JPH0451444A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0451444A JPH0451444A JP2161669A JP16166990A JPH0451444A JP H0451444 A JPH0451444 A JP H0451444A JP 2161669 A JP2161669 A JP 2161669A JP 16166990 A JP16166990 A JP 16166990A JP H0451444 A JPH0451444 A JP H0451444A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- steps
- platen
- ion implantation
- rotation
- motor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 15
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程において用いられるイオ
ン注入装置に関する。
ン注入装置に関する。
従来、半導体装置の製造工程において用いられるイオン
注入装置は、設定した回転速度にてプラテン上に保持さ
れた半導体基板を回転させ、回転中の半導体基板に不純
物イオンを注入するように構成されていた。
注入装置は、設定した回転速度にてプラテン上に保持さ
れた半導体基板を回転させ、回転中の半導体基板に不純
物イオンを注入するように構成されていた。
上述した従来のイオン注入装置は、半導体基板が回転中
にイオンを注入する為、イオンビームのＸ、Ｙスキャン
と半導体基板の回転との間にある組合せによって同期現
象が起ると、注入される部分にイオン量の多い部分や少
い部分が生じ面内均一性が悪化するという欠点がある。
にイオンを注入する為、イオンビームのＸ、Ｙスキャン
と半導体基板の回転との間にある組合せによって同期現
象が起ると、注入される部分にイオン量の多い部分や少
い部分が生じ面内均一性が悪化するという欠点がある。
上述した従来の半導体基板イオン注入装置に対し、本発
明は半導体基板にイオンを注入する際、半導体基板１回
転をある設定されたステップ数に分けて回転させ、回転
移動中にはイオンを注入せず、各ステップで半導体基板
が停止状態の時に、総ドーズ量をステップ数で割った分
のドーズ量だけのイオンを注入する機能を持つという相
違点を有する。
明は半導体基板にイオンを注入する際、半導体基板１回
転をある設定されたステップ数に分けて回転させ、回転
移動中にはイオンを注入せず、各ステップで半導体基板
が停止状態の時に、総ドーズ量をステップ数で割った分
のドーズ量だけのイオンを注入する機能を持つという相
違点を有する。
本発明のイオン注入装置は、半導体基板を保持するプラ
テンと、このプラテンをステップに分けて回転さるため
のモーターと、前記プラテンの回転数とステップ数とを
設定する回転・ステップ数設定部と、この回転・ステッ
プ数設定部からの信号により、前記モーターの回転を制
御するモーター回転制御部と前記半導体基板上のイオン
ドーズ量を制御するためのドーズ量制御部とを含んで構
成される。
テンと、このプラテンをステップに分けて回転さるため
のモーターと、前記プラテンの回転数とステップ数とを
設定する回転・ステップ数設定部と、この回転・ステッ
プ数設定部からの信号により、前記モーターの回転を制
御するモーター回転制御部と前記半導体基板上のイオン
ドーズ量を制御するためのドーズ量制御部とを含んで構
成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例のブロック図である。
第１図においてイオン注入装置は、半導体基板１を保持
するプラテン３と、このプラテン３を複数のステップに
分けて回転させるためのモーター２と、プラテン３の回
転数とステップ数とを設定するためのメモリー等からな
る回転・ステップ数設定部７と、この回転・ステップ数
設定部７からの信号によりモーター２の回転を制御する
シーケンサ−等からなるモーター回転制御部５と、回転
・ステップ数設定部７からの信号により半導体基板１に
注入されるイオンドーズ量を制御する、ｃｐｕ、演算回
路、メモリー等からなるドーズ量制御部６とから主に構
成されている。
するプラテン３と、このプラテン３を複数のステップに
分けて回転させるためのモーター２と、プラテン３の回
転数とステップ数とを設定するためのメモリー等からな
る回転・ステップ数設定部７と、この回転・ステップ数
設定部７からの信号によりモーター２の回転を制御する
シーケンサ−等からなるモーター回転制御部５と、回転
・ステップ数設定部７からの信号により半導体基板１に
注入されるイオンドーズ量を制御する、ｃｐｕ、演算回
路、メモリー等からなるドーズ量制御部６とから主に構
成されている。
イオン注入処理の際には、ドーズ量制御部６の信号によ
りフラグファラデー４がたおれ、プラテン３上にある半
導体基板１にイオンが注入される。回転・ステップ数設
定部７にあらかじめ形成する半導体装置の種類等により
、プラテン３の回転数とステップ数とが設定されており
、設定されたステップ数に１一回転を分けるようにモー
ター回転制御部４によって、プラテン回転用のモーター
２の回転を制御する。回転移動中にはフラグファラデー
４か立ち、イオン注入はストップし、各ステップでは総
ドーズ量をスップ数で割った分のドーズ量を注入するよ
うに、半導体基板１のドーズ量を電流積算計等てモニタ
ーし、ドーズ量制御部６によって制御する。
りフラグファラデー４がたおれ、プラテン３上にある半
導体基板１にイオンが注入される。回転・ステップ数設
定部７にあらかじめ形成する半導体装置の種類等により
、プラテン３の回転数とステップ数とが設定されており
、設定されたステップ数に１一回転を分けるようにモー
ター回転制御部４によって、プラテン回転用のモーター
２の回転を制御する。回転移動中にはフラグファラデー
４か立ち、イオン注入はストップし、各ステップでは総
ドーズ量をスップ数で割った分のドーズ量を注入するよ
うに、半導体基板１のドーズ量を電流積算計等てモニタ
ーし、ドーズ量制御部６によって制御する。
このように本実施例によれば、イオンビームの走査によ
る半導体基板］へのイオン注入は、プラテン３が停止し
た状態で行なわれるため、従来のようにイオンビームの
Ｘ、Ｙスキャンと半導体基板１の回転の同期現象が起る
ことはないため、半導体基板１へのイオンの注入量は均
一なものとなる。
る半導体基板］へのイオン注入は、プラテン３が停止し
た状態で行なわれるため、従来のようにイオンビームの
Ｘ、Ｙスキャンと半導体基板１の回転の同期現象が起る
ことはないため、半導体基板１へのイオンの注入量は均
一なものとなる。
以上説明したように本発明は、イオン注入装置において
、半導体基板の回転を複数のステップに分けて行ない、
回転移動中には、イオン注入は行なわず、各ステップで
半導体基板が回転停止状態の時に、総ドーズ量をステッ
プ数で割ったドーズ量分を注入することにより、イオン
ビームのスキャンと半導体基板の回転の同期現象による
注入イオンの均一性の悪化を防止できる効果がある。
、半導体基板の回転を複数のステップに分けて行ない、
回転移動中には、イオン注入は行なわず、各ステップで
半導体基板が回転停止状態の時に、総ドーズ量をステッ
プ数で割ったドーズ量分を注入することにより、イオン
ビームのスキャンと半導体基板の回転の同期現象による
注入イオンの均一性の悪化を防止できる効果がある。
る。
１・・半導体基板、２・・・モーター、３・・・プラテ
ン、４・・・フラグファラデー、５・・・モーター回転
制御部、６・・ドーズ量制御部、７・・・回転・ステッ
プ数設定部。
ン、４・・・フラグファラデー、５・・・モーター回転
制御部、６・・ドーズ量制御部、７・・・回転・ステッ
プ数設定部。
Claims (1)
- 半導体基板を保持するプラテンと、このプラテンをス
テップに分けて回転さるためのモーターと、前記プラテ
ンの回転数とステップ数とを設定する回転・ステップ数
設定部と、この回転・ステップ数設定部からの信号によ
り、前記モーターの回転を制御するモーター回転制御部
と前記半導体基板上のイオンドーズ量を制御するための
ドーズ量制御部とを含むことを特徴とするイオン注入装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161669A JPH0451444A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2161669A JPH0451444A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0451444A true JPH0451444A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15739591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2161669A Pending JPH0451444A (ja) | 1990-06-20 | 1990-06-20 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0451444A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5403397A (en) * | 1992-10-21 | 1995-04-04 | Od & Me B.V. | Device for manufacturing a mold for a disc-shaped registration carrier |
| JPH07240388A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Nec Corp | 半導体装置のイオン注入方法 |
| US7478804B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-01-20 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Paper feeding apparatus, image formation apparatus with paper feeding apparatus and storage medium storing control program thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02189850A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-25 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入方法 |
-
1990
- 1990-06-20 JP JP2161669A patent/JPH0451444A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02189850A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-25 | Tokyo Electron Ltd | イオン注入方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5403397A (en) * | 1992-10-21 | 1995-04-04 | Od & Me B.V. | Device for manufacturing a mold for a disc-shaped registration carrier |
| US5780205A (en) * | 1992-10-21 | 1998-07-14 | Od & Me B.V. | Method for manufacturing a mold for a disc-shaped registration carrier |
| JPH07240388A (ja) * | 1994-02-28 | 1995-09-12 | Nec Corp | 半導体装置のイオン注入方法 |
| US7478804B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-01-20 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Paper feeding apparatus, image formation apparatus with paper feeding apparatus and storage medium storing control program thereof |
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