発生していない場合には1次に、ある1つの
スイッチング素子を除外し、他を全てオン駆動し、その
除外されたスイッチング素子の状態信号がHレベルであ
れば正常、そしてLレベルであれば、スイッチング素子
の短絡あるいは駆動電流供給ラインの切断による短絡障
害が発生しているものと判定する。上記のオン駆動を除
外するスイッチング素子を順次取換えることにより、全
てのスイッチング素子について短絡障害の有無を判定す
ることができる。
スイッチング素子を除外し、他を全てオン駆動し、その
除外されたスイッチング素子の状態信号がHレベルであ
れば正常、そしてLレベルであれば、スイッチング素子
の短絡あるいは駆動電流供給ラインの切断による短絡障
害が発生しているものと判定する。上記のオン駆動を除
外するスイッチング素子を順次取換えることにより、全
てのスイッチング素子について短絡障害の有無を判定す
ることができる。
第2図は1以上の診断論理を、■ないし■のステップか
らなるフローで示したものである。
らなるフローで示したものである。
以下に1本発明の詳細を実施例にしたがって説明する。
第3図は1本発明の1実施例の構成図であり。
第1図に示されている原理的構成のうち1診断回路20
を具体化した例について内部構成を示しである。したが
って、第1図の全体的構成は共通に用いられ、その参照
番号もそのまま援用される。
を具体化した例について内部構成を示しである。したが
って、第1図の全体的構成は共通に用いられ、その参照
番号もそのまま援用される。
また5本実施例における診断論理は第2図のフローに示
されているものが適用されている。第3図中に新たに示
されている診断回路20内の構成は。
されているものが適用されている。第3図中に新たに示
されている診断回路20内の構成は。
次の通りである。
23はテスト信号発生回路であり、各電磁弁に対する1
連のテスト信号を発生する。
連のテスト信号を発生する。
24はセレクタであり2通常の制御状B(制御モードと
いう)でマイクロプロセッサから供給される駆動信号と
2診断状態(診断モードという)でテスト信号発生回路
23から供給されるテスト信号とを、モード制御信号に
基づいて切換え、制御回路15へ出力する。
いう)でマイクロプロセッサから供給される駆動信号と
2診断状態(診断モードという)でテスト信号発生回路
23から供給されるテスト信号とを、モード制御信号に
基づいて切換え、制御回路15へ出力する。
25は判定回路であり2診断モード時に、スイッチング
素子16..17等に印加されるテスト信号と、その応
答結果を示す状態信号とに基づいて。
素子16..17等に印加されるテスト信号と、その応
答結果を示す状態信号とに基づいて。
電磁弁駆動回路の機能の正常/異常を判定し、異常と判
定した場合には、マイクロプロセッサに割込みを行う。
定した場合には、マイクロプロセッサに割込みを行う。
25ないし33の各回路要素は、正常/異常の判定論理
をハード的に実現する論理素子であり。
をハード的に実現する論理素子であり。
26.27.28はAND回路、29はOR回路。
30.31はランチ、32.33は反転回路を表す。
次に動作を説明する。
テスト信号発生回路23は、制御対象の4つの電磁弁の
各々に1ビツトずつ対応づけた各A、B。
各々に1ビツトずつ対応づけた各A、B。
C,Dで表される4ビツトのテスト信号を発生する。
テスト信号は、第2図の診断論理に基づく次の■ないし
■で示す5つのパターンで構成され、この順で発生され
る。
■で示す5つのパターンで構成され、この順で発生され
る。
パターン A B’CD
■ 1111
■ 01 l 1
■ 1011
■ 1101
■ 1110
なお、各ビットの値“1”はスイッチング素子をオンに
駆動し、“0”はオフにするものとされる。
駆動し、“0”はオフにするものとされる。
したがって、■のパターンでは、4つのスイッチング素
子は全てオンにされ、■ないし■のパターンでは、順次
の1つのスイッチング素子のみがオフで、残りをオンに
駆動される。
子は全てオンにされ、■ないし■のパターンでは、順次
の1つのスイッチング素子のみがオフで、残りをオンに
駆動される。
このようなテスト信号のパターンは、正常/異常の判定
論理と密接に結びついており、この例以外にも種々のパ
ターンが可能である。
論理と密接に結びついており、この例以外にも種々のパ
ターンが可能である。
判定回路25は、テスト信号のパターン■で各スイッチ
ング素子の切断障害の有無を判定し、パターン■ないし
■で短絡障害の有無を判定する。
ング素子の切断障害の有無を判定し、パターン■ないし
■で短絡障害の有無を判定する。
AND回路26は、パターン■の発生を検出し。
AND回路27に伝える。AND回路27は、パターン
■が発生されたときに状態信号がHレベルであると、O
R回路29を介してラッチ30をオンに設定し、切断障
害の発生を割込みによりマイクロプロセッサに通知する
。
■が発生されたときに状態信号がHレベルであると、O
R回路29を介してラッチ30をオンに設定し、切断障
害の発生を割込みによりマイクロプロセッサに通知する
。
パターンので、切断障害の発生が検出されなかったとき
(切断障害)9反転回路32は、ラッチ31をオンに設
定してその事実を記憶する。
(切断障害)9反転回路32は、ラッチ31をオンに設
定してその事実を記憶する。
次にパターン■ないし■が順次発生されたとき。
AND回路28は、状態信号がLレベルのままであるか
どうかを1反転回路33を介して検出する。
どうかを1反転回路33を介して検出する。
もし、状態信号がLレベルのままであれば、短絡障害が
