JPH0457973B2 - - Google Patents

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JPH0457973B2
JPH0457973B2 JP58057322A JP5732283A JPH0457973B2 JP H0457973 B2 JPH0457973 B2 JP H0457973B2 JP 58057322 A JP58057322 A JP 58057322A JP 5732283 A JP5732283 A JP 5732283A JP H0457973 B2 JPH0457973 B2 JP H0457973B2
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JP
Japan
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crystal
rays
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incident
ray
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Application number
JP58057322A
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English (en)
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JPS59182349A (ja
Inventor
Hidenobu Ishida
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
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Publication date
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Publication of JPS59182349A publication Critical patent/JPS59182349A/ja
Publication of JPH0457973B2 publication Critical patent/JPH0457973B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/207Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は結晶成長法により得られた結晶の完全
性を検査するためのミスオリエンテーシヨン検出
方法に関する。
結晶の完全性の検査には格子定数のばらつきと
ミスオリエンテーシヨンの場所的な分布を調べれ
ばよい。このうち格子常数の変化を調べるX線光
学系は知られているが、ミスオリエンテーシヨン
の場所的分布を直接検知するX線光学系は現在の
所提案されておらず間接的なデータからデータ処
理によつて求められており、従つて面倒であり且
つ精度も余り良くなかつた。本発明は結晶のミス
オリエンテーシヨンの場所的な分布を直接2次元
的に検出できるX線分光装置を提供しようとする
もので、本発明によれば簡単に高精度でミスオリ
エンテーシヨンの分布を検知することができる。
以下実施例によつて本発明を説明する。
図面は本発明の一実施例を示す。この図によつ
てまず、本発明の原理を説明する。1は第1結
晶、2は第3結晶でこれらは同材質の結晶であ
り、例えば高純度のSi或はGeの単結晶が用いら
れ、夫々の結晶内に書いた平行線はX線の回折反
射が行われる格子面を示し、両結晶とも同じ格子
面を用いていて、その格子定数をdとする。3は
試料の第2結晶で、その回折格子面の法線nに対
して第1、第3両結晶の格子面は対称的であるよ
うに3者が配置されている。この配置の特徴は第
1、第3の結晶の格子面が大体向き合う関係で、
第1、試料、第3の各結晶で反射されるX線が反
射の度に同じ側に向きを変える、つまり図の場合
時計回わりに向きを変えて、X線の光路が全体と
してU字形類似の折線を形成するような配置にな
つていることである。ただし結晶1−3間の距離
と結晶3−2間距離は同じである必要はない。4
はX線源で、このX線源から出た単波長X線の線
束が第1結晶1に入射してブラツグ反射を行つて
試料の第2結晶3に入射し、第2結晶で再びブラ
ツグ反射して第3結晶2に入射し、更にブラツグ
反射して写真フイルム5に入射する。今入射X線
は完全に単色でその波長をλ、試料結晶は全体に
一様な格子定数をもち、その格子定数をd′とす
る。第1、第3の両結晶は同じ材質で格子定数は
dであるから、図示の反射角θは両者共等しく、 2dsinθ=λ ……(1) で決まる。上述したように第1、第2、第3の3
結晶で夫々ブラツグ反射が行われるためには、上
述したように試料の第2結晶の格子面の法線nに
対して第1、第3両結晶の格子面が対称的であ
る。いいかえれば第1、第3の両結晶格子面の対
称軸をmとすれば mn ……(2) が第2の必要条件であり、更に試料の第2結晶に
関してブラツグの条件 2d′sin=λ ……(3) が成立つことが第3の必要条件である。これらの
条件は一般的にX線源4の位置、第1、第3両結
晶の方向及び試料結晶2の格子面の法線n方向の
位置を調節することにより成立させることができ
る。こゝで試料結晶2に格子面の向きが他と異つ
ている部分があると、その部分では格子面の法線
方向がnと異つているので上述第2の条件が成立
せず、X線写真フイルム5上でその部分に対応す
る領域にはX線が入射しない。従つてX線写真フ
イルムは、試料格子面方向がnのみの試料部分か
らのX線を感光する。さらに第1または第3結晶
を回転あるいは試料結晶を回転させることによ
