JPH0449647A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0449647A JPH0449647A JP16019790A JP16019790A JPH0449647A JP H0449647 A JPH0449647 A JP H0449647A JP 16019790 A JP16019790 A JP 16019790A JP 16019790 A JP16019790 A JP 16019790A JP H0449647 A JPH0449647 A JP H0449647A
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- Japan
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- lead
- rail
- package
- semiconductor device
- pellet
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- Pending
Links
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- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 12
- 239000008188 pellet Substances 0.000 abstract description 11
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に挿入実装型半導体装置
に関する。
に関する。
従来のこの種の挿入実装型半導体装置（ＤＩＲを代表と
する）は、個々に分離された半導体素子（以下ベレット
と称する）をベレ・ソト搭載部にグイボンディングし、
ベレット上の複数の端子とベレット周辺のパッケージ内
部にある内部リードとをワイヤーボンディングし、樹脂
等により封止し、外装処理後、第５図（ａ）、第５図（
ｂ）に示すように、前記ベレット搭載部を保持している
吊りリード１ｅをパッケージ３から突出しないように切
断し、またパッケージ３から水平に突出している複数の
外部リード２の先端をそれを保持している枠体から一定
の長さで切断し、パッケージ３の一方向へ、垂直に近い
角度で外部リード２が加工された構造になっているのが
一般的である３〔発明が解決しようとする課題〕 前述した従来のＤＩＲ−ＩＣは、その製造工程中の搬送
において、たとえばリード加工機や個別捺印機で外部リ
ード２を下向にし、その間に位置するレール上を滑走す
る場合があり、この際パッケージ３の樹脂に帯電した電
荷は外部リード２を通してのみしか接地出来ない構造に
なっているので、静電破壊に特に弱いＮサブの高耐圧品
（ＭＩＬ規格にて８００ｖ程度）等では接地を強化する
必要があり、外部リード２を全ビン短絡させる。
する）は、個々に分離された半導体素子（以下ベレット
と称する）をベレ・ソト搭載部にグイボンディングし、
ベレット上の複数の端子とベレット周辺のパッケージ内
部にある内部リードとをワイヤーボンディングし、樹脂
等により封止し、外装処理後、第５図（ａ）、第５図（
ｂ）に示すように、前記ベレット搭載部を保持している
吊りリード１ｅをパッケージ３から突出しないように切
断し、またパッケージ３から水平に突出している複数の
外部リード２の先端をそれを保持している枠体から一定
の長さで切断し、パッケージ３の一方向へ、垂直に近い
角度で外部リード２が加工された構造になっているのが
一般的である３〔発明が解決しようとする課題〕 前述した従来のＤＩＲ−ＩＣは、その製造工程中の搬送
において、たとえばリード加工機や個別捺印機で外部リ
ード２を下向にし、その間に位置するレール上を滑走す
る場合があり、この際パッケージ３の樹脂に帯電した電
荷は外部リード２を通してのみしか接地出来ない構造に
なっているので、静電破壊に特に弱いＮサブの高耐圧品
（ＭＩＬ規格にて８００ｖ程度）等では接地を強化する
必要があり、外部リード２を全ビン短絡させる。
この為、外部リード２の内側に接触する構造のレールを
使用しなければならず、それにより滑走停止が多発し、
調整工数の増加や、装置の稼働率の低下のみならず、リ
ード変形による歩留低下や修正工数の増加等を引きおこ
すという問題がある。
使用しなければならず、それにより滑走停止が多発し、
調整工数の増加や、装置の稼働率の低下のみならず、リ
ード変形による歩留低下や修正工数の増加等を引きおこ
すという問題がある。
またレール対策の代わりとして、イオナイザや除電ブラ
シ等による電荷の中和では、調整管理がかなり困難であ
り、その不具合等により、逆に帯電して静電破壊が発生
し、歩留を低下させる場合がある。これでは対策として
は不十分である。さらに、外部リード２を上向にしリー
ドがレールに接触しないようにして滑走させることも考
えられるが、捺印時にＩＣを反転する必要があり、その
反転機構追加による装置の価格アップや複雑化により保
