JPH02203522A - イオン注入方法 - Google Patents
イオン注入方法Info
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- JPH02203522A JPH02203522A JP2419289A JP2419289A JPH02203522A JP H02203522 A JPH02203522 A JP H02203522A JP 2419289 A JP2419289 A JP 2419289A JP 2419289 A JP2419289 A JP 2419289A JP H02203522 A JPH02203522 A JP H02203522A
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- ion implantation
- implantation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、イオン注入の方法に関するものである。
従来の技術
イオン注入装置は、イオン注入電流が、年々高電流化さ
れており、注入処理スピードを速くすることが強（要望
されている。
れており、注入処理スピードを速くすることが強（要望
されている。
発明が解決しようとする課題
この高電流化のために、次にあげる問題が生じてくる。
イオン注入では、選択的にイオン注入するため、基板表
面に有機薄膜を形成して、イオンビームの照射を行なう
。このときにイオンビームによって有機薄膜内にある有
機溶済が、内部から蒸発して、真空装置内の真空度が著
しく悪化してしまう。そのため、イオンビームが、残留
ガスと衝突して注入の精度が悪化する現象が生じる。こ
れは、現在のイオン注入方法は、イオン注入の開始から
、終了まで、一定のイベルのイオンビーム電流にてイオ
ン注入することから、最初のガスの出の多いときに大電
流にて照射してしまうために、発生する。このときの真
空装置内の真空度の時間変化を第４図に示す。
面に有機薄膜を形成して、イオンビームの照射を行なう
。このときにイオンビームによって有機薄膜内にある有
機溶済が、内部から蒸発して、真空装置内の真空度が著
しく悪化してしまう。そのため、イオンビームが、残留
ガスと衝突して注入の精度が悪化する現象が生じる。こ
れは、現在のイオン注入方法は、イオン注入の開始から
、終了まで、一定のイベルのイオンビーム電流にてイオ
ン注入することから、最初のガスの出の多いときに大電
流にて照射してしまうために、発生する。このときの真
空装置内の真空度の時間変化を第４図に示す。
これはイオン注入電流２ｍＡにて注入したときの真空度
の時間変化を示す。ウェーハは８枚をディスク上にはり
つけた形のバッチ処理形の装置を使用した。ウェーハは
全面育機薄膜を塗布した。なお塗布後１８０℃で１０分
のベーキングを施したディスクは回転して直径方向へ往
復３０秒で処理した。１５秒にてウェーハを１スキャン
できる構造である。
の時間変化を示す。ウェーハは８枚をディスク上にはり
つけた形のバッチ処理形の装置を使用した。ウェーハは
全面育機薄膜を塗布した。なお塗布後１８０℃で１０分
のベーキングを施したディスクは回転して直径方向へ往
復３０秒で処理した。１５秒にてウェーハを１スキャン
できる構造である。
最初の１５秒において真空度が低下するが、その後は、
真空度が高くなる。この最初に悪くなる真空度に支配さ
れて注入電流値を設定するために、レジストマスクでは
低いビーム電流値を設定する必要が生じる。そのため、
ウェーハ処理枚数が、低下して、効率が低下してしまう
。
真空度が高くなる。この最初に悪くなる真空度に支配さ
れて注入電流値を設定するために、レジストマスクでは
低いビーム電流値を設定する必要が生じる。そのため、
ウェーハ処理枚数が、低下して、効率が低下してしまう
。
そこで本発明は、上記問題点に鑑み注入初期時のレジス
ト膜からのアウトガスに適した注入方法によりスルーブ
ツトの向上を図るものである。
ト膜からのアウトガスに適した注入方法によりスルーブ
ツトの向上を図るものである。
課題を解決するための手段
以上に示した欠点をなくすために、本発明では、イオン
注入開始時と、その後に注入電流値を可変することによ
り、真空度を良好に保ったまま、高い電流値で処理する
ことで、ウェーハ処理枚数の低下を防ぐことのできる方
法を提供するものである。
注入開始時と、その後に注入電流値を可変することによ
り、真空度を良好に保ったまま、高い電流値で処理する
ことで、ウェーハ処理枚数の低下を防ぐことのできる方
法を提供するものである。
作用
高電流イオン注入装置において、最初に低いビーム電流
値によって、少なくとも１回ウェーハの全面を照射した
のち、ビーム電流値を上昇させて注入することによりア
ウトガスを抑制し注入の精度向上をはかるとともに注入
処理時間を短縮できる。
値によって、少なくとも１回ウェーハの全面を照射した
のち、ビーム電流値を上昇させて注入することによりア
ウトガスを抑制し注入の精度向上をはかるとともに注入
処理時間を短縮できる。
実施例
本方法の一実施例について第１図を用いて説明を行なう
。用いたイオン注入装置は、６インチウェーハ８枚を平
面円板にはりつけたタイプのターゲートを９５３回転回
転化て回転し、直径方向へ約３０ｃｍ／分のスピードで
直線に走査するタイプのものを用いた。１往復を２スキ
ャンと表現する。最初の条件は、１スキャン目には１ｍ
Ａのイオンビーム電流にて注入し、２スキャン目から５
ｍＡでイオン注入した。第１図は、このときの真空容器
内の真空度の変化を示している。
。用いたイオン注入装置は、６インチウェーハ８枚を平
面円板にはりつけたタイプのターゲートを９５３回転回
転化て回転し、直径方向へ約３０ｃｍ／分のスピードで
直線に走査するタイプのものを用いた。１往復を２スキ
ャンと表現する。最初の条件は、１スキャン目には１ｍ
Ａのイオンビーム電流にて注入し、２スキャン目から５
ｍＡでイオン注入した。第１図は、このときの真空容器
内の真空度の変化を示している。
また、第２図には、１スキャン目を１ａＡ１２スキャン
目を２１Ａ１３スキャン目以降を５ｍＡで注入したとき
の真空度の変化を示している。
目を２１Ａ１３スキャン目以降を５ｍＡで注入したとき
の真空度の変化を示している。
さらに、第３図に示すグラフは、注入ビーム電流値を１
スキャン毎に得られる真空度によってビーム電流を変化
させる方法をとった場合の、注入電流の変化を示す。た
だし、最初の１回目のスキャンはｌａム、２回目のスキ
ャンは２ｍＡを選択して行ない。残りの注入電流を５
Ｘ １０−’ｔｏｒｒからの変化量に応じて次のスキャ
ン時におけるイオンビーム電流を設定した。
スキャン毎に得られる真空度によってビーム電流を変化
させる方法をとった場合の、注入電流の変化を示す。た
だし、最初の１回目のスキャンはｌａム、２回目のスキ
ャンは２ｍＡを選択して行ない。残りの注入電流を５
Ｘ １０−’ｔｏｒｒからの変化量に応じて次のスキャ
ン時におけるイオンビーム電流を設定した。
発明の効果
以上の実施例と、従来例によってドーズ量１×１０”ｃ
ｒ”注入したときの１バツチにかかる時間を以下に示す
。
ｒ”注入したときの１バツチにかかる時間を以下に示す
。
最初から終わりまで一定ビーム電流２ｍＡで注入すると
３０分かかる。第１図の実施例では、１２分で終了した
。第２図および第３図の実施例では、それぞれ、１２分
３０秒、８分で注入が終了できた。なお本発明の実施例
に用いたイオン注入装置は１．８枚バッチであるが、パ
ッチ数の増加に伴って、イオンビーム電流値は、増やす
ことができることは、当然である。
３０分かかる。第１図の実施例では、１２分で終了した
。第２図および第３図の実施例では、それぞれ、１２分
３０秒、８分で注入が終了できた。なお本発明の実施例
に用いたイオン注入装置は１．８枚バッチであるが、パ
ッチ数の増加に伴って、イオンビーム電流値は、増やす
ことができることは、当然である。
第１図〜第２図は、本発明の２つの実施例における、真
空容器内の真空度の時間変化を示す特性図、第３図は、
８つ目の実施例におけるイオンビーム電流の変化を示す
特性図、第４図は、従来の注入方法による真空容器内の
真空度の時間変化を示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ばか１名第 図 処 凶 圧入閏前蛎の蜀す噴（砂） 注入閑侑かう。網１１ｉ（イ少ン 娼 図 ニス間着妃の吟Ｉｌ／ｌ（矛わ 第 図 注スフ、闘封ｔＡ物居Ｓ絆聞咋υ
空容器内の真空度の時間変化を示す特性図、第３図は、
８つ目の実施例におけるイオンビーム電流の変化を示す
特性図、第４図は、従来の注入方法による真空容器内の
真空度の時間変化を示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ばか１名第 図 処 凶 圧入閏前蛎の蜀す噴（砂） 注入閑侑かう。網１１ｉ（イ少ン 娼 図 ニス間着妃の吟Ｉｌ／ｌ（矛わ 第 図 注スフ、闘封ｔＡ物居Ｓ絆聞咋υ
Claims (4)
- （１）有機薄膜を表面に有する基板にイオンビームを照
射する場合に、少なくとも二段階のイオンビーム電流、
一回目は、小さな電流値、二段階目以降は、一回目の電
流値に比べて、より大きな電流値にてイオンビーム照射
を行なうことを特徴とするイオン注入方法。 - （２）高電流イオン注入装置にてイオン注入する時に、
回転ウェーハ円板の最初の１スキャン分のみ少電流でイ
オン注入し、二回目のスキャン以降にては、１スキャン
目のイオン電流より大きな電流にてイオン注入すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のイオン注入
方法。 - （３）高電流イオン注入装置にてイオン注入する時に、
開始後より１スキャンごとにしだいに大きなビーム電流
へと、断続的に可変することを特徴とする特許請求の範
囲第２項に記載のイオン注入方法。 - （４）高電流イオン注入の際に、真空装置内部の真空度
に応じて１スキャンごとにイオンビームの電流値を変化
させることを特徴とするイオン注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2419289A JPH02203522A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | イオン注入方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2419289A JPH02203522A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | イオン注入方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02203522A true JPH02203522A (ja) | 1990-08-13 |
Family
ID=12131466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2419289A Pending JPH02203522A (ja) | 1989-02-02 | 1989-02-02 | イオン注入方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02203522A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001267266A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-09-28 | Axcelis Technologies Inc | プラズマイマージョンイオン注入処理の方法 |
| JP2012178571A (ja) * | 2004-05-24 | 2012-09-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates Inc | 安定かつ反復可能なプラズマイオン注入方法及び装置 |
-
1989
- 1989-02-02 JP JP2419289A patent/JPH02203522A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001267266A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-09-28 | Axcelis Technologies Inc | プラズマイマージョンイオン注入処理の方法 |
| JP2012178571A (ja) * | 2004-05-24 | 2012-09-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates Inc | 安定かつ反復可能なプラズマイオン注入方法及び装置 |
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