JPH04208430A - 等温射出成形プ口セス - Google Patents
等温射出成形プ口セスInfo
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１３
【産業上の利用分野］本発明は、一般的に射出成形プロ
セスに関し、さらに詳しくは、半導体素子をカプセルに
収容するために熱可塑性樹脂を使用した等温射出成形プ
ロセスに関する。 ［０００２］ 【従来技術および解決すべき課題】半導体素子をカプセ
ルに収容することに関する最近の傾向は、射出成形と組
み合わせて熱可塑性樹脂を採用することである。一般的
に、ポリ芳香族のようなエンジニアリング原材料を溶融
温度に保ち、高速度でモールド内に射出する。比較的大
型のパッケージの場合、樹脂材料を最高４０．ｏｏｏｐ
ｓｉの圧力でモールド内に射出することができる。小型
のパッケージの場合、圧力はいくらか低い。 ［０００３］一般的に射出成形機は、モールドに樹脂材
料を実際に射出するノズルのみが加熱されるので、この
溶融状態の樹脂材料が最初に「冷えた」モールドと接触
する場合に問題を生じる。例えば、溶融状態の樹脂材料
がモールドと接触する場合、一般的に微小繊維（ｆｉｂ
ｒ ｉ ｌ ｓ）が形成される。微小繊維は、基本的に
樹脂の弦であり、これは融合温度が低い樹脂中にマトリ
ックス材料が形成される場合の温度より高い温度で形成
される。半固体の微小繊維がモールド内に射出される場
合、通常これらの繊維は回路部品を接続している細線を
掃引四（ｓｗｅｅｐ）Ｌ、ダイ・フラッグを曲げること
さえ知られている。これは特により小型のパッケージを
成形する場合によく生じる。 ［０００４］ ｒ冷えたＪモールドを使用することに
よる他の固有の問題は、冷えたラップ（ｌａｐ）を形成
することである。冷えたラップは、パッケージの部材が
モールドのキャビティ全体に充填される前に凝固した場
合に生じる。これらの冷えたラップは、構造的に不連続
であるこのパッケージの残りの部分よりもはるかに脆弱
であり、またこれは、幾つかの材料ではこれらのラップ
を横切って微小繊維が形成されないためでもある。これ
によって、固有の脆弱さを有し信頼性に乏しいパッケー
ジが作られ、これは構造上の要求と気密性の要求を満足
しない。上述の問題に鑑み、樹脂の容器全体が電子部品
を損傷することなく同時に硬化し、その結果、より優れ
た信頼できるパッケージを製造することのできる等温射
出成形プロセスを得ることは、非常に望ましい。 ［０００５］したがって、本発明の目的は、熱可塑性樹
脂と組み合わせて使用することのできる等温射出成形プ
ロセスを提供することである。 ［０００６１本発明の他の目的は、成形材料が全て同時
に硬化する等温射出成形プロセスを提供することである
。 ［０００７１本発明の他の目的は、カプセルに収容する
間に電子素子の部分を破損しない等温射出成形プロセス
を提供することである。 ［０００８］本発明のさらに他の目的は、成形した部品
の構造上の要求を満たす等温射出成形プロセスを提供す
ることである。 ［０００９１本発明のさらに他の目的は、比較的小型の
成形キャピテイと組み合わせて使用することのできる等
温射出成形プロセスを提供することである。 ［００１０１本発明のさらに他の目的は、射出圧が比較
的低い等温射出成形プロセスを提供することである。 ［００１１］
セスに関し、さらに詳しくは、半導体素子をカプセルに
収容するために熱可塑性樹脂を使用した等温射出成形プ
ロセスに関する。 ［０００２］ 【従来技術および解決すべき課題】半導体素子をカプセ
ルに収容することに関する最近の傾向は、射出成形と組
み合わせて熱可塑性樹脂を採用することである。一般的
に、ポリ芳香族のようなエンジニアリング原材料を溶融
温度に保ち、高速度でモールド内に射出する。比較的大
型のパッケージの場合、樹脂材料を最高４０．ｏｏｏｐ
ｓｉの圧力でモールド内に射出することができる。小型
のパッケージの場合、圧力はいくらか低い。 ［０００３］一般的に射出成形機は、モールドに樹脂材
料を実際に射出するノズルのみが加熱されるので、この
溶融状態の樹脂材料が最初に「冷えた」モールドと接触
する場合に問題を生じる。例えば、溶融状態の樹脂材料
がモールドと接触する場合、一般的に微小繊維（ｆｉｂ
ｒ ｉ ｌ ｓ）が形成される。微小繊維は、基本的に
樹脂の弦であり、これは融合温度が低い樹脂中にマトリ
ックス材料が形成される場合の温度より高い温度で形成
される。半固体の微小繊維がモールド内に射出される場
