JPH0458531A

JPH0458531A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0458531A
Application number: JP17113090A
Authority: JP
Inventors: Ichiro Moriyama; 森山　一郎
Original assignee: Kawasaki Steel Corp
Current assignee: JFE Steel Corp
Priority date: 1990-06-28
Filing date: 1990-06-28
Publication date: 1992-02-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、２層
のパッシベーション膜を有する半導体装置の信顛性向上
を図ったものである。

〔従来の技術］パッシベーション膜は、半導体装置の表面を保護するた
めの膜であって、通常、リンを添加したリンガラス（Ｐ
　Ｓ　Ｇ　：　Ｐｈｏｓｐｈｏ　５ｉｌｉｃａｔｅ　Ｇ
ｌａｓｓ）等が利用されているが、ＰＳＧ膜だけでは空
気中の湿気が吸収されて半導体装置の劣化が避けられな
いので、ＰＳＧ膜の表面を、さらに耐湿性の膜（例えば
、シリコン窒化膜）で覆い、２層のパッシベーション膜
とすることが行われている。

しかし、パッシベーション膜を形成した後に半導体素子
と外部とのコンタクトをとるためのパッドホールを開口
すると、そのバンドホールの内側面にＰＳＧ膜の端面が
露出してしまい、そこから湿気が吸収されて半導体素子
が劣化し、半導体装置の信頼性が低下するという不具合
がある。

このような不具合を解決する従来の方法として、第２図
（ａ）乃至（ｅ）に示すような方法がある。

即ち、眉間絶縁膜２が積層された半導体基板１上に、図
示しない半導体素子と導通し且つアルミニウムからなる
バンド金属膜３を形成し、さらに、それら層間絶縁膜２
及びパッド金属膜３が形成された半導体基板１表面を安
定化させるＰＳＧ膜４を形成する（第２図（ａ）参照）
。

次いで、レジストパターン５をマスクとして、パッド金
属膜３上のＰＳＧ膜４をエツチングにより除去し、バン
ドホール６を開口する（第２図０））参照）。

そして、レジストパターン５を除去するとともに、半導
体基板ｌの表面全体を覆うようにシリコン窒化膜７を形
成する（第２図（Ｃ）参照）。

さらに、レジストパターン８をマスクに、パッド金属膜
３上のシリコン窒化膜７をエツチングにより除去してパ
ッドホール６よりも小径のホールを開口しく第２図（ｄ
）参照）、そして、レジストパターン８を除去する（第
２図（ｅ）参照）。

すると、バンドホール６の内側面にもシリコン窒化膜７
が形成されるから、バンドホール６の内側にＰＳＧ膜４
の端面ば露出せず、その部分から湿気が吸収されること
は防止される。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記従来の解決方法では、ＰＳＧ膜４と
、シリコン窒化膜７とを、別々の工程で開口するため、
２度の露光・現像及び２度のエツチング工程が必要とな
り、工程数が多く、実用的な解決策とはいえなかった。

この発明は、このような従来の技術が有する未解決の課
題に着目しでなされたものであり、工程の大幅な増加を
招くことなく、半導体装置の信顛性を向上することがで
きる半導体装置の製造方法を提供することを目的として
いる。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造
方法は、半導体基板上にパッド金属膜を形成する工程と
、前記半導体基板の表面を安定化させる第１のバ・ンシ
ベーション膜を形成する工程と、前記第１のパッシベー
ション膜を覆うように耐湿性の第２のパッシベーション
膜を形成する工程と、レジストパターンをマスクとして
前記第１及び第２のパッシベーション膜をエツチングし
て前記パッド金属膜の表面を露出させる工程と、前記レ
ジストパターンを除去する前の前記半導体基板の表面を
金属膜で覆う工程と、前記レジストパターンを除去する
工程と、を備えた。

（作用）本発明にあっては、第１及び第２のパッシベーション膜
を形成した後に、レジストパターンヲマスクとしてそれ
ら第１及び第２のパッシベーション膜をエツチングして
パッド金属膜の表面を露出させるから、１度の処理でパ
ッドホールが開口される。

そして、レジストパターンを除去する前の半導体基板の
表面を金属膜で覆うと、上記開口されたパッドホールの
内側面にも金属膜が形成されるが、レジストパターンに
対してはステンブカパレッジが悪いので、レジストパタ
ーンの端面には金属膜はほとんど付着しない。

さらに、レジストパターンを除去すると、レジストパタ
ーン上の金属膜も除去されるが、パッド金属膜の表面と
、第１及び第２のパッシベーション膜の端面とには金属
膜は残存するから、第１のパッシベーション膜の端面ば
、金属膜に覆われて外部に露出しない。

