DE3916785C2

DE3916785C2 - Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Halbleiterbauelementen

Info

Publication number: DE3916785C2
Application number: DE3916785A
Authority: DE
Inventors: Shozo Nakamura; Aizo Kaneda; Shigeharu Tsunoda; Akio Hasebe; Masao Mitani
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1988-05-25
Filing date: 1989-05-23
Publication date: 1995-11-16
Anticipated expiration: 2009-05-24
Also published as: US5110515A; DE3916785A1; KR920009914B1; JPH01297831A; JP2684677B2; KR890017786A

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit einem Halb leiterchip, einem Leiterrahmen und einem Kunstharzgehäuse.

Bislang wurden diese Kunstharzgehäuse mittels eines Nach-Aushärtens des Kunstharzes hergestellt, und zwar über eine Stapelverarbeitung.

Ein herkömmliches Herstellungsverfahren, wie es z. B. aus H.-J. Hacke "Montage Integrierter Schaltungen" Springer-Verlag Berlin (1987), Seiten 126 bis 136 oder aus M. T. Gossey "Plastics for Electronics", Elsevier Appl. Science, "Publishers London" (1985), Seiten 137-156 bekannt ist, füllt geschmolzenes Kunstharz in ein Formteil einer Formmaschine, in dem der Leiterrahmen und Halbleiterchip plaziert werden und erzeugt ein geformtes Produkt eines Kunstharzgehäuses, welches den Leiterrahmen und Halbleiterchip in sich aufnimmt. Die so hergestellten geformten Produkte werden in einer Umgebung von Raumtemperatur belas sen, bis eine vorbestimmte Anzahl von geformten Produkten hergestellt wurde. Wenn die vorbestimmte Anzahl von geformten Produkten vorbereitet ist, werden diese geformten Produkte in einer Erhitzungskammer angeordnet und in dieser erhitzt zum Nach-Aushärten. Hiernach werden sie natürlich abgekühlt, um die fertigen Halbleiterbauelemente zu erlangen.

In der zweiten oben genannten Literaturstelle ist ein automatisches Verfahren und eine automatische Vorrichtung dieser Art ohne Einschluß des Nach-Aus härtens offenbart.

Das Kunstharzgehäuse und der Leiterrahmen weisen Materialien auf, die in ihren thermischen und mechanischen Eigenschaften voneinander unterschiedlich sind. Deshalb können die Gehäuse, unter dem Einfluß der externen Umgebung, wie etwa thermische Belastung und mechani sche Belastung, aufbrechen oder das Kunstharz kann an der Verbindungsstelle zwischen Leiterrahmen und Kunstharz abblättern bzw. sich aufrollen.

In letzter Zeit, mit der Vergrößerung der Halbleiterbauele mente einhergehend, wächst der Platzbedarf des Halbleiterchips und Leiterrahmens im Gehäuse bezogen auf das Gehäuse stark an und deswegen nimmt die Dicke der Kunstharzschicht des Gehäuses ab. Dies führt zu einer Verschlechterung der Belastungsfähigkeit des gesamten Gehäuses. Dementsprechend kann das Gehäuse aufbrechen und das Kunstharz kann an der Verbindungsstelle abblät tern, obwohl das Gehäuse nur einer geringen externen Kraft oder Wärmebelastung ausgesetzt ist.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Kunstharz gehäuse für Halbleiterbauelemente zur Verfügung zu stellen, welches frei ist von der Gefahr des Auftretens von Aufbrechen und Abblättern an der Verbindungsstelle zum Leiterrahmen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 2 und durch eine Vorrichtung nach Anspruch 5 gelöst.

Es ist bekannt, daß, um das Auftreten von Aufbrechen und Abblättern an der Verbindungsstelle zu verhindern, es effektiv ist, die Restspannung oder verbleibende Belastung in der Verbindungs stelle zwischen dem Kunstharz und dem Leiterrahmen zu reduzieren. Dementsprechend analysieren die vorliegenden Erfinder die verbleibende Belastung bzw. Restspannung in der Verbindungsstelle zwischen Kunstharz und dem Leiterrahmen, indem sie z. B. Gebrauch machten von der Thermoviskoelasti schen Streßanalysemethode, wie sie in der JP-A 62 182 629 offenbart ist. Als ein Ergebnis wurden die folgenden Merkmale gefunden:

(1) Wenn die Glasübergangstemperatur hoch wird, wird die verbleibende Belastung niedrig; und
(2) obwohl die Glasübergangstemperatur des Kunstharzes eine Temperatur ist, die kunstharzspezifisch ist, steigt die Glasübergangstemperatur ein wenig aufgrund der Erwärmung des Kunstharzes an.

