JPH0462479A - 半導体装置の電気的検査方法 - Google Patents
半導体装置の電気的検査方法Info
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- JPH0462479A JPH0462479A JP17380490A JP17380490A JPH0462479A JP H0462479 A JPH0462479 A JP H0462479A JP 17380490 A JP17380490 A JP 17380490A JP 17380490 A JP17380490 A JP 17380490A JP H0462479 A JPH0462479 A JP H0462479A
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、半導体装置の検査方法に関し、詳しくは突
起電極を有するかもしくは電極上に導電性粒子が配置さ
れた半導体装置の電気的検査における電極の取り出し方
法に関する。
起電極を有するかもしくは電極上に導電性粒子が配置さ
れた半導体装置の電気的検査における電極の取り出し方
法に関する。
（ロ）従来の技術
従来、半導体装置の電気的検査においては、金属製のプ
ローブを半導体装置の電極に順次圧し当てることによっ
て電極の取り出しを行い、その電極に所定の入力信号を
与えることによって出力される信号を測定し、その半導
体装置の評価を行っていｒ二。
ローブを半導体装置の電極に順次圧し当てることによっ
て電極の取り出しを行い、その電極に所定の入力信号を
与えることによって出力される信号を測定し、その半導
体装置の評価を行っていｒ二。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかしながろ、従来のこのような方法で電極の取り出し
を行った場合、半導体装置の電極にプローブの接触によ
る損傷が発生する。この損傷は、たとえば特開昭６２−
２４８２２９号に記載されているような突起電極を有す
る半導体装置を圧接により池の基板に実装する場合に、
接続部を不安定にする傾向が見られる。また、特開平１
−２２７４４４号に記載されている様な電極上に導電性
粒子が配置された半導体装置に対して、上記の金属製の
プローブを用いて電気的検査を行うと、導電性粒子が損
傷あるいは移動するため、その後の実装時に接続不良が
発生し昌いという問題があった。
を行った場合、半導体装置の電極にプローブの接触によ
る損傷が発生する。この損傷は、たとえば特開昭６２−
２４８２２９号に記載されているような突起電極を有す
る半導体装置を圧接により池の基板に実装する場合に、
接続部を不安定にする傾向が見られる。また、特開平１
−２２７４４４号に記載されている様な電極上に導電性
粒子が配置された半導体装置に対して、上記の金属製の
プローブを用いて電気的検査を行うと、導電性粒子が損
傷あるいは移動するため、その後の実装時に接続不良が
発生し昌いという問題があった。
この発明はこのような事情を考慮してなされたもので、
半導体装置の各電極に対応する検査用電極を備えた基板
を使用して半導体装置の電極を損傷させることなく取り
出すことが可能な半導体装置の電気的検査方法を提供す
るものである。
半導体装置の各電極に対応する検査用電極を備えた基板
を使用して半導体装置の電極を損傷させることなく取り
出すことが可能な半導体装置の電気的検査方法を提供す
るものである。
（ニ）課題を解決するための手段
この発明は、微小突起又は導電性粒子を備えた電極を有
する半導体装置の電気的試験方法において、半導体装置
の各電極に対応する位置に検査用電極を備えた基板を用
いて、まず前記基板の検査用電極に対して半導体装置の
電極を位置合わせし、次に半導体装置と前記基板とを互
いに押圧することにより、半導体装置の電極を検査用電
極とを導通させることを特徴とする半導体装置の電気的
検査方法である。
する半導体装置の電気的試験方法において、半導体装置
の各電極に対応する位置に検査用電極を備えた基板を用
いて、まず前記基板の検査用電極に対して半導体装置の
電極を位置合わせし、次に半導体装置と前記基板とを互
いに押圧することにより、半導体装置の電極を検査用電
極とを導通させることを特徴とする半導体装置の電気的
検査方法である。
（ホ）作用
基板と半導体装置とを互に押圧させると、検査用電極は
半導体装置の全電極に同時に接触する。
半導体装置の全電極に同時に接触する。
従って、先端の鋭利な金属製のプローブを使用しなし１
ので、半導体装置の電極に損傷を与えることがない。さ
らに、半導体装置の電極上に配置され１こ導電性粒子を
損傷させることかなく、また、導電性粒子が移動するこ
とがない。
ので、半導体装置の電極に損傷を与えることがない。さ
らに、半導体装置の電極上に配置され１こ導電性粒子を
損傷させることかなく、また、導電性粒子が移動するこ
とがない。
（へ）実施例
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳述する
。これによって、この発明が限定されるものではない。
。これによって、この発明が限定されるものではない。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成説明図である。
この図にお０て、突起電極２が形成された半導体装置ｌ
は、突起電極２と相対する位置に取り出し電極４が形成
された検査基板３に、位置合わせした状態で厚み方向（
矢印５の方向）に押え付けられる。この時、取り出し電
極４の一端は、半導体装置の突起電極２と接触して電気
的に接続され、取り出し電極４の他端は、半導体装置の
検査装置（図示せず）の出力端子に接続されることによ
り半導体装置２の電気的な検査が行われる。
は、突起電極２と相対する位置に取り出し電極４が形成
された検査基板３に、位置合わせした状態で厚み方向（
矢印５の方向）に押え付けられる。この時、取り出し電
極４の一端は、半導体装置の突起電極２と接触して電気
的に接続され、取り出し電極４の他端は、半導体装置の
検査装置（図示せず）の出力端子に接続されることによ
り半導体装置２の電気的な検査が行われる。
第２図は、この発明の他の実施例を示す構成説明図であ
る。この実施例は、ウェハー状態の半導体装置の検査を
行う場合に好適に実施することができるもので、検査基
板としては台形状断面を有する基板６か使用される。第
３図は基板６の平面図である。第２図を参照して、基板
６は、１チツプの電気的検査を行った後、ウェハーもし
くは基板６を１チツプの距離だけ移動させることにより
次のチップの検査が行えるため、連続的に効率良く検査
することができる。
る。この実施例は、ウェハー状態の半導体装置の検査を
行う場合に好適に実施することができるもので、検査基
板としては台形状断面を有する基板６か使用される。第
３図は基板６の平面図である。第２図を参照して、基板
６は、１チツプの電気的検査を行った後、ウェハーもし
くは基板６を１チツプの距離だけ移動させることにより
次のチップの検査が行えるため、連続的に効率良く検査
することができる。
これらの実施例における取り出し電極４および７は、Ｗ