〔実施例〕

以下、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図（ａ）乃至（ｅ）は、本発明の一実施例を示す図
である。なお、第２図（ａ）乃至（ｅ）に示した部材と
同等の部材には、同じ符号を付している。

即ち、層間絶縁膜２が積層された半導体基板１上に、図
示しない半導体素子や配線等に導通し且つアルミニウム
からなるバンド金属膜３（１μｍ程度）をスパッタによ
り形成した後、半導体基板１の表面を安定化させる第１
のパッシベーション膜としてのＰＳＧ膜４（０，６μｍ
程度）をＣＶＤ法により形成し、耐湿性の第２のパッシ
ベーション膜としてのシリコン窒化Ｍ、１（０，４μｍ
　程度）をプラズマＣＶＤ法により形成する（第１図（
ａ）参照）。

次いで、シリコン窒化膜７の表面をレジスト膜５ａ（１
，５μｍ）で覆い（第１図（ｂ）参照）、そして、所定
のパターンに露光してレジストパターン５を形成した後
にエンチングを行い、バッド金属膜３上のＰＳＣ膜４及
びシリコン窒化膜７を除去してバッドホール６を開口し
、バンド金属膜３の表面を露出させる（第１図（Ｃ）参
照）。

さらに、レジストパターン５を除去する前の半導体基板
１の表面を、スパッタにより形成されるアルミニウムか
らなる金属膜９（０，２μｍ程度）で覆う（第１図（ｄ
）参照）。

この場合、金属膜９はステップカバレンジが悪いため、
バッドホール６の内側面に表れたレジストパターン５の
端面には、金属Ｍ９はほとんど付着しない。

そして、レジストパターン５を除去する（リフトオフを
行う）と、レジストパターン５とともに、そのレジスト
パターン５０表面に付着していた金属膜９も除去される
が、パッド金属膜３上に付着していた金属膜９と、バッ
ドホール６の内側面に表れていたＰＳＧ膜４及びシリコ
ン窒化膜７の端面に付着していた金属膜９とは残存する
から、吸水性が問題となっていたＰＳＧ膜４の端面ば、
外部に露出することがない（第１図（ｅ）参照）。

従って、ＰＳＧ膜４が空気中の湿気を吸収し難くなるの
で、吸水による半導体装置の機能の劣化は防止され、信
頼性の向上が図られる。

しかも、本実施例の製造方法であれば、ＰＳＧ膜４及び
シリコン窒化膜７を１度の処理で開口できるし、レジス
トパターン５を除去する前に金属膜９を形成するだけで
目的が達成されるから、工程が非常に簡易であり、従っ
て、コストの大幅な増大を招くこともない。

また、パッド金属膜３上に付着するのは金属膜９である
から、金属膜９をさらに開口する必要はなく、ボンディ
ングは、その金属膜９に対して行えばよい。

なお、上記実施例では、第１のパッシベーション膜とし
てＰＳＧ膜４を、第２のパッシベーション膜としてシリ
コン窒化膜７を用いた場合について説明したが、これに
限定されるものではなく、その他の素材、例えば、ＰＳ
ＧＭ４に代えて、ＰＳＧにホウ素をドープしたＢ　Ｐ　
Ｓ　Ｇ　（Ｂｏｒｏ　ＰＳＧ）を用いてもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、バッドホール内
に表れる第１のパッシベーション膜を金属膜で覆うこと
ができるから、吸水による半導体装置の劣化が防止され
、信顛性が向上するし、工程も簡易であるから、コスト
の大幅な増大を招くこともないという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の一実施例の製造工程
を示す断面図、第２図（ａ）乃至（ｅ）は従来の製造工
程を示す断面図である。１・・・半導体基板、３・・・バッド金属膜、４・・・
ＰＳＧＩＩＷ（１１のパッシベーション膜）、５・・・
レジストパターン、７・−・シリコン窒化膜（第２のパ
ッシベーション膜）、９・・・金属膜

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体基板上にパッド金属膜を形成する工程と、
前記半導体基板の表面を安定化させる第１のパッシベー
ション膜を形成する工程と、前記第１のパッシベーショ
ン膜を覆うように耐湿性の第２のパッシベーション膜を
形成する工程と、レジストパターンをマスクとして前記
第１及び第２のパッシベーション膜をエッチングして前
記パッド金属膜の表面を露出させる工程と、前記レジス
トパターンを除去する前の前記半導体基板の表面を金属
膜で覆う工程と、前記レジストパターンを除去する工程
と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。