り、第1、第3結晶の格子面に関して対称な方向
mをnよりn′に変更すれば、格子面法線方向が
n′の試料部分のみからの反射X線を黒化として写
真上に検出できる。このように方向nを遂次変更
し、その反射X線をフイルム上に記録することに
より、ミスオリエンテーシヨンの分布を得ること
ができる。
ところで入射X線は完全に単色と仮定してきた
が、その仮定をやめ入射X線は準単色で、その波
長範囲は(λ−Δλ/2、λ+Δλ/2)にあるとする
この波長範囲でλとは異なる波長λ′の入射X線成
分について考える。3結晶配置は、λの入射X線
成分について上記3つ必要条件が満たされている
と仮定する。波長λ′の入射X線について入射X線
が写真乾板に達するために上記3条件が満たされ
なければならないが、そのうち第2の条件は入射
X線の波長とは無関係の条件であるので、仮定よ
り条件が、自動的に満たされている。第1の必要
条件は、(1)の代わりに 2dsinθ′=λ′ ……(4) と改めなければならない。ここでθ′は波長λ′に対
する回折角である。X線源4より出る入射X線は
一般に角度拡がりをもつて、第1結晶1に入射す
るので、この条件は第1結晶に関して満たされ
る。また仮定より試料結晶の格子面の法線nに関
して対称だから、第1結晶より反射されたX線が
試料結晶でふたたび反射されるならば、その反射
X線の第3結晶に対する入射角はθ′であるから当
然(4)は第3結晶についても満たされる。さらに第
2の必要条件すなわち、試料結晶でX線が反射さ
れる条件は、試料結晶に対するX線の入射角が
+θ−θ′であることから(3)の代わりに 2d′sin(+θ−θ′)=λ′ ……(5) が満足されなければならない。しかし(1)、(3)の満
足されている結晶配置のもとではこの条件は満た
されない。なぜならλ′>λの場合で、(1)、(4)より
θ′>θが成立し、故に +θ−θ′< が導かれてしたがつて 2d′sin(+θ−θ′)<2d′sin=λ が成立する。もし(5)が成立するとすればこの不等
式は λ′=2d′sin(+θ−θ′)<λ に等しくなり、矛盾が生じる。λ′<λの場合につ
いても同様の論法で矛盾が生ずる。以上の理由か
ら、ある波長λについて必要3条件が満たされて
いるならば、他の波長についてはこれら条件が満
たされず、λ以外の波長のX線は写真乾板まで到
達しない。したがつて、準単色光を用いても、完
全単色光と同じ、ミスオリエンテーシヨンの検出
効果を得ることができる。
いままでは試料の格子定数は場所によらずd′で
あるとしてきたがこれは一般的ではない。試料が
異なる格子定数d″の結晶部分がある場合を考えよ
う。3結晶の配置は、格子定数がd′である試料部
分の格子面の法線方向がnの部分で波長λの入射
X線が回折し、写真フイルムに入射するような配
置になつているとする。したがつて必要3条件
(1)、(2)、(3)が格子定数がd′の部分の格子面法線方
向がnの部分について成立しているとする。この
時異なる格子定数d″の結晶部分についても法線方
向がnの部分のみからの回折X線しか写真乾板上
に届く可能性がない。なぜなら第2の必要条件は
X線の波長に無関係に、nmを満足させる格子
面でないと、写真乾板にX線がとどかないからで
ある。他の第1、第3の条件はλとは異なる波長
λ″で第1結晶の格子面に対する入射角がθ″である
X線により、次式の 2dsinθ″=λ″ 2d″sin(−θ+θ″)=λ″ 形で満足され、したがつて波長λ″のX線が、格
子定数d″の結晶部分の格子面がnの法線をもつ部
分を回折してX線フイルム上に届く。この際
λ″以外のX線は写真フイルム上に届かないこと
は、すでに行なつた議論から明らかである。この
ようにして、準単色光の入射X線がX′の波長成
分を含むようにすれば格子定数が異なつていても
一特定方向の格子面をもつ試料部分を検知するこ
とができる。さてこれらの議論はすべて1水平面
内での話であつた。垂直方向の発散角のおさえら
れたX線を用いるならは前述の原理は3次元に拡
張でき、試料表面のミスオリエンテーシヨンの2
次元分布が容易に得られる。垂直方向の発散角を
おさえられたX線を得るには、X線源が上下に長
いものを用い、ソーラスリツトで垂直発散をおさ
えればよい。
試料結晶2に入射させるのは準単色X線束であ
る。単色の度合は、試料結晶のd値のバラツキの
度合によつてきめればよく、Ge、Siのように人
工的に結晶成長させて作らせる結晶の完全性がほ
とんどの場合についてよい場合は適宜の元素の特
性X線をそのまま用い、その自然巾をもちいれば
よい。通常のX線の焦点サイズは試料サイズに比
べて幅が狭いので、第1図において第1結晶の表
面を斜めにカツトしてそのカツト面にすれすれに
近い角度でX線を入射させて広い巾のX線を得て
いる。更に図の装置について詳述する。第1結晶
1及び第3結晶2は夫々回転台6,7上にセツト
される。X線源4は上下に細長い線源で回転台6
の中心を中心とする腕8上に取り付けられてお
り、X線源からの準単色X線が第1結晶1に入射
したとき、準単色光が反射するように第1結晶の
入射角度位置が回転台6により調整されている。
結晶1と線源4の間にはソーラスリコツト12が
おかれ、X線の垂直発散成分がおさえられ、図示
しない手段により周期的に上下動が行なわれて時
間に平均すると上下に一様な強度のX線を得てい
る。回転台7の中心と共心的な腕9上にX線写真
フイルム5のカセツテがセツトされる。試料結晶
3は第1結晶からの入射X線ビーム内にあるよう
に、回転台6が位置づけられ、回転台6の回転に
より、回折が生じる角度位置に位置ずけられてい
る。試料より回折されたX線内に第3結晶を位置
させ、回転台7を回軸させ、第2結晶からの入射
X線の回折が起り始めるあたりに、第3結晶の角
度の位置をセツトする。この位置で、第1結晶と
第3結晶の格子面の角度的な対称方向mに平行な
法線方向nを持つ試料のミスオリエンテーシヨン
