JPH10300694A - Ｘ線撮像装置 - Google Patents
Ｘ線撮像装置Info
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- JPH10300694A JPH10300694A JP9105660A JP10566097A JPH10300694A JP H10300694 A JPH10300694 A JP H10300694A JP 9105660 A JP9105660 A JP 9105660A JP 10566097 A JP10566097 A JP 10566097A JP H10300694 A JPH10300694 A JP H10300694A
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- ray
- crystal
- mirrors
- rays
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-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2207/00—Particular details of imaging devices or methods using ionizing electromagnetic radiation such as X-rays or gamma rays
- G21K2207/005—Methods and devices obtaining contrast from non-absorbing interaction of the radiation with matter, e.g. phase contrast
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 位相コントラストＸ線撮像装置の空間分解能
を向上する 【解決手段】 Ｘ線を第１ビームと第２ビームに分離す
る第１ハーフミラー１と、上記第１ビームを反射する第
１ミラー２と、上記第２ビームを反射する第２ミラー４
と、上記第１ビームと被写体を介して得られる上記第２
ビームを結合する第２ハーフミラー５から構成されるＸ
線干渉計において、上記第１及び第２ハーフミラー１、
５に格子面と上記Ｘ線が入射する側の面のなす角が、上
記格子面に対する上記Ｘ線のブラッグ角以上である結晶
を用い、かつ上記第１及び第２ミラー２、４に格子面と
結晶表面が傾斜した結晶を用いる 【効果】 Ｘ線干渉計において試料を透過したＸ線ビー
ムを拡大することができる。このため、位相コントラス
トＸ線撮像装置の空間分解能を向上することができる。
を向上する 【解決手段】 Ｘ線を第１ビームと第２ビームに分離す
る第１ハーフミラー１と、上記第１ビームを反射する第
１ミラー２と、上記第２ビームを反射する第２ミラー４
と、上記第１ビームと被写体を介して得られる上記第２
ビームを結合する第２ハーフミラー５から構成されるＸ
線干渉計において、上記第１及び第２ハーフミラー１、
５に格子面と上記Ｘ線が入射する側の面のなす角が、上
記格子面に対する上記Ｘ線のブラッグ角以上である結晶
を用い、かつ上記第１及び第２ミラー２、４に格子面と
結晶表面が傾斜した結晶を用いる 【効果】 Ｘ線干渉計において試料を透過したＸ線ビー
ムを拡大することができる。このため、位相コントラス
トＸ線撮像装置の空間分解能を向上することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は物体の内部を非破壊
に検査する装置に関する。
に検査する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸素や炭素等の軽元素を多く含んだ試料
を非破壊に内部観察を行う技術としては、特開平４−３
４８２６２号公報に記載されたものや、特開平８−２５
４５１０号公報に記載されたものなどがある。上記の例
では、結晶を光学素子とするマッハツェンダー型干渉計
を用いて、Ｘ線が試料内を透過する際に生じる位相の変
化をもとにして試料内部の観測を行っている。上記干渉
計では、入射ビームは第１ハーフミラーでビーム１とビ
