JPH01297831A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01297831A JPH01297831A JP63128077A JP12807788A JPH01297831A JP H01297831 A JPH01297831 A JP H01297831A JP 63128077 A JP63128077 A JP 63128077A JP 12807788 A JP12807788 A JP 12807788A JP H01297831 A JPH01297831 A JP H01297831A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 30
- 239000004033 plastic Substances 0.000 title claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 52
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 46
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 39
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 5
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 abstract description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 abstract 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 101100298225 Caenorhabditis elegans pot-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 239000012784 inorganic fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
- B29C45/1468—Plants therefor
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/72—Heating or cooling
- B29C45/7207—Heating or cooling of the moulded articles
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、半導体プラスチックパッケージの製造方法お
よび装置に係り、特にレジンモールド後の冷却温度を管
理することにより残留応力の大幅な低減を図り、製品品
質の高信頼化に好適な半導体プラスチックパッケージの
製造方法およびその製造装置に関する。
よび装置に係り、特にレジンモールド後の冷却温度を管
理することにより残留応力の大幅な低減を図り、製品品
質の高信頼化に好適な半導体プラスチックパッケージの
製造方法およびその製造装置に関する。
［従来の技術］
従来、半導体プラスチックパッケージは、次のようにし
て製造されている。これを第８図を参照して説明する。
て製造されている。これを第８図を参照して説明する。
先ず、レシンタフレット１を１７０〜２５０°Ｃ程度に
加熱した金型４，５て形成されたポット２の中に投入す
る（第８図（ａ）参照）。そして、同図（ｂ）に示すよ
うに、プランジャ３によりレシンタフレット１を抑圧し
、レシンを型内へ注入する。溶融したレシン１２は、ラ
ンナ６、ケート７を通って上型４と下型５て形成された
キャビティ９に流入する。この際、リードフレーム１０
は、予め金型４と５の間に挿入しておく。次に、同図（
Ｃ）のように、レジン１２かキャビティ９内に完全充填
し、モールド完了となる。その後、この状態に２０〜１
８０ ｓｅｃ保持し加熱硬化をさせ、つぎに、同図（ｄ
）に示すように、上型４と下型５を分離し、突出しピン
１１によって、金型４および５から離型して最終的に成
形品１３を得る。
加熱した金型４，５て形成されたポット２の中に投入す
る（第８図（ａ）参照）。そして、同図（ｂ）に示すよ
うに、プランジャ３によりレシンタフレット１を抑圧し
、レシンを型内へ注入する。溶融したレシン１２は、ラ
ンナ６、ケート７を通って上型４と下型５て形成された
キャビティ９に流入する。この際、リードフレーム１０
