JPH04218754A - X線回折顕微法装置 - Google Patents
X線回折顕微法装置Info
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- JPH04218754A JPH04218754A JP2070210A JP7021090A JPH04218754A JP H04218754 A JPH04218754 A JP H04218754A JP 2070210 A JP2070210 A JP 2070210A JP 7021090 A JP7021090 A JP 7021090A JP H04218754 A JPH04218754 A JP H04218754A
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- Japan
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- rays
- sample
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Links
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 title claims description 4
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 1
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004854 X-ray topography Methods 0.000 description 1
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、ウエーハ面内の格子定数の不均一性を検出す
るためのX線回折顕微法装置に関する。
るためのX線回折顕微法装置に関する。
(従来の技術)
単結晶ウェーハ面内の格子定数の不均一性は、例えばG
aAs結晶のような半導体材料に対しては、GaとAs
のストイキオメトリーと関係があり、デバイス特性に悪
影響を及ぼす。従来の単結晶ウェーハ面内の格子定数を
測定する方法としては、第2図に示したX線ボンド法が
ある。入射X線21を試料22に入射させ、試料22か
らの回折線23を検出器24で検討し、試料22のブラ
ック角を測定する方法であり、格子面の傾き、0°補正
等の影響をなくすため、回折線23と反対側での試料2
2からの回折線25とで決定されるブラック角より、格
子定数を決定している。
aAs結晶のような半導体材料に対しては、GaとAs
のストイキオメトリーと関係があり、デバイス特性に悪
影響を及ぼす。従来の単結晶ウェーハ面内の格子定数を
測定する方法としては、第2図に示したX線ボンド法が
ある。入射X線21を試料22に入射させ、試料22か
らの回折線23を検出器24で検討し、試料22のブラ
ック角を測定する方法であり、格子面の傾き、0°補正
等の影響をなくすため、回折線23と反対側での試料2
2からの回折線25とで決定されるブラック角より、格
子定数を決定している。
(発明が解決しようとする問題点)
ところが従来の手法は、小さく絞られたX線ビームによ
って測定するため、ウェーハのごく一部の情報しか得る
ことが出来ず、ウェーハ面内の格子定数の分布を調べる
ためには、何10点もの測定を要すが、しょせん得られ
る情報は、離散的なものにすぎない。
って測定するため、ウェーハのごく一部の情報しか得る
ことが出来ず、ウェーハ面内の格子定数の分布を調べる
ためには、何10点もの測定を要すが、しょせん得られ
る情報は、離散的なものにすぎない。
本発明は、このような従来の欠点を除去せしめて、格子
定数の変化の二次元分布を連続的に、ウェーハ全面にわ
たって、回折顕微法的に観察するための装置を提供する
ことにある。
定数の変化の二次元分布を連続的に、ウェーハ全面にわ
たって、回折顕微法的に観察するための装置を提供する
ことにある。
(問題を解決するための手段)
本発明は、X線源より発生したX線を単色化するための
モノクロメータと、モノクロメータによって単色化され
たX線を非対称反射すべく配置されたコリメータと、コ
リメータからの非対称反射X線を試料に入射すべく設置
された試料台と、前記非対称反射X線の入射により試料
より得られる回折X線を分光するためのアナライザーと
、アナライザーにより分光された前記回折X線を観察す
るための手段とを具備してなり、かつ前記モノクロメー
タ、前記コリメータ、前記試料台及び前記アナライザー
はω−2θ回転が可能なX線回折顕微法装置を提供する
ものである。
モノクロメータと、モノクロメータによって単色化され
たX線を非対称反射すべく配置されたコリメータと、コ
リメータからの非対称反射X線を試料に入射すべく設置
された試料台と、前記非対称反射X線の入射により試料
より得られる回折X線を分光するためのアナライザーと
、アナライザーにより分光された前記回折X線を観察す
るための手段とを具備してなり、かつ前記モノクロメー
タ、前記コリメータ、前記試料台及び前記アナライザー
はω−2θ回転が可能なX線回折顕微法装置を提供する
ものである。
(作用)
発明者らは、X線トポグラフの観察結果からX線試料を
ω回転させながらX線を照射することにより得られる回
折X線を角度を固定したアナライザーで分光すると、二
次元的に等運動量空間をマッピングできることを見だし
た。従って、格子定数変化の二次元分布がウェハー全面
に渡って得られる。
ω回転させながらX線を照射することにより得られる回
折X線を角度を固定したアナライザーで分光すると、二
次元的に等運動量空間をマッピングできることを見だし
た。従って、格子定数変化の二次元分布がウェハー全面
に渡って得られる。
(実施例)
シンクロトロン放射光は、強力な連続の波長を有し、回
折現象を用いた結晶欠陥用のX線源として大変有用なも
のである。本発明は、このシンクロトロン放射光の特徴
を有効に利用できる。以下ではX線としてシンクロトロ
ン放射光を用いる。
折現象を用いた結晶欠陥用のX線源として大変有用なも
のである。本発明は、このシンクロトロン放射光の特徴
を有効に利用できる。以下ではX線としてシンクロトロ
ン放射光を用いる。
以下、本発明の実施例について、図面を参照にして詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は、本発明によりX線回折顕微法装置の一実施例
を示す図である。第1図において符号11は、連続光で
あるシンクロトロン放射光である。このシンクロトロン
放射光11は、スリット12によってX線ビームサイズ
を形成された後、ω−2θ回転可能な第1ゴニオメータ
ヘツドに設置されたモノクロメータ13によって、ある
特定の波長に単色化される。
を示す図である。第1図において符号11は、連続光で
あるシンクロトロン放射光である。このシンクロトロン
放射光11は、スリット12によってX線ビームサイズ
を形成された後、ω−2θ回転可能な第1ゴニオメータ
ヘツドに設置されたモノクロメータ13によって、ある
特定の波長に単色化される。
この単色化されたX線14は、スリット15によってビ
ームサイズを形成された後、ω−2θ回転可能な第2ゴ
ニオメータヘッドに設置されたコリメータ16に入射す
る。コリメータ16からの反射は、コリメータに用いた
結晶の表面に対して、斜めに存在する格子面を利用する
非対称反射を用い、コリメータ16から出射するX線1
7の発散角を小さく、しかも線束を広くすることが可能
である。X線17は、ω−2θ回転可能な第3ゴニオメ
ータヘッドに設置された試料18に入射させ、試料18
からの回折線19は、ω−2θ回転可能な第4ゴニオメ
ータヘツドに設置されたアナライザー111によって分
光された後、X線フィルム112で回折顕微法的に観察
される。
ームサイズを形成された後、ω−2θ回転可能な第2ゴ
ニオメータヘッドに設置されたコリメータ16に入射す
る。コリメータ16からの反射は、コリメータに用いた
結晶の表面に対して、斜めに存在する格子面を利用する
非対称反射を用い、コリメータ16から出射するX線1
7の発散角を小さく、しかも線束を広くすることが可能
である。X線17は、ω−2θ回転可能な第3ゴニオメ
ータヘッドに設置された試料18に入射させ、試料18
からの回折線19は、ω−2θ回転可能な第4ゴニオメ
ータヘツドに設置されたアナライザー111によって分
光された後、X線フィルム112で回折顕微法的に観察
される。
今、アナライザー111の角度を固定して、試料18を
ロッキングカーブの角度範囲でω回転するとアナライザ
ー111の角度を固定された角度に対応した格子定数を
持つ領域からの回折線113のみが、X線フィルム11
2に回折顕微法的に観察される。
ロッキングカーブの角度範囲でω回転するとアナライザ
ー111の角度を固定された角度に対応した格子定数を
持つ領域からの回折線113のみが、X線フィルム11
2に回折顕微法的に観察される。
アナライザー111の固定する角度を少し変えて、同様
の実験を行なえば、別の格子定数を持つ領域からの回折
線113のみが、X線フィルム112に回折顕微法的に
観察される。
の実験を行なえば、別の格子定数を持つ領域からの回折
線113のみが、X線フィルム112に回折顕微法的に
観察される。
ここでは、X線としてシンクロトロン放射光を用いたが
、本発明はこれに限らず、すべてのX線に有効である。
、本発明はこれに限らず、すべてのX線に有効である。
(発明の効果)
本発明の装置によれば、試料をω回転させながらX線を
照射した後、得られる回折X線を角度を固定したアナラ
イザーで分光するため、単結晶の格子面の傾きの影響を
受けることなく、格子定数変化の二次元分布を、連続的
に、ウェーハ全面にわたって回折顕微法的に観察可能で
ある。例えば格子定数の変化に、影響を及ぼすと考えら
れているGaAs単結晶のストイキオメトリーと半導体
デバイス特性との対比など、各種の分野で有効な効果を
有する。
照射した後、得られる回折X線を角度を固定したアナラ
イザーで分光するため、単結晶の格子面の傾きの影響を
受けることなく、格子定数変化の二次元分布を、連続的
に、ウェーハ全面にわたって回折顕微法的に観察可能で
ある。例えば格子定数の変化に、影響を及ぼすと考えら
れているGaAs単結晶のストイキオメトリーと半導体
デバイス特性との対比など、各種の分野で有効な効果を
有する。
第1図は、本発明による構成図、第2図は、従来 のX
線回折顕微法装置を示す構成図である。 11…シンクロトロン放射光、12…スリット、13…
モノクロメータ、14…単色化されたX線、15…スリ
ット、16…コリメータ、17…出射X線、18…試料
、19…回折線、111…アナライザー、112…X線
フィルム、113…回折線、21…入射X線、22…試
料、23…回折線、24…、検出器、25…回折線。 代理人弁理士 内原晋
線回折顕微法装置を示す構成図である。 11…シンクロトロン放射光、12…スリット、13…
モノクロメータ、14…単色化されたX線、15…スリ
ット、16…コリメータ、17…出射X線、18…試料
、19…回折線、111…アナライザー、112…X線
フィルム、113…回折線、21…入射X線、22…試
料、23…回折線、24…、検出器、25…回折線。 代理人弁理士 内原晋
Claims (1)
- X線源より発生したX線を単色化するためのモノクロメ
ータと、モノクロメータによって単色化されたX線を非
対称反射すべく配置されたコリメータと、コリメータか
らの非対称反射X線を試料に入射すべく設置された試料
台と、前記非対称反射X線の入射により試料より得られ
る回折X線を分光するためのアナライザーと、アナライ
ザーにより分光された前記回折X線を観察するための手
段とを具備してなり、かつ前記モノクロメータ、前記コ
リメータ、前記試料台及び前記アナライザーはいずれも
ω−2θ回転が可能であることを特徴とするX線回折顕
微法装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2070210A JPH04218754A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | X線回折顕微法装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2070210A JPH04218754A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | X線回折顕微法装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04218754A true JPH04218754A (ja) | 1992-08-10 |
Family
ID=13424934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2070210A Pending JPH04218754A (ja) | 1990-03-19 | 1990-03-19 | X線回折顕微法装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04218754A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06258259A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-16 | Hitachi Ltd | 面内分布測定方法及び装置 |
JP2006349481A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 単結晶試料における面内配向した転位線を有する結晶欠陥のx線トポグラフによる撮影方法 |
-
1990
- 1990-03-19 JP JP2070210A patent/JPH04218754A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06258259A (ja) * | 1993-03-04 | 1994-09-16 | Hitachi Ltd | 面内分布測定方法及び装置 |
JP2006349481A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 単結晶試料における面内配向した転位線を有する結晶欠陥のx線トポグラフによる撮影方法 |
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