JPH0450745B2 - - Google Patents

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JPH0450745B2
JPH0450745B2 JP61087351A JP8735186A JPH0450745B2 JP H0450745 B2 JPH0450745 B2 JP H0450745B2 JP 61087351 A JP61087351 A JP 61087351A JP 8735186 A JP8735186 A JP 8735186A JP H0450745 B2 JPH0450745 B2 JP H0450745B2
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ito
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Tatsufumi Ogata
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、透明電極板から構成される表示パネ
ルなどへ駆動用半導体素子を直接実装する半導体
素子の電気的接続方法に関するものである。
従来の技術 透明電極（以下ITOという）が形成された２枚
のガラス板からなる表示パネル（例えば液晶パネ
ル）などに駆動用半導体素子（以下ICチツプと
いう）を実装する場合、従来はチツプに関しては
ハンダバンプを形成し、またITO電極上にはメタ
ライズをしなければならなかつた。つまり、これ
ら両者の電気的接続は、ICチツプのAl電極上に
設けられたハンダバンプとメタライズした金属と
のいわゆるバンダ付けによるものである。従つ
て、ITOのように金属酸化物導電膜上にはハンダ
付けできないため、ITO上にはハンダ付けを可能
とするためにクロム、金やニツケルなどによるメ
タライズ処理をしなければならないものである。
発明が解決しようとする問題点 このような従来の技術では、例えば表示パネル
の引き出し電極であるITO上へICチツを実装す
る時にはITOをメタライズする複雑かつ手間のか
かるプロセスが必要であり、製品のコストアツプ
という問題点があつた。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、例
えば表示パネルの引き出し電極であるITOをメタ
ライズ処理することなくICチツプを電気的に接
続し、安価な表示パネルモジユールなどを製作す
ることのできる半導体素子の電気的接続方法を提
供することを目的としている。
問題点を解決するための手段 本発明は前記問題点を解決するために、Al電
極上にAuバンプを形成した半導体素子と、この
半導体素子の電極位置と相対する位置に電極を有
する支持体間に、合成樹脂からなる結合剤に導電
性及びゴム弾性を有する粉体を分散させた異方性
導電接着剤層を挾み、前記半導体素子の裏面より
加圧、加熱し、前記支持体電極に前記半導体素子
のAuバンプを接続、固定することを特徴とする
ものである。
作 用 本発明は前記した構成からなり、異方性導電接
着剤層は、結合剤として熱可塑性樹脂などの合成
樹脂を用い、分散させる粉体（以下導電フイラー
という）として例えば導電性、弾力性を有するシ
リコンゴムを用いてなるものである。よつて、
ICチツプ裏面より加圧、加熱した時に導電フイ
ラーであるシリコンゴムは弾力性を有するため、
ICチツプのAuバンプと支持体電極との間をつぶ
れた状態で接続する。これにより導電フイラーの
粒径にバラツキがあつても前記シリコンゴムのつ
ぶれによつて粒径のバラツキを吸収することと接
触面積の増大を招き、導電フイラーを介してAu
バンプと電極とのより確実な接続が得られ、ITO
のメタライズ処理なしに電気的接続が得られるこ
ととなる。また、結合剤である樹脂は冷却される
と固着し、ICチツプを支持体に固定する役を果
たすものである。
実施例 第２図は本発明の一実施例に用いた異方性導電
接着剤層の断面図である。図において、１は熱可
塑性樹脂などの合成樹脂からなる結合剤、２は前
記結合剤１中に分散された導電性及びゴム弾性を
有する導電フイラー、３はポリエステルフイルム
である。この異方性導電接着剤の材料として以下
の配合で塗料化した。
熱可塑性樹脂…… 100重量部 〔東洋紡(株)製 バイロン〕 導電フイラー…… ６重量部 〔導電性を有するシリコンゴム（東芝シリ
コンXE21−301U）を凍結させ、粉砕させ
たものを使用〕 溶剤…… 150重量部 〔関東化学(株)製メチルエチルケトン〕 そして、前記それぞれの材料を配合して３本ロ
ールミルで24〜48時間混練し、離型処理を施した
ポリエステルフイルム上に30〜50μmの厚みにコ
ーテイングし、85℃で60分間予備乾燥させて第２
図に示すような異方性導電接着剤層４を作製し
た。一方、回路基板としてガラス板の片面にITO
をパターニングした液晶パネルを使用した。
第３図は前記液晶パネルへのICチツプの接続
方法を説明する図を示し、第１図はそのICチツ
プを液晶パネルのガラス板に接続した状態を示す
断面図である。
第２図、第３図において、５は回路基板として
用いられる液晶パネルであり、２枚のガラス板
（支持体）６の間に液晶層７が挾持されており、
かつガラス板６の片面にはITO８が形成されてい
る。また、９はICチツプであり、Al電極１０上
にAuバンプ１１が形成されている。このICチツ
プ９のAl電極１０と相対する位置に上記ガラス
板６のITO８は設けられている。上記ICチツプ
９にはSi3N4などの材料で絶縁膜層１２が形成さ
れている。なお、第３図で１３はICチツプ９の
裏面より加圧、加熱するためのヒータブロツクで
ある。
次に、その接続形態について説明する。まず、
液晶パネル５を構成するガラス板６上に形成した
ITO８上に異方性導電接着層４を仮止めし（この
時、ポリエステルフイルムを除去する）、その上
にAuバンプ１１を有するICチツプ９を載置する。
そして、ICチツプ９の裏面から温度160℃、圧力
30Kg／cm2、時間30秒で熱圧着をした。その結果、
導電フイラー２でシリコンゴムは弾力性を有する
ため、ICチツプ９のAuバンプ１１とガラス板６
のITO８との間をつぶれた状態で接続する。これ
により導電フイラー２を介してAuバンプ１１と
ITO８との電気的な接続が得られることになる。
また、結合剤１の樹脂は冷却されると固着し、
ICチツプ９のAuバンプ１１をガラス板６のITO
８に固定する。
このようにしてICチツプ９を、用意した液晶
パネル５のITO８上に実装し、液晶パネルモジユ
ールを完成させた。そして、この液晶パネルモジ
ユールに電気信号を加え、液晶パネル５の表示が
完全であることを確認した。
なお、ICチツプ９のAuバンプ１１と接続され
るガラス板６のITO８は、その上にNi，Auなど
の電極を蒸着などでも形成してもよく、さらには
ITO８に代えてNi，Auなどの電極を設けるよう
にしてもよいものである。
発明の効果 以上述べてきたように、本発明によれば、ゴム
弾性を有する導電フイラーを分散させた異方性導
電接着剤層を用いることで、ITOをメタライズ処
理することなくICチツプのAuバンプと支持体電
極との確実な接続が得られ、製品の低コスト化を
達成し得るものであり、実用的上きわめて有用な
ものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明における接続方法により液晶パ
ネルとICチツプとが接続された状態を示す要部
拡大断面図、第２図は本発明方法の一実施例に用
いた異方性導電接着剤層を示す拡大断面図、第３
図は本発明の接続方法を説明する説明図である。 １……結合剤、２……導電フイラー（粉体）、
３……ポリエステルフイルム、４……異方性導電
接着剤層、５……液晶パネル、６……ガラス板
（支持体）、７……液晶層、８……ITO（透明電極、
電極）、９……ICチツプ（半導体素子）、１０…
…Al電極、１１……Auバンプ、１２……絶縁膜
層、１３……ヒータブロツク。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ Al電極上にAuバンプを形成した半導体素子
    と、この半導体素子の電極位置と相対する位置に
    電極を有する支持体間に、合成樹脂からなる結合
    剤に導電性及びゴム弾性を有する粉体を分散させ
    た異方性導電接着剤層を挾み、前記半導体素子の
    裏面より加圧、加熱し、前記支持体電極に前記半
    導体素子のAuバンプを接続、固定することを特
    徴とする半導体素子の電気的接続方法。
JP8735186A 1986-04-16 1986-04-16 半導体素子の電気的接続方法 Granted JPS62244142A (ja)

