JPH0452791B2 - - Google Patents

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JPH0452791B2
JPH0452791B2 JP59275373A JP27537384A JPH0452791B2 JP H0452791 B2 JPH0452791 B2 JP H0452791B2 JP 59275373 A JP59275373 A JP 59275373A JP 27537384 A JP27537384 A JP 27537384A JP H0452791 B2 JPH0452791 B2 JP H0452791B2
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JP
Japan
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recording
recording layer
amorphous
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annealing
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JPS61156545A (ja
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Yukio Oosaka
Takeshi Imura
Toshio Nakashita
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TDK Corp
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TDK Corp
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    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
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    • G—PHYSICS
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    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 技術分野 本発明は、情報記録媒体、特にヒートモード情
報記録媒体および記録方法に関する。
先行技術 ヒートモードの情報記録媒体は、媒体と書き込
みないし読み出しヘツドが非接触であるので、記
録媒体が摩耗劣化しないという特徴をもち、この
ため、種々のヒートモードの記録媒体の開発研究
が行われている。
このヒートモードの情報記録媒体には、大別し
て、ビツト形成タイプと、いわゆる相転移タイプ
のものがある。
相転移タイプのものは、レーザー等の記録光に
より、照射部の記録層に非晶質−結晶質の相転移
等を生起させて情報を記録し、読み出し光で反射
率の変化等を検出して読み出しを行うものであ
る。
このような相転移を利用する記録媒体として
は、Teを主体とする材料を記録層とするものが
大半を占めている。
しかし、近年、Te系材料が人体に有害である
ことから、これにかわる他の材料を用いての研
究、開発が行われている。
しかしながら、Te系にかわり、より低毒性の
物質系での実用化については、未だ報告がされて
いない。
発明の目的 本発明の目的は、記録層を従来のTe系の有害
物質の系から、新規な低毒性物質の系で形成し、
しかもこの記録層に、例えば記録光を照射して照
射部の記録層に非晶質−結晶質の相転移ないし結
晶の状態の変化を生起させて記録を行う情報記録
媒体および記録方法を提供することにある。
発明の開示 このような目的は、下記の本発明によつて達成
される。
すなわち第１の発明は、 GeおよびSnを含み、Sn／（Ge＋Sn）の原子
比が0.05〜0.95の記録層を基体上に有することを
特徴とする情報記録媒体である。
また、第２の発明は、 GeおよびSnを含み、Sn／（Ge＋Sn）の原子
比が0.05〜0.95の記録層を基体上に有する情報記
録媒体に非晶質−結晶質相転移または結晶状態の
変化を生起させて記録を行なうことを特徴とする
情報記録方法である。
発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について、詳細に説
明する。
本発明の情報記録媒体は、基体の上に記録層を
設層することによつて形成される。
また、このようなものを２つ用い、互いの記録
層を対向させて一体化することによつて構成して
もよい。
ここで、基体としては、ガラス、樹脂等からな
る平板状のものである。記録手段として光を用い
る場合は、光透過率の良いガラスまたは樹脂を用
いるのが好ましい。
これにより、基体裏面側からの書き込み、読み
出しなどが可能となる。
また、基体の記録層形成面には、トラツキング
用の溝が形成されていることが好ましい。
基体上には記録層が設層される。
記録層は、GeおよびSnを含み、Sn／（Ge＋
Sn）の原子比は0.05〜0.95である。
Sn／（Ge＋Sn）の原子比が0.95をこえると、
Ge−Snからなる記録層は非晶質化しにくい。そ
のため、例えば光照射などによつて記録層に熱を
加えても、非晶質−結晶質の相転移や粒径変化等
の結晶状態の変化による記録を行うことができな
い。
また、Sn（Sn＋Ge）の原子比が0.05より小さく
なると、結晶化温度が高く、記録に際し、多くの
エネルギーが必要となる。
つまり、0.05以上となると、結晶化温度が低く
なり、記録に際し、より少ない熱エネルギーで相
転移状態変化が生じ、実用上好ましい。さらに好
ましくは、0.15〜0.5となると、結晶化温度と安
定性の両者が好ましいものとなる。
このような記録層は、蒸着法、スパツタ法、イ
オンプレーテイング法等のドライコーテイング方
式等を用いて設層すればよい。
記録層の厚さは20nm〜11μm程度である。
また、必要に応じて基体と記録層の間および／
または記録層上に、公知の種々の安定化層や熱吸
収層を設層してもよい。
これにより、記録層の劣化を防止でき、さらに
記録のための熱効率を向上させることができる。
また、基体の他面上には、各種保護層を設けて
もよい。
このような記録層を基体上に有する情報記録媒
体に記録を行うには、光ないし熱エネルギーを付
与する。
一般的には、記録光としては、半導体レーザー
等を用いればよい。
記録光の照射により、照射部の記録層に非晶質
−結晶質の相転移を生起させ、記録が行われる。
すなわち、非晶質から結晶質への相転移、あるい
は結晶質から非晶質への相転移を利用して記録を
行う。
さらに、このような相転移の他、記録は、結晶
状態の変化によつてもよい。結晶状態の変化とし
ては、微結晶の粒径の変化、結晶形の種類、配向