合、通常これらの繊維は回路部品を接続している細線を
掃引四（ｓｗｅｅｐ）Ｌ、ダイ・フラッグを曲げること
さえ知られている。これは特により小型のパッケージを
成形する場合によく生じる。 ［０００４］ ｒ冷えたＪモールドを使用することに
よる他の固有の問題は、冷えたラップ（ｌａｐ）を形成
することである。冷えたラップは、パッケージの部材が
モールドのキャビティ全体に充填される前に凝固した場
合に生じる。これらの冷えたラップは、構造的に不連続
であるこのパッケージの残りの部分よりもはるかに脆弱
であり、またこれは、幾つかの材料ではこれらのラップ
を横切って微小繊維が形成されないためでもある。これ
によって、固有の脆弱さを有し信頼性に乏しいパッケー
ジが作られ、これは構造上の要求と気密性の要求を満足
しない。上述の問題に鑑み、樹脂の容器全体が電子部品
を損傷することなく同時に硬化し、その結果、より優れ
た信頼できるパッケージを製造することのできる等温射
出成形プロセスを得ることは、非常に望ましい。 ［０００５］したがって、本発明の目的は、熱可塑性樹
脂と組み合わせて使用することのできる等温射出成形プ
ロセスを提供することである。 ［０００６１本発明の他の目的は、成形材料が全て同時
に硬化する等温射出成形プロセスを提供することである
。 ［０００７１本発明の他の目的は、カプセルに収容する
間に電子素子の部分を破損しない等温射出成形プロセス
を提供することである。 ［０００８］本発明のさらに他の目的は、成形した部品
の構造上の要求を満たす等温射出成形プロセスを提供す
ることである。 ［０００９１本発明のさらに他の目的は、比較的小型の
成形キャピテイと組み合わせて使用することのできる等
温射出成形プロセスを提供することである。 ［００１０１本発明のさらに他の目的は、射出圧が比較
的低い等温射出成形プロセスを提供することである。 ［００１１］
【課題を解決する手段】前述およびその他の目的並びに
利点は、本発明の１実施例によって実現され、この実施
例の一部として、少なくとも１つの成形キャビティを有
する射出成形機が提供される。この成形キャビティは、
使用される成形材料の熱偏向温度（ｈｅａｔ ｄｅｆ
ｌｅｃｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒｔｕｒｅ）より高い温
度に加熱され、次にこの中に溶融した成形材料が射出さ
れる。このキャピテイに成形材料が充填された後、この
キャビティはこの成形材料の熱偏向温度以下の温度に冷
却され、次に収容されている部品が取り除かれる。 ［００１２］
利点は、本発明の１実施例によって実現され、この実施
例の一部として、少なくとも１つの成形キャビティを有
する射出成形機が提供される。この成形キャビティは、
使用される成形材料の熱偏向温度（ｈｅａｔ ｄｅｆ
ｌｅｃｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒｔｕｒｅ）より高い温
度に加熱され、次にこの中に溶融した成形材料が射出さ
れる。このキャピテイに成形材料が充填された後、この
キャビティはこの成形材料の熱偏向温度以下の温度に冷
却され、次に収容されている部品が取り除かれる。 ［００１２］
【実施例】図面は、内部構造を示すために部分的に切断
した射出成形機１０の一部の断面図である。この図に示
す通り、射出成形機１０は一つの成形チャンバのみを示
すが、射出成形機は多数の連結されたまたは連結されな
い成形チャンバを有することも可能である。射出成形機
１０は、開口部に示される対向する成形面１４Ａと１４
Ｂを有する成形プレート１２Ａと１２Ｂを有する。これ
らの面１４は、本実施例に示す半導体素子１６のような
精密に成形された部品を製造できるよう、正確な公差で
機械仕上げされる。 ［００１３１対向する成形面１４Ａと１４Ｂは、機械仕
上げ領域１８を有する。成形プレート１２Ａと１２Ｂが
実際の成形プロセスで閉じられた場合、機械仕上げ領域
１８は空気ダクトを形成し、これを介して射出成形機を
加熱したり冷却したりできる。対向する成形面１４Ａと
１４Ｂは、また機械仕上げされた成形領域２ＯＡと２０
Ｂを有する。再び、成形型１２Ａと１２Ｂが成形のため
閉じられた場合、機械仕上げされた領域２ＯＡと２０Ｂ
は成形キャビティを形成する。 ［００１４］機械仕上げされた成形領域２０Ｂは、成形
コンパウンド射出手段２２に接続される。成形コンパウ
ンド射出手段２２は、成形キャビティに成形コンパウン