、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｕ等の金属および
これら金属の合金で、１層もしくは２層以上からなって
いる。また、接触抵抗を下デるために表面をＡｕとする
ことも有効である。
、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｕ等の金属および
これら金属の合金で、１層もしくは２層以上からなって
いる。また、接触抵抗を下デるために表面をＡｕとする
ことも有効である。
検査基板３および６の材質としては、ガラス、セラミッ
ク、ガラス一二ポキン、金属に絶縁材料を被覆したもの
等の硬質基板を使用することができる。この場合には、
硬質基板によって、突起電極の高さのばらつきを矯正す
ることができる。また、基板３および６にゴム等の弾性
を有する基板を使用することもできる。弾性基板を使用
した場合、各取り出し電極は突起電極の高さのばらつき
に対しても追随することかできるので、低荷重で確実な
検査が可能である。
ク、ガラス一二ポキン、金属に絶縁材料を被覆したもの
等の硬質基板を使用することができる。この場合には、
硬質基板によって、突起電極の高さのばらつきを矯正す
ることができる。また、基板３および６にゴム等の弾性
を有する基板を使用することもできる。弾性基板を使用
した場合、各取り出し電極は突起電極の高さのばらつき
に対しても追随することかできるので、低荷重で確実な
検査が可能である。
以上、突起電極を有する半導体装置を検査する場合につ
いて述べたか、電極上に導電性粒子が配置された半導体
装置の検査についても、同様に検査することができるこ
とは言うまでもない。
いて述べたか、電極上に導電性粒子が配置された半導体
装置の検査についても、同様に検査することができるこ
とは言うまでもない。
（ト）発明の効果
この発明によれば、半導体装置の電極に損傷を与えるこ
とを防止することができるため、電気的検査後に半導体
装置を他の基板に実装する場合に、安定な接続状態を得
ることができる。また、検査基板を用いて半導体基板の
電極を厚み方向に押え付けるため、たとえば、特開昭６
２−２４８２２９号に開示されている方法で、半導体装
置を他の基板に接続する場合に、初期の電極の高さのば
らつきを矯正することができ、接続における安定性を向
上することができる。
とを防止することができるため、電気的検査後に半導体
装置を他の基板に実装する場合に、安定な接続状態を得
ることができる。また、検査基板を用いて半導体基板の
電極を厚み方向に押え付けるため、たとえば、特開昭６
２−２４８２２９号に開示されている方法で、半導体装
置を他の基板に接続する場合に、初期の電極の高さのば
らつきを矯正することができ、接続における安定性を向
上することができる。
第１図はこの発明の一実施例を説明する１こめの構成説
明図、第２図はこの発明の他の実施例を示す第１図対応
図、第３図は第２図の要部を示す平面図である。 １・・・・・・半導体装置、 ２・・・ 突起電極、 ・・検査基板、 ４・・・・・・取り出し電極。 第 図 う 聞 １＋５ソア
明図、第２図はこの発明の他の実施例を示す第１図対応
図、第３図は第２図の要部を示す平面図である。 １・・・・・・半導体装置、 ２・・・ 突起電極、 ・・検査基板、 ４・・・・・・取り出し電極。 第 図 う 聞 １＋５ソア
Claims (1)
- １、微小突起又は導電性粒子を備えた電極を有する半導
体装置の電気的試験方法において、半導体装置の各電極
に対応する位置に検査用電極を備えた基板を用いて、ま
ず前記基板の検査用電極に対して半導体装置の電極を位
置合わせし、次に半導体装置と前記基板とを互いに押圧
することにより、半導体装置の電極を検査用電極とを導
通させることを特徴とする半導体装置の電気的検査方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173804A JPH0820465B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 半導体装置の電気的検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173804A JPH0820465B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 半導体装置の電気的検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0462479A true JPH0462479A (ja) | 1992-02-27 |
| JPH0820465B2 JPH0820465B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=15967472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2173804A Expired - Fee Related JPH0820465B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 半導体装置の電気的検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0820465B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4917685A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-02-16 | ||
| JPS599934A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Nippon Denshi Zairyo Kk | プロ−ブカ−ドの製造方法 |
| JPS6447958A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Seiko Epson Corp | Contact probe |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP2173804A patent/JPH0820465B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4917685A (ja) * | 1972-06-05 | 1974-02-16 | ||
| JPS599934A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Nippon Denshi Zairyo Kk | プロ−ブカ−ドの製造方法 |
| JPS6447958A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-22 | Seiko Epson Corp | Contact probe |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0820465B2 (ja) | 1996-03-04 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |