JPS59182349A - 結晶のミスオリエンテ−シヨン検出方法 - Google Patents
結晶のミスオリエンテ−シヨン検出方法Info
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- JPS59182349A JPS59182349A JP58057322A JP5732283A JPS59182349A JP S59182349 A JPS59182349 A JP S59182349A JP 58057322 A JP58057322 A JP 58057322A JP 5732283 A JP5732283 A JP 5732283A JP S59182349 A JPS59182349 A JP S59182349A
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- JP
- Japan
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- crystal
- sample
- rays
- ray
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
- G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は結晶成長法によシ得られた結晶の完全性を検査
するだめのミスオリエンテーション検出方法に関する。
するだめのミスオリエンテーション検出方法に関する。
結晶の完全性の検査には格子定数のばらつきとミスオリ
エンテーションの場所的な分布を調べればよい。このう
ち格子常数の変化を調べるＸ線光学系は知られているが
、ミスオリ１ンテーシヨンの場所的分布を直接検知する
Ｘ線光学系は現在の新提案されておらず間接的なデータ
からデータ処理によって求めており、従って面倒であり
且つ精度も余り良くなかった。本発明は結晶のミスオリ
エンテーションの場所的な分布を直接２次元的に検出で
きるＸ線分光装置を提供しようとするもので、本発明に
よれば簡単に高精度でミスオリエンテーションの分布を
検知することができる。以下実施例によって本発明を説
明する。
エンテーションの場所的な分布を調べればよい。このう
ち格子常数の変化を調べるＸ線光学系は知られているが
、ミスオリ１ンテーシヨンの場所的分布を直接検知する
Ｘ線光学系は現在の新提案されておらず間接的なデータ
からデータ処理によって求めており、従って面倒であり
且つ精度も余り良くなかった。本発明は結晶のミスオリ
エンテーションの場所的な分布を直接２次元的に検出で
きるＸ線分光装置を提供しようとするもので、本発明に
よれば簡単に高精度でミスオリエンテーションの分布を
検知することができる。以下実施例によって本発明を説
明する。
図面は本発明の一実施例を示す。この図によってまず、
本発明の詳細な説明する。ｌけ第１結晶、２は第３結晶
でこれらは同材質の結晶であり、例えば高純度の８１或
はＧｅの単結晶が用いられ、夫々の結晶内Ｋ ｚｌいた
平行線はＸ線の回折反射が行われる格子面を示し、両結
晶とも同じ格子面を用いていて、その格子定数をｄとす
る。３は試料の第２結晶で、その回折格子面の法線ｎに
対して第１．第３両結晶の格子面は対称的であるように
３者が配置されている。ただし結晶１−３間の距線源で
、このＸ線源から出だ単波長Ｘ線の線束が第１結晶ｌに
入射してブラッグ反射を行って試料の第２結晶３に入射
し、第２結晶で再びブラッグ反射して第３結晶２に入射
し、更にブラッグ反射して写真フィルム５に入射する。
本発明の詳細な説明する。ｌけ第１結晶、２は第３結晶
でこれらは同材質の結晶であり、例えば高純度の８１或
はＧｅの単結晶が用いられ、夫々の結晶内Ｋ ｚｌいた
平行線はＸ線の回折反射が行われる格子面を示し、両結
晶とも同じ格子面を用いていて、その格子定数をｄとす
る。３は試料の第２結晶で、その回折格子面の法線ｎに
対して第１．第３両結晶の格子面は対称的であるように
３者が配置されている。ただし結晶１−３間の距線源で
、このＸ線源から出だ単波長Ｘ線の線束が第１結晶ｌに
入射してブラッグ反射を行って試料の第２結晶３に入射
し、第２結晶で再びブラッグ反射して第３結晶２に入射
し、更にブラッグ反射して写真フィルム５に入射する。
今入射Ｘ線は完全に単色でその波長をλ、試料結晶は全
体に一様な格子定数をもち、その格子定数をｄｌとする
。第１、第３の両結晶は同じ材質で格子定数はｄである
から、図示の反射角θは両者共等しく、２ａｓｉｎθ−
λ・・・・・・・・・（１）で決まる。上述したように
第１．第２．第３の３結晶で夫々ブラッグ反射が行われ
るためには、上述したように試料の第２結晶の格子面の
法線ｎに対して第１．第３両結晶の格子面が対称的であ
もいいかえれば第１．第３の両結晶格子面の対称軸をｍ
とすれば ｍｚｎ・・・・・・・・・・・・・・・（２）が第２の
必要条件であシ、更に試料の第２結晶に関してブラッグ
の条件 ２ｄ’ｓｉｎψ＝λ・・・・・・・・・・・・・・・（
３）が成立つことが第３の必要条件である。これらの条
件は一般的にＸ線源４の位置、第１．第３両結晶の方向
及び試料結晶２の格子面の法線ｎ方向の位置を調節する
ことにより成立させることができる。こ５で試料結晶２
に格子面の向きが他と異っている部分があると、その部
分てば格子面の法線方向がｎと異っているので上述第２
の条件が成立せず、Ｘ線写真フィルム５上でその部分に
対応する領域にはＸ線が入射しない。従ってＸ線写真フ
ィルムは、試料格子面方向がｎのみの試料部分からのＸ
線を感光する。さらに第１または第３結晶を回転あるい
は試料結晶を回転させることＫより、第１．第３結晶の
格子面に関して対称な方向ｍをｎよりｎＭＣ変更すれば
、格子面法線方向がｎｌの試料部分のみからの反射Ｘ線
を黒化として写真上に検出できる。このように方向ｎを
遂次変更踵その反射Ｘ線をフィルム上に記録することに
よシ、ミスオリエンテーションの分布を得ることができ
る。
体に一様な格子定数をもち、その格子定数をｄｌとする
。第１、第３の両結晶は同じ材質で格子定数はｄである
から、図示の反射角θは両者共等しく、２ａｓｉｎθ−
λ・・・・・・・・・（１）で決まる。上述したように
第１．第２．第３の３結晶で夫々ブラッグ反射が行われ
るためには、上述したように試料の第２結晶の格子面の
法線ｎに対して第１．第３両結晶の格子面が対称的であ
もいいかえれば第１．第３の両結晶格子面の対称軸をｍ
とすれば ｍｚｎ・・・・・・・・・・・・・・・（２）が第２の
必要条件であシ、更に試料の第２結晶に関してブラッグ
の条件 ２ｄ’ｓｉｎψ＝λ・・・・・・・・・・・・・・・（
３）が成立つことが第３の必要条件である。これらの条
件は一般的にＸ線源４の位置、第１．第３両結晶の方向
及び試料結晶２の格子面の法線ｎ方向の位置を調節する
ことにより成立させることができる。こ５で試料結晶２
に格子面の向きが他と異っている部分があると、その部
分てば格子面の法線方向がｎと異っているので上述第２
の条件が成立せず、Ｘ線写真フィルム５上でその部分に
対応する領域にはＸ線が入射しない。従ってＸ線写真フ
ィルムは、試料格子面方向がｎのみの試料部分からのＸ
線を感光する。さらに第１または第３結晶を回転あるい
は試料結晶を回転させることＫより、第１．第３結晶の
格子面に関して対称な方向ｍをｎよりｎＭＣ変更すれば
、格子面法線方向がｎｌの試料部分のみからの反射Ｘ線
を黒化として写真上に検出できる。このように方向ｎを
遂次変更踵その反射Ｘ線をフィルム上に記録することに
よシ、ミスオリエンテーションの分布を得ることができ
る。
ところで入射Ｘ線は完全に単色と仮定してきたが、その
仮定をやめ入射Ｘ線は準単色で、その波−６Δλ 長範囲は（λ 、λ＋２ ）にあるとする。この波
長範囲でλとは異なる波長λ１の入射Ｘ線成分について
考える。３結晶配置は、λの入射Ｘ線成分について上記
３つ必要条件が満たされていると仮定する。波長λ“の
入射Ｘ線について入射Ｘ線が写真乾板に達するだめに上
記３条件が満たされなければならないが、そのうち第２
の条件は入射Ｘ線の波長とは無関係の条件であるので、
仮定より条件が、自動的に満たされている。第１の必要
条件は、（１）の代わシに ２ ａ ｓｉｎθ１−λ１・・・・・・・・・・・・・
・・・・・（４）と改められなければならない。ここで
０１は波長λするので、この条件は第１結晶に関して満
たされる。
仮定をやめ入射Ｘ線は準単色で、その波−６Δλ 長範囲は（λ 、λ＋２ ）にあるとする。この波
長範囲でλとは異なる波長λ１の入射Ｘ線成分について
考える。３結晶配置は、λの入射Ｘ線成分について上記
３つ必要条件が満たされていると仮定する。波長λ“の
入射Ｘ線について入射Ｘ線が写真乾板に達するだめに上
記３条件が満たされなければならないが、そのうち第２
の条件は入射Ｘ線の波長とは無関係の条件であるので、
仮定より条件が、自動的に満たされている。第１の必要
条件は、（１）の代わシに ２ ａ ｓｉｎθ１−λ１・・・・・・・・・・・・・
・・・・・（４）と改められなければならない。ここで
０１は波長λするので、この条件は第１結晶に関して満
たされる。
丑だ仮定より試料結晶の格子面の法線ｎに関して対称だ
から、第１結晶より反射されたＸ線が試料結晶でふたた
び反射されるならば、その反射Ｘ線の第３結晶に対する
入射角はθ１であるから当然、（４）は第３結晶につい
ても満たされる。さらに第２の必要条件すなわち、試料
結晶でＸ線が反射される条件は、試料結晶に対するＸ線
の入射角がψ十〇−θ１であることから（３）の代わシ
に２ｄ’ ｓｉｎ （９）十〇−θ１）−λ１・・・・
・・・・・（５）が満足されなければならない。しかし
く１）、 （３）の満足されている結晶配置のもとでは
この条件は満たされ゛ない。なぜならλ１〉λの場合で
、（１）、 （４）よシθ１〉θが成立し、故に ψ十θ−θ１〈ψ が導かれてしたがって ２ｄ’ ｓｉｎ （ψ十θ−θ’ ） ＜ ２ｄ’ ｓ
ｉｎ ｃｐ ＝λが成立する。もしく５）が成立すると
すればこの不等式は λ’ ＝ ２ｃｌ’ ｓｉｎ （ｃｐ十θ−θす〈λに
等しくなり、矛盾が生じる。λ′〈λの場合についても
同様の論法で矛盾が生ずる。以上の理由から、ある波長
λについて必要３条件が渦だされているならば、他の波
長についてはこれら条件が満たされず、λ以外の波長の
Ｘ線は写真乾板まで到達しない。したがって、準単色光
を用いても、完全単色光と同じ、ミスオリエンテーショ
ンの恢出効果を得ることができる。
から、第１結晶より反射されたＸ線が試料結晶でふたた
び反射されるならば、その反射Ｘ線の第３結晶に対する
入射角はθ１であるから当然、（４）は第３結晶につい
ても満たされる。さらに第２の必要条件すなわち、試料
結晶でＸ線が反射される条件は、試料結晶に対するＸ線
の入射角がψ十〇−θ１であることから（３）の代わシ
に２ｄ’ ｓｉｎ （９）十〇−θ１）−λ１・・・・
・・・・・（５）が満足されなければならない。しかし
く１）、 （３）の満足されている結晶配置のもとでは
この条件は満たされ゛ない。なぜならλ１〉λの場合で
、（１）、 （４）よシθ１〉θが成立し、故に ψ十θ−θ１〈ψ が導かれてしたがって ２ｄ’ ｓｉｎ （ψ十θ−θ’ ） ＜ ２ｄ’ ｓ
ｉｎ ｃｐ ＝λが成立する。もしく５）が成立すると
すればこの不等式は λ’ ＝ ２ｃｌ’ ｓｉｎ （ｃｐ十θ−θす〈λに
等しくなり、矛盾が生じる。λ′〈λの場合についても
同様の論法で矛盾が生ずる。以上の理由から、ある波長
λについて必要３条件が渦だされているならば、他の波
長についてはこれら条件が満たされず、λ以外の波長の
Ｘ線は写真乾板まで到達しない。したがって、準単色光
を用いても、完全単色光と同じ、ミスオリエンテーショ
ンの恢出効果を得ることができる。
いままでは試料の格子定数は場所によらずｄｌであると
してきたがこれは一般的ではない。試料が異なる格子定
数ｄｌの結晶部分がある場合を考えよう。３結晶の配置
は、格子定数がｄｌである試料部分の格子面の法線方向
がｎの部分で波長λの入射Ｘ線が回折し、写真フィルム
に入射するような配置になっているとする。したがって
必要３条件（１）、 （２）、 （３）が格子定数がｄ
ｌの部分の格子面法線方向がｎの部分について成立して
いるとする。この特異なる格子定数がの結晶部分につい
ても法線方向がｎの部分のみからの回折Ｘ線しか写真乾
板上に届く可能性がない。なぜなら第２の必要条件はＸ
の第１２第３の条件はλとは異なる波長λ５“で第１結
晶の格子面に対する入射角がθｌｌであるＸ線により、
次式の ２ ｄｓｉｎ θＩＩ −λ１１ ２ ｄ” ５ｉｎ（ψ−θ＋θ１リ エλ１１形で満足
され、したがって波長λ１１のＸ線が、格子定数ｄｌｌ
の結晶部分の格子面がｎの法線をもつ部分を回折してＸ
線フィルム上に届く。この際λ°゛以外のＸ線は写真フ
ィルム上に届かないことは、すてに行なった議論から明
らかである。このよってして、準単色光の入射Ｘ線がＸ
ｌの波長成分を含むようにすれば格子定数が異なってい
ても一特定方向の格子面をもつ試料部分を検知すること
ができる。
してきたがこれは一般的ではない。試料が異なる格子定
数ｄｌの結晶部分がある場合を考えよう。３結晶の配置
は、格子定数がｄｌである試料部分の格子面の法線方向
がｎの部分で波長λの入射Ｘ線が回折し、写真フィルム
に入射するような配置になっているとする。したがって
必要３条件（１）、 （２）、 （３）が格子定数がｄ
ｌの部分の格子面法線方向がｎの部分について成立して
いるとする。この特異なる格子定数がの結晶部分につい
ても法線方向がｎの部分のみからの回折Ｘ線しか写真乾
板上に届く可能性がない。なぜなら第２の必要条件はＸ
の第１２第３の条件はλとは異なる波長λ５“で第１結
晶の格子面に対する入射角がθｌｌであるＸ線により、
次式の ２ ｄｓｉｎ θＩＩ −λ１１ ２ ｄ” ５ｉｎ（ψ−θ＋θ１リ エλ１１形で満足
され、したがって波長λ１１のＸ線が、格子定数ｄｌｌ
の結晶部分の格子面がｎの法線をもつ部分を回折してＸ
線フィルム上に届く。この際λ°゛以外のＸ線は写真フ
ィルム上に届かないことは、すてに行なった議論から明
らかである。このよってして、準単色光の入射Ｘ線がＸ
ｌの波長成分を含むようにすれば格子定数が異なってい
ても一特定方向の格子面をもつ試料部分を検知すること
ができる。
さてこれらの議論はすべて１水平面内での話であった。
垂直方向の発散角のおさえられたＸ線を用いるならば前
述の原理は３次元に拡張でき、試料表面のミスオリエン
テーションの２次元分布が容易に得られる。垂直方向の
発散角をおさえられたＸ線を得るには、Ｘ線源が上下に
長いものを用い、ソーラスリットで垂直発散をおさえれ
ばよい。
述の原理は３次元に拡張でき、試料表面のミスオリエン
テーションの２次元分布が容易に得られる。垂直方向の
発散角をおさえられたＸ線を得るには、Ｘ線源が上下に
長いものを用い、ソーラスリットで垂直発散をおさえれ
ばよい。
試料結晶２に入射させるのは準単色Ｘ線′束↑ある。単
色の度合は、試料結晶のｄ値のバラツキの度合によって
きめればよ（、Ｇｅ、Ｓｉのように人工的に結晶成長さ
せて作られる結晶の完全性がほとんどの場合についてよ
い場合は適宜の元素の特性Ｘ線をそのまま用い、その自
然中をもちいればよい。通常のＸ線の焦点サイズは試料
サイズに比べて大きいので、第１図において第１結晶の
表面を斜めにカットしそのカット面にすれすれに近い角
度でＸ線を入射させて広い巾のＸ線を得ている。更にｌ
１図の装置について詳述する。第１結晶１及び第３結晶
２は夫々回転台６，７上にセットされる。Ｘ線源４は上
下に細長い線源で回転台６の中心を中心とする腕８上に
取付けられており、Ｘ線源からの準単色Ｘ線が第１結晶
１に入射したとき、準単色光が反射するように第１結晶
の入射角度位置が回転台６により調整されている。結晶
１と線源４の間にはソーラスリット１２がおかれ、Ｘ線
の垂直発散成分がおさえられ、図示しない手段により周
期的に上下動が行なわれて時間に平均すると上下に一様
な強度のＸ線を得ている。回転台７の中心と共心的な腕
９上にＸ線写真フィルム５０カセツテがセットされる。
色の度合は、試料結晶のｄ値のバラツキの度合によって
きめればよ（、Ｇｅ、Ｓｉのように人工的に結晶成長さ
せて作られる結晶の完全性がほとんどの場合についてよ
い場合は適宜の元素の特性Ｘ線をそのまま用い、その自
然中をもちいればよい。通常のＸ線の焦点サイズは試料
サイズに比べて大きいので、第１図において第１結晶の
表面を斜めにカットしそのカット面にすれすれに近い角
度でＸ線を入射させて広い巾のＸ線を得ている。更にｌ
１図の装置について詳述する。第１結晶１及び第３結晶
２は夫々回転台６，７上にセットされる。Ｘ線源４は上
下に細長い線源で回転台６の中心を中心とする腕８上に
取付けられており、Ｘ線源からの準単色Ｘ線が第１結晶
１に入射したとき、準単色光が反射するように第１結晶
の入射角度位置が回転台６により調整されている。結晶
１と線源４の間にはソーラスリット１２がおかれ、Ｘ線
の垂直発散成分がおさえられ、図示しない手段により周
期的に上下動が行なわれて時間に平均すると上下に一様
な強度のＸ線を得ている。回転台７の中心と共心的な腕
９上にＸ線写真フィルム５０カセツテがセットされる。
試料結晶３は第１結晶からの入射Ｘ線ビーム内にあるよ
うに、回転台６が位置づけられ、回転台６の回転により
、回折が生じる角度位置に位置ずけられている。試料よ
り回折されたＸ線内に第３結晶を位置させ、回転台７を
回軸させ、第２結晶からの入射Ｘ線の回折が起９始める
あたシに、第３結晶の角度の位置をセットする。この位
置で、第１結晶と第３結晶の格子面の角度的な対称方向
ｍに平行な法線方向ｎを持つ試料のミスオリエンテーシ
ョン部分に入射する。ある特定波長の入射Ｘ線のみが始
めにのべた３条件を満足し、フィルムを感光させる。
うに、回転台６が位置づけられ、回転台６の回転により
、回折が生じる角度位置に位置ずけられている。試料よ
り回折されたＸ線内に第３結晶を位置させ、回転台７を
回軸させ、第２結晶からの入射Ｘ線の回折が起９始める
あたシに、第３結晶の角度の位置をセットする。この位
置で、第１結晶と第３結晶の格子面の角度的な対称方向
ｍに平行な法線方向ｎを持つ試料のミスオリエンテーシ
ョン部分に入射する。ある特定波長の入射Ｘ線のみが始
めにのべた３条件を満足し、フィルムを感光させる。
回転台６または７を微小に回転させると、先述のミスオ
リエンテーションの方向ｎはもはやｍに平行でなくなシ
、前述の３条件が満たされなくなってもはやそのミスオ
リエンテーションからのＸａは第３結晶によって反射さ
れず、フィルムにはとどかない。その代Ｄ ｍ／ｎの成
立する別の試料部分のミスオリエンテーションからの回
折Ｘ線がフィルム上に届き感光させる。更に回転台７上
に第３結晶を微小角回転させてその回転角を読取るＳ１
ｎ バー機構が設けてあり、試料結晶の一部と他の部分
の格子面の方向の違い角を読取ることができるようにな
っている。この機構は回転台６の方に設けてもよい。こ
のように第２又は第３結晶を遂次ステップワイズに角度
送りをし、重ね写しすれば、フィルム上で、そのミスオ
リエンテーションの分布をみることができる。またＸ線
写真フィルムを用いる代りに他の２次元的Ｘ線検出器を
用いてもよいことは云うまでもない。
リエンテーションの方向ｎはもはやｍに平行でなくなシ
、前述の３条件が満たされなくなってもはやそのミスオ
リエンテーションからのＸａは第３結晶によって反射さ
れず、フィルムにはとどかない。その代Ｄ ｍ／ｎの成
立する別の試料部分のミスオリエンテーションからの回
折Ｘ線がフィルム上に届き感光させる。更に回転台７上
に第３結晶を微小角回転させてその回転角を読取るＳ１
ｎ バー機構が設けてあり、試料結晶の一部と他の部分
の格子面の方向の違い角を読取ることができるようにな
っている。この機構は回転台６の方に設けてもよい。こ
のように第２又は第３結晶を遂次ステップワイズに角度
送りをし、重ね写しすれば、フィルム上で、そのミスオ
リエンテーションの分布をみることができる。またＸ線
写真フィルムを用いる代りに他の２次元的Ｘ線検出器を
用いてもよいことは云うまでもない。
本発明装置は上述したような構成でミスオリエンテーシ
ョンの分布が直接検出できるので誤差が少く、操作も簡
単である。
ョンの分布が直接検出できるので誤差が少く、操作も簡
単である。
図面は本発明の一実施例装置の平面図である。
１・・・第１結晶、２・・・第３結晶、３・・・試料（
第２結晶）、４・・・ｘｉ源、５・・・Ｘ線写真フィル
ム、６ｙ７・・・回転台、１２・・・ソーラスリット。
第２結晶）、４・・・ｘｉ源、５・・・Ｘ線写真フィル
ム、６ｙ７・・・回転台、１２・・・ソーラスリット。
Claims (1)
- 試料結晶の格子面の法線に関して対称的に第１及び第３
の同材質よりなる分光結晶を配置し、第１結晶によシブ
ラッグの条件を満して回折させた単色に近いＸ線を上記
試料結晶に入射させ、試料結晶で同Ｘ線を再びブラッグ
の条件で回折させて第３結晶に入射させ、第３結晶で更
にブラッグの条件で回折されたＸ線を２次元的な検出器
で検出することを特徴とする結晶のミスオリエンテーシ
ョン検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58057322A JPS59182349A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 結晶のミスオリエンテ−シヨン検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58057322A JPS59182349A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 結晶のミスオリエンテ−シヨン検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182349A true JPS59182349A (ja) | 1984-10-17 |
| JPH0457973B2 JPH0457973B2 (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=13052338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58057322A Granted JPS59182349A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 結晶のミスオリエンテ−シヨン検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59182349A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223981A (en) * | 1975-08-18 | 1977-02-23 | Kobe Steel Ltd | Measuring method of specific azimuthal crystal grains by x-rays |
| JPS5474488A (en) * | 1977-10-28 | 1979-06-14 | Eberhard Born | Method and device for making structural topogram of surface layer of polycrystalline piece |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58057322A patent/JPS59182349A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223981A (en) * | 1975-08-18 | 1977-02-23 | Kobe Steel Ltd | Measuring method of specific azimuthal crystal grains by x-rays |
| JPS5474488A (en) * | 1977-10-28 | 1979-06-14 | Eberhard Born | Method and device for making structural topogram of surface layer of polycrystalline piece |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0457973B2 (ja) | 1992-09-16 |
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