Dementsprechend wird gemäß der vorliegenden Erfindung die Restspannung reduziert, indem die Glasübergangstem peratur des Kunstharzes geeignet gesteuert wird.

Als eine Konsequenz wird entsprechend der vorliegenden Erfindung, direkt, nachdem ein geformtes Produkt mittels Formens geformt wurde, das geformte Produkt erhitzt, um einem Nach-Aushärten ausgesetzt zu werden, indem es für eine vorbestimmte Zeitspanne einer Temperatur ausgesetzt wird, die höher ist als die Glasübergangstemperatur des Kunstharzes, und es wird im folgenden ohne Verzögerung weiter erhitzt, indem es für eine weitere vorbestimmte Zeitspanne auf einer Temperatur gehalten wird, die im wesentlichen gleich der Glasübergangstemperatur des Kunsthar zes ist.

Eine Herstellungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist eine Formmaschine auf, eine Erhitzungskammer, in der geformte Produkte sukzessive aufgenommen werden, um dem Nach-Aushärten ausgesetzt zu werden, eine Übertragungseinrichtung zum aufeinanderfolgenden Übertragen bzw. Transportieren der geformten Produkte von der Formmaschine zu der Erhitzungskammer, und Erhitzungs einrichtungen zum Erhitzen der geformten Produkte, die auf und entlang der Übertragungseinrichtung transportiert werden, um diese nach-aushärten zu lassen. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird das geformte Produkt erhitzt, um dem Nach- Aushärten ausgesetzt zu werden, direkt, nachdem es geformt wurde und es wird weiter auf einer Temperatur gehalten, die im wesentlichen gleich der Glasübergangstemperatur ist. Demzufolge kann, da die Glasübergangstemperatur des Kunstharzes in einem früheren Abschnitt des Herstellungsprozesses wesentlich ansteigt, die verbleibende Belastung bzw. Restspannung reduziert werden.

Funktionen bzw. Zusammenhänge und andere Effekte der vorlie genden Erfindung werden aufgrund der folgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen deutlicher werden, die im Detail unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen zu beschreiben sind.

Fig. 1 ist ein Diagramm, das eine Anordnung der Vorrichtung zum Herstellen von Halbleiterbauelementen gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;

Fig. 2 ist ein Flußdiagramm, das den Fluß bzw. den Ablauf der geformten Produkte in der Vorrichtung aus Fig. 1 zeigt;

Fig. 3A bis 3D sind Ansichten, die jeweilige Operationen bzw. Arbeitsschritte der Transferpresse aus Fig. 1 zeigen;

Fig. 4A und 4B sind Diagramme, die einen Temperaturwechsel und einen Belastungswechsel des geformten Produktes gemäß der ersten Ausführungsform jeweils zeigen;

Fig. 5 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen der Glasübergangstemperatur des Kunstharzes und der verbleibenden Belastung an der Verbindungsstelle zeigt;

Fig. 6A und 6B sind Diagramme, die einen Temperaturwechsel bzw. einen Belastungswechsel des geformten Produktes gemäß dem Stand der Technik zeigen;

Fig. 7A und 7B sind Diagramme, die die Unterschiede zwischen der ersten Ausführungsform und einem vergleichbaren Beispiel zeigen, welches ein Nach-Aushärten in Zone III bei der Glasübergangstemperatur nicht aufweist, und zwar hinsichtlich eines Temperaturwechsels bzw. eines Belastungswechsels;

Fig. 8A und 8B sind Diagramme, die einen Temperaturwechsel bzw. einen Belastungswechsel gemäß einer zweiten Ausführungs form zeigen;

Fig. 9 ist ein Diagramm, das den Unterschied zwischen dem Stand der Technik, der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform hinsichtlich eines Glasübergangstemperatur wechsels zeigt; und

Fig. 10 bis 12 sind Diagramme, die die Unterschiede zwischen dem Stand der Technik, der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform hinsichtlich einer verblei benden Belastung, einer Verarbeitungszeit und eines Bruchde fektes bzw. einer Bruchausfallrate jeweils zeigen.