ーム２に分離される。そして、第１ビームは第１ミラー
で、第２ビームは第２ミラーで反射され、第２ハーフミ
ラーにおいて再び重なり合い干渉する。干渉計が理想的
に構成されており、ビーム１とビーム２の間に光路差が
存在しない場合、干渉計から出射される干渉光の空間的
な強度分布は一様となる。
を非破壊に内部観察を行う技術としては、特開平４−３
４８２６２号公報に記載されたものや、特開平８−２５
４５１０号公報に記載されたものなどがある。上記の例
では、結晶を光学素子とするマッハツェンダー型干渉計
を用いて、Ｘ線が試料内を透過する際に生じる位相の変
化をもとにして試料内部の観測を行っている。上記干渉
計では、入射ビームは第１ハーフミラーでビーム１とビ
ーム２に分離される。そして、第１ビームは第１ミラー
で、第２ビームは第２ミラーで反射され、第２ハーフミ
ラーにおいて再び重なり合い干渉する。干渉計が理想的
に構成されており、ビーム１とビーム２の間に光路差が
存在しない場合、干渉計から出射される干渉光の空間的
な強度分布は一様となる。
【０００３】上記干渉計のビーム１或いはビーム２の一
方のビームパスに試料を入れると、試料を透過したＸ線
の位相は、試料内の屈折率の違いに応じてシフトする。
この結果、第２ハーフミラーから出射される干渉光の強
度は、試料内の空間的な屈折率の違いに依存することに
なる。したがって、干渉光の空間的な強度分布を測定す
ることにより、試料内の屈折率の分布を検出することが
できる。
方のビームパスに試料を入れると、試料を透過したＸ線
の位相は、試料内の屈折率の違いに応じてシフトする。
この結果、第２ハーフミラーから出射される干渉光の強
度は、試料内の空間的な屈折率の違いに依存することに
なる。したがって、干渉光の空間的な強度分布を測定す
ることにより、試料内の屈折率の分布を検出することが
できる。
【０００４】酸素や炭素等の軽元素を透過したＸ線の位
相変化は、吸収による振幅の変化よりも千倍程度大きい
ことが知られている。このため、上記の方法を用いるこ
とにより、高感度に試料内部の観測を行うことができ
る。また、Ｘ線領域では屈折率が極めて小さいので、可
視光で使用する平面ミラー等の通常の光学素子を用いる
ことができない。このため、干渉計の各光学素子にはSi
等の単結晶を用い、結晶によるＸ線の回折及び透過現象
を利用している。
相変化は、吸収による振幅の変化よりも千倍程度大きい
ことが知られている。このため、上記の方法を用いるこ
とにより、高感度に試料内部の観測を行うことができ
る。また、Ｘ線領域では屈折率が極めて小さいので、可
視光で使用する平面ミラー等の通常の光学素子を用いる
ことができない。このため、干渉計の各光学素子にはSi
等の単結晶を用い、結晶によるＸ線の回折及び透過現象
を利用している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】特開平４−３４８２６
２号公報に記載されたものや、特開平８−２５４５１０
号公報に記載されたようなＸ線撮像装置或いは非破壊検
査装置において、Ｘ線干渉計に位相コントラスト像を拡
大する機能があると、Ｘ線検出器の空間分解能を向上す
ることなく、測定の空間分解能を向上することができ
る。しかし、上記の例ではＸ線干渉計に位相コントラス
ト像を拡大する機能はない。このため、上記Ｘ線撮像装
置の空間分解能は使用するＸ線検出器の空間分解能によ
って決定される。一方、入射Ｘ線ビームを拡大するＸ線
干渉計の例としては、結晶のブラッグケースの回折・透
過を用いて、ビーム分離及び再結合を用いたＸ線干渉計
（U.Bonse,et al.,Z. Phys.,194,1-17(1966)）がある。
しかし、この構成では、試料を置くスペースが十分にと
れないなどの問題があった。本発明の目的は、位相コン
トラスト像を拡大する機能を有したＸ線干渉計を提供す
ることで、Ｘ線撮像装置の空間分解能を向上することに
ある。
２号公報に記載されたものや、特開平８−２５４５１０
号公報に記載されたようなＸ線撮像装置或いは非破壊検
査装置において、Ｘ線干渉計に位相コントラスト像を拡
大する機能があると、Ｘ線検出器の空間分解能を向上す
ることなく、測定の空間分解能を向上することができ
る。しかし、上記の例ではＸ線干渉計に位相コントラス
ト像を拡大する機能はない。このため、上記Ｘ線撮像装
置の空間分解能は使用するＸ線検出器の空間分解能によ
って決定される。一方、入射Ｘ線ビームを拡大するＸ線
干渉計の例としては、結晶のブラッグケースの回折・透
過を用いて、ビーム分離及び再結合を用いたＸ線干渉計
（U.Bonse,et al.,Z. Phys.,194,1-17(1966)）がある。
しかし、この構成では、試料を置くスペースが十分にと
れないなどの問題があった。本発明の目的は、位相コン
トラスト像を拡大する機能を有したＸ線干渉計を提供す
ることで、Ｘ線撮像装置の空間分解能を向上することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、Ｘ線を発生
するＸ線源と、上記Ｘ線を第１ビームと第２ビームに分
離する第１ハーフミラーと、上記第１ビームを反射する
第１ミラーと、上記第２ビームを反射する第２ミラー
と、上記第１ビームと被写体を介して得られる上記第２
ビームを結合する第２ハーフミラーと、上記第２ミラー
で結合されたビームを検出するＸ線検出器Ｘ線撮像装置
において、上記Ｘ線干渉計の第１ミラー及び第２ミラー
に非対称反射する結晶を用いる。
するＸ線源と、上記Ｘ線を第１ビームと第２ビームに分
離する第１ハーフミラーと、上記第１ビームを反射する
第１ミラーと、上記第２ビームを反射する第２ミラー
と、上記第１ビームと被写体を介して得られる上記第２
ビームを結合する第２ハーフミラーと、上記第２ミラー
で結合されたビームを検出するＸ線検出器Ｘ線撮像装置
において、上記Ｘ線干渉計の第１ミラー及び第２ミラー
に非対称反射する結晶を用いる。
【０００７】ブラッグケースにおける非対称反射では、
格子面と結晶表面の角度の取り方により、入射Ｘ線のビ
ーム幅を拡大或いは縮小することができる。図１に示す
ように、格子面と結晶表面のなす角をα、入射光の入射
面内での幅をｌとする。このとき、反射光の幅ｌ’は、
格子面と結晶表面の角度の取り方により、入射Ｘ線のビ
ーム幅を拡大或いは縮小することができる。図１に示す
ように、格子面と結晶表面のなす角をα、入射光の入射
面内での幅をｌとする。このとき、反射光の幅ｌ’は、
【０００８】
【数１】
【０００９】となる。ここで、ｂは非対称因子と呼ばれ
【００１０】
【数２】
【００１１】で与えられる。また、θBはブラッグ角で
ある。以上から、ｂ＜0となるような結晶の非対称反射
を用いれば、反射によりビームを水平面方向に拡大する
ことができる。したがって、マッハツェンダー型干渉計
の第１及び第２ミラーにα＜０の結晶を用い、試料を第
１或いは第２ミラーより光源側に置くことにより、試料
を透過したＸ線が形成する像を拡大することができる。
よって、Ｘ線撮像装置の空間分解能が向上する。非対称
反射を行う結晶の拡大率は格子面と結晶表面のなす角α
に依存する。αは０からブラッグ角θBの間で任意に選
ぶことができる。結晶をSi(440)とし、Ｘ線の波長を0.0
2nmとしたとき、αと拡大率の関係を図２に示す。
ある。以上から、ｂ＜0となるような結晶の非対称反射
を用いれば、反射によりビームを水平面方向に拡大する
ことができる。したがって、マッハツェンダー型干渉計
の第１及び第２ミラーにα＜０の結晶を用い、試料を第
１或いは第２ミラーより光源側に置くことにより、試料
を透過したＸ線が形成する像を拡大することができる。
よって、Ｘ線撮像装置の空間分解能が向上する。非対称
反射を行う結晶の拡大率は格子面と結晶表面のなす角α
に依存する。αは０からブラッグ角θBの間で任意に選
ぶことができる。結晶をSi(440)とし、Ｘ線の波長を0.0
2nmとしたとき、αと拡大率の関係を図２に示す。
【００１２】また、本発明では各光学素子である結晶の
位置を高精度に制御するために位置制御機構及び位置検
出器を各結晶に設ける。なぜならば、干渉計を用いた位
相コントラスト像の測定では、光学素子である結晶の位
置的な変動は光路長を変化させ、その結果として干渉コ
ントラストを低下させるからである。光学素子の位置制
御方法には、例えばステージ上に光学素子を搭載し、圧
電素子の伸縮を利用する方法などが利用できる。また、
位置検出器としては、静電容量センサーやレーザー干渉