部分に入射する。ある特定波長の入射X線のみが
始めにのべた3条件を満足し、フイルムを感光さ
せる。こゝで試料から第3結晶に向けて反射され
るX線も、第3結晶からフイルムに向けて反射さ
れるX線も夫々平行であるから、試料上の一点と
フイルム面の一点とは一本のX線の光線で結ば
れ、試料面上の一点とフイルム面の一点とが一対
一に対応し、試料面で一定の結晶方位を持つた領
域がフイルム面上で同じ形の感光領域を形成する
ことによつて、試料面上の同じミスオリエンテー
シヨン領域の形と分布を画像として認識できるこ
とになる。回転台6または7を微小に回転させる
と、先述のミスオリエンテーシヨンの方向nはも
はやmに平行でなくなり、前述の3条件が満たさ
れなくなつてもはやそのミスオリエンテーシヨン
からのX線は第3結晶によつて反射されず、フイ
ルムにはとどかない。その代りmnの成立する
別の試料部分のミスオリエンテーシヨンからの回
折X線がフイルム上に届き感光させる。更に回転
台7上に第3結晶を微小角回転させてその回転角
を読取るsinバー機構が設けてあり、試料結晶の
一部と他の部分の格子面の方向の違い角を読取る
ことができるようになつている。この機構は回転
台6の方に設けてもよい。このように第2又は第
3結晶を遂次ステツプワイズに角度送りをし、重
ね写しすれば、フイルム上で、そのミスオリエン
テーシヨンの分布をみることができる。またX線
写真フイルムを用いる代りに他の2次元的X線検
出器を用いてもよいことは云うまでもない。
本発明装置は上述したような構成でミスオリエ
ンテーシヨンの分布が直接検出できるので誤差が
少く、操作も簡単である。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例装置の平面図である。 1……第1結晶、2……第3結晶、3……試料
(第2結晶)、4……X線源、5……X線写真フイ
ルム、6,7……回転台、12……ソーラスリツ
ト。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 試料結晶の格子面の法線に関して対称的にか
    つ互いに向き合う関係で第1及び第3の同材質よ
    りなる分光結晶を上記各結晶で反射されるX線が
    反射の度に同じ側に方向を変えて行くように配置
    し、第1結晶によりブラツグの条件を満たして回
    折された単色に近いX線を上記試料結晶に入射さ
    せ、試料結晶で同X線を再びブラツグの条件で回
    折させて第3結晶に入射させ、第3結晶で更にブ
    ラツグの条件で回折されたX線を2次元的な検出
    器で検出するようにし、試料を回転させて上記第
    3結晶でブラツグ反射されたX線が検出される領
    域を試料面上で同一結晶方位を持つた部分として
    検出することを特徴とする結晶のミスオリエンテ
    ーシヨン検出方法。
JP58057322A 1983-03-31 1983-03-31 結晶のミスオリエンテ−シヨン検出方法 Granted JPS59182349A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58057322A JPS59182349A (ja) 1983-03-31 1983-03-31 結晶のミスオリエンテ−シヨン検出方法

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JP58057322A JPS59182349A (ja) 1983-03-31 1983-03-31 結晶のミスオリエンテ−シヨン検出方法

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JPS59182349A JPS59182349A (ja) 1984-10-17
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JP58057322A Granted JPS59182349A (ja) 1983-03-31 1983-03-31 結晶のミスオリエンテ−シヨン検出方法

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5223981A (en) * 1975-08-18 1977-02-23 Kobe Steel Ltd Measuring method of specific azimuthal crystal grains by x-rays
JPS5474488A (en) * 1977-10-28 1979-06-14 Eberhard Born Method and device for making structural topogram of surface layer of polycrystalline piece

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5223981A (en) * 1975-08-18 1977-02-23 Kobe Steel Ltd Measuring method of specific azimuthal crystal grains by x-rays
JPS5474488A (en) * 1977-10-28 1979-06-14 Eberhard Born Method and device for making structural topogram of surface layer of polycrystalline piece

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JPS59182349A (ja) 1984-10-17

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