Eine Vorrichtung zum Herstellen von Kunstharzgehäusen für Halbleiterbauelemente weist Zonen I bis IV auf, wie in Fig. 1 gezeigt. Geformte Produkte P, also die Kunstharzgehäuse für Halbleiterbauelemente, sind von der Zone I bis zu der Zone IV zu transportieren.

In der Zone I ist eine Folgepresse bzw. Transferpresse 10 installiert.

In der Zone II sind eine Übertragungseinrichtung 20 mit einer Transportoberfläche 21, und Erhitzer 30 zum Erhitzen der geformten Produkte P während des Transports vorgesehen.

In der Zone III ist eine Erhitzungskammer 40 vorgesehen zum weiteren Erhitzen der geformten Produkte P, die bis dahin mittels der Übertragungseinrichtung 20 transportiert werden.

In der Zone IV ist eine Abkühlstufe bzw. Abkühlstation 50 vorgesehen, auf der die geformten Produkte P aus der Erhitzungskammer 40 natür lich abzukühlen sind.

In der Zone I wird der Betrieb, der die Schritte 100 bis 104 aus Fig. 2 aufweist, ausgeführt. In der Zone II wird der Betrieb des Schrittes 105 ausgeführt. In der Zone III wird der Betrieb des Schrittes 106 ausgeführt. In der Zone IV wird der Betrieb des Schrittes 107 ausgeführt.

Im folgenden wird der Betrieb der Vorrichtung in den jeweili gen Zonen erklärt.

In der Zone I wird zunächst ein Führungsrahmen 14, auf dem Halbleiterchips festgelegt sind, in einem Hohlraum 13 angeordnet, der durch untere und obere Metallformteile 11 und 12 definiert wird, die in der Transferpresse 10 angeordnet sind. Eine Kunstharztablette R, wie z. B. Epoxidharz vom phenoli schen Novolak-Typ, bevorzugt jedoch Epoxidharz vom phenoli schen Novolak-Typ, das 50-80 Volumenprozent geschmolzenen Quarzfüllers enthält (Schritt 100) ist vorgesehen. Das Material des Kunstharzes ist nicht auf dieses beschränkt und verschiedene Arten von Kunstharzmaterialien sind anwend bar. Wie in Fig. 3A gezeigt, wird die Kunstharztablette R, nachdem die unteren und oberen Metallformen 11 und 12 auf etwa 175°C erhitzt worden sind, in einen Tiegel 15 geworfen, der durch die unteren und oberen Metallformen 11 und 12 (Schritt 101) definiert wird. Ein Tauchkolben 16 drückt die Kunstharztablette R nach unten. Dann schmilzt das Kunstharz R und fließt in einen Hohlraum 13, durch eine Rinne 17 und eine Öffnung 18 (Fig. 3B). Der Hohlraum 13 wird mit dem Kunstharz R aufgefüllt, um das Formen fertigzustellen (Fig. 3C). Das Kunstharz bzw. Harz R wird für 90 Sekunden auf einer Temperatur von 175°C gehalten, um dem Aushärten (Schritt 102) ausgesetzt zu werden. Wie in Fig. 3D gezeigt, werden die unteren und oberen Metallformen 11 und 12 geöffnet und das geformte Produkt wird herausgenommen aus dem Formteil mittels der Freigabezapfen 19 (Schritt 103). Hiernach werden das Rinnenstück und Abfall entfernt, die für das geformte Produkt nicht notwendig sind (Schritt 104).

