JPH0448639A - 半導体製造装置及び製造方法 - Google Patents
半導体製造装置及び製造方法Info
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- JPH0448639A JPH0448639A JP2155781A JP15578190A JPH0448639A JP H0448639 A JPH0448639 A JP H0448639A JP 2155781 A JP2155781 A JP 2155781A JP 15578190 A JP15578190 A JP 15578190A JP H0448639 A JPH0448639 A JP H0448639A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
・［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、金型を使用して、特にシグマベベル構造又は
テーバ構造を有するウェーハの外周にレジン成形する際
の半導体製造装置及び製造方法に関する。
テーバ構造を有するウェーハの外周にレジン成形する際
の半導体製造装置及び製造方法に関する。
（従来の技術）
半導体装置、例えば整流素子の加工工程において、ウェ
ーハの外周にレジン成形する方法としては、例えば特開
昭６３−１４１３７０公報に記載されたものがあるが、
近年、特に成形後の形状を後工程の組立の位置決めに使
用する目的のため、金型を用いてウェー／＼の外周にレ
ジン成形する半導体製造装置及びレジン成形方法が提案
されている。
ーハの外周にレジン成形する方法としては、例えば特開
昭６３−１４１３７０公報に記載されたものがあるが、
近年、特に成形後の形状を後工程の組立の位置決めに使
用する目的のため、金型を用いてウェー／＼の外周にレ
ジン成形する半導体製造装置及びレジン成形方法が提案
されている。
以下、従来の金型を用いてウエーノ１の外周にレジン成
形する半導体製造装置及びレジン成形方法について説明
する。ここで、第８図は加工工程途上の半導体部品を、
第９図は従来の半導体製造装置を、第１０図はウェー／
Ｘの位置出しゲージをそれぞれ示している。
形する半導体製造装置及びレジン成形方法について説明
する。ここで、第８図は加工工程途上の半導体部品を、
第９図は従来の半導体製造装置を、第１０図はウェー／
Ｘの位置出しゲージをそれぞれ示している。
即ち、従来の半導体製造装置は、第９図に示すように、
成形ユニット １、レジン（樹脂）注入ユニット ２、
及び架台３内に設けられた制御二ニット ４から構成さ
れている。成形ユニット ｌは、成形の型となる垂直方
向で向き合った上型５及び下型６を有している。上型５
及び下型６からなる金型は、成形時にレジンを固化する
ために一定の温度に管理されている。
成形ユニット １、レジン（樹脂）注入ユニット ２、
及び架台３内に設けられた制御二ニット ４から構成さ
れている。成形ユニット ｌは、成形の型となる垂直方
向で向き合った上型５及び下型６を有している。上型５
及び下型６からなる金型は、成形時にレジンを固化する
ために一定の温度に管理されている。
このような装置において、ウェーハ７が下型６上に載置
されると、制御ユニット ４による管理のもとで、上型
５が固定された下型６まで移動し、型締めが行われる。
されると、制御ユニット ４による管理のもとで、上型
５が固定された下型６まで移動し、型締めが行われる。
この時、ウェーハ７の外周部には、レジンが注入される
リング状の隙間ができている。その型締め後、レジン注
入ユニット ２が成形ユニット １方向へ前進し、その
先端の吐出しノズル８が金型に突き当たる。この後、吐
出しノズル８からはレジンが流出され、このレジンは、
金型に設けられた注入口（図示せず）を通して、金型内
のキャビティ部に充填される。充填されたレジンが固化
した後、ウェーハ７を下型６から取り出す。この結果、
第８図に示すように、リング状のレジン ９がウェーハ
７の外周に形成される。
リング状の隙間ができている。その型締め後、レジン注
入ユニット ２が成形ユニット １方向へ前進し、その
先端の吐出しノズル８が金型に突き当たる。この後、吐
出しノズル８からはレジンが流出され、このレジンは、
金型に設けられた注入口（図示せず）を通して、金型内
のキャビティ部に充填される。充填されたレジンが固化
した後、ウェーハ７を下型６から取り出す。この結果、
第８図に示すように、リング状のレジン ９がウェーハ
７の外周に形成される。
ところで、このようにして成形されたレジン９は、ウェ
ーハ７が半導体装置に組み込まれた状態で特性的には絶
縁体や保護膜として利用されるものであるが、ウェーハ
７の縁部とレジン９の外周側面との幅Ｈが狭い場合には
、絶縁不良が発生しがちである。従って、ウェーハ７の
中心と、リング状に成形されるレジン９の中心との位置
ずれが起こると、その幅Ｈが極端に狭くなる部分が生ず
ることも考えられるため、重要な問題である。
ーハ７が半導体装置に組み込まれた状態で特性的には絶
縁体や保護膜として利用されるものであるが、ウェーハ
７の縁部とレジン９の外周側面との幅Ｈが狭い場合には
、絶縁不良が発生しがちである。従って、ウェーハ７の
中心と、リング状に成形されるレジン９の中心との位置
ずれが起こると、その幅Ｈが極端に狭くなる部分が生ず
ることも考えられるため、重要な問題である。
つまり、ウェーハ７の中心と、リング状に成形されるレ
ジン９の中心とを正確に一致させることが要求されてく
る。
ジン９の中心とを正確に一致させることが要求されてく
る。
そこで、従来は、第１０図に示すような位置出しゲージ
１０を用いている。即ち、位置出しゲージｌＯは、円形
状に形成されており、その外周が下型６の外周と、その
内周がウェーハ７の外周と同等となるように構成されて
いる。従って、このような位置出しゲージ１０内にウェ
ーハ７をビンセット（図示せず）等で装填すると、ウェ
ーハ７の中心と位置出しゲージｌＯの中心とが合致する
。ここで、内径が位置出しゲージ１０の外径と同等のガ
イド１１を有する真空チャック１２を、位置出しゲージ
１０に嵌合させる。そして、真空力を利用してつニーハ
フを真空チャック１２に吸着させた後、位置出しゲージ
１０から取り外し、下型６上に移動させて、さらに下型
６に嵌合させる。この後、真空チャック１２の吸着を解
除すると、ウェーハ７が下型６の所定位置に載置される
。即ち、これによってつニーハフの中心（特定点）が下
型６の中心（特定点）に合致して載置されたことになる
。
１０を用いている。即ち、位置出しゲージｌＯは、円形
状に形成されており、その外周が下型６の外周と、その
内周がウェーハ７の外周と同等となるように構成されて
いる。従って、このような位置出しゲージ１０内にウェ
ーハ７をビンセット（図示せず）等で装填すると、ウェ
ーハ７の中心と位置出しゲージｌＯの中心とが合致する
。ここで、内径が位置出しゲージ１０の外径と同等のガ
イド１１を有する真空チャック１２を、位置出しゲージ
１０に嵌合させる。そして、真空力を利用してつニーハ
フを真空チャック１２に吸着させた後、位置出しゲージ
１０から取り外し、下型６上に移動させて、さらに下型
６に嵌合させる。この後、真空チャック１２の吸着を解
除すると、ウェーハ７が下型６の所定位置に載置される
。即ち、これによってつニーハフの中心（特定点）が下
型６の中心（特定点）に合致して載置されたことになる
。
しかしながら、このようにウェーハ７をハンドリングす
る方法は、作業者の手によって行われ、又レジン成形後
のウェーハ７の取出しも、同様に作業者の手によって行
われていた。即ち、従来のレジン成形については、成形
型にウェーハ７を載置する工程が真空チャック１２を用
いて作業者の手によって行われていたため、作業者は、
ウェーハ７の脱着の際に発生し易いウェーハ破損を防ぐ
のに慎重となり、この工程に時間を要するという欠点が
あった。なお、位置出しゲージ１０は、前述したように
、ウェーハ７外周を基準としているが、実際には、同径
のウェーハ７と考えられるものであっても直径に必ず公
差を有している。このため、たとえ位置出しゲージ１０
を用いたとしても、ウェーハ７を下型６に載置する際に
は、前記公差によってウェーハ７の中心と下型６の中心
とがずれてしまうことがある。従って、ウェーハ７の中
心を基準としたレジンパターンに対する精度が出難く、
作業者によって異なる品質差を管理することは非常に困
難である。
る方法は、作業者の手によって行われ、又レジン成形後
のウェーハ７の取出しも、同様に作業者の手によって行
われていた。即ち、従来のレジン成形については、成形
型にウェーハ７を載置する工程が真空チャック１２を用
いて作業者の手によって行われていたため、作業者は、
ウェーハ７の脱着の際に発生し易いウェーハ破損を防ぐ
のに慎重となり、この工程に時間を要するという欠点が
あった。なお、位置出しゲージ１０は、前述したように
、ウェーハ７外周を基準としているが、実際には、同径
のウェーハ７と考えられるものであっても直径に必ず公
差を有している。このため、たとえ位置出しゲージ１０
を用いたとしても、ウェーハ７を下型６に載置する際に
は、前記公差によってウェーハ７の中心と下型６の中心
とがずれてしまうことがある。従って、ウェーハ７の中
心を基準としたレジンパターンに対する精度が出難く、
作業者によって異なる品質差を管理することは非常に困
難である。
また、レジン成形後のウェーハ７の取出しについても、
第１０図に示すような真空チャック１２を使用している
が、成形に使用されるレジンは、高接着性を有する材料
である。このため、上型５及び下型６にレジンが接着し
難い材料を使っても、真空力のみではウェーハ７の離型
が円滑に行われない欠点があった。さらに、真空チャッ
ク１２での人手によるウェーハ７の取出し作業では、上
述の離型性の問題に加え、ウェーハ７を取出す際に発生
し易いウェーハ破損を防ぐのに慎重となり、この工程に
時間を要し、生産性を低下させていた。
第１０図に示すような真空チャック１２を使用している
が、成形に使用されるレジンは、高接着性を有する材料
である。このため、上型５及び下型６にレジンが接着し
難い材料を使っても、真空力のみではウェーハ７の離型
が円滑に行われない欠点があった。さらに、真空チャッ
ク１２での人手によるウェーハ７の取出し作業では、上
述の離型性の問題に加え、ウェーハ７を取出す際に発生
し易いウェーハ破損を防ぐのに慎重となり、この工程に
時間を要し、生産性を低下させていた。
また、ウェーハ７の取出しミスによる破損を生じること
もあり、歩留りを低下させていた。さらには、無理な取
出しが、ウェーハ７内部にマイクロクラックを生ぜしめ
、このため半導体装置の品質、信頼性に悪影響を及ぼす
欠点があった。
もあり、歩留りを低下させていた。さらには、無理な取
出しが、ウェーハ７内部にマイクロクラックを生ぜしめ
、このため半導体装置の品質、信頼性に悪影響を及ぼす
欠点があった。
なお、レジン成形後の離型時に、ウェーハ７の下面をピ
ンにより機械的に突き上げる方法もあるが、この方法は
、ウェーハ７にかかる突上げ荷重でウェーハ７に破損を
生じ易いという欠点がある。また、レジンは軟弱なため
に、この部分をビンにより突き上げることはできない。
ンにより機械的に突き上げる方法もあるが、この方法は
、ウェーハ７にかかる突上げ荷重でウェーハ７に破損を
生じ易いという欠点がある。また、レジンは軟弱なため
に、この部分をビンにより突き上げることはできない。
（発明が解決しようとする課題）
このように、従来は、ウェーハを下型に載置する際の工
程に時間を要するという欠点があった。
程に時間を要するという欠点があった。
また、ウェーハの中心を基準としたレジンパターンに対
する精度が出難いという欠点があった。さらに、成形に
使用されるレジンが高接着性を有する材料であるために
、金型からのＭ型が円滑に行われず、工程に時間を要し
、取出しミスによる破損を生じるという欠点があった。
する精度が出難いという欠点があった。さらに、成形に
使用されるレジンが高接着性を有する材料であるために
、金型からのＭ型が円滑に行われず、工程に時間を要し
、取出しミスによる破損を生じるという欠点があった。
一方、つ１−ハの下面を機械的に突き上げる方法では、
その突上げ荷重によりウェーハに破損を生じ易いという
欠点があった。
その突上げ荷重によりウェーハに破損を生じ易いという
欠点があった。
本発明は、上記欠点を解決すべくなされたものであり、
従来のウェーノ１外周を基準とする機械的位置出しから
自動位置出しへの変更が可能であり、かつ、搬送の自動
化による歩留り及び生産性の向上が可能であること、並
びにレジン成形品を金型から円滑に取ａすことにより、
歩留り及び生産性の向上を達成できることが可能な半導
体製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
従来のウェーノ１外周を基準とする機械的位置出しから
自動位置出しへの変更が可能であり、かつ、搬送の自動
化による歩留り及び生産性の向上が可能であること、並
びにレジン成形品を金型から円滑に取ａすことにより、
歩留り及び生産性の向上を達成できることが可能な半導
体製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために、本発明の半導体製造装置は
、複数枚の試料が配置される供給手段と、レジン成形前
の試料の特定点を検出し位置補正する位置合せ手段と、
前記位置補正された試料が所定位置に配置された後、前
記試料の外周にレジン成形を行う成形手段と、前記成形
手段にレジンを供給する注入手段と、複数枚の試料が収
納される収納手段と、前記供給手段と前記位置合せ手段
との間において、前記位置合せ手段と前記成形手段との
間において、及び前記成形手段と前記収納手段との間に
おいてそれぞれ試料の搬送を行うための搬送手段と、前
記供給手段、前記位置合せ手段、前記成形手段、前記注
入手段、前記収納手段、及び前記搬送手段のそれぞれの
動作を制御する制御手段とを有する。
、複数枚の試料が配置される供給手段と、レジン成形前
の試料の特定点を検出し位置補正する位置合せ手段と、
前記位置補正された試料が所定位置に配置された後、前
記試料の外周にレジン成形を行う成形手段と、前記成形
手段にレジンを供給する注入手段と、複数枚の試料が収
納される収納手段と、前記供給手段と前記位置合せ手段
との間において、前記位置合せ手段と前記成形手段との
間において、及び前記成形手段と前記収納手段との間に
おいてそれぞれ試料の搬送を行うための搬送手段と、前
記供給手段、前記位置合せ手段、前記成形手段、前記注
入手段、前記収納手段、及び前記搬送手段のそれぞれの
動作を制御する制御手段とを有する。
また、前記成形手段は、試料の外周にレジン成形するだ
めの金型を有しており、その金型には、この金型から成
形後の試料を離脱させるための高圧空気を噴出する噴出
管が設けられている。
めの金型を有しており、その金型には、この金型から成
形後の試料を離脱させるための高圧空気を噴出する噴出
管が設けられている。
本発明の半導体製造方法は、金型によって試料の外周に
レジン成形を行った後、前記試料の一面に高圧空気を噴
出することにより前記試料を前記金型から離脱させ、か
つ、この離脱した試料を保持手段によって前記金型から
取り出すというものである。
レジン成形を行った後、前記試料の一面に高圧空気を噴
出することにより前記試料を前記金型から離脱させ、か
つ、この離脱した試料を保持手段によって前記金型から
取り出すというものである。
（作用）
このような構成によれば、位置合せ手段により試料の特
定点を検出することができる。このため、ウェーハが個
々に有する直径の公差に起因した成形品の外形上の位置
ずれが防止できる。また、個々の装置の動作を制御手段
により制御することにより、製造装置の自動化を達成し
たため、作業者に掛かる負担が軽減でき、歩留り及び生
産量を向上させることができる。
定点を検出することができる。このため、ウェーハが個
々に有する直径の公差に起因した成形品の外形上の位置
ずれが防止できる。また、個々の装置の動作を制御手段
により制御することにより、製造装置の自動化を達成し
たため、作業者に掛かる負担が軽減でき、歩留り及び生
産量を向上させることができる。
また、レジン成形品の取り出しに高圧空気を使用するた
め、従来のような人手により真空チャック等で取り出す
場合に比べて、レジン成形品を金型から円滑に取出すこ
とができ、生産性、歩留り率、品質の信頼性等の向上が
図れる。
め、従来のような人手により真空チャック等で取り出す
場合に比べて、レジン成形品を金型から円滑に取出すこ
とができ、生産性、歩留り率、品質の信頼性等の向上が
図れる。
（実施例）
以下、図面を参照しながら本発明の一実施例ついて詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体製造装置の制
御ブロック図を、第２図は本発明の一実施例に係わる半
導体製造装置の平面図を、第３図は本発明の一実施例に
係わる半導体製造装置の正面図を、第４図は本発明の一
実施例に係わる半導体製造装置の側面図をそれぞれ示し
ている。
御ブロック図を、第２図は本発明の一実施例に係わる半
導体製造装置の平面図を、第３図は本発明の一実施例に
係わる半導体製造装置の正面図を、第４図は本発明の一
実施例に係わる半導体製造装置の側面図をそれぞれ示し
ている。
架台１１上には、ウェーハ供給ユニット（供給手段）１
２、ウェーハ搬送ユニット（搬送手段）１３、位置合せ
ユニット（位置合せ手段） １４、成形ユニット（成形
手段）１５、レジン注入ユニット（注入手段）１Ｂ、及
びウェーハ収納ユニット（収納手段）１７が所定の位置
に配置されている。また、これらユニット１２〜１７は
、制御ユニット（制御手段）１８によりその動作が制御
されている。
２、ウェーハ搬送ユニット（搬送手段）１３、位置合せ
ユニット（位置合せ手段） １４、成形ユニット（成形
手段）１５、レジン注入ユニット（注入手段）１Ｂ、及
びウェーハ収納ユニット（収納手段）１７が所定の位置
に配置されている。また、これらユニット１２〜１７は
、制御ユニット（制御手段）１８によりその動作が制御
されている。
ウェーハ供給ユニット１２には、Ｙ方向に移動可能なス
テージ１２ａが設けられており、このステージ １２ａ
上にはトレーが配置される。前記トレー上には、成形前
の複数枚のウェーハが等間隔となるように載置されてい
る。ウェーハ搬送ユニット１３の先端には、真空チャッ
ク １３ａ〜１３ｃが付加されており、これら真空チャ
ック １３ａ〜１３ｃは、Ｘ方向に連動して動作するよ
うになっている。位置合せユニット１４は、Ｘテーブル
駆動部１４ａ及びＹテーブル駆動部１４ｂを有するＸＹ
テーブル１４ｃ。
テージ１２ａが設けられており、このステージ １２ａ
上にはトレーが配置される。前記トレー上には、成形前
の複数枚のウェーハが等間隔となるように載置されてい
る。ウェーハ搬送ユニット１３の先端には、真空チャッ
ク １３ａ〜１３ｃが付加されており、これら真空チャ
ック １３ａ〜１３ｃは、Ｘ方向に連動して動作するよ
うになっている。位置合せユニット１４は、Ｘテーブル
駆動部１４ａ及びＹテーブル駆動部１４ｂを有するＸＹ
テーブル１４ｃ。
並びにテレビカメラ １４ｄ及びテレビカメラ １４ｄ
からの情報を映し出すモニタテレビ１４ｅから構成され
ている。成形ユニット１５は、型開閉機構及び温度制御
機構を有する金型から構成されている。樹脂注入ユニッ
ト１６は、樹脂を注入するだめの注入ノズルｌｅａ、並
びにエア抜き及び余分な樹脂を回収するための回収ノズ
ル１６ｂを有している。ウェーハ収納ユニット１７には
、Ｙ方向に移動可能なステージ１７ａが設けられており
、このステージ１２ａ上にはトレーが配置される。前記
トレー上には、成形後の複数枚のウェーハが等間隔で収
納される。
からの情報を映し出すモニタテレビ１４ｅから構成され
ている。成形ユニット１５は、型開閉機構及び温度制御
機構を有する金型から構成されている。樹脂注入ユニッ
ト１６は、樹脂を注入するだめの注入ノズルｌｅａ、並
びにエア抜き及び余分な樹脂を回収するための回収ノズ
ル１６ｂを有している。ウェーハ収納ユニット１７には
、Ｙ方向に移動可能なステージ１７ａが設けられており
、このステージ１２ａ上にはトレーが配置される。前記
トレー上には、成形後の複数枚のウェーハが等間隔で収
納される。
次に、第５図を参照しながら、各ウェーハの処理工程Ｐ
１〜Ｐいと前記半導体製造装置の動作について詳細に説
明する。
１〜Ｐいと前記半導体製造装置の動作について詳細に説
明する。
まず、ステージ１２ａ上に成形前の複数枚のウェーハが
等間隔に載置されたトレーを配置する。
等間隔に載置されたトレーを配置する。
この後、ウェーハ搬送ユニット１３の先端に設けられた
真空チャック １３ａを、トレー上へ移動させ、トレー
上のウェーハを一枚、真空力により吸着させる。また、
そのウェーハを位置合せユニット１４へ搬送させ、位置
合せユニット１４のＸＹ子テーブル４ｃ上に配置させる
（ステップＳＴ１、■程Ｐ１■〜■）。次に、テレビカ
メラ Ｌ４ｄによりＸＹ子テーブル４ｃ上に配置された
ウェーハが検出され、そのウェーハの中心が演算される
。また、必要な場合には、Ｘテーブル駆動部１４ａ及び
Ｙテーブル駆動部１４ｂによりＸＹテーブル１４ｃを動
作させ、ウェーハの特定点を検出し位置出しする（ステ
ップＳＴ２、工程Ｐ １）。次に、ウェーハ搬送ユニッ
ト１３の先端に設けられた真空チャック １．３ ｂを
ＸＹ子テーブル４ｃ上に移動させ、ＸＹ子テーブル４ｃ
上の位置出しされたウェーハを真空力により吸着させる
。また、そのウェーハを成形ユニット１５の金型へ搬送
させ、その下型の所定位置に配置させる（ステップＳＴ
３、工程Ｐ１■）。この時、同時にウェーハ搬送ユニッ
１−１３の真空チャック１３ａによりトレー上のウェー
ハを一枚、真空力により吸着させ、そのウェーハを位置
合せユニット１４のＸＹ子テーブル４ｃ上に配置させる
（ステップＳＴＩ、工程Ｐ２■）。この後、金型の上型
を下降させ、型締めが行われる。また、樹脂注入二二ッ
ト１６により、レジン（樹脂）が注入ノズルｌｅａを介
して型内に送り込まれる。レジン充填後、−定時間の加
熱条件を経ることによりレジンを硬化させる（ステップ
ＳＴ４、工程Ｐ１）。レジンの硬化後、上型を上昇させ
る。また、ウェーハ搬送ユニット１３の先端に設けられ
た真空チャック １３ｃを金型上へ移動させ、成形後の
ウエーノ１を真空力により吸着させる。また、そのウエ
ーノ＼をウェーハ収納ユニット１７へ搬送させ、ウェー
７１収納ユニツト１７のトレー上の所定位置に収納させ
る（ステップＳＴ５、工程Ｐ１■）。この時、同時につ
工−ハ搬送ユニット１３の真空チャ・ツク １３ｂ１こ
より、ＸＹ子テーブル４Ｃ上のウニ／’を金型に配置さ
せ（ステップＳＴ３、工程Ｐ２■）、又ウェーハ搬送ユ
ニット１３の真空チャ・ツク １３ａにより、ウェーハ
供給ユニット１２のウェー７１をｘＹテーブル１４ｅ上
に配置させる（ステ・ツブＳＴ１、工程Ｐ、■）。
真空チャック １３ａを、トレー上へ移動させ、トレー
上のウェーハを一枚、真空力により吸着させる。また、
そのウェーハを位置合せユニット１４へ搬送させ、位置
合せユニット１４のＸＹ子テーブル４ｃ上に配置させる
（ステップＳＴ１、■程Ｐ１■〜■）。次に、テレビカ
メラ Ｌ４ｄによりＸＹ子テーブル４ｃ上に配置された
ウェーハが検出され、そのウェーハの中心が演算される
。また、必要な場合には、Ｘテーブル駆動部１４ａ及び
Ｙテーブル駆動部１４ｂによりＸＹテーブル１４ｃを動
作させ、ウェーハの特定点を検出し位置出しする（ステ
ップＳＴ２、工程Ｐ １）。次に、ウェーハ搬送ユニッ
ト１３の先端に設けられた真空チャック １．３ ｂを
ＸＹ子テーブル４ｃ上に移動させ、ＸＹ子テーブル４ｃ
上の位置出しされたウェーハを真空力により吸着させる
。また、そのウェーハを成形ユニット１５の金型へ搬送
させ、その下型の所定位置に配置させる（ステップＳＴ
３、工程Ｐ１■）。この時、同時にウェーハ搬送ユニッ
１−１３の真空チャック１３ａによりトレー上のウェー
ハを一枚、真空力により吸着させ、そのウェーハを位置
合せユニット１４のＸＹ子テーブル４ｃ上に配置させる
（ステップＳＴＩ、工程Ｐ２■）。この後、金型の上型
を下降させ、型締めが行われる。また、樹脂注入二二ッ
ト１６により、レジン（樹脂）が注入ノズルｌｅａを介
して型内に送り込まれる。レジン充填後、−定時間の加
熱条件を経ることによりレジンを硬化させる（ステップ
ＳＴ４、工程Ｐ１）。レジンの硬化後、上型を上昇させ
る。また、ウェーハ搬送ユニット１３の先端に設けられ
た真空チャック １３ｃを金型上へ移動させ、成形後の
ウエーノ１を真空力により吸着させる。また、そのウエ
ーノ＼をウェーハ収納ユニット１７へ搬送させ、ウェー
７１収納ユニツト１７のトレー上の所定位置に収納させ
る（ステップＳＴ５、工程Ｐ１■）。この時、同時につ
工−ハ搬送ユニット１３の真空チャ・ツク １３ｂ１こ
より、ＸＹ子テーブル４Ｃ上のウニ／’を金型に配置さ
せ（ステップＳＴ３、工程Ｐ２■）、又ウェーハ搬送ユ
ニット１３の真空チャ・ツク １３ａにより、ウェーハ
供給ユニット１２のウェー７１をｘＹテーブル１４ｅ上
に配置させる（ステ・ツブＳＴ１、工程Ｐ、■）。
これにより、最初の一枚目のウエーノ＼の処理工程Ｐ１
が完了するが、この動作は、最後のｎ枚目のウェーハの
処理工程Ｐ、が完了するまで、制御ユニット１８からの
指令により自動的に連続して行われる。
が完了するが、この動作は、最後のｎ枚目のウェーハの
処理工程Ｐ、が完了するまで、制御ユニット１８からの
指令により自動的に連続して行われる。
このような構成によれば、従来のウェーハ外周を基準と
する機械的位置出しから自動位置出しへ変更している。
する機械的位置出しから自動位置出しへ変更している。
これにより、ウェーハが個々に有する直径の公差に起因
した成形品の外形上の位置ずれが防止できる。よって、
品質のバラツキを無くすことが可能になり、製品の歩留
りを維持、さらには向上させることができる。また、従
来の作業者に要求された複雑な作業については、これを
自動化したため、作業者に掛かる負担が軽減でき、又個
々の作業者の能力により差があった生産量を一律に向上
させることが可能になる。
した成形品の外形上の位置ずれが防止できる。よって、
品質のバラツキを無くすことが可能になり、製品の歩留
りを維持、さらには向上させることができる。また、従
来の作業者に要求された複雑な作業については、これを
自動化したため、作業者に掛かる負担が軽減でき、又個
々の作業者の能力により差があった生産量を一律に向上
させることが可能になる。
第６図は上記半導体製造装置を構成する成形ユニット１
５の金型の上型を、第７図は上記半導体製造装置を構成
する成形ユニット１５の金型の下型をそれぞれ詳細に示
すものである。
５の金型の上型を、第７図は上記半導体製造装置を構成
する成形ユニット１５の金型の下型をそれぞれ詳細に示
すものである。
上型１５ａ及び下型１５ｂからなる金型は、成形時にレ
ジンを固化するために一定の温度に制御ユニット４によ
り管理されている。また、下型１５ｂには、ウェーハ７
が配置できるようになっている。
ジンを固化するために一定の温度に制御ユニット４によ
り管理されている。また、下型１５ｂには、ウェーハ７
が配置できるようになっている。
下型１５ｂに配置されたウェーハ１９の外周部には、レ
ジンが注入されるリング状の隙間ができている。
ジンが注入されるリング状の隙間ができている。
ここで、ウェーハ１９の中心は位置合せユニット１４に
より予め位置出しされているため、当然に、ウェーハ】
９の中心と下型１５ｂの中心とを一致させて、ウェーハ
１９を下型１５ｂに配置させることができる。
より予め位置出しされているため、当然に、ウェーハ】
９の中心と下型１５ｂの中心とを一致させて、ウェーハ
１９を下型１５ｂに配置させることができる。
さらに、下型１５ｂには、金型からウェーハを離脱させ
る高圧空気をウェーハ下面に噴出するための噴出管２０
が設けられている。なお、この噴出管２０は、成形前の
ウェーハを真空力により仮固定するための吸引管として
も使うことができる。
る高圧空気をウェーハ下面に噴出するための噴出管２０
が設けられている。なお、この噴出管２０は、成形前の
ウェーハを真空力により仮固定するための吸引管として
も使うことができる。
次に、同図を参照しながら金型からレジン成形品を取り
出す方法について詳細に説明する。
出す方法について詳細に説明する。
即ち、レジン成形後、上型１５ａを上昇させ、ウェーハ
搬送ユニット１３の先端に設けられたバキュームチャッ
ク １３ｃを下型１５ｂ内のウェーハ１９上面の近傍（
ウェーハ１９に接触させても構わない。）に配置させる
。この後、下型１５ｂに設けられた噴出管２０からウェ
ーハ１９下面へ高圧空気を噴出させ、金型からウェーハ
１９を離脱させる。この場合において、高圧空気を断続
的に噴出すれば、離脱性がさらによくなるため好ましい
。なお、ウェーハ１９の下面から高圧空気を噴出させて
も、ウェーハ１９上面近傍にはバキュームチャック １
３ｃが配置されており、かつ、離脱の際の衝撃はバキュ
ームチャック １３ｃに設けられたバネ２１により緩和
されるため問題はない。この後、金型から離脱したウェ
ーハ１９をバキュームチャック（保持手段） １３ｃ
で吸引することにより金型内から取り出し、ウェーハ収
納ユニット１７へ搬送させる。
搬送ユニット１３の先端に設けられたバキュームチャッ
ク １３ｃを下型１５ｂ内のウェーハ１９上面の近傍（
ウェーハ１９に接触させても構わない。）に配置させる
。この後、下型１５ｂに設けられた噴出管２０からウェ
ーハ１９下面へ高圧空気を噴出させ、金型からウェーハ
１９を離脱させる。この場合において、高圧空気を断続
的に噴出すれば、離脱性がさらによくなるため好ましい
。なお、ウェーハ１９の下面から高圧空気を噴出させて
も、ウェーハ１９上面近傍にはバキュームチャック １
３ｃが配置されており、かつ、離脱の際の衝撃はバキュ
ームチャック １３ｃに設けられたバネ２１により緩和
されるため問題はない。この後、金型から離脱したウェ
ーハ１９をバキュームチャック（保持手段） １３ｃ
で吸引することにより金型内から取り出し、ウェーハ収
納ユニット１７へ搬送させる。
このようなレジン成形品の取り出し方法によれば、人手
による取り出しの場合に比べて、生産性、歩留り率、品
質の信頼性等の向上が可能となる。
による取り出しの場合に比べて、生産性、歩留り率、品
質の信頼性等の向上が可能となる。
［発明の効果］
以上、説明したように、本発明の半導体製造装置及び製
造方法によれば、次のような効果を奏する。
造方法によれば、次のような効果を奏する。
ウェーハを自動位置合せすることにより、つニームが個
々に有する直径の公差に起因した成形品の外形上の位置
ずれが防止できる。また、一連の工程を自動化したため
、作業者に掛かる負担が軽減でき、歩留り及び生産量を
向上させることができる。さらに、レジン成形品の取り
出しに高圧空気を使用することで、人手により真空チャ
ック等で取り出す場合に比べてレジン成形品を金型から
円滑に取出すことができ、生産性、歩留り率、品質の信
頼性等の向上が図れる。
々に有する直径の公差に起因した成形品の外形上の位置
ずれが防止できる。また、一連の工程を自動化したため
、作業者に掛かる負担が軽減でき、歩留り及び生産量を
向上させることができる。さらに、レジン成形品の取り
出しに高圧空気を使用することで、人手により真空チャ
ック等で取り出す場合に比べてレジン成形品を金型から
円滑に取出すことができ、生産性、歩留り率、品質の信
頼性等の向上が図れる。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体製造装置の制
御ブロック図、第２図は本発明の一実施例に係わる半導
体製造装置の平面図、第３図は本発明の一実施例に係わ
る半導体製造装置の正面図、第４図は本発明の一実施例
に係わる半導体製造装置の側面図、第５図は本発明の一
実施例に係わる半導体製造装置の動作を示す流れ図、第
６図及び第７図はそれぞれ本発明の一実施例に係わる半
導体製造装置を構成する成形ユニットの金型を詳細に示
す断面図、第８図は加工工程途上の半導体部品を示す外
観図、第９図は従来の半導体製造装置を示す概略図、第
１０図は従来のウェーハの位置出しゲージを示す概略図
である。 １１・・・架台、１２・・・ウェーハ供給ユニット、１
２ａ・・・ステージ、１３・・・搬送ユニット、１３ａ
〜１３ｃ・・・真空チャック、１４・・・位置合せユニ
ット、１４ａ・・・Ｘテーブル駆動部、１４ｂ・・・Ｙ
テーブル駆動部、１４ｃ・・・ＸＹテーブル、１４ｄ・
・・テレビカメラ、１４ｅ・・・モニタテレビ、１５・
・・成形ユニット、１５ａ・・・金型の上型、１５ｂ・
・・金型の下型、１６・・・レジン注入ユニット、１６
ａ・・・注入ノズル、１６ｂ・・・回収ノズル、１７・
・・ウェーハ収納ユニット、１７ａ・・・ステージ、１
Ｂ・・・制御ユニット、１９・・・ウェーハ２ａ・・・
噴出管、２工・・・バネ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 図
御ブロック図、第２図は本発明の一実施例に係わる半導
体製造装置の平面図、第３図は本発明の一実施例に係わ
る半導体製造装置の正面図、第４図は本発明の一実施例
に係わる半導体製造装置の側面図、第５図は本発明の一
実施例に係わる半導体製造装置の動作を示す流れ図、第
６図及び第７図はそれぞれ本発明の一実施例に係わる半
導体製造装置を構成する成形ユニットの金型を詳細に示
す断面図、第８図は加工工程途上の半導体部品を示す外
観図、第９図は従来の半導体製造装置を示す概略図、第
１０図は従来のウェーハの位置出しゲージを示す概略図
である。 １１・・・架台、１２・・・ウェーハ供給ユニット、１
２ａ・・・ステージ、１３・・・搬送ユニット、１３ａ
〜１３ｃ・・・真空チャック、１４・・・位置合せユニ
ット、１４ａ・・・Ｘテーブル駆動部、１４ｂ・・・Ｙ
テーブル駆動部、１４ｃ・・・ＸＹテーブル、１４ｄ・
・・テレビカメラ、１４ｅ・・・モニタテレビ、１５・
・・成形ユニット、１５ａ・・・金型の上型、１５ｂ・
・・金型の下型、１６・・・レジン注入ユニット、１６
ａ・・・注入ノズル、１６ｂ・・・回収ノズル、１７・
・・ウェーハ収納ユニット、１７ａ・・・ステージ、１
Ｂ・・・制御ユニット、１９・・・ウェーハ２ａ・・・
噴出管、２工・・・バネ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 図
Claims (3)
- （１）ａ、複数枚の試料が配置される供給手段と、 ｂ、レジン成形前の試料の特定点を検出し位置補正する
位置合せ手段と、 ｃ、前記位置補正された試料が所定位置に配置された後
に、前記試料の外周にレジン成形を行う成形手段と、 ｄ、前記成形手段にレジンを供給する注入手段と、 ｅ、複数枚の試料が収納される収納手段と、ｆ、前記供
給手段と前記位置合せ手段との間において、前記位置合
せ手段と前記成形手段との間において、及び前記成形手
段と前記収納手段との間においてそれぞれ試料の搬送を
行う搬送手段と、 ｇ、前記供給手段、前記位置合せ手段、前記成形手段、
前記注入手段、前記収納手段、及び前記搬送手段のそれ
ぞれの動作を制御する制御手段と を具備することを特徴とする半導体製造装置。 - （２）前記成形手段は、試料の外周にレジン成形するた
めの金型を有し、かつ、前記金型には、この金型から成
形後の試料を離脱させるための高圧空気を噴出する噴出
管が設けられていることを特徴とする請求項１記載の半
導体製造装置。 - （３）金型によって試料の外周にレジン成形を行った後
、前記試料の一面に高圧空気を噴出することにより前記
試料を前記金型から離脱させ、かつ、この離脱した試料
を保持手段によって前記金型から取り出すことを特徴と
する半導体製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155781A JP2504607B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 半導体製造装置及び製造方法 |
| US07/713,084 US5164335A (en) | 1990-06-14 | 1991-06-11 | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| EP91109710A EP0461650B1 (en) | 1990-06-14 | 1991-06-13 | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
| DE69114187T DE69114187T2 (de) | 1990-06-14 | 1991-06-13 | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155781A JP2504607B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 半導体製造装置及び製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448639A true JPH0448639A (ja) | 1992-02-18 |
| JP2504607B2 JP2504607B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=15613273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2155781A Expired - Lifetime JP2504607B2 (ja) | 1990-06-14 | 1990-06-14 | 半導体製造装置及び製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5164335A (ja) |
| EP (1) | EP0461650B1 (ja) |
| JP (1) | JP2504607B2 (ja) |
| DE (1) | DE69114187T2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3818320B2 (ja) * | 1994-09-09 | 2006-09-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴイ | 相互に或るパターンに配された光学サブ素子を有する光学素子の製造に使用されるモールドを製造する方法、及び斯かる方法を実行するための装置 |
| US5819394A (en) * | 1995-02-22 | 1998-10-13 | Transition Automation, Inc. | Method of making board matched nested support fixture |
| JP3486557B2 (ja) * | 1998-07-30 | 2004-01-13 | 宮崎沖電気株式会社 | トランスファ成形装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR100546372B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지의 제조방법 |
| CN106783713A (zh) * | 2015-11-20 | 2017-05-31 | 环维电子(上海)有限公司 | Sip模组的制造、拾取方法和设备及emi电磁屏蔽层制造方法 |
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| JPS6167109U (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-08 | ||
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| JPS63141370A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Fuji Electric Co Ltd | サイリスタの製造方法 |
| JPH01297831A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5434774A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-14 | Hitachi Ltd | Article transfer device |
| JPS58212125A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-09 | Hitachi Ltd | 熱処理用治具 |
| US4724325A (en) * | 1986-04-23 | 1988-02-09 | Eaton Corporation | Adhesion cooling for an ion implantation system |
| US4835704A (en) * | 1986-12-29 | 1989-05-30 | General Electric Company | Adaptive lithography system to provide high density interconnect |
| JPH0541548Y2 (ja) * | 1987-10-01 | 1993-10-20 | ||
| DE3885240D1 (de) * | 1987-12-03 | 1993-12-02 | Balzers Hochvakuum | Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung thermischer Energie auf bzw. von einem plattenförmigen Substrat. |
| US4904610A (en) * | 1988-01-27 | 1990-02-27 | General Instrument Corporation | Wafer level process for fabricating passivated semiconductor devices |
| US4942139A (en) * | 1988-02-01 | 1990-07-17 | General Instrument Corporation | Method of fabricating a brazed glass pre-passivated chip rectifier |
| US4868490A (en) * | 1988-09-14 | 1989-09-19 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for sheet resistance measurement of a wafer during a fabrication process |
-
1990
- 1990-06-14 JP JP2155781A patent/JP2504607B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-06-11 US US07/713,084 patent/US5164335A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-13 DE DE69114187T patent/DE69114187T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-13 EP EP91109710A patent/EP0461650B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56151516A (en) * | 1980-04-28 | 1981-11-24 | Hitachi Ltd | Mold for plastic molding |
| JPS5945110A (ja) * | 1982-09-08 | 1984-03-13 | Tachibana Yoki Kk | プラスチツク成形品離型装置 |
| JPS6167109U (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-08 | ||
| JPS6395634A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の樹脂封止装置 |
| JPS63141370A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Fuji Electric Co Ltd | サイリスタの製造方法 |
| JPH01297831A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69114187D1 (de) | 1995-12-07 |
| US5164335A (en) | 1992-11-17 |
| DE69114187T2 (de) | 1996-04-25 |
| JP2504607B2 (ja) | 1996-06-05 |
| EP0461650A1 (en) | 1991-12-18 |
| EP0461650B1 (en) | 1995-11-02 |
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