ドを直接供給するゲート２４とこのゲート２４に成形コ
ンパウンドを供給する湯道２６とを有する。本実施例で
は、ゲート２４の幅は湯道２６より狭い。これによって
、湯道２６内の成形コンパウンドに加える必要のある圧
力よりも高い圧力で、成形コンパウンドを成形キャビテ
ィ内に射出することができる。湯道２６はマニホールド
２８に連続し、このマニホールド２８は基本的に成形コ
ンパウンドの貯蔵および分配手段として機能する。射出
成形機が複数の成形キャビティを有する場合、１つのマ
ニホールド２８は複数の湯道２６によって接続されてい
る複数の成形キャビティにサービスを行うことができる
ことを当業者は理解しなければならない。 ［００１５］一般的に、マニホールド２８は成形コンパ
ウンドを溶融状態で貯蔵できるように加熱される。従来
技術の射出成形プロセスは、次にマニホールドから「冷
えた」モールドに溶融した成形コンパウンドを射出する
段階を含む。成形コンパウンドが加熱されたマニホール
ド２８から離れ湯道２６に進入すると、この成形コンパ
ウンドは凝固し始めるので、適正な成形を妨げる多くの
問題が生じる。例えば、湯道とゲート内に形成された微
小繊維が阻害要因を形成し、成形キャビティを完全に充
填することを不可能にする。この問題を解消するために
、ある場合には最高４０，０００ｐｓ ｉのような過大
な圧力で成形コンパウンド射出することによって多くの
大型パッケージが成形され、その結果、この成形コンパ
ウンドは凝固する前に成形キャビティを正しく充填する
。しかし、高い圧力による成形によって、ワイヤの掃引
およびリード・フレーム・フラッグの変形のような電子
素子の多くの問題が生じる。これらの問題は、比較的小
型の素子で特に顕著である。 ［００１６］本発明の最も重要な点は、溶融成形コンパ
ウンドがマニホールド２８から成形キャビティに凝固す
ることなく直接流れ込むことができるように、射出成形
機の少なくとも成形キャビティを加熱することである。 本実施例では、成形キャビティを加熱することは射出成
形機１０の外側周辺部を取り囲んでヒータ３０を配設す
ることによって実現される。技術上周知の多くの種類の
ヒータをこの目的のために使用することができる。図示
のように、ヒータ３０は成形キャビティを加熱するだけ
でなく、湯道２６とゲート２４も加熱する。成形コンパ
ウンドが流れる経路全体を加熱することは、成形キャビ
ティに成形コンパウンドを良好に射出することさえも可
能にする。 ［００１７］成形コンパウンドが流れる経路全体を加熱
することによって、射出圧力を大幅に低減することがで
きる。低い射出圧力と加熱した成形コンパウンドの流路
を使用することによって、５ＯＴ２３のような比較的小
型の半導体素子に対して特に射出成形が成功し、この場
合成形キャビティは厚さが約１０分の１インチであり、
長さは約１６分の３インチである。この種類の素子の場
合、１０００ｐｓ ｉより低い射出圧力を使用すること
によって、成形をうまく行うことができる。 ［００１８］このプロセスでは、成形コンパウンドは、
少なくともこの成形コンパウンドの熱偏向温度（ｈｅａ
ｔ ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ
ｅ）より高い温度で加熱しなければならない。この熱偏
向湿度とは、この成形コンパウンドは半溶融状態である
が低い応力で成形された形状を維持する温度のことであ
る。 この成形コンパウンドを溶融温度に加熱することが好ま
しい。多くの熱可塑性エンジニアリング材料を使用する
ことができるが、約３２６℃の溶融温度で、約２６０℃
の熱偏向温度を有するポリ芳香族材料が好ましい。この
同じポリ芳香族材料の分子構造配列の変化が実際に起こ
るガラス遷移温度は、約２２０℃である。 ［００１９１部品が成形されてしまうと、部品をモール
ドから取り外すことができるように、射出成形機１０を
成形材料の熱偏向温度以下の温度に冷却しなければなら
ない。冷却は、この射出成形機を室温に置くか、この射
出成形機に冷却手段を設けるかのいずれかによって行う
ことができる。冷却手段は、機械仕上げした領域１８に
よって形成した空気ダクト等を介して空気またはいずれ
かの適当なガスを成形キャピテイ内またはその周囲に注
入することによって構成することができる。さらに、射
出成形機１０を冷却するために液体を使用することも可
能である。種々の冷却手段を使用することができる。 ［００２０１ここで図示するように容器に収容された半
Ｊ 導体素子１６は成形キャビティ内で形成されている。射