Die geformten Produkte aus der Transferpresse 10 werden hiernach der Zone II zugeführt. In der Zone II werden die geformten Produkte aufeinanderfolgend auf und entlang der Transport oberfläche 21 der Übertragungseinrichtung 20 in Richtung auf die Erhitzungskammer 40 transportiert. Fernes Infrarotlicht erzeugende Radiatoren 30 erhitzen und nach-aushärten die geformten Produkte während des Transports ununterbrochen, wobei die Radiatoren als Erhitzer auf jeder Seite der Transportfläche 21 vorgesehen sind. Die geformten Produkte werden beim Transport auf einer Temperatur gehalten, die ein wenig höher ist als die Temperatur der Formteile, d. h. bei etwa 180°C (Schritt 105).

In der Zone III werden die geformten Produkte aufeinanderfol gend zu der Erhitzungskammer 40 transportiert. In der Erhitzungskammer 40 werden sie auf einer Temperatur von etwa 180°C gehalten, und zwar für etwa eine Stunde mittels der Radiatoren für fernes-Infrarot, und werden weiterhin für etwa eine Stunde auf einer Temperatur gehalten, die im wesentlichen gleich der Glasübergangstemperatur des Kunstharzes R ist (135°C bis 158°C). Dementsprechend härten die geformten Produkte vollständig aus bzw. sie heilen vollstän dig (Schritt 106).

Hiernach werden die geformten Produkte natürlich abgekühlt auf der Kühlstation 50, die in der Zone IV vorgesehen ist (Schritt 107).

Als nächstes werden Veränderungen der Temperatur T_R des Kunstharzes, der Glasübergangstemperatur des Kunstharzes und der Belastung der geformten Produkte erklärt unter Bezugnahme auf die Fig. 4A und 4B.

Zunächst wird das geformte Produkt, während des Formens, d. h. während einer Zeitspanne tm (etwa 90 Sekunden) auf der Metallformteiltemperatur T_mO gehalten (Zone I). In der Zone II wird das geformte Produkt dann auf einer Temperatur T_c gehalten, die um 5°C höher ist, als die Metallformteiltempe ratur T_mO, mittels des Erhitzers 30, während des Transports zu der Erhitzungskammer 40. In der Erhitzungskammer 40 wird das geformte Produkt dann für etwa eine Stunde auf der Temperatur T_c gehalten, und es wird weiter für etwa eine Stunde auf einer Temperatur gehalten, die im wesentlichen gleich einer veränderten Glasübergangstemperatur T_g ist mittels des Radiators für fernes-Infrarot (Zone III). Hiernach wird das geformte Produkt natürlich abgekühlt auf der Abkühlstation 50 (Zone IV).

Wie aus Fig. 4A ersichtlich, steigt die Glasübergangstempera tur, die für das Kunstharz spezifisch ist, mit dem Erhitzen des Kunstharzes auf die Glasübergangstemperatur T_g an. Die Veränderung der Glasübergangstemperatur wurde in Übereinstimmung mit der differentiellen abtastenden kalorimetrischen Methode (diffe rential scanning calorimetry method) gemessen. Andererseits wurde die Beziehung zwischen der verbleibenden Belastung an der Verbindungsstelle und der Glasübergangstemperatur analysiert. Als Ergebnis wurde eine Beziehung, wie in Fig. 5 gezeigt, erhalten. Die in Fig. 5 gezeigten Resultate wurden unter den Bedingungen erhalten, daß zwei verschiedene Materialien A (Kunstharz) und B (Metall: Leiterrahmen) miteinander in einem Dreischichtenmodell verbunden wurden und bei einem Wärmeübertragungskoeffizienten (h von 4,65 × 10⁴W/m²K) von 180°C auf 20°C abgekühlt werden, die verbleibende Belastung an der Verbindungsstelle zwischen ihnen wurde gemessen bei verschiedenen Glasübergangstemperaturen des Kunstharzes. Wie aus Fig. 5 ersichtlich, ist die verbleibende Belastung um so geringer, je höher die Glasübergangstempera tur ist. Aus dem Vorangegangenen wird deutlich, daß die verbleibende Belastung so niedrig, wie in Fig. 4b gezeigt, gemacht werden kann.

Andererseits, wie in Fig. 6A gezeigt, wird bei dem herkömmli chen Herstellungsprozeß, der die Stapelverarbeitung verwen det, die Temperatur T _R des geformten Produktes nach dem Formen erniedrigt (Bereich II), da die geformten Produkte in der Umgebung mit Raumtemperatur belassen werden, bis eine vorbestimmte Anzahl von geformten Produkten hergestellt worden ist. Die geformten Produkte werden hiernach zum Nach-Aushärten in der Erhitzungskammer (Bereich III) erhitzt und anschließend natürlich abgekühlt (Bereich IV). In diesem Fall kann eine Erhöhung der Glasübergangstemperatur nicht in dem früheren Abschnitt des Herstellungsprozesses erlangt werden und die geformten Produkte werden in dem Abschnitt mit der niedrigeren Glasübergangstemperatur abgekühlt. Somit verbleibt eine hohe Belastung, die in dem früheren Abschnitt des Herstellungsprozesses verursacht wurde, weiterhin, die es unmöglich macht, die verbleibende Belastung zu reduzieren (Fig. 6B).

Im weiteren wird ein Vergleich gezogen bezüglich der Diffe renzen in den verbleibenden Belastungen zwischen der ersten Ausführungsform und einem vergleichbaren Beispiel, in dem es keinen Schritt gibt zum Aufrechterhalten der geformten Produkte auf einer Temperatur, die im wesentlichen gleich der Glasübergangstemperatur ist, und zwar mit Bezug auf die Fig. 7A und 7B. In den Zeichnungen zeigen jeweils dicke Linien und dünne Linien das erste Ausführungsbeispiel bzw. das vergleichbare Beispiel. Wie aus den Zeichnungen gesehen werden kann, liefert der Schritt zum Aufrechterhalten der Temperatur der geformten Produkte auf der Glasübergangstemperatur einen Beitrag zur Reduktion der verbleibenden Belastung. Es ist jedoch festzustellen, daß die verbleibende Belastung in dem geformten Produkt, das durch das zuvor erwähnte vergleichbare Beispiel hergestellt wurde, wesentlich kleiner ist als die des Verfahrens des Standes der Technik (Fig. 6A und 6B).

Eine weitere Ausführungsform wird zusätzlich mit Bezug auf die Fig. 8A und 8B erklärt.

In einer zweiten Ausführungsform ist die Temperatur, auf der das Kunstharz in der Zone II gehalten wird, unterschied lich von der in der ersten Ausführungsform. In der zweiten Ausführungsform wird die Temperatur, auf der das Kunstharz in der Zone II gehalten wird, auf einen Wert im wesentlichen gleich der Metallformteiltemperatur T_mO in der Zone I gesetzt. In diesem Fall kann die verbleibende Belastung auch klein gehalten werden.

Fig. 9 zeigt die Veränderungen der Glasübergangstemperatur des Kunstharzes gemäß der ersten und der zweiten Ausführungs form, in denen eine Erhitzung mit fernem-Infrarot eingesetzt wird, um das Kunstharz zu erhitzen. Der schwarze Punkt entspricht der ersten Ausführungsform und der weiße Punkt entspricht der zweiten Ausführungsform. Wie aus den Zeichnun gen ersichtlich, wird bei einem Vergleich zwischen dem Erhitzen des Standes der Technik (durch Kreuze gekennzeich net), in dem keine Erhitzung mit fernem-Infrarot verwendet wird, ersichtlich, daß das Erhitzen mit fernem-Infrarot die Glasübergangstemperatur sofort und schnell ansteigen läßt. Die Wellenlängen der bei dieser Erhitzung eingesetzten fernen Infrarotstrahlen liegen zwischen 0,5 m und 50 m. Die fernen Infrarotstrahlen mit einer Wellenlänge zwischen 1 m und 20 m sind besonders wirksam.

Die Unterschiede zwischen dem Stand der Technik, der ersten Ausführungsform und der zweiten Ausführungsform bezüglich der verbleibenden Belastung, der Herstellungszeit und der Bruchausfälle bzw. der Bruchausfallrate wird nun mit Bezug auf die Fig. 10 bis 12 erläutert. Aus der vorangegangenen Beschreibung wird ersichtlich, daß die verbleibende Belastung gemäß den Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stark reduziert werden kann (Fig. 10). Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es ebenfalls möglich, den Herstellungsprozeß in einer kürzeren Zeit zu vollenden, verglichen mit dem Stand der Technik, da verschwenderische Wartezeit für das geformte Produkt, welches in einer Umgebung mit Raumtemperatur belassen wird (Bereich II), gekürzt wird, und da das Aushärten sich mittels einer Erhitzung mit fernem-Infrarot schnell vollzieht (Fig. 11). Darüber hinaus kann, wie in Fig. 12 gezeigt, die Bruchausfallrate (wie etwa durch Aufbrechen oder Aufrollen an der Verbindungsstelle) auch reduziert werden.

Claims

1. Verfahren zum Herstellen von Halbleiter bauelementen mit einem Halbleiterchip, einem Leiterrahmen und einem Kunstharzge häuse mit folgenden Schritten:

a) Positionieren des Leiterrahmens und des Halbleiterchips innerhalb eines Hohl raumes eines Fernteils,
b) Füllen des Hohlraums mit Kunst harz und Härten des Kunstharzes bei einer Temperatur T_mo, die größer als die Glasübergangstemperatur T_go des Kunstharzes ist,
c) direkt nachfolgendes Erhitzen des so geformten Halbleiterbauelementes auf eine Temperatur T_c und Halten des Halbleiterbauelementes für eine vorbestimmte Zeitspanne auf dieser Temperatur T_c, die größer oder gleich der Temperatur für T_mo und größer als die sich bei diesem Erhitzen erhöhende Glasübergangstemperatur T_g des Kunstharzes ist,
d) Nach-Aushärten des Kunstharzes bei einer Nach-Aushärtetemperatur, die im wesentlichen gleich der erhöhten Glasübergangstemperatur T_g ist, und
e) natürliches Abkühlen des Halbleiter bauelementes.

2. Verfahren zum Herstellen von Halbleiter bauelementen mit einem Halbleiterchip, einem Leiterrahmen und einem Kunst harzgehäuse mit folgenden Schritten:

a) Positionieren des Leiterrahmens und des Halbleiterchips innerhalb eines Hohlraums eines Formteils,
b) Füllen des Hohlraumes mit Kunst harz und Härten des Kunstharzes bei einer Temperatur T_mo, die größer als die Glasübergangstemperatur T_go des Kunstharzes ist,
c) direkt nachfolgendes Erhitzen des so geformten Halbleiterbauelementes auf eine Tempera tur T_c und Halten des Halbleiter bauelementes für eine vorbestimmte Zeitspanne auf dieser Temperatur T_c, die größer oder gleich der Temperatur T_mo und größer als die sich bei diesem Erhitzen erhöhende Glasübergangstem peratur T_g des Kunstharzes ist, und
d) natürliches Abkühlen des Halbleiter bauelementes.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Erhitzen in den Verfahrensschritten c) und d) gemäß Anspruch 1 oder in dem Verfahrensschritt c) gemäß Anspruch 2 mittels Infrarot-Erhitzen, insbesondere fernem Infrarot-Erhitzen erfolgt.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die fernen Infrarot- Strahlen eine Wellenlänge zwischen 0,5 und 50 m, vorzugsweise zwischen 1 und 20 m auf weisen.

5. Vorrichtung zum Herstellen von Halb leiterbauelementen mit einem Halbleiter chip, einem Leiterrahmen und einem Kunstharzgehäuse mit

a) einer Transferpresse (10) zum Formen und Härten des den Halbleiterchip und Leiterrahmen (14) aufnehmenden Kunst harzgehäuses,
b) einer Übertragungseinrichtung (20) zum Transportieren der Halbleiterbauelemente von der Transferpresse zu einer Erhitzungs kammer (40) oder einer Kühlstation (50),
c) einer Erhitzungseinrichtung (30), die der Übertragungseinrichtung zugeordnet ist, zum Erhitzen des Halbleiterbauele mentes, welches auf der Übertragungs einrichtung transportiert wird, und
d) einer Kühlstation, in welcher das von der Erhitzungskammer (30) oder der Übertragungseinrichtung herangeführte Halbleiterbauelement natürlich abge kühlt wird.