JPH0454975B2 - - Google Patents
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- JPH0454975B2 JPH0454975B2 JP57203398A JP20339882A JPH0454975B2 JP H0454975 B2 JPH0454975 B2 JP H0454975B2 JP 57203398 A JP57203398 A JP 57203398A JP 20339882 A JP20339882 A JP 20339882A JP H0454975 B2 JPH0454975 B2 JP H0454975B2
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- Japan
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- insulating film
- main surface
- substrate
- metal thin
- semiconductor substrate
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法にかかり、特
に容量部の電極を構成する金属薄膜パターンの形
成方法に関するものである。
に容量部の電極を構成する金属薄膜パターンの形
成方法に関するものである。
従来、半導体基板表面の容量部に付される金属
薄膜パターンは容量部として機能させるために容
量部の上に付されるか又は容量間あるいは容量と
他の金属配線間の配線として形成されるのが普通
で、半導体基板とは電気的に絶縁されていた。一
方、半導体装置の微細化が進むにつれ、容量部の
電極面積が小さくなり、半導体装置として正常に
機能させるために必要な容量を得るためには電極
間絶縁物の厚さを薄くせざるを得なくなつた。こ
のため半導体装置製造工程中で静電気が発生し、
半導体装置表面に乗つたり、あるいはイオン注
入、プラズマエツチング処理等の際に半導体装置
表面が帯電すると容量部の電極間に異常に高い電
界が生じ、薄い絶縁膜がこの高電界に耐え切れず
電極間の絶縁破壊を生じ、歩留、品質の低下をも
たらしていた。
薄膜パターンは容量部として機能させるために容
量部の上に付されるか又は容量間あるいは容量と
他の金属配線間の配線として形成されるのが普通
で、半導体基板とは電気的に絶縁されていた。一
方、半導体装置の微細化が進むにつれ、容量部の
電極面積が小さくなり、半導体装置として正常に
機能させるために必要な容量を得るためには電極
間絶縁物の厚さを薄くせざるを得なくなつた。こ
のため半導体装置製造工程中で静電気が発生し、
半導体装置表面に乗つたり、あるいはイオン注
入、プラズマエツチング処理等の際に半導体装置
表面が帯電すると容量部の電極間に異常に高い電
界が生じ、薄い絶縁膜がこの高電界に耐え切れず
電極間の絶縁破壊を生じ、歩留、品質の低下をも
たらしていた。
この発明の目的は、半導体装置製造における歩
留、品質の低下がない容量部の電極を構成する金
属薄膜パターンの構造を有する半導体装置を提供
することにある。
留、品質の低下がない容量部の電極を構成する金
属薄膜パターンの構造を有する半導体装置を提供
することにある。
本発明の特徴は、半導体基板の厚い絶縁膜によ
り素子分離された領域の表面に容量部の電極間絶
縁膜として機能する薄い絶縁膜を形成する工程
と、前記薄い絶縁膜上に被着され、前記厚い絶縁
膜上を延在し、かつコンタクト部において前記半
導体基板に接続せる金属薄膜パターンを形成する
工程と、次に、前記金属薄膜パターンが前記半導
体基板に接続している状態で、半導体基板表面に
静電気が乗つたりこの表面が帯電するような所定
の処理を行つて半導体装置の製造を進め、しかる
後に前記厚い絶縁膜上で前記金属薄膜パターンを
切断することにより前記半導体基板より絶縁され
ている容量部電極を前記金属薄膜パターンの前記
薄い絶縁膜上の部分により形成する工程とを有す
る半導体装置の製造方法にある。
り素子分離された領域の表面に容量部の電極間絶
縁膜として機能する薄い絶縁膜を形成する工程
と、前記薄い絶縁膜上に被着され、前記厚い絶縁
膜上を延在し、かつコンタクト部において前記半
導体基板に接続せる金属薄膜パターンを形成する
工程と、次に、前記金属薄膜パターンが前記半導
体基板に接続している状態で、半導体基板表面に
静電気が乗つたりこの表面が帯電するような所定
の処理を行つて半導体装置の製造を進め、しかる
後に前記厚い絶縁膜上で前記金属薄膜パターンを
切断することにより前記半導体基板より絶縁され
ている容量部電極を前記金属薄膜パターンの前記
薄い絶縁膜上の部分により形成する工程とを有す
る半導体装置の製造方法にある。
次に、この発明の実施例につき図面を用いて説
明する。第１図〜第４図は、この発明の一実施例
を順に説明するための半導体装置の断面図であ
る。この発明の容量部の電極を構成する金属薄膜
パターンの構造は、半導体基板１の表面に厚い絶
縁膜２により素子分離された領域に容量部の電極
間絶縁膜として機能する薄い絶縁膜３が付され、
さらに容量部の電極としての金属薄膜パターン６
とコンタクト開孔４を介して半導体基板１と接触
している金属薄膜パターン７が形成されている。
これらの金属薄膜パターン６，７は、絶縁膜８，
１０により保護され、切断部９により互いに分離
されている。
明する。第１図〜第４図は、この発明の一実施例
を順に説明するための半導体装置の断面図であ
る。この発明の容量部の電極を構成する金属薄膜
パターンの構造は、半導体基板１の表面に厚い絶
縁膜２により素子分離された領域に容量部の電極
間絶縁膜として機能する薄い絶縁膜３が付され、
さらに容量部の電極としての金属薄膜パターン６
とコンタクト開孔４を介して半導体基板１と接触
している金属薄膜パターン７が形成されている。
これらの金属薄膜パターン６，７は、絶縁膜８，
１０により保護され、切断部９により互いに分離
されている。
即ち、必要に応じて不純物拡散層が形成された
半導体基板１の表面に素子分離のための厚い絶縁
膜２を形成し、さらに将来容量部の電極間絶縁膜
ともなる薄い絶縁膜３を一層又は多層に形成す
る。しかるのち、所定のフオトレジストパターン
ニング及び選択エツチング工程を経てコンタクト
開孔４を形成する。次に、全体に金属薄膜、例え
ば多結晶シリコンにリンを拡散したものを付し、
再びフオトレジストパターンニング及び選択エツ
チング工程を経て金属薄膜パターン５を形成す
る。以上の工程により、金属薄膜パターン５がコ
ンタクト開孔４を介して半導体基板１と接触して
いるため容量部において電極間の電位差が全く生
じず、表面がいかに帯電しても容量部の電極間絶
縁膜が絶縁破壊することがない。金属薄膜パター
ンを保護するために絶縁膜８を全体に付した上
で、別の金属薄膜を付してパターンニングをした
り、イオン注入により不純物拡散層を形成したり
する。最後にフオトレジストパターンニング及び
選択エツチング工程を経て切断部９の絶縁膜８及
び金属薄膜５を除去し、容量部の金属薄膜パター
ン６とコンタクト開孔４を介して半導体基板１と
接触している部分の金属薄膜パターン７に分離す
る。さらに、切断部９を保護する絶縁膜１０を付
して本実施例の半導体装置が完成する。
半導体基板１の表面に素子分離のための厚い絶縁
膜２を形成し、さらに将来容量部の電極間絶縁膜
ともなる薄い絶縁膜３を一層又は多層に形成す
る。しかるのち、所定のフオトレジストパターン
ニング及び選択エツチング工程を経てコンタクト
開孔４を形成する。次に、全体に金属薄膜、例え
ば多結晶シリコンにリンを拡散したものを付し、
再びフオトレジストパターンニング及び選択エツ
チング工程を経て金属薄膜パターン５を形成す
る。以上の工程により、金属薄膜パターン５がコ
ンタクト開孔４を介して半導体基板１と接触して
いるため容量部において電極間の電位差が全く生
じず、表面がいかに帯電しても容量部の電極間絶
縁膜が絶縁破壊することがない。金属薄膜パター
ンを保護するために絶縁膜８を全体に付した上
で、別の金属薄膜を付してパターンニングをした
り、イオン注入により不純物拡散層を形成したり
する。最後にフオトレジストパターンニング及び
選択エツチング工程を経て切断部９の絶縁膜８及
び金属薄膜５を除去し、容量部の金属薄膜パター
ン６とコンタクト開孔４を介して半導体基板１と
接触している部分の金属薄膜パターン７に分離す
る。さらに、切断部９を保護する絶縁膜１０を付
して本実施例の半導体装置が完成する。
この実施例によれば、容量部の電極が形成され
てから後に半導体基板表面に静電気が乗つたり、
プラズマエツチやイオン注入等の処理をして表面
が帯電した場合にも、容量部の電極がコンタクト
開孔４を介して半導体基板１と接続されており、
電極間絶縁物に電界が生じることなく、絶縁破壊
を発生しない。所定の工程が終了した時点で、切
断部９により容量部の金属薄膜パターン６とコン
タクト開孔４を介して半導体基板１と接触してい
る部分の金属薄膜パターン７に分離され容量部の
電極６が半導体基板１と絶縁されるため、容量部
の機能がそこなわれることはない。以上の結果、
半導体装置製造中に、容量部の絶縁破壊が生じる
ことなく、歩留、品質の低下を招くことがない。
てから後に半導体基板表面に静電気が乗つたり、
プラズマエツチやイオン注入等の処理をして表面
が帯電した場合にも、容量部の電極がコンタクト
開孔４を介して半導体基板１と接続されており、
電極間絶縁物に電界が生じることなく、絶縁破壊
を発生しない。所定の工程が終了した時点で、切
断部９により容量部の金属薄膜パターン６とコン
タクト開孔４を介して半導体基板１と接触してい
る部分の金属薄膜パターン７に分離され容量部の
電極６が半導体基板１と絶縁されるため、容量部
の機能がそこなわれることはない。以上の結果、
半導体装置製造中に、容量部の絶縁破壊が生じる
ことなく、歩留、品質の低下を招くことがない。
上述の実施例において、素子分離のための厚い
絶縁膜は下方にチヤンネルストツパーの不純物拡
散層を含んだものに変更できるし、容量部の電極
パターンは、多くの容量を共通におおう連続パタ
ーンに変更できる。さらに、半導体基板と接触し
ている金属薄膜パターンは、別の金属薄膜配線と
半導体基板を接続する配線として転用することも
可能である。
絶縁膜は下方にチヤンネルストツパーの不純物拡
散層を含んだものに変更できるし、容量部の電極
パターンは、多くの容量を共通におおう連続パタ
ーンに変更できる。さらに、半導体基板と接触し
ている金属薄膜パターンは、別の金属薄膜配線と
半導体基板を接続する配線として転用することも
可能である。
第１図〜第４図は、本発明の一実施例を順に説
明するための半導体装置の断面図である。 尚、図において、１……半導体基板、２……素
子分離のための厚い絶縁膜、３……薄い絶縁膜、
４……コンタクト開孔、５……金属薄膜パター
ン、６……容量部の金属薄膜パターン、７……コ
ンタクト開孔上の金属薄膜パターン、８，１０…
…絶縁膜、９……切断部である。
明するための半導体装置の断面図である。 尚、図において、１……半導体基板、２……素
子分離のための厚い絶縁膜、３……薄い絶縁膜、
４……コンタクト開孔、５……金属薄膜パター
ン、６……容量部の金属薄膜パターン、７……コ
ンタクト開孔上の金属薄膜パターン、８，１０…
…絶縁膜、９……切断部である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板の主表面上に、容量部となる第１
の基板主表面領域およびコンタクト部となる第２
の基板主表面領域をそれぞれ区画し、かつこれら
領域をたがいに分離する厚い絶縁膜を選択的に形
成する工程と、前記第１の基板主表面領域上に容
量部の電極間絶縁膜とに機能する薄い絶縁膜を形
成し、前記第２の基板主表面領域上に薄い絶縁膜
を形成しそこにコンタクト孔を開孔して該第２の
領域の一部を露出させる工程と、前記第１の基板
主表面領域上の前記薄い絶縁膜上から前記厚い絶
縁膜上を通つて前記第２の基板主表面領域上の前
記薄い絶縁膜上にまで一様の厚さで延在し、か
つ、前記コンタクト孔において前記半導体基板の
主表面に接続せる金属薄膜パターンを形成する工
程と、 次に、前記金属薄膜パターンが前記半導体基板
の主表面に接続している状態で、半導体基板表面
に静電気が乗つたり、この表面が帯電するような
所定の処理を行つて半導体装置の製造を進め、し
かる後に前記第１および第２の基板主表面領域間
の前記厚い絶縁膜上で前記金属薄膜パターンを切
断することにより前記半導体基板より絶縁されて
いる容量部電極を前記金属薄膜パターンの前記第
１の基板主表面上の前記薄い絶縁膜上の部分によ
り形成する工程とを有することを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20339882A JPS5994450A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20339882A JPS5994450A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994450A JPS5994450A (ja) | 1984-05-31 |
| JPH0454975B2 true JPH0454975B2 (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=16473381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20339882A Granted JPS5994450A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994450A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4953386A (ja) * | 1972-09-25 | 1974-05-23 | ||
| JPS5464460A (en) * | 1977-10-11 | 1979-05-24 | Supadea Guregorio | Ion implantation method |
| JPS5775463A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-12 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP20339882A patent/JPS5994450A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4953386A (ja) * | 1972-09-25 | 1974-05-23 | ||
| JPS5464460A (en) * | 1977-10-11 | 1979-05-24 | Supadea Guregorio | Ion implantation method |
| JPS5775463A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-12 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5994450A (ja) | 1984-05-31 |
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