出成形機１０が冷却されてしまうと、素子１６が取り財
かれる。この素子１６はカプセル３２を有し、ここから
複数のリード３４が延びている。リード３４は、カブナ
ル３２の内部に配設された実際の半導体チップとの外部
接点として機能する。図面では、素子１６はリード３４
をストリップ状のトラック３６に挿入することによって
所定の位置に保持されるが、素子１６を保持する多くの
他の装置または方法を使用することができる。これらの
装置と方法は当業者にとって明らかである。
した射出成形機１０の一部の断面図である。この図に示
す通り、射出成形機１０は一つの成形チャンバのみを示
すが、射出成形機は多数の連結されたまたは連結されな
い成形チャンバを有することも可能である。射出成形機
１０は、開口部に示される対向する成形面１４Ａと１４
Ｂを有する成形プレート１２Ａと１２Ｂを有する。これ
らの面１４は、本実施例に示す半導体素子１６のような
精密に成形された部品を製造できるよう、正確な公差で
機械仕上げされる。 ［００１３１対向する成形面１４Ａと１４Ｂは、機械仕
上げ領域１８を有する。成形プレート１２Ａと１２Ｂが
実際の成形プロセスで閉じられた場合、機械仕上げ領域
１８は空気ダクトを形成し、これを介して射出成形機を
加熱したり冷却したりできる。対向する成形面１４Ａと
１４Ｂは、また機械仕上げされた成形領域２ＯＡと２０
Ｂを有する。再び、成形型１２Ａと１２Ｂが成形のため
閉じられた場合、機械仕上げされた領域２ＯＡと２０Ｂ
は成形キャビティを形成する。 ［００１４］機械仕上げされた成形領域２０Ｂは、成形
コンパウンド射出手段２２に接続される。成形コンパウ
ンド射出手段２２は、成形キャビティに成形コンパウン
ドを直接供給するゲート２４とこのゲート２４に成形コ
ンパウンドを供給する湯道２６とを有する。本実施例で
は、ゲート２４の幅は湯道２６より狭い。これによって
、湯道２６内の成形コンパウンドに加える必要のある圧
力よりも高い圧力で、成形コンパウンドを成形キャビテ
ィ内に射出することができる。湯道２６はマニホールド
２８に連続し、このマニホールド２８は基本的に成形コ
ンパウンドの貯蔵および分配手段として機能する。射出
成形機が複数の成形キャビティを有する場合、１つのマ
ニホールド２８は複数の湯道２６によって接続されてい
る複数の成形キャビティにサービスを行うことができる
ことを当業者は理解しなければならない。 ［００１５］一般的に、マニホールド２８は成形コンパ
ウンドを溶融状態で貯蔵できるように加熱される。従来
技術の射出成形プロセスは、次にマニホールドから「冷
えた」モールドに溶融した成形コンパウンドを射出する
段階を含む。成形コンパウンドが加熱されたマニホール
ド２８から離れ湯道２６に進入すると、この成形コンパ
ウンドは凝固し始めるので、適正な成形を妨げる多くの
問題が生じる。例えば、湯道とゲート内に形成された微
小繊維が阻害要因を形成し、成形キャビティを完全に充
填することを不可能にする。この問題を解消するために
、ある場合には最高４０，０００ｐｓ ｉのような過大
な圧力で成形コンパウンド射出することによって多くの
大型パッケージが成形され、その結果、この成形コンパ
ウンドは凝固する前に成形キャビティを正しく充填する
。しかし、高い圧力による成形によって、ワイヤの掃引
およびリード・フレーム・フラッグの変形のような電子
素子の多くの問題が生じる。これらの問題は、比較的小
型の素子で特に顕著である。 ［００１６］本発明の最も重要な点は、溶融成形コンパ
ウンドがマニホールド２８から成形キャビティに凝固す
ることなく直接流れ込むことができるように、射出成形
機の少なくとも成形キャビティを加熱することである。 本実施例では、成形キャビティを加熱することは射出成
形機１０の外側周辺部を取り囲んでヒータ３０を配設す
ることによって実現される。技術上周知の多くの種類の
ヒータをこの目的のために使用することができる。図示
のように、ヒータ３０は成形キャビティを加熱するだけ
でなく、湯道２６とゲート２４も加熱する。成形コンパ
ウンドが流れる経路全体を加熱することは、成形キャビ
ティに成形コンパウンドを良好に射出することさえも可
能にする。 ［００１７］成形コンパウンドが流れる経路全体を加熱
することによって、射出圧力を大幅に低減することがで
きる。低い射出圧力と加熱した成形コンパウンドの流路
を使用することによって、５ＯＴ２３のような比較的小
型の半導体素子に対して特に射出成形が成功し、この場
合成形キャビティは厚さが約１０分の１インチであり、
長さは約１６分の３インチである。この種類の素子の場
合、１０００ｐｓ ｉより低い射出圧力を使用すること
によって、成形をうまく行うことができる。 ［００１８］このプロセスでは、成形コンパウンドは、
少なくともこの成形コンパウンドの熱偏向温度（ｈｅａ
ｔ ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ
ｅ）より高い温度で加熱しなければならない。この熱偏
向湿度とは、この成形コンパウンドは半溶融状態である
が低い応力で成形された形状を維持する温度のことであ
る。 この成形コンパウンドを溶融温度に加熱することが好ま
しい。多くの熱可塑性エンジニアリング材料を使用する
ことができるが、約３２６℃の溶融温度で、約２６０℃
の熱偏向温度を有するポリ芳香族材料が好ましい。この
同じポリ芳香族材料の分子構造配列の変化が実際に起こ
るガラス遷移温度は、約２２０℃である。 ［００１９１部品が成形されてしまうと、部品をモール
ドから取り外すことができるように、射出成形機１０を
成形材料の熱偏向温度以下の温度に冷却しなければなら
ない。冷却は、この射出成形機を室温に置くか、この射
出成形機に冷却手段を設けるかのいずれかによって行う
ことができる。冷却手段は、機械仕上げした領域１８に
よって形成した空気ダクト等を介して空気またはいずれ
かの適当なガスを成形キャピテイ内またはその周囲に注
入することによって構成することができる。さらに、射
出成形機１０を冷却するために液体を使用することも可
能である。種々の冷却手段を使用することができる。 ［００２０１ここで図示するように容器に収容された半
Ｊ 導体素子１６は成形キャビティ内で形成されている。射
出成形機１０が冷却されてしまうと、素子１６が取り財
かれる。この素子１６はカプセル３２を有し、ここから
複数のリード３４が延びている。リード３４は、カブナ
ル３２の内部に配設された実際の半導体チップとの外部
接点として機能する。図面では、素子１６はリード３４
をストリップ状のトラック３６に挿入することによって
所定の位置に保持されるが、素子１６を保持する多くの
他の装置または方法を使用することができる。これらの
装置と方法は当業者にとって明らかである。
【図１】本発明の実施に用いる射出成形機の内部構造を
示す部分的に切断した断面図。
示す部分的に切断した断面図。
Claims (3)
- 【請求項１】等温射出成形プロセスであって：少なくと
も１つの成形キャビティを有する射出成形機を設ける段
階；前記少なくとも１つの成形キャビティを使用すべき
成形材料の熱偏向温度より高い温度に加熱する段階；溶
融成形材料を前記少なくとも１つの成形キャビティ内に
射出する段階；および前記少なくとも１つの成形キャビ
ティを前記成形材料の熱偏向温度以下の温度に冷却する
段階；によって構成されることを特徴とするプロセス。 - 【請求項２】半導体素子を封止する等温射出成形プロセ
スであって：１つのマニホールドと複数の湯道によって
相互に接続されると共に前記マニホールドに接続された
複数の成形キャビティとを有する射出成形機を設ける段
階；前記射出成形機を使用すべき成形材料の熱偏向温度
より高い温度に加熱する段階；前記複数の成形キャビテ
ィ内に溶融熱可塑性成形材料を射出する段階；および前
記射出成形機を前記成形材料の熱輻向温度以下の温度に
冷却する段階；によって構成されることを特徴とするプ
ロセス。 - 【請求項３】半導体素子を封止するプロセスであって：
１つのマニホールドと複数の湯道によって相互に接続さ
れると共に前記マニホールドに接続された複数の成形キ
ャビティとを有する射出成形機を設ける段階；封止され
ていない半導体素子を前記複数の成形キャビテイ内に載
置する段階；前記射出成形機を使用すべき封止成形材料
のほぼ溶融温度に加熱する段階；前記複数の成形キャビ
ティ内に溶融熱可塑性封止成形材料を１０００ｐｓｉよ
り低い圧力で射出する段階；および前記射出成形機を前
記封止成形材料の熱偏向温度以下の温度に冷却する段階
；によって構成されることを特徴とするプロセス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US45722389A | 1989-12-26 | 1989-12-26 | |
| US457,223 | 1989-12-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04208430A true JPH04208430A (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=23815903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2417942A Pending JPH04208430A (ja) | 1989-12-26 | 1990-12-20 | 等温射出成形プ口セス |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0435091A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04208430A (ja) |
| KR (1) | KR910011421A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226396A (ja) * | 1992-02-10 | 1993-09-03 | Nec Corp | 樹脂モールド型半導体装置の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL2000356C2 (nl) * | 2006-12-05 | 2008-06-06 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het omhullen van elektronische componenten waarbij het omhulmateriaal wordt gekoeld. |
| CN116551951B (zh) * | 2023-05-12 | 2023-10-20 | 常州极束半导体材料有限公司 | 一种可快速成型的半导体模块用注塑封装装置 |
Family Cites Families (8)
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|---|---|---|---|---|
| US2535436A (en) * | 1947-11-28 | 1950-12-26 | Prophylactic Brush Co | Art of molding thermoplastic material by the injection molding method |
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| DE2331426A1 (de) * | 1973-06-20 | 1975-01-16 | Fanini S I M S P A | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von kunststoffgegenstaenden |
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| DE3811112A1 (de) * | 1988-03-31 | 1989-10-12 | Fritz Mueller | Spritzgussverfahren fuer kunststoffe und spritzgussform |
-
1990
- 1990-10-26 KR KR1019900017214A patent/KR910011421A/ko not_active Application Discontinuation
- 1990-12-13 EP EP19900124103 patent/EP0435091A3/en not_active Ceased
- 1990-12-20 JP JP2417942A patent/JPH04208430A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05226396A (ja) * | 1992-02-10 | 1993-09-03 | Nec Corp | 樹脂モールド型半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910011421A (ko) | 1991-08-07 |
| EP0435091A2 (en) | 1991-07-03 |
| EP0435091A3 (en) | 1992-01-22 |
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