存在しているものと判定し、OR回路29を介してラッ
チ30をオンに設定し、マイクロプロセッサに障害発生
を通知する。
存在しているものと判定し、OR回路29を介してラッ
チ30をオンに設定し、マイクロプロセッサに障害発生
を通知する。
なお1判定回路25の機能は、ソフト的手段により全(
同様に実現できる。
同様に実現できる。
また、状RQ信号は、任意の電磁弁の系統別にあるいは
適当な制御単位別に論理和をとることができ1診断の単
位もそれに応じて任意に変更可能である。
適当な制御単位別に論理和をとることができ1診断の単
位もそれに応じて任意に変更可能である。
尚、上記診断モードは電源投入直後、及び/又は車輌が
停止中であって、他の適当な条件を満足した時に有効化
される。
停止中であって、他の適当な条件を満足した時に有効化
される。
本発明によれば、アンチスキッド装置の電磁弁駆動回路
や駆動電流供給ライン上の障害を、適確に検出して運転
者に警告することができ、また適当なフェイルセーフ機
構を設けて、障害発生時に自動的に危険状態を回避する
動作をとらせることができ、安全性と運転性能とを改善
することができる。
や駆動電流供給ライン上の障害を、適確に検出して運転
者に警告することができ、また適当なフェイルセーフ機
構を設けて、障害発生時に自動的に危険状態を回避する
動作をとらせることができ、安全性と運転性能とを改善
することができる。
第1図は本発明の原理的構成図、第2図は本発明におけ
る診断論理の1例のフロー図、第3図は本発明の1実施
例の構成図、第4図は一般のアンチスキッド装置の概略
構成図、第5図は電磁弁駆動回路の従来例の構成図であ
る。 第1図中。 14:電磁弁駆動回路 15:制御卸回路 16.17:スイ・ノチング素子 18、 l 9 : tiff弁のソレノイドコイル
20:診断回路 特許出願人 冨士通株式会社(外1名)代理人弁理士
長谷用 文廣 (外1名)の m 19−哨5日月1−Rljる番伊こ自−ml塚のフロー
ち 2 刀 1町后174千馬l、1力り了各A省ε」ト仔11オ腎
プ丸55国
る診断論理の1例のフロー図、第3図は本発明の1実施
例の構成図、第4図は一般のアンチスキッド装置の概略
構成図、第5図は電磁弁駆動回路の従来例の構成図であ
る。 第1図中。 14:電磁弁駆動回路 15:制御卸回路 16.17:スイ・ノチング素子 18、 l 9 : tiff弁のソレノイドコイル
20:診断回路 特許出願人 冨士通株式会社(外1名)代理人弁理士
長谷用 文廣 (外1名)の m 19−哨5日月1−Rljる番伊こ自−ml塚のフロー
ち 2 刀 1町后174千馬l、1力り了各A省ε」ト仔11オ腎
プ丸55国
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 自動車等の乗物の各車輪のブレーキ油圧を制御するため
の電磁弁を駆動する電磁弁駆動回路(14)を有するア
ンチスキッド装置において、 前記電磁弁駆動回路(14)は、各電磁弁内のソレノイ
ドコイル(18、19)に対する駆動電流をオン、オフ
するためのスイッチング素子(16、17)と、前記ス
イッチング素子(16、17)をオン、オフするための
制御回路(15)と、電磁弁駆動回路(14)の障害の
有無を調べる診断回路(20)とをそなえ、前記診断回
路(20)は、一連のテスト信号を発生して前記制御回
路(15)に供給し、スイッチング素子(16、17)
を動作させるとともに、その結果の状態を検出し、検出
された状態と供給した一連のテスト信号との間に予め定
められている論理関係が成立するか否かを検出すること
により、障害の有無を判定することを特徴とするアンチ
スキッド装置の電磁弁駆動回路診断方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61013259A JPS62173366A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | アンチスキッド装置の電磁弁駆動回路診断方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61013259A JPS62173366A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | アンチスキッド装置の電磁弁駆動回路診断方式 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62173366A true JPS62173366A (ja) | 1987-07-30 |
JPH0466741B2 JPH0466741B2 (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=11828221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61013259A Granted JPS62173366A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | アンチスキッド装置の電磁弁駆動回路診断方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62173366A (ja) |
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1986
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