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JP8735186A JPS62244142A (ja) 1986-04-16 1986-04-16 半導体素子の電気的接続方法

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JP8735186A JPS62244142A (ja) 1986-04-16 1986-04-16 半導体素子の電気的接続方法

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JPS62244142A JPS62244142A (ja) 1987-10-24
JPH0450745B2 true JPH0450745B2 (ja) 1992-08-17

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06103701B2 (ja) * 1988-03-11 1994-12-14 松下電器産業株式会社 半導体装置の実装体
JPH09297318A (ja) * 1996-03-06 1997-11-18 Seiko Epson Corp 液晶装置、液晶装置の製造方法および電子機器
JP3660175B2 (ja) * 1998-11-25 2005-06-15 セイコーエプソン株式会社 実装構造体及び液晶装置の製造方法
DE10066482B3 (de) 1999-10-13 2014-04-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen von elektronischen Bauteilen

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51100679A (ja) * 1975-03-03 1976-09-06 Suwa Seikosha Kk
JPS592179A (ja) * 1982-06-29 1984-01-07 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 公営競技場における投票処理装置
JPS60115678A (ja) * 1983-11-29 1985-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 異方導電性接着剤及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51100679A (ja) * 1975-03-03 1976-09-06 Suwa Seikosha Kk
JPS592179A (ja) * 1982-06-29 1984-01-07 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 公営競技場における投票処理装置
JPS60115678A (ja) * 1983-11-29 1985-06-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 異方導電性接着剤及びその製造方法

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