計等の利用が可能である。
位置を高精度に制御するために位置制御機構及び位置検
出器を各結晶に設ける。なぜならば、干渉計を用いた位
相コントラスト像の測定では、光学素子である結晶の位
置的な変動は光路長を変化させ、その結果として干渉コ
ントラストを低下させるからである。光学素子の位置制
御方法には、例えばステージ上に光学素子を搭載し、圧
電素子の伸縮を利用する方法などが利用できる。また、
位置検出器としては、静電容量センサーやレーザー干渉
計等の利用が可能である。
【００１３】さらに、本発明では各結晶の格子面を同一
の方向で用いてもよい。なぜならば、すべての光学素子
を同じ結晶母材料から作製できるため加工が容易とな
り、かつ安価に干渉計を作製することができるからであ
る。
の方向で用いてもよい。なぜならば、すべての光学素子
を同じ結晶母材料から作製できるため加工が容易とな
り、かつ安価に干渉計を作製することができるからであ
る。
【００１４】さらに、本発明では各結晶に同一の格子面
を同一の方向で用いる場合、Ｘ線干渉計を１個のインゴ
ットから切り出した１個のユニットで形成してもよい。
このような一体型のＸ線干渉計では、ユニット全体のみ
を位置制御すればよいので、結晶を分離させた干渉計に
比べ位置制御は容易になる。しかし、干渉計の大きさは
母材であるインゴットの大きさによって制限されてしま
うので、位相コントラスト像の視野を大きくすることは
難しい。
を同一の方向で用いる場合、Ｘ線干渉計を１個のインゴ
ットから切り出した１個のユニットで形成してもよい。
このような一体型のＸ線干渉計では、ユニット全体のみ
を位置制御すればよいので、結晶を分離させた干渉計に
比べ位置制御は容易になる。しかし、干渉計の大きさは
母材であるインゴットの大きさによって制限されてしま
うので、位相コントラスト像の視野を大きくすることは
難しい。
【００１５】さらに、本発明では各結晶に同一の格子面
を同一の方向で用いる場合、図３に示すように干渉計
を、第１ハーフミラー１と第１ミラー２を１個のインゴ
ットから切り出した１個のユニット３で、第２ハーフミ
ラー４と第２ミラー５を１個のインゴットから切り出し
た１個のユニット６の２個の結晶ユニットで構成しても
よい。このように結晶を分離した場合、各ユニットは水
平面内の回転のみを高精度に位置制御を行えばよい。ま
た、Ｘ線干渉計を製作するのに必要な母材であるインゴ
ットの大きさも、同一サイズの一体型干渉計に比べれば
小さくていよい。したがって、Ｘ線干渉計を大型化し、
大きな視野を確保することが容易となる。
を同一の方向で用いる場合、図３に示すように干渉計
を、第１ハーフミラー１と第１ミラー２を１個のインゴ
ットから切り出した１個のユニット３で、第２ハーフミ
ラー４と第２ミラー５を１個のインゴットから切り出し
た１個のユニット６の２個の結晶ユニットで構成しても
よい。このように結晶を分離した場合、各ユニットは水
平面内の回転のみを高精度に位置制御を行えばよい。ま
た、Ｘ線干渉計を製作するのに必要な母材であるインゴ
ットの大きさも、同一サイズの一体型干渉計に比べれば
小さくていよい。したがって、Ｘ線干渉計を大型化し、
大きな視野を確保することが容易となる。
【００１６】さらに、本発明では、第１及び第２ミラー
に第１及び第２ビームの入射角を調整する機構を設けて
もよい。ブラッグのケースとラウエのケースでは屈折率
の違いのためブラッグ角が多少異なる。このため、第１
ハーフミラーをブラッグ角に合わせると、第１及び第２
ミラーへの入射角は全反射の領域からはずれてしまい、
反射率が低下して測定時間の延長を招く。したがって、
上記調整機構により入射角を補正することで、測定時間
の延長を抑えることができる。入射角の補正方法として
は、図４に示すようにそれぞれのユニット３、６を連結
して加工しておき、圧電素子７の伸縮を利用する方法な
どが利用できる。
に第１及び第２ビームの入射角を調整する機構を設けて
もよい。ブラッグのケースとラウエのケースでは屈折率
の違いのためブラッグ角が多少異なる。このため、第１
ハーフミラーをブラッグ角に合わせると、第１及び第２
ミラーへの入射角は全反射の領域からはずれてしまい、
反射率が低下して測定時間の延長を招く。したがって、
