JPH0448802A

JPH0448802A - 高周波回路モジュール

Info

Publication number: JPH0448802A
Application number: JP2158211A
Authority: JP
Inventors: Hideo Sugawara; 菅原　秀夫; Yasuyuki Kondo; 泰幸近藤; Kenichi Kudo; 憲一工藤
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1990-06-15
Filing date: 1990-06-15
Publication date: 1992-02-18

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［概　要］親回路基板に実装する高周波回路モジュールに関し、準マイクロ波帯にも使用出来る高周波回路モジュールを
提供することを目的とし、親回路基板に搭載する高周波回路モジュールであって、
部品を実装し高周波回路を構成するプリント板の一方の
面側に、複数の周縁に設ける接続端子と、接続高周波回
路の端の所定位置にインピーダンスを整合させた同軸型
接続端子とを、揃えて突出して植設するように、又、前
記同軸型接続端子が、セラミック材又はガラス材の円筒
形の本体と、本体の両端面を除き、外周及び内面に導体
層を被着させてなり、或いは又、中心軸に金属丸棒を貫
通させたセラミック材又はガラス材の円柱の本体と、本
体の両端面を除き外周に導体層を被着させてなり、夫々
の外周の導体層がプリント板及び親回路基板の高周波回
路の接地導体層と接続するように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、親回路基板に実装する高周波回路モジュール
に関する。

近年の高周波回路は、その高性能化及び高速化に伴って
、回路の動作周波数も従来のものに比べて大幅に高周波
化され、最早集中定数を用いた設計法では対処出来なく
なり、分布定数回路の設計手法も考慮しなければならな
くなって来ている。

〔従来の技術〕

第５図に従来の一例の高周波回路モジュールを示す。

従来の一例の高周波回路モジュールは、第５図に示す如
く、プリント板２５に部品３が実装されて高周波回路が
構成されており、周縁の対向二辺に外部接続用の接続端
子４が同面側に折曲されて並設しである。

この接続端子４は、接続回路により区別することなく、
同一形状寸法のものを用い、要求によりリード挿入型（
Ｄ　Ｉ　Ｐ等）或いは表面実装型（ＳＯＦ、ＱＦＰ等）
の端子形状としていた。

この従来例は、親回路基板に対して平面的に実装するモ
ジュールであったが、この他に図示省略するが、小形軽
量で接続端子数が少ない回路では、−列にのみ接続端子
を設け、親回路基板に垂設する形状のモジュールもある
。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、 ■　高周波の回路になるに従って親回路基板との接続条
件、接地条件により特性が影響を受ける。

■　特に、準マイクロ波帯（ｌＧＨｚ〜２ＧＨｚ程度）
以上の高周波回路では、現状の接続端子では回路の性能
を十分に活用することが不可能となる。

等の問題点がある。

本発明は、かかる問題点に鑑みて、準マイクロ波帯にも
使用出来る高周波回路モジュールを提供することを目的
とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、第１図（ａＪに本発明の原理説明図の高周
波回路モジュール、同図ら）及び同図（Ｃ）の同同軸型
接続端子断面図に示す如く、［１］親回路基板９に搭載する高周波回路モジュールエ
であって、部品３を実装し高周波回路を構成するプリン
ト板２の一方の面側に、複数の周縁に設ける接続端子４
と、接続高周波回路の端の所定位置にインピーダンスを
整合させた同軸型接続端子５とを、揃えて突出して植設
した、本発明の高周波回路モジュールにより達成される
。

［２１又、前記同軸型接続端子５１が、セラミック材又
はガラス材の円筒形の本体５３と、本体５３０両端面を
除き、外周及び内面に導体層５５を被着させてなり、外
周の導体層５５がプリント板２及び親回路基板９の高周
波回路の接地導体層２２．９２と接続する、本発明の高
周波回路モジュールによっても適えられる。

［３１更に又、前記同軸型接続端子５２が、中心軸に金
属丸棒５６を貫通させたセラミック材又はガラス材の円
柱の本体５４と、本体５４０両端面を除き外周に導体層
５５を被着させてなり、外周の導体層５５がプリント板
２及び親回路基Ｆｉ、９の高周波回路の接地導体層２２
．９２と接続する、本発明の高周波回路モジュールによ
っても達成される。

〔作　用〕

即ち図（ａ）に示すように、接続高周波回路でインピー
ダンス整合が必要となる接続端子には、同軸型接続端子
５が使用されるので、準マイクロ波帯以上の高周波回路
モジュールも性能を低下させることなく充分に実現出来
る。

この同軸型接続端子は、図（ｂ）のように、内部導体を
中空孔で形成した同軸型接続端子５１と、図（Ｃ）のよ
うに、本体５４の中心に貫通させた金属丸棒５６を内部
導体とした同軸型接続端子５２とがある、親回路基板９
に対して表面実装型モジュールの場合は同軸型接続端子
５１が適し、端子挿入型モジュールには同軸型接続端子
５２の使用が適する。

プリント板２への植設は、何れも、外周の導体層５５を
高周波回路の接地導体層２２に、内部の導体層５５又は
金属丸棒５６を接続高周波回路の回路導体２１に夫々半
田付接続して固定出来る。

かような高周波回路モジュール１を、親回路基板９に対
しても同様に、接地導体層９２及び回路導体９１に半田
付接続される。

かくして、準マイクロ波帯にも使用出来る高周波回路モ
ジュールを提供することが可能となる。

〔実施例］以下図面に示す実施例によって本発明を具体的に説明す
る。全図を通し同一符号は同一対象物を示す。第２図（
ａ）に本発明の第一実施例の構成図、同図（ロ）に同軸
型接続端子の植設断面図、第３図（ａ）に本発明の第二
実施例の構成図、同図（ｂ）に同同軸型接続端子の植設
断面図、第４図に本発明の他の実施例の同軸型接続端子
の植設断面図を示す。

本実施例は何れも準マイクロ波帯の回路に使用し、別に
表面に部品実装を行い回路構成している親回路基板９の
上に、二階性ての如く実装する高周波回路モジュールで
、親回路基板９と接続する高周波回路の特性インピーダ
ンスは５０Ωとしである。

第一実施例の高周波回路モジュールは、第２図（ａ）に
示す如く、上面に回路導体２１をパターン形成し、下面
は全面を導体として接地導体層２２を形成し、上面に部
品３を実装した両面導体層のセラミック基材の矩形のプ
リント板２に回路構成し、金属薄板を成形した接続端子
４が対向二辺に２．５■ピツチに並設してあり、プリン
ト板２の機縁を挾み回路導体２１及び接地導体層２２と
接続固着しである。

この接続端子４では、接続部分を除いた長さが３ｙｍ以
上となるとインダクタンス成分が強く効いてくる。通常
は、下の親回路基板９に部品３が実装しである二階性て
実装となるので、この長さは４１Ｗ以上となり、このま
までは使用出来なくなる。

従って、高周波の入出力回路の接続端子には同軸型接続
端子５１が使用しである。

同軸型接続端子５１は、セラミック材の円筒の本体５３
で、特性インピーダンス５０Ωでは中心孔は０゜５ｍｍ
、外径が１．５ｍｍ、長さが５ｍあり、両端面を除き、
外周と内面はメタライズし更に全鍍金して導体層５５を
形成しである。

この同軸セラミック端子５１の取付は、同図ら）に示す
如くで、プリント板２には、接続する回路導体２１の端
に孔径０．５ｍｍのスルーホール２６が設けてあり、更
に、下面側から浅く同心に座ぐりが行われている。

この座ぐり位置に同心に同軸型接続端子５１を接着材で
仮密着し、外周の導体層５５と接地導体層２２とを全周
にわたり、又、内面の導体層５５とスルーホール２６と
を夫々半田付接続して密着固定させる。

この時、接着材が半田付部分に入り込まないように注意
が肝要であり、半田付は実装する部品３のリフロー半田
付と一緒に行われる。

親回路基Ｆｊ、９との接続は、親回路基板９には表面に
接地導体層９２と、回路導体９１につながり内部が導体
で埋められたビア９３又はスルーホールが接続位置に設
けられ、ペースト半田が塗布されてから、高周波回路モ
ジュール１を搭載し、その同軸型接続端子５１の各導体
層５５が接地導体層９２及びビア９３に当接して置かれ
、リフロー半田付により接続固定される。

第二実施例の高周波回路モジュールは、第３図（ａ）に
示す如く、上下両面に回路導体２１をパターン形成し、
内層面の全面を導体として接地導体層２２を形成し、上
下両面に部品３を実装した３層構成導体層のセラミック
基材の矩形のプリント板２３に回路構成し、周縁に同様
に接続端子４が並設しである。

同様のセラミック材円筒からなる同軸型接続端子５１は
、長さのみ７閣と長くしである。

この同軸型接続端子５１の取付は、同図（ロ）に示す如
くで、プリント板２３には、必ず接続する上面の回路導
体２１の端にスルーホール２６が設けられ、更に、下面
側から内層の接地導体層２２に至る同心に座ぐりが形成
され、接地導体層２２を環状に露出させている。

この座ぐり位置に同心に同軸型接続端子５１を、外周の
導体層５５と接地導体層２２とを全周にわたり、又、内
面の導体層５５とスルーホール２６とを夫々半田付接続
して密着固定させる。

この時、下面に構成された高周波回路は直接に同軸型接
続端子５１とは接続出来ず、スルーホールで上面に回路
導体２１を移してから同様に接続が行われる。

この高周波回路モジュールの親回路基板への実装は、全
く同一に行われる。

以上は何れも同軸型接続端子５１が円筒形の本体５３で
あったが、他の実施例として同軸型接続端子５２は、第
４図に示す如く、金属丸棒５６を中心軸に貫通させた円
柱状セラミック材の本体５４で、外周をメタライズして
導体層５５を形成したものである。

本例のプリント板は、第一実施例と同じで、上面に回路
パターンを形成し、下面を全面接地導体層２２としたプ
リント板２を使用した。

このプリント板２の同軸型接続端子５２の接続位置には
、上面の回路導体２１の端部に金属丸棒５６を通す接続
孔２７があき、下面の接地導体層２２には同心に本体５
４の外径と同径に導体が除去しである。

同軸型接続端子５２は図示のように、金属丸棒５６の一
端を接続孔２７に挿入し、本体５４の端面を密着させて
、先端を回路導体２１に半田付し、更に、外周の導体層
５５を全周を囲む下面側の接地導体層２２に半田付して
接続固定する。

親回路基板９との接続は、親回路基板９には表面に接地
導体層９２と、回路導体９１につながるスルーホール９
４が接続位置に設けられ、同軸型接続端子５２の金属丸
棒５６をスルーホール９４に挿入し、本体５４の端面を
密着させて、先端を回路導体９１に半田付し、更に、外
周の導体層５５を全周を囲む接地導体層９２に半田付し
て接続する。

上記の各実施例において、各部の形状、寸法、材料は上
記のものに限定するものではない。

例えば、接続端子１の特性インピーダンスを回路に合わ
せて別の値に設定しても差支えなく、この場合は付随し
て同軸型接続端子５１．５２の寸法が変わり、本体体５
３．５４の材質で誘電率が変わっても寸法は変わる。更
に、製造上から全体の大きさを大又は小に相似的に変え
ることもできる。

又、同軸型接続端子５１のプリント板２への取付時に設
ける座ぐりは作業に熟れれば無くしても差支えない。

〔発明の効果〕

以上の如く、本発明により、従来適用出来なかった準マ
イクロ波帯の高周波回路モジュールを実現させることが
出来、更に、基板への立体的実装が可能となり、実装の
高密度化、装置の小形化、経済性に大いに寄与すること
が出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理説明図、第２図は本発明の第一実施例、第３図は本発明の第二実施例、第４図は本発明の他の実施例の同軸型接続端子の植設断
面図、第５図は従来の一例の高周波回路モジュールである。図において、ｌは高周波回路モジュール、３は部品、２．２３．２５
はプリント板、　　２１　、９１は回路導体、５．５１
．５２は同軸型接続端子、９は親回路基板、４は接続端
子、　　　　　　２２．９２は接地導体層、２６．９４
はスルーホール、　　２７は接続孔、５３．５４は本体
、　　　　　　５５は導体層、窮蕪（ａ）構仄同（１））Ｍ軸型ヰｒ１子の植設断面図本年明の躬−実施汐・１摘２図従来の一例の高ｍ浪回話ｔ５’ニール妃５図世

Claims

【特許請求の範囲】［１］親回路基板（９）に搭載する高周波回路モジュー
ル（１）であって、部品（３）を実装し高周波回路を構成するプリント板（
２）の一方の面側に、複数の周縁に設ける接続端子（４
）と、接続高周波回路の端の所定位置にインピーダンス
を整合させた同軸型接続端子（５）とを、揃えて突出し
て植設したことを特徴とする高周波回路モジュール。［２］請求項［１］記載の同軸型接続端子（５１）が、
セラミック材又はガラス材の円筒形の本体（５３）と、
該本体（５３）の両端面を除き、外周及び内面に導体層
（５５）を被着させてなり、外周の導体層（５５）がプリント板（２）及び親回路基
板（９）の高周波回路の接地導体層（２２）（９２）と
接続することを特徴とする高周波回路モジュール。［３］請求項［１］記載の同軸型接続端子（５２）が、
中心軸に金属丸棒（５６）を貫通させたセラミック材又
はガラス材の円柱の本体（５４）と、該本体（５４）の
両端面を除き外周に導体層（５５）を被着させてなり、外周の導体層（５５）がプリント板（２）及び親回路基
板（９）の高周波回路の接地導体層（２２）（９２）と
接続することを特徴とする高周波回路モジュール。