は、予め金型４と５の間に挿入しておく。次に、同図（
Ｃ）のように、レジン１２かキャビティ９内に完全充填
し、モールド完了となる。その後、この状態に２０〜１
８０ ｓｅｃ保持し加熱硬化をさせ、つぎに、同図（ｄ
）に示すように、上型４と下型５を分離し、突出しピン
１１によって、金型４および５から離型して最終的に成
形品１３を得る。
この成形品を室温まて冷却する。この時の冷却は自然放
冷である。その後、室温まで冷えた成形品を多数まとめ
て、再びハツチ処理により高温（１８０°Ｃ程度）まて
上昇させ、５〜６ｈｒ保持し、２次キュア加熱をし、そ
の後、自然放冷を行なっている。
冷である。その後、室温まで冷えた成形品を多数まとめ
て、再びハツチ処理により高温（１８０°Ｃ程度）まて
上昇させ、５〜６ｈｒ保持し、２次キュア加熱をし、そ
の後、自然放冷を行なっている。
［発明か解決しようとする劃１
このようにして作製されたレジンモールド半導体パッケ
ージは、熱的、機械的性質の異なるリードフレーム、レ
シン等の異種材料から構成されているために、機械的ス
トレスや熱的ストレスといった外部環境により、パッケ
ージ内にクラックやリードフレーム界面の剥離か生じる
などの不良か発生するという問題があった。
ージは、熱的、機械的性質の異なるリードフレーム、レ
シン等の異種材料から構成されているために、機械的ス
トレスや熱的ストレスといった外部環境により、パッケ
ージ内にクラックやリードフレーム界面の剥離か生じる
などの不良か発生するという問題があった。
この原因は、リードフレームとレジンの性質の違い、す
なわちリードフレームとレジンの線膨張係数や縦弾性係
数など熱的・機械的性質が異なるためである。
なわちリードフレームとレジンの線膨張係数や縦弾性係
数など熱的・機械的性質が異なるためである。
すなわち、従来技術は、プラスチック半導体パッケージ
を金型から取り出す工程において、その温度変化に伴っ
て生しる熱ストレス等が考慮されておらず、パッケージ
内の残留応力等か大きくなっていた。これによりパッケ
ージクラック、変形等の不良が発生するという問題かあ
った。
を金型から取り出す工程において、その温度変化に伴っ
て生しる熱ストレス等が考慮されておらず、パッケージ
内の残留応力等か大きくなっていた。これによりパッケ
ージクラック、変形等の不良が発生するという問題かあ
った。
また、室温まで冷却した成形品を多数まとめてバッチ処
理による高温処理（２次キュア）を長時間性なうため、
成形後の後工程の一貫自動化の面で著しく不便であった
。
理による高温処理（２次キュア）を長時間性なうため、
成形後の後工程の一貫自動化の面で著しく不便であった
。
なお、パッケージの残留応力については、「電子部品ト
ラブルと防止対策−総合技術資料集」（ソフト技研出版
部、昭和５８年、Ｐ２３５〜Ｐ２４３）にもわずかに記
載されているが、上記問題点の解決には十分なものては
ない。
ラブルと防止対策−総合技術資料集」（ソフト技研出版
部、昭和５８年、Ｐ２３５〜Ｐ２４３）にもわずかに記
載されているが、上記問題点の解決には十分なものては
ない。
近年、半導体プラスチックパッケージは、チップが大型
化する反面、小型・薄肉化の傾向にある。このため、パ
ッケージ強度が弱くなり、わずかな外力や熱ストレスに
よってレジンクラック等の不良が生じやすい。従って、
上記した従来の製造方法では、この点かより大きな問題
となってくるため、解決か急がれる課題となっている。
化する反面、小型・薄肉化の傾向にある。このため、パ
ッケージ強度が弱くなり、わずかな外力や熱ストレスに
よってレジンクラック等の不良が生じやすい。従って、
上記した従来の製造方法では、この点かより大きな問題
となってくるため、解決か急がれる課題となっている。
本発明の目的は、残留応力か少なく、レシンクラックが
生しにくい、半導体プラスチックパッケージの製造方法
およびその製造装置を提供することにあり、さらには、
生産の合理化を図ることにある。
生しにくい、半導体プラスチックパッケージの製造方法
およびその製造装置を提供することにあり、さらには、
生産の合理化を図ることにある。
［課題を解決するための手段］
発明者らは、熱粘弾性応力解析手法（特開昭６２−１８
２６２９号公報参照）を用い、リードフレームとレジン
の界面に生じる残留応力を、鋭意研究の結果、第２図に
示すごとく、ガラス転移温度が高くなるにしたがい、リ
ードフレーム界面に生じる残留応力は減少する、という
結論を得た。
２６２９号公報参照）を用い、リードフレームとレジン
の界面に生じる残留応力を、鋭意研究の結果、第２図に
示すごとく、ガラス転移温度が高くなるにしたがい、リ
ードフレーム界面に生じる残留応力は減少する、という
結論を得た。
すなわち、本発明者らは、パッケージ内に生じる残留応
力を低減させるには、加熱を行なうことにより、レジン
のガラス転移温度の適正化を図ればよいことに想致した
。
力を低減させるには、加熱を行なうことにより、レジン
のガラス転移温度の適正化を図ればよいことに想致した
。
すなわち、本発明は半導体プラスチックパッケージの製
造方法において、チップをレジンモールドし、型開き後
、冷却することなしに加熱し、レジンを反応させること
を特徴とするものである。
造方法において、チップをレジンモールドし、型開き後
、冷却することなしに加熱し、レジンを反応させること
を特徴とするものである。
前記加熱の方式は、赤外線（近赤外、遠赤外加熱を含む
）方式、熱風方式、高周波加熱方式、マイクロ波加熱方
式、電子ビーム加熱方式の一つまたは複数の加熱方式を
用いることが好ましい。
）方式、熱風方式、高周波加熱方式、マイクロ波加熱方
式、電子ビーム加熱方式の一つまたは複数の加熱方式を
用いることが好ましい。
本発明におけるレジンモールドされたパッケージは、冷
却されることなしに、レジンのガラス転移温度より高く
一定時間保持されることが好ましい。
却されることなしに、レジンのガラス転移温度より高く
一定時間保持されることが好ましい。
本発明におけるレジンモールドされたパッケージは、冷
却されることなしに、金型温度以上に加熱、保持した後
、レジンのガラス転移温度まで冷却し、一定時間保持さ
れることが好ましい。
却されることなしに、金型温度以上に加熱、保持した後
、レジンのガラス転移温度まで冷却し、一定時間保持さ
れることが好ましい。
また、本発明の異なる態様は半導体プラスチックパッケ
ージの製造方法において、チップをレジンモールドした
後、成形品を型開きすることなく次工程に搬送し１．該
工程にて加熱してレンジを反応させることを特徴とする
。
ージの製造方法において、チップをレジンモールドした
後、成形品を型開きすることなく次工程に搬送し１．該
工程にて加熱してレンジを反応させることを特徴とする
。
本発明に用いられる製造装置は、半導体プラスチックパ
ッケージの成形機、搬送機構および加熱収納機構を有す
ることを特徴とする。
ッケージの成形機、搬送機構および加熱収納機構を有す
ることを特徴とする。
すなわち、本発明に用いられる半導体プラスチックパッ
ケージの製造装置は、チップを搭載したリードフレーム
をレジンモールドする成形機と、成形品を加熱して、モ
ールドされたレジンを反応させる加熱収納機構と、該成
形機で成形された成形品を加熱収納機構に搬送する搬送
機構とを備えることを特徴とする。
ケージの製造装置は、チップを搭載したリードフレーム
をレジンモールドする成形機と、成形品を加熱して、モ
ールドされたレジンを反応させる加熱収納機構と、該成
形機で成形された成形品を加熱収納機構に搬送する搬送
機構とを備えることを特徴とする。
加熱収納機構における加熱方式は、上記した種々の加熱
方式を採用することができる。
方式を採用することができる。
前記搬送機構は、加熱装置を有することが好ましい。加
熱方式は、機構上可能であれば、上記した種々の加熱方
式が採用てきる。
熱方式は、機構上可能であれば、上記した種々の加熱方
式が採用てきる。
レジンのガラス転移温度は、示差走査熱量測定法により
求めることかできる。
求めることかできる。
本発明で用いられるレジンは、特に限定はしないが、フ
ェノールノボラック型゛エポキシ樹脂が好ましく、さら
には溶融石英フィシ５０〜８０ｖｏ１％入りのフェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。
ェノールノボラック型゛エポキシ樹脂が好ましく、さら
には溶融石英フィシ５０〜８０ｖｏ１％入りのフェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。
本発明における半導体プラスチックパッケージが、レジ
ンモールドし、型開き後、成形（カル・ランナ分離）さ
れるにあたって、成形品ゲート部近傍のみを局部的に瞬
時に冷却し、プレス加圧等によってゲート切断する。ゲ
ート部近傍を冷却するにあたって、液体窒素、冷媒ガス
等を用いることか好ましい。
ンモールドし、型開き後、成形（カル・ランナ分離）さ
れるにあたって、成形品ゲート部近傍のみを局部的に瞬
時に冷却し、プレス加圧等によってゲート切断する。ゲ
ート部近傍を冷却するにあたって、液体窒素、冷媒ガス
等を用いることか好ましい。
本発明における搬送機構は、レジンをモールドした後、
