JPH0455796B2

JPH0455796B2 -

Info

Publication number: JPH0455796B2
Application number: JP63041439A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Suzuki; Shigemi Maki; Toshuki Izumi; Shigeru Kurihara
Original assignee: Nippon Steel Corp
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1988-01-21
Filing date: 1988-02-24
Publication date: 1992-09-04
Also published as: JPH01284497A

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］本発明は鋼構造物の溶接に用いるガスシールド
アーク溶接用複合ワイヤに係るものであり、更に
詳しくは、立向上進溶接を高能率に行えると共に
溶滴の移行性が良好でスパツタ発生量の少ないガ
スシールドアーク溶接用複合ワイヤに関する。［従来の技術］ TiO₂系フラツクスを充填してなるガスシール
ドアーク溶接用複合ワイヤ（以下複合ワイヤ）
は、近年CO₂溶接に用いる単純断面形状の1.2mm
φ径から1.6mmφ径の細径複合ワイヤを主体に急
速に普及してきた。即ち、TiO₂を主成分とする
ためCO₂シールド溶接でもソリツドワイヤに比べ
てアークが安定しスパツタの少ない溶接が可能と
なり、ビードは生成スラグにより完全に被包され
るため外観が美しい等の利点があるためである。更に、特開昭56−160895号公報で本出願人自身
が提案したように充填フラツクス中のスラグ剤、
脱酸性金属、鉄粉の添加割合と複合ワイヤのワイ
ヤ外径と外皮肉厚との比率を規定することにより
溶接作業性と溶融速度及び溶着速度を向上させ溶
接作業能率の向上を達成した。また、従来TiO₂系フラツクスを充填した複合
ワイヤは溶接金属の衝撃靱性が低く船級規格の厳
しいグレード（−20℃で5.5Kgｆ−ｍ以上）や
低温用鋼（−60℃で4.8Kgｆ−ｍ以上）への適用
が困難とされていたが、特開昭58−16796号公報
や本出願人が提案した特願昭62−107127号により
可能となり機械的性能のレベルアツプが図られ
た。［発明が解決しようとする課題］しかし、上記発明に代表される複合ワイヤは溶
接姿勢により溶接条件範囲が異なり、例えば1.4
mmφの複合ワイヤは、下向溶接では通常180〜
400Aと溶接条件範囲が広いが、立向上進溶接で
は180〜240Aと電流値は低くまた、条件範囲も狭
いという問題があつた。更に特開昭58−16796号公報、特願昭62−
107127号に代表されるようにMgを添加して溶接
金属の酸素量を低減させ衝撃靱性を向上させてい
るが、Mgの添加量を増加させると溶滴の移行性
が悪くなりスパツタ発生量を増加させ溶接作業能
率の低下を招くという問題もあつた。［課題を解決するための手段］初めに立向上進溶接の条件範囲を拡大させる方
法として、アーク力による母材の掘り込みを緩和する。高融点酸化物によりスラグの量、スラグの凝
固速度を高めメタルの保持力を高める。脱酸剤によりメタルの酸素量を下げてメタル
自体の表面張力を高め、溶融池内での対流を軽
減し母材の掘り込みを緩和する。アーク長をコントロールして母材の掘り込み
を緩和する。が考えられ、本発明者らはこれら〜の方法を
考慮し、目的を達成すべく研究を進めてきた。そ
の結果、充填フラツクスの粒度構成、特に充填フ
ラツクスの主成分であるTiO₂の粒度によつてア
ーク状態が著しく変動し、これを適正に維持すれ
ばアークを和らげ母材の掘り込みが調整できると
ともに、高融点酸化物であるZrO₂、Al₂O₃、脱酸
剤であるSi、Mn、Alによりスラグの凝固速度と
表面張力を高め、更にアーク安定化元素である
Na、Ｋ、Ｆによりアーク長をコントロールして
立向上進溶接の条件範囲を拡大させ得ることをつ
きとめた。更に、立向上進溶接の条件範囲を拡大すると共
に、Mg添加による溶滴の移行性を改善しスパツ
タ発生量を減少させるため研究を進めてきた。その結果、TiO₂粒度を更に詳細に検討したと
ころ立向上進溶接の条件範囲は拡大し、Mgを添
加しても溶滴の移行性が良好でスパツタの発生量
を低減させ得ることをつきとめた。即ち、本発明
に係る複合ワイヤとは、鋼製外皮にフラツクスを
充填してなるガスシールドアーク溶接用複合ワイ
ヤにおいて粒径149μを越える粒子が10wt％以下、
粒径44μ未満の粒子が30wt％以下である粒度構成
のTiO₂をワイヤ全重量に対して3.5〜7.0wt％含有
するとともに、更にZrO₂：0.4〜1.0wt％、
Al₂O₃：0.1〜1.0wt％、Si：0.3〜1.0wt％、Mn：
1.2〜3.2wt％、Al：0.1〜0.6wt％、Na、Ｋ：Na、
Ｋの１種又は２種の合計を0.03〜0.3wt％、Ｆ：
0.01〜0.2wt％、または、ワイヤ全重量に対しMg
を0.3〜1.0wt％含有するガスシールドアーク溶接
用複合ワイヤにおいて粒径105μを越える粒子を
含まず、粒径44μ未満の粒子が30wt％以下で且、
粒径105μ以下粒径44μ以上の粒子が全体の70wt％
以上を占める粒度構成のTiO₂をｘ、粒径149μを
超える粒子が10wt％以下、粒径44μ未満の粒子が
30wt％以下である粒度構成のTiO₂をｙとしたと
き3.5wt％≦ｘ＋ｙ≦7.0wt％１／3x≦ｙ≦
５／2xを満足するとともに、更にZrO₂：0.4〜
1.0wt％、Al₂O₃：0.1〜1.0wt％、Si：0.3〜1.0wt
％、Mn：1.2〜3.2wt％、Al：0.1〜0.6wt％、
Na、Ｋ：Na、Ｋの１種又は２種の合計を0.03〜
0.3wt％、Ｆ：0.01〜0.2wt％を含有するところに
要旨が存在する。次に、本発明を完成するに至つた研究過程を述
べることによつて、本発明の構成を明らかにす
る。立向上進溶接で電流を高めると細径ワイヤほ
ど（電流密度が高くなる程）、アークが強くなり
母材を深く掘り込み、溶融したメタルを生成スラ
グが保持できなくなる。従つて、立向上進溶接を高電流でできるように
するために上記〜の前提条件を検討した。初めに、アーク力による母材の掘り込みを緩
和することを考えた。即ち、複合ワイヤにおいてアーク力による母材
の掘り込みを緩和するには、アークエネルギーを
分散させることが必要である。複合ワイヤ先端を
溶滴が大きく成長した場合は、アークエネルギー
が分散されず母材に集中するため母材の掘り込み
が強くなる。これに対し溶滴が細粒化すればアー
クエネルギーが分散されるため母材の掘り込みが
緩和される。そこで溶滴を細粒化するには、高温
蒸気圧の低い電極物質が有効であると推察した。
アーク熱により電極物質は蒸発し高速気流として
アーク中から逃げ去ると、電極は蒸発の反作用を
受けるため溶滴の離脱を阻害し、細粒化を妨げて
いると考えられる。ゆえに、この蒸発の反作用を
軽減するには、充填物質の高温での蒸発を抑制す
ることである。複合ワイヤに充填される主成分で
あるTiO₂は高温での蒸気圧が低く、TiO₂の添加
量を増加させれば蒸気圧の高い成分が相対的に減
少し、アーク中の高温蒸気が減少するため溶滴が
細粒化する。その結果、アークエネルギーが分散するためア
ークによる母材の掘り込みが緩和される。しか
し、TiO₂の添加量には溶接金属の性能を確保す
るため上限がある。TiO₂の添加量を増せば相対
的に高温蒸気が減少するという推察から、TiO₂
粒子構成（TiO₂粒子の細粒化）の適正範囲を求
めれば、TiO₂添加量を増加したのと同様の効果
があると考えた。そこでTiO₂の粒度構成を検討した結果、TiO₂
の粒度構成によりアーク状態が著しく変動しこれ
を適正に維持すればアーク力を和らげ母材の掘り
込みが緩和されることをつきとめた。即ち、粒径
149μを越える粒子が10wt％以下、粒径44μ未満の
粒子が30wt％以下である粒度構成のTiO₂を含有
させれば溶滴が細粒化し、アーク力を和らげ母材
の掘り込みが緩和される。しかし、粒径149μを
越える粒子が10wt％を越えると溶滴の細粒化に
効果がなく母材の掘り込みが大きくなる。また、
粒径44μ未満の粒子が30wt％を越えると微粉粒子
が増加するため1.2〜1.6mmφ径の細径複合ワイヤ
への伸線性が劣化する。更に、上記構成のTiO₂
を3.5〜7.0wt％含有させる。3.5wt％未満では細
粒化効果がなくスラグ量が不足する。逆に7.0wt
％を越えるとスラグの粘性が高くなりすぎてスラ
グ巻き込み等の溶接欠陥が発生する。しかしながら、Mgがワイヤ全重量に対し
0.3wt％以上添加されると本発明(1)の粒度構成の
TiO₂であつても溶滴の移行性が改善されず、溶
滴の細粒化を一層阻害し、母材の掘り込みが大き
くなり、大粒のスパツタを発生させる。この原因はMgの高温での蒸気圧が高いためで
あり、Mgはアーク雰囲気に触れた瞬間に蒸発し
高速気流となり他の電極物資と相まつて蒸発の反
作用力が増大するためと推察される。ゆえに、この蒸発の反作用力を軽減し溶滴を細
粒化するには電極物資とMgの高温での蒸発を抑
制することである。そのためには、第２図に示す
ように粒径105μを超える粒子を含まず、粒径44μ
未満の粒子が30wt％以下で且、粒径105μ以下粒
径44μ以上の粒子が全体の70wt％以上を占める粒
度構成のTiO₂をｘ、粒径149μを超える粒子が
10wt％以下、粒径44μ未満の粒子が30wt％以下で
ある粒度構成のTiO₂をｙとしたとき3.5wt％≦ｘ
＋ｙ≦7.0wt％１／3x≦ｙ≦５／2xを満足する
ように混合添加することである。TiO₂：ｘは主
としてMg蒸気の反作用力を緩和し母材の掘り込
み緩和と溶滴の移行性を改善させるために添加す
る。粒径105μ以下粒径44μ以上の粒子が全体の
70wt％以上を占めることによりその効果が発揮
される。しかし、粒径105μを超える粒子が含ま
れるとMg蒸気の反作用力の緩和に効果がなく、
母材の掘り込み緩和と溶滴の移行性が改善されな
い。また、粒径44μ未満の粒子が30wt％を超える
と微粉粒子が増加するため細径複合ワイヤへの伸
線性が劣化する。更に、TiO₂：ｙは主として溶
滴を細粒化し母材の掘り込みを緩和するために添
加する。しかし、粒径149μを超える粒子が10wt％を超
えるとて溶滴の細粒化に効果がなくアーク力が強
く母材の掘り込みが大きくなる。また、粒径44μ
未満の粒子が30wt％を超えると微粉粒子が増加
し細径複合ワイヤへの伸線性が劣化する。次に、ｘ＋ｙが3.5wt％未満では蒸発の反作用
力の緩和に効果がないため、母材の掘り込み緩和
と溶滴の移行性改善に効果がなく、またスラグ量
が不足する。逆に7.0wt％を超えるとスラグの粘
性が高くなりすぎてスラグ巻き込み等の溶接欠陥
が発生する。更に、ｙ＜１／3xではTiO₂：ｘの占める割合
が多くなりMg蒸気の反作用力を緩和する効果は
大であるが、複合ワイヤへの伸線性が劣化する。
またｙ＞５／2xではTiO₂：ｙの占める割合が多
くなりMg蒸気の反作用力を緩和するのに効果が
なく、掘り込みの緩和と溶滴に移行性を改善でき
ない。尚、これらTiO₂の効果はMg含有量が0.3〜
1.0wt％の範囲で発揮する。ただし、Mg含有量が0.3wt％未満であれば、
TiO₂：ｙをワイヤ全重量に対し3.5〜7.0wt％含有
させれば溶滴が細粒化し母材の掘り込みが緩和さ
れる。逆にMgが1.0wt％を超えるとMg蒸気によ
る反作用力が増大しTiO₂：ｘ、ｙ粒度構成の効
果がなくなる。次に立向上進溶接条件範囲を拡大させるために
〜について検討した。高融点酸化物により
スラグの量、スラグの凝固速度を高めメタルの保
持力を高めるためには高融点酸化物であるZrO₂，
Al₂O₃を添加する。 ZrO₂：0.4〜1.0wt％ ZrO₂はスラグの凝固速度とスラグ被包性を高
める。またTiO₂と同ように高温での蒸気圧が低
く溶滴の細粒化にも効果がある。これらの作用を
発揮させるためには0.4wt％以上含有させなけれ
ばならない。しかしZrO₂は凝固温度が高いので
1.0wt％を越えるとスラグ巻き込み等の欠陥が発
生しやすくなる。 Al₂O₃：0.1〜1.0wt％ Al₂O₃もスラグの凝固速度とスラグ被包性を高
め立向溶接におけるビード形状を改善する作用が
ある。これらの効果は0.1wt％以上の添加で有効
に発揮される。しかし1.0wt％を越えるとスラグ
巻き込み等の欠陥が発生し、更にはスラグの剥離
性が低下する。更に、脱酸剤によりメタルの酸素量を下げて
メタルの表面張力を高め、溶融池内での対流を軽
減し母材の掘り込みを緩和させるためにSi、Mn、
Alを添加する。 Si：0.3〜1.0wt％ Siは脱酸作用によりメタルの酸素量を下げてメ
タルの表面張力を高め溶融池内での対流を軽減し
母材の掘り込みを緩和する。またスラグに粘性を
もれせビード形状を改善させる。これらの効果は
0.3wt％以上の添加で効果が発揮される。1.0wt％
を越えると溶接金属を硬化させ靱性を低下させ
る。 Mn：1.2〜3.2wt％ MnはSiと同ようにメタルの酸素量を下げる効
果がある。また溶接金属組織を焼き入れて靱性を
改善する。これらの効果は1.2wt％以上の添加で
効果が発揮される。3.2wt％を越えると溶接金属
の強度が増し靱性改善効果が少なくなる。また反
応生成物であるMnOが多量にスラグ中に含まれ
スラグの粘性が低下しスラグの保持力が低下す
る。 Al：0.1〜0.6wt％ AlはMgと共に強脱酸剤としてメタルの酸素量
低下効果が大きい。また反応生成物であるAl₂O₃
がスラグの凝固速度を高める。これらの効果は
0.1wt％以上の添加で効果が発揮される。0.6wt％
を越えると溶接金属中にAlが固溶してくるため
靱性を劣化させる。アーク長をコントロールして母材の掘り込み
を緩和するためにNa、Ｋの１種又は２種、およ
びＦを添加する。 Na、Ｋ：Na、Ｋの１種又は２種の合計を0.03〜
0.3wt％ Na、Ｋはアーク安定性を高め母材の掘り込み
を緩和する効果がある。この効果を発揮するには
Na、Ｋの１種又は２種の合計を0.03wt％以上添
加する。0.3wt％を超えるとアーク長か長くなり
すぎスパツタ、ヒユーム量が増加する。Ｆ：0.01〜0.2wt％ＦはNa、Ｋと同ようにアーク安定性を高め、
アーク長を適度に調整し、アークが母材に埋もれ
るのを抑制することにより掘り込みを緩和する。
この効果は0.01wt％以上添加することにより発揮
される。0.2wt％を超えるとスラグの流動性が過
大になり立向姿勢でのビード形状が悪化するとと
もに、スパツタ、ヒユーム量が増加する。以上のようにTiO₂の粒度構成をワイヤ成分を
規定することによつて立向上進溶接での溶接条件
範囲を拡大できると共にMgの添加量を増加して
も溶滴の移行性が良好な複合ワイヤを得ることが
できる。本発明ではフラツクス充填率は立向上進溶接の
条件範囲を拡大する上で重要である。充填率の増
加とともに溶接条件範囲は拡大する。即ち、ワイ
ヤ全重量に対し８〜25wt％とすることが望まし
い。8wt％未満ではフラツクスが不足して十分な
作用効果が期待できず、25wt％を超えるとスラ
グ巻き込みが発生し易く、また伸線時に断線が生
じる危険性がある。更に、本発明に使用する鋼製外皮としては通常
軟鋼を用いるが、Ｃ：0.04wt％以下、Si：0.3〜
0.8wt％，Mn：0.9〜1.5wt％、Ti：0.05〜0.12wt
％、Ｎ：0.0050wt％以下、Ｏ：0.010wt％以下の
低合金鋼外皮をも適用できる。以下に本発明の作用を実験調査により示す。［作用］本発明者らは第１表に示す粒度構成のTiO₂を
第２表に示すワイヤ成分を基本としてワイヤ全重
量に対し5.0wt％添加し、1.4mmφ径、充填率15wt
％の複合ワイヤ（第１表のTiO₂粒度No.ａ〜ｈそ
れぞれに対応してNo.１〜８とする。）を試作した。
この複合ワイヤで立向上進溶接において目標脚長
を10〜15mmとし、CO₂半自動溶接で電流を200〜
320Aに変化させビード形状を評価した。試験板
形状は板厚20mm、幅100mm、長さ500mmとしＴ型隅
肉に組み使用した。評価試験結果は第３表に示す通りであり、
TiO₂の粒度構成が本発明請求項１の範囲であれ
ば立向上進の溶接条件範囲が広がつていることは
明らかである。ただし、TiO₂の粒径が44μ未満が
30wt％を超える粒度構成であるTiO₂No.ｈを添加
したワイヤNo.８は1.4mmφ径までの伸線が困難で
あり実験に至らなかつた。このようにTiO₂の粒度構成により立向上進の
条件範囲が拡大する理由は以下の確認実験により
明らかにすることができた。まず、第１図Ａは上記試作複合ワイヤNo.１、同
図Ｂは複合ワイヤNo.５を用いて下向き溶接した場
合の溶滴の移行状況を確認するため高速カメラで
観察し、溶接後のビード断面マクロからアーク発
生時の溶け込み状況を推定した説明図である。溶
接条件は電流280Aとし、アーク長は一定にした。
溶接速度は30cm／min、CO₂ガスは25／min、
ワイヤと母材間距離を20mmに設定した。また、試
験板形状は板厚20mm、幅100mm、長さ500mmとし
た。この図からも明らかなようにＡではワイヤ先端
に大きく成長した懸垂した溶滴３が生じるためア
ークエネルギーが母材６に集中し、深く掘り込
む。これに対しＢではワイヤ先端に懸垂した溶滴
３が小さいため、アークエネルギーが分散し掘り
込みが浅く広がつた溶け込み状態となる。こうし
た事実から、TiO₂の粒度構成により溶滴径が左
右されアーク力による母材の掘り込み作用がこと
なつてくる。したがつて、立向上進溶接の条件範
囲に差が生じてくることが判明した。本発明者らは第１表に示す粒度構成のTiO₂（No.
ｄ〜No.ｇ）とMg添加量を変化させて、ワイヤ径
1.4mmφ、充填率15wt％の複合ワイヤを試作した。
ワイヤ成分は前述と同ように第２表に示す通りで
ありMg添加量はFe粉置換により変化させた。

【表】

【表】この複合ワイヤを用いて立向上進溶接で目標脚
長を10〜15mmとし、CO₂半自動溶接で電流280A
でビード形状、スパツタ発生状況を調査した。試
験板形状は板厚20mm、幅100mm、長さ500mmとしＴ
型隅肉に組み使用した。また、複合ワイヤを試作
する段階での伸線性も合わせて調査した。調査試
験結果は第４表に示す通りであり、TiO₂の粒度
構成が本発明請求項２の範囲であれば、Mg含有
量が0.3〜1.0wt％の範囲であればビード形状が良
好でスパツタ発生量も少なく、伸線性も良好であ
ることは明らかである。

【表】〓混合添加
g：TiO_２ 2.0wt％〓
次に、第１表に示す粒度構成のTiO₂No.ｅとNo.
ｇ（No.ｅはTiO₂：ｙ、No.ｇはTiO₂：ｘに対応）
と上記ワイヤ成分を用いて両者の添加割合を決定
するために上記調査試験とスラグイン試験を実施
した。調査試験結果は第２図に示す通りでありｘ
＋ｙ＜3.5ではビード形状不良、ｘ＋ｙ＞7.0では
スラグイン、ｙ＞５／2xではビード形状不良、
ｙ＜１／3xでは伸線性不良であることが分かる。［実施例］次に、実施例により具体的に本発明を説明す
る。実施例１第５表に試作した複合ワイヤの構成を第６表に
試験結果を示す。第６表において複合ワイヤNo.
９，No.17〜26は比較例、No.10〜16が本発明例にな
るワイヤの実施例である。いずれの複合ワイヤも軟鋼外皮を用い、電縫鋼
管に特公昭45−30937号公報記載の技術を用いて
フラツクス及びパイプを振動させながら充填し、
伸線の途中段階で650℃の焼鈍を行いワイヤ表面
にCuめつきを施して1.4mmφ径にしあげた。まず、
上記作用で述べた方法で立向上進溶接を行い溶接
可能な限界電流値をもとめて比較した。一方、溶
接ビードをＸ線試験を行いスラグインの調査を合
わせて行つた。この結果、No.９は本発明のTiO₂の粒構成を外
れるため220Aでビード形状が不良となり230Aで
は溶接できなかつた。No.10〜16は280A以上でも
ビード形状が良好で安定した溶接ができた。No.17
はTiO₂の添加量が本発明の範囲を越えるもので
あり、300Aまで溶接可能であつたが、Ｘ線試験
の結果スラグインが多発していた。No.18はTiO₂
の添加量が本発明の範囲の下限未満であるため
210Aでもビード形状が不良であつた。No.19〜26
はTiO₂以外のワイヤ成分が本発明の範囲外であ
りNo.19、21〜26は電流値が低く、No.20は電流値は
高いがスラグインが発生した。