上記調整機構により入射角を補正することで、測定時間
の延長を抑えることができる。入射角の補正方法として
は、図４に示すようにそれぞれのユニット３、６を連結
して加工しておき、圧電素子７の伸縮を利用する方法な
どが利用できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例を図を用いて
説明する。
説明する。
【００１８】〔実施例１〕本発明の実施例１を図５に示
す。装置はＸ線源８、分光器９、Ｘ線干渉計、Ｘ線検出
器１８、画像処理部１９、試料及び試料ホルダー２０、
２１から構成される。Ｘ線干渉計は第１ハーフミラー
１、第１ミラー２、第２ミラー４、第２ハーフミラー
５、各ハーフミラー及びミラー位置調整機構１０、１
１、１２、１３、各ハーフミラー及びミラー位置検出器
１４、１５、１６、１７から構成され、除振台２２上に
試料及び試料ホルダーとともに設置されている。
す。装置はＸ線源８、分光器９、Ｘ線干渉計、Ｘ線検出
器１８、画像処理部１９、試料及び試料ホルダー２０、
２１から構成される。Ｘ線干渉計は第１ハーフミラー
１、第１ミラー２、第２ミラー４、第２ハーフミラー
５、各ハーフミラー及びミラー位置調整機構１０、１
１、１２、１３、各ハーフミラー及びミラー位置検出器
１４、１５、１６、１７から構成され、除振台２２上に
試料及び試料ホルダーとともに設置されている。
【００１９】Ｘ線源８から放出されたＸ線は分光器９で
単色化され、第１ハーフミラー１に入射する。入射Ｘ線
は第１ハーフミラー１で第１ビームと第２ビームに分離
される。第１ビームは第１ミラー２により、第２ビーム
は第２ミラー４により非対称反射される。第１ビームと
試料２０を介して得られた第２ビームは第２ハーフミラ
ー５で結合し干渉像を生じる。干渉像はＸ線検出器１８
で検出し、処理部１９において画像処理を行い試料の位
相コントラスト像を得る。
単色化され、第１ハーフミラー１に入射する。入射Ｘ線
は第１ハーフミラー１で第１ビームと第２ビームに分離
される。第１ビームは第１ミラー２により、第２ビーム
は第２ミラー４により非対称反射される。第１ビームと
試料２０を介して得られた第２ビームは第２ハーフミラ
ー５で結合し干渉像を生じる。干渉像はＸ線検出器１８
で検出し、処理部１９において画像処理を行い試料の位
相コントラスト像を得る。
【００２０】各ハーフミラー及びミラーの位置制御は、
各ハーフミラー及びミラー位置調整機構１０、１１、１
２、１３を用いて行う。また、位置の変動は各ハーフミ
ラー及びミラー位置検出器１４、１５、１６、１７で検
出する。
各ハーフミラー及びミラー位置調整機構１０、１１、１
２、１３を用いて行う。また、位置の変動は各ハーフミ
ラー及びミラー位置検出器１４、１５、１６、１７で検
出する。
【００２１】本実施例によれば、試料２０を介したＸ線
は第２ミラー４で非対称反射され水平面内で拡大され
る。したがって、位相コントラスト像の空間分解能を向
上することができる。
は第２ミラー４で非対称反射され水平面内で拡大され
る。したがって、位相コントラスト像の空間分解能を向
上することができる。
【００２２】〔実施例２〕図６に各ハーフミラー及びミ
ラー１、２、４、５を格子面が同じ方向の結晶とする実
施例を示した。同一の格子面の回折を利用することによ
り、各光学素子を同じ母材の単結晶材料から作製するこ
とができる。したがって、本実施例によればＸ線干渉計
の作製が容易になり、かつ製作のコストを抑えることが
できる。
ラー１、２、４、５を格子面が同じ方向の結晶とする実
施例を示した。同一の格子面の回折を利用することによ
り、各光学素子を同じ母材の単結晶材料から作製するこ
とができる。したがって、本実施例によればＸ線干渉計
の作製が容易になり、かつ製作のコストを抑えることが
できる。
【００２３】〔実施例３〕実施例１及び２では、Ｘ線干
渉計の各光学素子である結晶がそれぞれ分離独立してい
た。このため、各光学素子をそれぞれ別個に位置調整す
る必要があった。図７に示した実施例３では、干渉計を
構成する光学素子を１個のインゴットから切り出した１
個のユニット２３で形成する。干渉計をこのように構成
することで、各ハーフミラー及びミラー位置調整機構１
０、１１、１２、１３は不要になり、位置調整機構はユ
ニット２３の位置調整機構２４だけでよい。また、位置
変動の検出もユニット２３についてのみ行えばよいの
で、１個の位置検出器２５でよい。
渉計の各光学素子である結晶がそれぞれ分離独立してい
た。このため、各光学素子をそれぞれ別個に位置調整す
る必要があった。図７に示した実施例３では、干渉計を
構成する光学素子を１個のインゴットから切り出した１
個のユニット２３で形成する。干渉計をこのように構成
することで、各ハーフミラー及びミラー位置調整機構１
０、１１、１２、１３は不要になり、位置調整機構はユ
ニット２３の位置調整機構２４だけでよい。また、位置
変動の検出もユニット２３についてのみ行えばよいの
で、１個の位置検出器２５でよい。
【００２４】本実施例によれば、Ｘ線干渉計を１個の結
晶ユニットから構成することにより、位置調整機構及び
位置検出器の数を減らすことができ、干渉計の制御が容
易となる。また、実施例１及び２に比べて各光学素子間
の位置変動を抑えることができるので、コントラストの
高い位相コントラスト像を測定することができる。
晶ユニットから構成することにより、位置調整機構及び
位置検出器の数を減らすことができ、干渉計の制御が容
易となる。また、実施例１及び２に比べて各光学素子間
の位置変動を抑えることができるので、コントラストの
高い位相コントラスト像を測定することができる。
【００２５】〔実施例４〕実施例３の方法では、干渉計
を１個のインゴットより作製しているため、位相コント
ラスト像の視野は母材となるインゴットの大きさでほぼ
決定される。このため、視野を大きくすることは困難で
ある。図８に示す実施例４では、干渉計を２個の分離し
た結晶ユニット３及び６から構成する。Ｘ線干渉計を構
成する結晶をこのように分離することで、視野を大きく
することが容易となる。また、結晶ユニットを本実施例
に示すように分離することにより、位置制御は水平面内
の回転についてのみ高精度に行えばよい。各結晶ユニッ
ト３、６の位置制御は位置調整機構２６、２７で行う。
また、位置の検出は位置検出器２８、２９で行う。
を１個のインゴットより作製しているため、位相コント
ラスト像の視野は母材となるインゴットの大きさでほぼ
決定される。このため、視野を大きくすることは困難で
ある。図８に示す実施例４では、干渉計を２個の分離し
た結晶ユニット３及び６から構成する。Ｘ線干渉計を構
成する結晶をこのように分離することで、視野を大きく
することが容易となる。また、結晶ユニットを本実施例
に示すように分離することにより、位置制御は水平面内
の回転についてのみ高精度に行えばよい。各結晶ユニッ
ト３、６の位置制御は位置調整機構２６、２７で行う。
また、位置の検出は位置検出器２８、２９で行う。
【００２６】本実施例によれば、Ｘ線干渉計を分離した
結晶のユニットから構成することにより、位置調整機構
の数を減らことができる。また、位相コントラスト像の
視野を容易に拡大することができる。
結晶のユニットから構成することにより、位置調整機構
の数を減らことができる。また、位相コントラスト像の
視野を容易に拡大することができる。
【００２７】〔実施例５〕実施例３及び４では、各ミラ
ー２、４へのＸ線の入射角を補正することができなかっ
た。ブラッグケースとラウエケースでは、ブラッグ角は
多少異なる。このため、第１ハーフミラー１へのＸ線の
入射角をブラッグ角に調整した場合、各ミラー２、４へ
のＸ線の入射角はブラッグ角をはずれるため反射率が低
下してしまう。そこで、各ハーフミラー１、５に各ミラ
ー２、３に対して回転する角度調整機構３０、３１を付
加する。また、角度変化の検出はミラー角度検出器３
２、３３で行う。
ー２、４へのＸ線の入射角を補正することができなかっ
た。ブラッグケースとラウエケースでは、ブラッグ角は
多少異なる。このため、第１ハーフミラー１へのＸ線の
入射角をブラッグ角に調整した場合、各ミラー２、４へ
のＸ線の入射角はブラッグ角をはずれるため反射率が低
下してしまう。そこで、各ハーフミラー１、５に各ミラ
ー２、３に対して回転する角度調整機構３０、３１を付
加する。また、角度変化の検出はミラー角度検出器３
２、３３で行う。
【００２８】本実施例によれば、各ハーフミラー１、５
の角度を調整し、各結晶へのＸ線の入射角をブラッグ角
