JPS5927092B2 - イオン注入法 - Google Patents
イオン注入法Info
- Publication number
- JPS5927092B2 JPS5927092B2 JP3068577A JP3068577A JPS5927092B2 JP S5927092 B2 JPS5927092 B2 JP S5927092B2 JP 3068577 A JP3068577 A JP 3068577A JP 3068577 A JP3068577 A JP 3068577A JP S5927092 B2 JPS5927092 B2 JP S5927092B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- implantation
- ion
- implanted
- ions
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- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造に際して不純物等を半導体基
板内に注入するイオン注入法に関する。
板内に注入するイオン注入法に関する。
イオン注入法は拡散法に比してその注入量や注入深さ等
の制御か容易である等の点で半導体装置の製造に多用さ
れつつある。ところか注入に際しての制御が容易と雌も
半導体基板に注入されたイオン量には基板の位置に依る
バラツキがある。そのバラツキの要因としては。（１）
スイープ波形の直線性。
の制御か容易である等の点で半導体装置の製造に多用さ
れつつある。ところか注入に際しての制御が容易と雌も
半導体基板に注入されたイオン量には基板の位置に依る
バラツキがある。そのバラツキの要因としては。（１）
スイープ波形の直線性。
（２）ニュートラルビームの発生、
（３）ビームの形状、
（４）半導体単結晶中でのイオンのチヤンネリング及び
異常拡散。
異常拡散。
等か考えられる。
そして注入結果としてはこれ等の要因が積み重なつたも
のとなり、場合に依つては同一基板内でも無視する事か
出来ない大きなものとなる。これ等の要因のうち、１、
２、３は全て注入装置そのものの特性である。一方、最
近の半導体装置に於ては注入イオンの均一性の高精度が
要求されるようになり、例えば可変容量ダイオードの超
階段部分をイオン注入で作る場合は注入ラムがダイオー
ドの特性に大きな影響を与える。
のとなり、場合に依つては同一基板内でも無視する事か
出来ない大きなものとなる。これ等の要因のうち、１、
２、３は全て注入装置そのものの特性である。一方、最
近の半導体装置に於ては注入イオンの均一性の高精度が
要求されるようになり、例えば可変容量ダイオードの超
階段部分をイオン注入で作る場合は注入ラムがダイオー
ドの特性に大きな影響を与える。
本発明はこのような点に鑑みて為されたものであつて、
その基本的な考え方はイオン注入に際して基板をイオン
源に対して１８００回転させる点にある。
その基本的な考え方はイオン注入に際して基板をイオン
源に対して１８００回転させる点にある。
第１図、第２図は本発明方法の原理を説明する為の概念
図であつて、半導体基板１、１・・・・・・が回転自在
の載置台２上に同心円状に配列されている。
図であつて、半導体基板１、１・・・・・・が回転自在
の載置台２上に同心円状に配列されている。
またこの載置台は上下移動棒３に依つて上下に移動可能
となつている。勿論この載置台２は真空系４内に位置し
、しかもこの載置台２の回転並びに上下移動は真空系４
外から任意に作動し得るものである。５はこの真空系４
に連り、載置台２上の特定の基板１’にのみイオンを発
射注入するイオン源である。
となつている。勿論この載置台２は真空系４内に位置し
、しかもこの載置台２の回転並びに上下移動は真空系４
外から任意に作動し得るものである。５はこの真空系４
に連り、載置台２上の特定の基板１’にのみイオンを発
射注入するイオン源である。
而して特定の基板１’に例えば不純物イオンを１×１０
１６イオン／ｃ−ｄの量だけ注入する必要かあるとする
と、第１図に示す如く基板１’にイオン源５からのイオ
ンを照射し、予定注入量の半分、即ち５×１０１５イオ
ン／一のイオンか注入された時点でそのイオン注入を中
断し、載置台２をイオン源５に対向したままの状態で１
８００回転させると共に移動棒３に依つて載置台２を引
き上げ、特定の基板１’をイオン源５に対向させ、再度
イオン源５からイオンを発射させて予定注入量の残りの
１のイオン量、即ち５×１０１５イオン／Ｃｄを基板１
’に注入してこの基板丁に対する１回の注入工程を完了
する。
１６イオン／ｃ−ｄの量だけ注入する必要かあるとする
と、第１図に示す如く基板１’にイオン源５からのイオ
ンを照射し、予定注入量の半分、即ち５×１０１５イオ
ン／一のイオンか注入された時点でそのイオン注入を中
断し、載置台２をイオン源５に対向したままの状態で１
８００回転させると共に移動棒３に依つて載置台２を引
き上げ、特定の基板１’をイオン源５に対向させ、再度
イオン源５からイオンを発射させて予定注入量の残りの
１のイオン量、即ち５×１０１５イオン／Ｃｄを基板１
’に注入してこの基板丁に対する１回の注入工程を完了
する。
他の基板１、１、１に対しても同様に予定注入量のイオ
ンの半分を注入した後．イオン源５に対して１８０の回
転，即ち上下位置を変更して残るイオン量を注入する。
ンの半分を注入した後．イオン源５に対して１８０の回
転，即ち上下位置を変更して残るイオン量を注入する。
第３図はイオン注入の基板の位置によるバラツキを示し
たもので、横軸に基板の位置を採り，縦軸は注入量を示
している。
たもので、横軸に基板の位置を採り，縦軸は注入量を示
している。
直線１は１回目のイオン注入の結果を示し，直線１；は
２回目のイオン注入の結果であり６この直線１，！Ｉを
重ね合せた結果は直線１１１で示すものとなり、この直
線１１；からも明らかな如く、基板の位置に依る注入量
のバラツキは、注入途中で基板の上下を逆転させる事に
依つて軽減せしめる事か出来る。尚直線１は１回目の注
入を最後まで連続した場合の注入状態を示し，１１１と
１との差は歴然としている。このようにしてイオン注入
した基板の比抵抗の場所に依るバラツキは±１％以下と
なり６従来の±２％程度に比して格段の改善が為されて
いる。本発明は以上の説明から明らかな如く、イオン注
入に際して基板に予定注入量の一を注入した時点で基板
を１８００回転させて残る一を注入する方法であるので
．注入装置自身力５有している場所に依る不均一性を互
いに打ち消し合い、結果的に基板の場所に依るバラツキ
を軽減せしめる事か出来る。
２回目のイオン注入の結果であり６この直線１，！Ｉを
重ね合せた結果は直線１１１で示すものとなり、この直
線１１；からも明らかな如く、基板の位置に依る注入量
のバラツキは、注入途中で基板の上下を逆転させる事に
依つて軽減せしめる事か出来る。尚直線１は１回目の注
入を最後まで連続した場合の注入状態を示し，１１１と
１との差は歴然としている。このようにしてイオン注入
した基板の比抵抗の場所に依るバラツキは±１％以下と
なり６従来の±２％程度に比して格段の改善が為されて
いる。本発明は以上の説明から明らかな如く、イオン注
入に際して基板に予定注入量の一を注入した時点で基板
を１８００回転させて残る一を注入する方法であるので
．注入装置自身力５有している場所に依る不均一性を互
いに打ち消し合い、結果的に基板の場所に依るバラツキ
を軽減せしめる事か出来る。
尚、本発明の説明に際しては多数の基板を同一真空系内
に配置して注入する場合を説明したか．１枚の基板に対
してのみの注入であれば．上下移動棒は不要で、注入イ
オンビームの中心部に基板を載置し．その載置台に少な
くとも１８０にの回転機能を付加するだけで良い。
に配置して注入する場合を説明したか．１枚の基板に対
してのみの注入であれば．上下移動棒は不要で、注入イ
オンビームの中心部に基板を載置し．その載置台に少な
くとも１８０にの回転機能を付加するだけで良い。
第１図、第２図は夫々本発明方法の概要を説明する為の
概念図、第３図はイオン注入状態を示す直線図であつて
、１は基板、２は載置台．３は上下移動棒，４（は真空
系，５はイオン源．を夫々示している。
概念図、第３図はイオン注入状態を示す直線図であつて
、１は基板、２は載置台．３は上下移動棒，４（は真空
系，５はイオン源．を夫々示している。
Claims (1)
- １ 半導体基板に加速されたイオンを注入するイオン注
入法に於て、基板を真空系内に設置すると共に該基板の
一主面に注入イオン源からイオン注入し、基板に注入す
べき予定注入量の略１／２の量を注入した時点でそのイ
オン注入を中断し、次にこの同一真空系内で上記イオン
源に対して基板の一主面を対向させたまま該基板を１８
０°回転させ、その状態で予定注入量の残りの１／２を
該イオン源から注入する事を特徴としたイオン注入法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3068577A JPS5927092B2 (ja) | 1977-03-17 | 1977-03-17 | イオン注入法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3068577A JPS5927092B2 (ja) | 1977-03-17 | 1977-03-17 | イオン注入法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53115172A JPS53115172A (en) | 1978-10-07 |
| JPS5927092B2 true JPS5927092B2 (ja) | 1984-07-03 |
Family
ID=12310534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3068577A Expired JPS5927092B2 (ja) | 1977-03-17 | 1977-03-17 | イオン注入法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927092B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100350A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-15 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置 |
| JP2537180B2 (ja) * | 1985-09-30 | 1996-09-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
-
1977
- 1977-03-17 JP JP3068577A patent/JPS5927092B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53115172A (en) | 1978-10-07 |
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