【表】＊は比較例

【表】＊は比較例 ○ ビード形状良好 △ ビード形状不
良 × 溶接不能 −は試験未実施
実施例２第７表に試作した複合ワイヤの構成を第８表に
試験結果を示す。第７表、第８表において複合ワ
イヤNo.27〜34は比較例、No.35〜40は本発明例にな
るワイヤの実施例である。いずれの複合ワイヤも
軟鋼製外皮を用い電縫鋼管に特公昭45−30937号
公報記載の技術を用いてフラツクス及びパイプを
振動させながら充填し、伸線の途中段階で650℃
の焼鈍を行いワイヤ表面にCuめつきを施して1.4
mmφ径にしあげた。まず、上記作用で述べた方法
で溶接電流280Aで立向上進溶接を行いビード形
状の評価試験を行つた。この結果、No.27〜34はワ
イヤ成分が本発明請求項２の範囲を外れるためビ
ード形状が不良であつた。No.35〜40は280Aでビ
ード形状が良好でありスラグインの発生もなかつ
た。

【表】

【表】＊は比較例
○ 良好 × 不良
［発明の効果］以上のように本発明によれば、立向上進溶接を
高能率に行えると共に溶滴の移行性が良好でスパ
ツタ発生量の低減が図れるため溶接作業能率が向
上できる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ，Ｂは複合ワイヤの溶滴の移行状況と
アークの掘り込み状況を示した説明図、第２図は
本発明のTiO₂粒度構成の適正範囲を示した説明
図である。１……外皮、２……充填フラツクス、３……溶
滴、４……アーク、５……溶融池、６……母材。

Claims

【特許請求の範囲】１鋼製外皮にフラツクスを充填してなるガスシ
ールドアーク溶接用複合ワイヤにおいて、粒径
149μを越える粒子が10wt％以下、粒径44μ未満の
粒子が30wt％以下である粒度構成のTiO₂をワイ
ヤ全重量に対して3.5〜7.0wt％含有するととも
に、以下に示す成分を含有することを特徴とする
ガスシールドアーク溶接用複合ワイヤ。 ZrO₂：0.4〜1.0wt％ Al₂O₃：0.1〜1.0wt％ Si：0.3〜1.0wt％ Mn：1.2〜3.2wt％ Al：0.1〜0.6wt％ Na、Ｋ：Na、Ｋの１種又は２種の合計を0.03〜
0.3wt％Ｆ：0.01〜0.2wt％２ワイヤ全重量に対しMgを0.3〜1.0wt％含有
するガスシールドアーク溶接用複合ワイヤにおい
て粒径105μを超える粒子を含まず、粒径44μ未満
の粒子が30wt％以下で且、粒径105μ以下粒径44μ
以上の粒子が全体の70wt％以上を占める粒度構
成のTiO₂をｘ、粒径149μを超える粒子が10wt％
以下、粒径44μ未満の粒子が30wt％以下である粒
度構成のTiO₂をｙ（但しｘ、ｙは重量単位）とし
たとき 3.5wt％≦ｘ＋ｙ≦7.0wt％１／3x≦ｙ≦５／
2xを満足するとともに、以下に示す成分を含有
することを特徴とするガスシールドアーク溶接用
複合ワイヤ。 ZrO₂：0.4〜1.0wt％ Al₂O₃：0.1〜1.0wt％ Si：0.3〜1.0wt％ Mn：1.2〜3.2wt％ Al：0.1〜0.6wt％ Na、Ｋ：Na、Ｋの１種又は２種の合計を0.03〜
0.3wt％Ｆ：0.01〜0.2wt％