に調整すことができるので、ミラー２、４において高い
反射率が得られ、位相コントラスト像の測定時間を短縮
することができる。
の角度を調整し、各結晶へのＸ線の入射角をブラッグ角
に調整すことができるので、ミラー２、４において高い
反射率が得られ、位相コントラスト像の測定時間を短縮
することができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、Ｘ線干渉計において試
料を透過したＸ線を拡大することができる。このため、
位相コントラストＸ線撮像装置の空間分解能を向上する
ことができる。
料を透過したＸ線を拡大することができる。このため、
位相コントラストＸ線撮像装置の空間分解能を向上する
ことができる。
【図１】結晶による非対称反射を説明する図である。
【図２】格子面と結晶表面のなす角αと像の拡大率の関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図３】分離型干渉計の構成図である。
【図４】第１及び第２ハーフミラーの回転方正方法の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図５】本発明の一実施例を示す図である。
【図６】各結晶に同一の格子面を利用する本発明の一実
施例を示す図である。
施例を示す図である。
【図７】１個のインゴットより干渉計を構成する本発明
の一実施例を示す図である。
の一実施例を示す図である。
【図８】分離した結晶で干渉計を構成する本発明の一実
施例を示す図である。
施例を示す図である。
【図９】Ｘ線の入射角を補正する手段を備えた本発明の
一実施例を示す図である。
一実施例を示す図である。
1：第１ハーフミラー 2：第１ミラー 3：第１結晶ユ
ニット 4：第２ミラー 5：第２ハーフミラー 6：第２結晶ユニット ７：圧電
素子 8：Ｘ線源 9：分光器 10：第１ハーフミラー位
置調整機構 11：第１ミラー位置調整機構 12：第２ミ
ラー位置調整機構 13：第２ハーフミラー位置調整機構
14：第１ハーフミラー位置検出器 15：第１ミラー位
置検出器 16：第２ミラー位置検出器 17：第２ハーフ
ミラー位置検出器 18：Ｘ線検出器 19：処理部 20：
試料 21：試料ホルダー 22：除振台 23：結晶ユニッ
ト 24：結晶ユニット位置調整機構 25：結晶ユニット位置検出器 26：第１結晶ユニット位
置調整機構 27：第２結晶ユニット位置調整機構 28：
第１結晶ユニット位置検出器 29：第２結晶ユニット位
置検出器 30：第１ハーフミラー角度調整機構 31：第
２ハーフミラー角度調整機構 32：第１ハーフミラー角
度検出器 33：第２ハーフミラー角度検出器。
ニット 4：第２ミラー 5：第２ハーフミラー 6：第２結晶ユニット ７：圧電
素子 8：Ｘ線源 9：分光器 10：第１ハーフミラー位
置調整機構 11：第１ミラー位置調整機構 12：第２ミ
ラー位置調整機構 13：第２ハーフミラー位置調整機構
14：第１ハーフミラー位置検出器 15：第１ミラー位
置検出器 16：第２ミラー位置検出器 17：第２ハーフ
ミラー位置検出器 18：Ｘ線検出器 19：処理部 20：
試料 21：試料ホルダー 22：除振台 23：結晶ユニッ
ト 24：結晶ユニット位置調整機構 25：結晶ユニット位置検出器 26：第１結晶ユニット位
置調整機構 27：第２結晶ユニット位置調整機構 28：
第１結晶ユニット位置検出器 29：第２結晶ユニット位
置検出器 30：第１ハーフミラー角度調整機構 31：第
２ハーフミラー角度調整機構 32：第１ハーフミラー角
度検出器 33：第２ハーフミラー角度検出器。
Claims (5)
- 【請求項１】Ｘ線を発生するＸ線源と、上記Ｘ線を第１
ビームと第２ビームに分離する第１ハーフミラーと、上
記第１ビームを反射する第１ミラーと、上記第２ビーム
を反射する第２ミラーと、上記第１ビームと被写体を介
して得られる上記第２ビームを結合する第２ハーフミラ
ーと、上記第１及び第２ハーフミラー並びに上記第１及
び第２ミラーの位置関係を調整するミラー調整機構と、
上記第２ミラーで結合されたビームを検出するＸ線検出
器からなるＸ線撮像装置において、上記第１及び第２ハ