性や結晶化率の変化などがある。
記録後の読みとりは、読みとり光を照射するな
どして、記録層の反射率の変化等を利用して検出
すればよい。
このような場合、830nmの波長においては、非
晶質状態にて約60％程度の反射率が、結晶化する
ことにより、５〜20％程度変化する。
発明の具体的効果 本発明の情報記録媒体は、Ge−Sn系の物質か
ら形成される。
この記録層は、記録光などを照射することによ
つて、照射部の記録層に非晶質−結晶質の相転移
や結晶状態の変化が生起する。従つて、この現象
を利用することによつて、情報を記録することが
できる。
このため、従来のTe系の有害物質系に比べ、
低毒性で同等の記録特性をもつ媒体が実現する。
また、本発明の媒体はTeに比べ耐候性も良好で
ある。
発明の具体的実施例 以下、本発明の実施例を挙げ、本発明をさらに
詳細に説明する。
実施例 ガラス基板上に、Ge−Snからなる薄膜層をス
パツタ法により膜厚180nmに設層し、記録層とし
た。
記録層のSn／（Ge＋Sn）の原子比は、XPSで
測定した結果、0.35であつた。
また、このGe−Sn記録層を設層後、および200
℃、10分のアニール後にＸ線回折を行つて、Ge
−Snの非晶質−結晶質の相転移を確認した。
設置直後のＸ線回析の結果を第１図に、アニー
ル後のものを第２図に示した。
また、設置直後の電子線回析の写真を第３図
に、またアニール後のそれを第４図に示す。
これらの結果から、このGe−Sn膜では、熱エ
ネルギーにより非晶質−結晶質転移を生じている
ことがわかる。
さらに、第５図には、波長830nmにおけるアニ
ール温度と反射率の関係が示される。
第５図から、830nmの反射率は設層直後の状態
から相転移により約20％変化していることがわか
る。
これとは別に、比較として、Sn／（Ge＋Sn）
の原子比が0.98のときのＸ線回折結果を第６図
に、また190℃でアニールしたときのそれを第７
図に示した。この場合、Ge−Snは非晶質化して
おらず、すでに結晶化しており、相転移は生じな
い。
なお、このサンプルのアニール前の電子線回折
写真は第８図に示される。
さらに、上記の場合と同様に、Sn／（Ge＋
Sn）の原子比が0.03で設層したときの電子線回折
の結果を第９図、また300℃でアニールしたとき
のそれを第１０図に示した。この組成では、設層
直後もアニール後もGe−Snは非晶質であること
が確認された。
なお、上記に準じ、各組成のサンプルを設層
し、その結晶化温度を測定した。結果を第１１図
に示す。
第１１図から、Sn／（Ge＋Sn）が0.95をこえ
ると非晶質化せず、また0.05未満となると400℃
のアニール後も非晶質のままであることがわか
る。
これら各サンプルにつき、830nmの半導体レー
ザーで記録を行い、830nmの半導体レーザーで再
生を行つたところ、良好な記録再生を行うことが
できた。
なお、Sn／（Ge＋Sn）＝0.03および0.98のもの
では記録再生はできなかつた。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は、それぞれ本発明のGe
−Sn記録層の設層直後およびアニール後のＸ線
回折のチヤートである。第３図および第４図は、
結晶の構造を示す図面代用写真であつて、それぞ
れ、この本発明のGe−Sn記録層の設層直後およ
びアニール後の電子線回折写真である。第５図
は、この本発明のSe−Sn記録層の設層直後およ
びアニール温度による反射率の変化を示すグラフ
である。第６図および第７図は、それぞれ本発明
外のSn／（Ge＋Sn）原子比からなる記録層の設
層直後およびアニール後のＸ線回折のチヤートで
ある。第８図は、結晶の構造を示す図面代用写真
であつて、この本発明外の記録層の電子線回折写
真である。第９図および第１０図は、それぞれ他
のGe−Sn記録層の設層直後およびアニール後の
Ｘ線回折のチヤートである。第１１図は、Sn／
（Ge＋Sn）と結晶化温度との関係を示すグラフで
ある。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ GeおよびSnを含み、Sn／（Ge＋Sn）の原
    子比が0.05〜0.95のGe−Sn系記録層を基体上に有
    することを特徴とする情報記録媒体。 ２ GeおよびSnを含み、Sn／（Ge＋Sn）の原
    子比が0.05〜0.95のGe−Sn系記録層を基体上に有
    する情報記録媒体に非晶質−結晶質相転移または
    結晶状態の変化を生起させて記録を行なうことを
    特徴とする情報記録方法。
JP59275373A 1984-12-28 1984-12-28 情報記録媒体および記録方法 Granted JPS61156545A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59275373A JPS61156545A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 情報記録媒体および記録方法
US06/742,303 US4629649A (en) 1984-12-28 1985-06-07 Information recording medium and method
EP85108961A EP0187191B1 (en) 1984-12-28 1985-07-17 Information recording medium and method
DE8585108961T DE3578247D1 (de) 1984-12-28 1985-07-17 Medium und verfahren zur informationsaufzeichnung.

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JP59275373A JPS61156545A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 情報記録媒体および記録方法

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JPS61156545A JPS61156545A (ja) 1986-07-16
JPH0452791B2 true JPH0452791B2 (ja) 1992-08-24

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ID=17554577

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EP (1) EP0187191B1 (ja)
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EP0187191A3 (en) 1987-05-27
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