守工数が増加し、さらに樹脂に帯電した電荷が捺印時に
放電する危険性や除電装置の必要性等を解決しなければ
ならないという問題かある。
シ等による電荷の中和では、調整管理がかなり困難であ
り、その不具合等により、逆に帯電して静電破壊が発生
し、歩留を低下させる場合がある。これでは対策として
は不十分である。さらに、外部リード２を上向にしリー
ドがレールに接触しないようにして滑走させることも考
えられるが、捺印時にＩＣを反転する必要があり、その
反転機構追加による装置の価格アップや複雑化により保
守工数が増加し、さらに樹脂に帯電した電荷が捺印時に
放電する危険性や除電装置の必要性等を解決しなければ
ならないという問題かある。
本発明の目的は、前記欠点を解決し、外部リード以外に
ペレット搭載部を保持している吊りリードからも、確実
に帯電した電荷を接地可能であるように、前記吊りリー
ドが種々の製造工程で帯電せず、すみやかに滑走し、搬
送されるようにした半導体装置を提供することにある。
ペレット搭載部を保持している吊りリードからも、確実
に帯電した電荷を接地可能であるように、前記吊りリー
ドが種々の製造工程で帯電せず、すみやかに滑走し、搬
送されるようにした半導体装置を提供することにある。
本発明の構成は、半導体素子搭載部を保持する吊りリー
ドと、外部リードとが、パッケージの側面から突出した
半導体装置において、前記半導体素子搭載部を保持する
吊りリードが、前記外部リードと同一方向に曲げられ、
さらに前記パッケージ下面あるいはその延長平面上に達
するように形成されていることを特徴とする。
ドと、外部リードとが、パッケージの側面から突出した
半導体装置において、前記半導体素子搭載部を保持する
吊りリードが、前記外部リードと同一方向に曲げられ、
さらに前記パッケージ下面あるいはその延長平面上に達
するように形成されていることを特徴とする。
次に本発明について図面を参照しながら説明する。第１
図（ａ）は本発明の第１の実施例の半導体装置の正面図
、第１図（ｂ）はその側面図である。
図（ａ）は本発明の第１の実施例の半導体装置の正面図
、第１図（ｂ）はその側面図である。
第１図（ａ）、（ｂ）において１本実施例の半導体装置
は、ＭＩＬ規格で５ｏｏｖ程度の高耐圧品種のベレット
の搭載部を保持する吊りリード１ａが、外部リード２と
同一方向へ樹脂１０に沿ってほぼ垂直に曲げられ、パッ
ケージ下面４と同一平面上に達する構造になっている。
は、ＭＩＬ規格で５ｏｏｖ程度の高耐圧品種のベレット
の搭載部を保持する吊りリード１ａが、外部リード２と
同一方向へ樹脂１０に沿ってほぼ垂直に曲げられ、パッ
ケージ下面４と同一平面上に達する構造になっている。
従って、下面４が製造工程でレール上を滑走する場合に
も、この吊りリード１ａがレールに接触するから帯電が
なく、しかも外部リード２が下向きであるからすみやか
に滑走する。
も、この吊りリード１ａがレールに接触するから帯電が
なく、しかも外部リード２が下向きであるからすみやか
に滑走する。
第２図は本発明の第２の実施例の半導体装置の側面図で
ある。
ある。
第２図において、本実施例は、ペレット搭載部を保持す
る吊りリードｌｂが、外部リード２と同一方向へ樹脂３
に沿って曲げられ、さらにパッケージ下面４に達する部
分でＪリードの形状に曲がったｍ造になっている。本実
施例は、前記第１の実施例に比べ、吊りリードｌｂ切断
長の精度が要求されず、工程管理が容易となり、またし
−ル上の滑走においても有利である。
る吊りリードｌｂが、外部リード２と同一方向へ樹脂３
に沿って曲げられ、さらにパッケージ下面４に達する部
分でＪリードの形状に曲がったｍ造になっている。本実
施例は、前記第１の実施例に比べ、吊りリードｌｂ切断
長の精度が要求されず、工程管理が容易となり、またし
−ル上の滑走においても有利である。
第３図は本発明の第３の実施例の半導体装置を示す側面
図である。第３図において、本実施例の半導体装置は、
吊りリードＩＣが７１！１１内を略直角に曲げられ、そ
の端部が下面と同一平面となっている。
図である。第３図において、本実施例の半導体装置は、
吊りリードＩＣが７１！１１内を略直角に曲げられ、そ
の端部が下面と同一平面となっている。
第４図は本発明の第４の実施例の半導体装置を示す側面
図である。第４図において、本実施例は、吊りリード１
ｄ７！７（Ｌ字状に曲げられており、下端面は下面４と
同一平面となるように曲げられている。
図である。第４図において、本実施例は、吊りリード１
ｄ７！７（Ｌ字状に曲げられており、下端面は下面４と
同一平面となるように曲げられている。
前記第１乃至第４の実施例においては、ペレット搭載部
へのダイボンディング方法（Ａｕ−３ｉ共晶、Ａｇペー
スト方式）が用いられているが、これに限定する必要は
なく、その他のいかなる方法、材料を適用してもよい。
へのダイボンディング方法（Ａｕ−３ｉ共晶、Ａｇペー
スト方式）が用いられているが、これに限定する必要は
なく、その他のいかなる方法、材料を適用してもよい。
以上説明したように、本発明は、ベレ・ソト搭載部を保
持する吊りリードをリード加工機や個別捺印機の滑走レ
ールに接触するように加工しているから、滑走レールを
外部リードの内側に接触させずに、樹脂に帯電した電荷
を接地させることが出来、この為、滑走停止等が無くな
り、調整工数削減や装置の稼働率が向上８来るという効
果がある。また、本発明は、外部リードがレールに接触
し、放電しても樹脂の帯電量が少ない為、従来発生して
いた静電破壊に起因すると考えられるリーク、ＬＦＴ等
の不良が約１〜２％が減少し、選別歩留が向上し、さら
に除電装置を使用する必要がなくなったことにより、そ
の管理工数の増加も防ぐことが出来るという効果がある
。
持する吊りリードをリード加工機や個別捺印機の滑走レ
ールに接触するように加工しているから、滑走レールを
外部リードの内側に接触させずに、樹脂に帯電した電荷
を接地させることが出来、この為、滑走停止等が無くな
り、調整工数削減や装置の稼働率が向上８来るという効
果がある。また、本発明は、外部リードがレールに接触
し、放電しても樹脂の帯電量が少ない為、従来発生して
いた静電破壊に起因すると考えられるリーク、ＬＦＴ等
の不良が約１〜２％が減少し、選別歩留が向上し、さら
に除電装置を使用する必要がなくなったことにより、そ
の管理工数の増加も防ぐことが出来るという効果がある
。
−ジ、４・・・パッケージ下面、１０・・・樹脂。
Claims (1)
- 半導体素子搭載部を保持する吊りリードと、外部リー
ドとが、パッケージの側面から突出した半導体装置にお
いて、前記半導体素子搭載部を保持する吊りリードが、
前記外部リードと同一方向に曲げられ、さらに前記パッ
ケージ下面あるいはその延長平面上に達するように形成
されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16019790A JPH0449647A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16019790A JPH0449647A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0449647A true JPH0449647A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15709909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16019790A Pending JPH0449647A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0449647A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6175150B1 (en) | 1997-04-17 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Plastic-encapsulated semiconductor device and fabrication method thereof |
| WO2016117015A1 (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-28 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
-
1990
- 1990-06-19 JP JP16019790A patent/JPH0449647A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6175150B1 (en) | 1997-04-17 | 2001-01-16 | Nec Corporation | Plastic-encapsulated semiconductor device and fabrication method thereof |
| KR100283299B1 (ko) * | 1997-04-17 | 2001-06-01 | 가네꼬 히사시 | 플라스틱캡슐화반도체장치및그의제조방법 |
| WO2016117015A1 (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-28 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
| JPWO2016117015A1 (ja) * | 2015-01-20 | 2017-05-18 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
| US10074585B2 (en) | 2015-01-20 | 2018-09-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Power module with dummy terminal structure |
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