パンドラ−によって成形品を配列することが好ましく、
また、加熱方式としては、熱風加熱が好ましく、さらに
、成形品のスト・ンク機構を有することが好ましい。
パンドラ−によって成形品を配列することが好ましく、
また、加熱方式としては、熱風加熱が好ましく、さらに
、成形品のスト・ンク機構を有することが好ましい。
［作用］
本発明によれば、成形品を金型から冷却する際、半導体
プラスチックパッケージをレジンのガラス転移温度（Ｔ
ｇ）近傍にて徐冷後、あるいは、ガラス転・移温度（
Ｔ ｇ）近傍に保持後、通常の冷却温度で冷却すること
により、パッケージ内の残留応力の低減が図れる。
プラスチックパッケージをレジンのガラス転移温度（Ｔ
ｇ）近傍にて徐冷後、あるいは、ガラス転・移温度（
Ｔ ｇ）近傍に保持後、通常の冷却温度で冷却すること
により、パッケージ内の残留応力の低減が図れる。
また、連続製造工程は、成形機、搬送装置、加熱収納装
置を組合せ、温度を管理し、制御することにより、高温
処理時間を著しく短かくすることが可能となり、いわゆ
る後工程の短納期化、生産合理化が、実現される。
置を組合せ、温度を管理し、制御することにより、高温
処理時間を著しく短かくすることが可能となり、いわゆ
る後工程の短納期化、生産合理化が、実現される。
［実施例］
以下、本発明を実施例にて明らかにするが、これによっ
て本発明か限定されるものではない。
て本発明か限定されるものではない。
本発明の実施に用いた装置を第１図に示す。
ソーンＩは、レジンモールド半導体を成形するためのト
ランスファ成形機２１である。ソーンＩＩは、モールド
された成形品（パッケージ２２）の取り出しおよび搬送
を自動的に行なう搬送装置２３である。この搬送装置２
３では、成形品（パッケージ２２）か搬送路面２４を通
過する過程において搬送路面上下に設置した加熱装置２
５て成形品（パッケージ２２）は高温に保持される。加
熱方式は遠赤外加熱を用いた。ソーン■は搬送されてき
た成形品（パッケージ２２）を多数同時に収納し、硬化
促進のための加熱収納装置２６である。加熱方式は、熱
風加熱方式である。
ランスファ成形機２１である。ソーンＩＩは、モールド
された成形品（パッケージ２２）の取り出しおよび搬送
を自動的に行なう搬送装置２３である。この搬送装置２
３では、成形品（パッケージ２２）か搬送路面２４を通
過する過程において搬送路面上下に設置した加熱装置２
５て成形品（パッケージ２２）は高温に保持される。加
熱方式は遠赤外加熱を用いた。ソーン■は搬送されてき
た成形品（パッケージ２２）を多数同時に収納し、硬化
促進のための加熱収納装置２６である。加熱方式は、熱
風加熱方式である。
次に、第４図を用いて本発明の半導体プラスチックパッ
ケージの製造プロセスを説明する。
ケージの製造プロセスを説明する。
すなわち、レシンをタルレット状に形成した後、金型の
ポット内に投入し、モールドすることによってレシンが
加熱・硬化（現状では１７５°Ｃ×１．５分程度て行っ
ている）した後、リードフレームを装填した半導体パッ
ケージを金型から突出し離型し、不要なランチ、カル部
を分離・除去する。以上のような工程て半導体パッケー
ジか製造される。
ポット内に投入し、モールドすることによってレシンが
加熱・硬化（現状では１７５°Ｃ×１．５分程度て行っ
ている）した後、リードフレームを装填した半導体パッ
ケージを金型から突出し離型し、不要なランチ、カル部
を分離・除去する。以上のような工程て半導体パッケー
ジか製造される。
次に、このパッケージを自動搬送機構を用いて加熱しな
から次の加熱槽の中へ収納する。この加熱槽は１８０°
Ｃ程度にて加熱保持されており、この中へ約１ｈ程度収
納することによって、パッケージを完全に硬化させる。
から次の加熱槽の中へ収納する。この加熱槽は１８０°
Ｃ程度にて加熱保持されており、この中へ約１ｈ程度収
納することによって、パッケージを完全に硬化させる。
以上のプロセスか完了した後、次の工程へ移動する。
次に本発明の実施例について、比較例と共に説明する。
なお、比較例および実施例−１，２，３についての温度
履歴を第３Ａ〜３Ｄ図に示す。
履歴を第３Ａ〜３Ｄ図に示す。
以下において用いたレシンは、無機フィシ充填エポキシ
樹脂てあって、溶融石英フィシ５ｏ〜８０ｖｏｉ％入り
のフェノールノボラック型エポキシ樹脂である。この樹
脂のガラス転移温度（Ｔ ｇ）は、１３５〜１５８°ｃ
である。
樹脂てあって、溶融石英フィシ５ｏ〜８０ｖｏｉ％入り
のフェノールノボラック型エポキシ樹脂である。この樹
脂のガラス転移温度（Ｔ ｇ）は、１３５〜１５８°ｃ
である。
（比較例）
トランスファ成形機２１を用いて、成形時間（ｔｍ−３
０〜９０秒）、成形温度（Ｔｍ −１７０〜２５０°Ｃ
）にて成形したパッケージを、金型より取り出し、冷却
温度Ｔｃ（１０〜３０℃程度）まて自然放冷する。この
時の冷却温度は、パッケージの熱伝導率ｈ０か５００〜
１０．０００ｋｃａｌ／ｍ２ｈ ’Ｃの範囲となってい
る。このように室温まで冷却されたパッケージを数ショ
ット分まとめて、すなわち、ｔＡ〜ｔＢ間にｔ□＝１〜
２ｈ経過後、ｔＢ〜ｔＣ間にＴ２ （１５０〜２５０°
Ｃ）まて加熱し、ｔＣ〜ｔＤ間にｔ２＝５〜６ｈ保持し
２次硬化をして、レジン物性を安定させた後、再び熱伝
導率ｈ１て自然放冷した。
０〜９０秒）、成形温度（Ｔｍ −１７０〜２５０°Ｃ
）にて成形したパッケージを、金型より取り出し、冷却
温度Ｔｃ（１０〜３０℃程度）まて自然放冷する。この
時の冷却温度は、パッケージの熱伝導率ｈ０か５００〜
１０．０００ｋｃａｌ／ｍ２ｈ ’Ｃの範囲となってい
る。このように室温まで冷却されたパッケージを数ショ
ット分まとめて、すなわち、ｔＡ〜ｔＢ間にｔ□＝１〜
２ｈ経過後、ｔＢ〜ｔＣ間にＴ２ （１５０〜２５０°
Ｃ）まて加熱し、ｔＣ〜ｔＤ間にｔ２＝５〜６ｈ保持し
２次硬化をして、レジン物性を安定させた後、再び熱伝
導率ｈ１て自然放冷した。
（実施例−１）
金型内にレシンタラレットを投入し、成形機２１におい
て成形時間（ｔｍ＝３０〜９０秒）、成形金型温度（Ｔ
ｍ＝１７０〜２３０℃）にて成形したパッケージを、金
型より取り出し、成形金型温度に保持して搬送装置１３
により加熱収納装置２６まて移動した。
て成形時間（ｔｍ＝３０〜９０秒）、成形金型温度（Ｔ
ｍ＝１７０〜２３０℃）にて成形したパッケージを、金
型より取り出し、成形金型温度に保持して搬送装置１３
により加熱収納装置２６まて移動した。
パッケージを、加熱収納装置２６内て成形金型温度のま
ま０．５〜ｌｈ収納保持した後、熱伝達率ｈ １＝ ５
００〜Ｉ（１，（１（］（ｌｋｃａｌ／ｍ２ｈ ’Ｃて
レジンのガラス転移温度（Ｔ ｇ）より５〜１０°Ｃ高
い温度まて冷却した。さらにｈ ３ ＝ ０．１〜５０
ｋｃａｌ／ｍ２ｈ ’Ｃでガラス転移点（Ｔ ｇ）よ
り５〜１０’Ｃ低い温度まて徐冷した。
ま０．５〜ｌｈ収納保持した後、熱伝達率ｈ １＝ ５
００〜Ｉ（１，（１（］（ｌｋｃａｌ／ｍ２ｈ ’Ｃて
レジンのガラス転移温度（Ｔ ｇ）より５〜１０°Ｃ高
い温度まて冷却した。さらにｈ ３ ＝ ０．１〜５０
ｋｃａｌ／ｍ２ｈ ’Ｃでガラス転移点（Ｔ ｇ）よ
り５〜１０’Ｃ低い温度まて徐冷した。
その後、室温まてｈ 、 ＝ ５００〜２０，０００ｋ
ｃａｌ／ｍ２ｈ’ｃと冷却速度を上げて冷却した。
ｃａｌ／ｍ２ｈ’ｃと冷却速度を上げて冷却した。
（実施例−２）
パッケージを、実施例−１と同様なプロセスを経て成形
し、ガラス転移点（Ｔｇ）より５〜ｉｏ’ｃ高い温度ま
で冷却した。
し、ガラス転移点（Ｔｇ）より５〜ｉｏ’ｃ高い温度ま
で冷却した。
その後、加熱収納装置２６て、この温度にて０．５〜ｌ
ｈ程度保持した後に、実施例−１と同様に室温へ冷却し
た。
ｈ程度保持した後に、実施例−１と同様に室温へ冷却し
た。
（実施例−３）
実施例−１と同様にして作ｄれたパッケージの成形後、
パッケージを、搬送装置２３内で金型より取り出し、熱
伝達率り、で成形金型温度（Ｔｍ）より５〜１０°Ｃ高
い温度で加温した。搬送装置２３によりパッケージを加
熱収納装置２６に移動した後、加熱収納装置２６にても
、成形金型温度より５〜１０°Ｃ高い温度て加温し、０
．５〜１ｈ程度保持した。さらに、加熱収納装置２６内
でガラス転移温度（Ｔ ｇ）より５〜１０’Ｃ高い温度
まで熱伝達率り、て冷却後、０．５〜ｌｈ程度保持した
。
パッケージを、搬送装置２３内で金型より取り出し、熱
伝達率り、で成形金型温度（Ｔｍ）より５〜１０°Ｃ高
い温度で加温した。搬送装置２３によりパッケージを加
熱収納装置２６に移動した後、加熱収納装置２６にても
、成形金型温度より５〜１０°Ｃ高い温度て加温し、０
．５〜１ｈ程度保持した。さらに、加熱収納装置２６内
でガラス転移温度（Ｔ ｇ）より５〜１０’Ｃ高い温度
まで熱伝達率り、て冷却後、０．５〜ｌｈ程度保持した
。
その後、実施例＝１と同様に室温まで冷却した。
（実施例−４）
パッケージの成形後、パッケージは金型より取り出され
ることなく、金型温度にて加熱された後、加熱を行なわ
ずに搬送装置を移動、加熱収納装置に収納された。パッ
ケージは加熱収納装置内で金型温度にて０．５〜１ｈ程
度収納保持された。その後、実施例−１と同様にして冷
却された。
ることなく、金型温度にて加熱された後、加熱を行なわ
ずに搬送装置を移動、加熱収納装置に収納された。パッ
ケージは加熱収納装置内で金型温度にて０．５〜１ｈ程
度収納保持された。その後、実施例−１と同様にして冷
却された。
実施例−４についても実施例−１，２，３と同様な性能
解析を行い、同様な結果を得た。
解析を行い、同様な結果を得た。
以上説明した、比較例および実施例−１，２゜３につい
て、 第５図にパッケージ内残留応力を、第６図にモールト工
程からの処理時間を、第７図に成形品の温度サイクル試
験の結果を示した。
て、 第５図にパッケージ内残留応力を、第６図にモールト工
程からの処理時間を、第７図に成形品の温度サイクル試
験の結果を示した。
これらより明らかなように、本発明は２０〜３０％程度
のパッケージの低応力化か図れ、工程時間は１／８程度
短縮され、２０〜３０％程度の不良率が低下される。従
って、生産工程の合理化、連続化ならびに製品の高信頼
化が図れる。
のパッケージの低応力化か図れ、工程時間は１／８程度
短縮され、２０〜３０％程度の不良率が低下される。従
って、生産工程の合理化、連続化ならびに製品の高信頼
化が図れる。
［発明の効果コ
本発明によれば、パッケージ内に生ずる残留応力を従来
より２０〜３０％程度低減する効果がある。また、工程
時間の短縮および後工程の連続化が可能となる効果があ
る。これらよりハイサイクル成形が可能となる。以上の
ことより、製品の信頼性も大幅に向上する。
より２０〜３０％程度低減する効果がある。また、工程
時間の短縮および後工程の連続化が可能となる効果があ
る。これらよりハイサイクル成形が可能となる。以上の
ことより、製品の信頼性も大幅に向上する。
第１図は本発明を実施するために用いる製造装置を示す
正面図、第２図は熱粘弾性応力解析結果を示すグラフ、
第３Ａ〜３Ｄ図は比較例および実施例−１，２，３につ
いての温度履歴を示すグラフ、第４図は本発明半導体プ
ラスチックパッケージの製造工程を示すフローチャート
、第５図〜第７図は、各実施例および比較例についての
比較を示し、第５図はパッケージ内残留応力の比較を示
すグラフ、第６図はモールト工程からの処理時間の比較
を示すグラフ、第７図は成形品の温度サイクル試験結果
の比較を示すグラフ、第８図（ａ）、（ｂ） 、 （ｃ
） 、 （ｄ）は半導体プラスチックノ（ツケージの製
造工程を示す断面図である。 ｌ・・・タラレット ２・・・ポット ３・・・プランジャ ４・・・上型 ５・・・下型 ６・・・ランチ ７・・・ゲート ９・・・キャビティ １０・・・リードフレーム ２１・・・トランスファ成形機 ２２・・・パッケージ（成形品） ２３・・・搬送装置 ２４・・・搬送路面 ２５・・・加熱装置 ２６・・・加熱収納装置 ２７・・・次工程搬送路 出願人 株式会社 日 立 製 作 所代理人 弁理士
富 １）和 子第５図 第８図
正面図、第２図は熱粘弾性応力解析結果を示すグラフ、
第３Ａ〜３Ｄ図は比較例および実施例−１，２，３につ
いての温度履歴を示すグラフ、第４図は本発明半導体プ
ラスチックパッケージの製造工程を示すフローチャート
、第５図〜第７図は、各実施例および比較例についての
比較を示し、第５図はパッケージ内残留応力の比較を示
すグラフ、第６図はモールト工程からの処理時間の比較
を示すグラフ、第７図は成形品の温度サイクル試験結果
の比較を示すグラフ、第８図（ａ）、（ｂ） 、 （ｃ
） 、 （ｄ）は半導体プラスチックノ（ツケージの製
造工程を示す断面図である。 ｌ・・・タラレット ２・・・ポット ３・・・プランジャ ４・・・上型 ５・・・下型 ６・・・ランチ ７・・・ゲート ９・・・キャビティ １０・・・リードフレーム ２１・・・トランスファ成形機 ２２・・・パッケージ（成形品） ２３・・・搬送装置 ２４・・・搬送路面 ２５・・・加熱装置 ２６・・・加熱収納装置 ２７・・・次工程搬送路 出願人 株式会社 日 立 製 作 所代理人 弁理士
富 １）和 子第５図 第８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体プラスチックパッケージの製造方法において
、チップをレジンモールドし、型開き後、冷却すること
なしに、加熱し、レジンを反応させることを特徴とする
半導体プラスチックパッケージの製造方法。 ２、前記加熱の方式が、赤外線（近赤外、遠赤外加熱を
含む）方式、熱風方式、高周波加熱方式、マイクロ波加
熱方式、電子ビーム加熱方式の一つまたは複数の加熱方
式を用いることを特徴とする請求項１記載の半導体プラ
スチックパッケージの製造方法。 ３、前記半導体プラスチックパッケージの製造方法にお
いて、レジンモールドされたパッケージを、冷却するこ
となしに、レジンのガラス転移温度より高い温度で一定
時間保持することを特徴とする請求項１または２記載の
半導体プラスチックパッケージの製造方法。 ４、前記半導体プラスチックパッケージの製造方法にお
いて、レジンモールドされたパッケージを冷却すること
なしに、金型温度以上に加熱、保持した後、レンジのガ
ラス転移温度まで冷却し、一定時間保持することを特徴
とする請求項１または２記載の半導体プラスチックパッ
ケージの製造方法。 ５、半導体プラスチックパッケージの製造方法において
、チップをレジンモールドした後、成形品を型開きする
ことなく次工程に搬送し、該工程にて加熱してレンジを
反応させることを特徴とする半導体プラスチックパッケ
ージの製造方法。 ６、半導体プラスチックパッケージの製造装置において
、チップを搭載したリードフレームをレジンモールドす
る成形機と、成形されたパッケージを加熱して、モール
ドされたレジンを反応させる加熱収納機構、と、該成形
機で成形されたパッケージを加熱収納機構に搬送する搬
送機構とを備えることを特徴とする半導体プラスチック
パッケージの製造装置。 ７、前記搬送機構が、加熱装置を有することを特徴とす
る請求項６記載の半導体プラスチックパッケージの製造
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63128077A JP2684677B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 半導体装置の製造方法 |
| US07/353,256 US5110515A (en) | 1988-05-25 | 1989-05-16 | Method of encapsulating semiconductor chips |
| KR1019890006716A KR920009914B1 (ko) | 1988-05-25 | 1989-05-19 | 플라스틱 패키지내의 반도체칩 내장방법 |
| DE3916785A DE3916785C2 (de) | 1988-05-25 | 1989-05-23 | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Halbleiterbauelementen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63128077A JP2684677B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01297831A true JPH01297831A (ja) | 1989-11-30 |
| JP2684677B2 JP2684677B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=14975860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63128077A Expired - Fee Related JP2684677B2 (ja) | 1988-05-25 | 1988-05-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5110515A (ja) |
| JP (1) | JP2684677B2 (ja) |
| KR (1) | KR920009914B1 (ja) |
| DE (1) | DE3916785C2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0448639A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-18 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び製造方法 |
| JP2007005557A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子部品の実装方法 |
| JP2010179401A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