ーフミラーに格子面と上記Ｘ線が入射する側の面のなす
角が、上記格子面に対する上記Ｘ線のブラッグ角以上で
ある結晶を用い、かつ上記第１及び第２ミラーに格子面
と結晶表面が傾斜した結晶を用いることを特徴とするＸ
線撮像装置。 - 【請求項２】上記第１及び第２ハーフミラー並びに上記
第１及び第２ミラーの格子面の方向が同一であることを
特徴とする請求項１記載のＸ線撮像装置。 - 【請求項３】上記第１及び第２ハーフミラー並びに上記
第１及び第２ミラーは１個のインゴットから切り出した
１個のユニットからなることを特徴とする請求項２記載
のＸ線撮像装置。 - 【請求項４】上記第１ハーフミラー及び第１ミラーは第
１インゴットから切り出したユニットからなり、上記第
２ハーフミラー及び第２ミラーは第２インゴットから切
り出したユニットからなることを特徴とする請求項２記
載のＸ線撮像装置。 - 【請求項５】上記Ｘ線の上記第１及び第２ミラーへの入
射角を調整する機構を付加したことを特徴とする請求項
４記載のＸ線撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9105660A JPH10300694A (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | Ｘ線撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9105660A JPH10300694A (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | Ｘ線撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10300694A true JPH10300694A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14413603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9105660A Pending JPH10300694A (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | Ｘ線撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10300694A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009008449A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Hitachi Ltd | Ｘ線撮像装置及びｘ線撮像方法 |
| JP2010169628A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Fujitsu Ltd | Ｘ線回折方法およびｘ線回折装置 |
| JP2019174245A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 国立大学法人 東京大学 | Ｘ線撮影方法およびｘ線撮影装置 |
-
1997
- 1997-04-23 JP JP9105660A patent/JPH10300694A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009008449A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Hitachi Ltd | Ｘ線撮像装置及びｘ線撮像方法 |
| JP2010169628A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Fujitsu Ltd | Ｘ線回折方法およびｘ線回折装置 |
| JP2019174245A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | 国立大学法人 東京大学 | Ｘ線撮影方法およびｘ線撮影装置 |
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