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| DE4314284A1 (de) * | 1993-04-30 | 1994-11-03 | Telefunken Microelectron | Verfahren zum Bestimmen von mechanischen Grenzflächeneigenschaften bei integrierten Schaltkreisen |
| US6007316A (en) * | 1993-07-22 | 1999-12-28 | Towa Corporation | Apparatus for molding resin to seal electronic parts |
| TW257745B (ja) * | 1993-07-22 | 1995-09-21 | Towa Kk | |
| US5622731A (en) * | 1993-09-10 | 1997-04-22 | Fierkens; Richard H. J. | Automatic post mold curing apparatus for use in providing encapsulated semiconductor chips and method therefor |
| US5478517A (en) * | 1994-02-28 | 1995-12-26 | Gennum Corporation | Method for molding IC chips |
| KR100377981B1 (ko) * | 1994-06-07 | 2003-05-27 | 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 성형화합물큐어링방법 |
| BR9808336A (pt) | 1997-03-14 | 2001-09-11 | Dow Chemical Co | Método para tratar polìmeros de poliuretano, poliuretano/uréia e poliuréia moldados por injeção de reação |
| US6306331B1 (en) | 1999-03-24 | 2001-10-23 | International Business Machines Corporation | Ultra mold for encapsulating very thin packages |
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| JP5693160B2 (ja) * | 2010-11-09 | 2015-04-01 | キヤノン株式会社 | 複合光学素子の製造方法、製造装置、及び応力除去方法 |
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| JPS5717153A (en) * | 1980-07-04 | 1982-01-28 | Asahi Glass Co Ltd | Sealing method of electronic parts |
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-
1988
- 1988-05-25 JP JP63128077A patent/JP2684677B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-05-16 US US07/353,256 patent/US5110515A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-19 KR KR1019890006716A patent/KR920009914B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-05-23 DE DE3916785A patent/DE3916785C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3916785C2 (de) | 1995-11-16 |
| US5110515A (en) | 1992-05-05 |
| JP2684677B2 (ja) | 1997-12-03 |
| KR890017786A (ko) | 1989-12-18 |
| DE3916785A1 (de) | 1989-11-30 |
| KR920009914B1 (ko) | 1992-11-06 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |