JPH0443906A - 光学的膜厚モニタ装置 - Google Patents
光学的膜厚モニタ装置Info
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- JPH0443906A JPH0443906A JP2153250A JP15325090A JPH0443906A JP H0443906 A JPH0443906 A JP H0443906A JP 2153250 A JP2153250 A JP 2153250A JP 15325090 A JP15325090 A JP 15325090A JP H0443906 A JPH0443906 A JP H0443906A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光学的膜厚・モニタ装置に関し、特に情報を高
密度、大容量で記録、再生及び消去できる情報記録媒体
を製造する際に用いら、れる光学的膜厚モニタ装置に関
する。
密度、大容量で記録、再生及び消去できる情報記録媒体
を製造する際に用いら、れる光学的膜厚モニタ装置に関
する。
従来の技術
従来より、円盤状の情報記録媒体用基板（以下、ディス
ク基板と称す）の一方の面に記録薄膜層を形成し、ディ
スク基板側よりレーザ光を照射して上記記録薄膜層に微
小な穴を形成したり或いは光学的濃度を変化させたビッ
トを形成することにより、記録・再生を行う追記型ディ
スクが実用化されている。更に、記録薄膜層の光学的濃
度を可逆的に変化させて繰り返し記録・消去が可能な消
去ディスクが、近年、実用化されつつある。この消去デ
ィスクは記録薄膜層をレーザ光によってその融点以上に
加熱した後、急冷あるいは徐冷して記録・消去を行うも
のである。このため、短時間ではあるが、１μｍ前後の
微小な傾城で高温になるため、上記記録薄膜層の両側に
ＳｉＯ□等の誘電体層を設け、耐熱構造とするのが一般
的である。
ク基板と称す）の一方の面に記録薄膜層を形成し、ディ
スク基板側よりレーザ光を照射して上記記録薄膜層に微
小な穴を形成したり或いは光学的濃度を変化させたビッ
トを形成することにより、記録・再生を行う追記型ディ
スクが実用化されている。更に、記録薄膜層の光学的濃
度を可逆的に変化させて繰り返し記録・消去が可能な消
去ディスクが、近年、実用化されつつある。この消去デ
ィスクは記録薄膜層をレーザ光によってその融点以上に
加熱した後、急冷あるいは徐冷して記録・消去を行うも
のである。このため、短時間ではあるが、１μｍ前後の
微小な傾城で高温になるため、上記記録薄膜層の両側に
ＳｉＯ□等の誘電体層を設け、耐熱構造とするのが一般
的である。
更に、上記誘電体層上に反射層を設けて記録薄膜層を透
過したレーザ光を反射させ、記録感度を向上させた、い
わゆる三層構造にしたものもある。
過したレーザ光を反射させ、記録感度を向上させた、い
わゆる三層構造にしたものもある。
上記記録薄膜層、誘電体層、反射層を形成する方法とし
ては、蒸着法、スパッタ法等があるが、欠陥が少ない高
品質な膜形成が可能なスパッタリング法が多用されてい
る。
ては、蒸着法、スパッタ法等があるが、欠陥が少ない高
品質な膜形成が可能なスパッタリング法が多用されてい
る。
ところで、従来、上記成膜時における薄膜の膜厚制御の
方法としては、−船釣に、水晶振動子を利用した膜厚モ
ニタを用いる方法や、ＦｊｉＭ、が成膜されるに伴って
反射率が変化することを利用して、光学的に制御する方
法等が用いられている。
方法としては、−船釣に、水晶振動子を利用した膜厚モ
ニタを用いる方法や、ＦｊｉＭ、が成膜されるに伴って
反射率が変化することを利用して、光学的に制御する方
法等が用いられている。
ここで、上記光学的に膜厚を制御する光学的膜厚モニタ
装置を備えたスパッタリング装置としては、第３図に示
すようなものがある。第３図に示すように、真空装置２
３内には回転軸２ｏを中心に回転するパレット２１が設
けられており、このパレット２工の一方の表面にはスパ
ッタリング時に自転するディスク基板２２・・・が装着
されている。
装置を備えたスパッタリング装置としては、第３図に示
すようなものがある。第３図に示すように、真空装置２
３内には回転軸２ｏを中心に回転するパレット２１が設
けられており、このパレット２工の一方の表面にはスパ
ッタリング時に自転するディスク基板２２・・・が装着
されている。
上記パレット２１から所定の距離を隔て且つ上記ディス
ク基板２２・・・の中心間を結ぶ線上（２点鎖線で示す
）に臨む位置には、ディスク基板２２・・・の反射光量
を検出する光学検出装置９が設けられている。そして、
スパッタリング時には、高周波電極７に高周波電圧を印
加して放電を起こし、これによってターゲット８がスパ
ッタされディスク基板４上に薄膜を形成するような構造
である。
ク基板２２・・・の中心間を結ぶ線上（２点鎖線で示す
）に臨む位置には、ディスク基板２２・・・の反射光量
を検出する光学検出装置９が設けられている。そして、
スパッタリング時には、高周波電極７に高周波電圧を印
加して放電を起こし、これによってターゲット８がスパ
ッタされディスク基板４上に薄膜を形成するような構造
である。
発明が解決しようとする課題
ところで、上記スパッタリング装置における膜厚の制御
は、光学検出装置９から成膜面に一定光量の入射光を照
射し、光の干渉作用により変化する反射光量を光学検出
装置９で検出することにより行っている。
は、光学検出装置９から成膜面に一定光量の入射光を照
射し、光の干渉作用により変化する反射光量を光学検出
装置９で検出することにより行っている。
しかしながら、上記従来の膜厚制御方法では、常時反射
光量を検出しているため、ディスク基板２２・・・の他
、ディスク基板２２・・・と反射光量が大きく異なるパ
レット２１の反射光量も測定することになる。この結果
、反射光量の読み取り誤差が発生し、膜厚を正確に測定
することができないという課題を有していた。
光量を検出しているため、ディスク基板２２・・・の他
、ディスク基板２２・・・と反射光量が大きく異なるパ
レット２１の反射光量も測定することになる。この結果
、反射光量の読み取り誤差が発生し、膜厚を正確に測定
することができないという課題を有していた。
本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであり、膜厚
を正確に測定できることになる光学的膜厚モニタ装置を
提供することを目的とする。
を正確に測定できることになる光学的膜厚モニタ装置を
提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、回転体の少なくと
も一方の面には一定の間隔をおいて複数の基板が装着さ
れ、この基板上に膜を形成する膜形成装置に用いられる
光学的膜厚モニタ装置であって、前記基板上に光線を照
射する光源と、前記基板からの反射光の光量を測定する
光量検出手段と、前記回転体に形成された同期被検出手
段と、上記同期被検出手段を検出するための同期検出手
段と、上記同期検出手段からの信号に基づいて、上記光
量検出手段の出力タイミングを制御する制御手段とを有
することを特徴とする。
も一方の面には一定の間隔をおいて複数の基板が装着さ
れ、この基板上に膜を形成する膜形成装置に用いられる
光学的膜厚モニタ装置であって、前記基板上に光線を照
射する光源と、前記基板からの反射光の光量を測定する
光量検出手段と、前記回転体に形成された同期被検出手
段と、上記同期被検出手段を検出するための同期検出手
段と、上記同期検出手段からの信号に基づいて、上記光
量検出手段の出力タイミングを制御する制御手段とを有
することを特徴とする。
作用
上記構成の如く、回転体に形成された同期被検出手段を
検出するための同期検出手段を有し、この上記同期検出
手段からの信号に基づいて、制御手段により光量検出手
段の出力タイミングを制御すれば、基板の反射光の光量
だけを読み取って、回転体の反射光の光量を読み取るこ
とがないように制御することが可能となる。
検出するための同期検出手段を有し、この上記同期検出
手段からの信号に基づいて、制御手段により光量検出手
段の出力タイミングを制御すれば、基板の反射光の光量
だけを読み取って、回転体の反射光の光量を読み取るこ
とがないように制御することが可能となる。
実施例
本発明の一実施例を、第１図〜第３図に基づいて、以下
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明による光学的膜厚モニタ装置を用いたス
パッタリング装置の構成を示す図であって、真空容器ｌ
内における一方の側壁ｌａ側には、円盤状の透明基板か
ら成るディスク基板４・・・が装着されると共に外周部
に切り欠き１２・１２が形成されたパレット５が配設さ
れている。このパレット５は図外のモータにより駆動さ
れる回転軸６に取り付けられる一方、上記ディスク基板
４・・・は自転する構造となっている。また、前記一方
の側壁１ａにおける上記切り欠き１２・１２に対応する
位置には、発光素子１４が固定されている。
パッタリング装置の構成を示す図であって、真空容器ｌ
内における一方の側壁ｌａ側には、円盤状の透明基板か
ら成るディスク基板４・・・が装着されると共に外周部
に切り欠き１２・１２が形成されたパレット５が配設さ
れている。このパレット５は図外のモータにより駆動さ
れる回転軸６に取り付けられる一方、上記ディスク基板
４・・・は自転する構造となっている。また、前記一方
の側壁１ａにおける上記切り欠き１２・１２に対応する
位置には、発光素子１４が固定されている。
一方、前記真空容器１内における他方の側壁ｌｂ側には
、上側から順に、誘電体材料から成るスパッタリングタ
ーゲット８が載置された高周波電極７と、成膜時に光量
検出装置９がスパッタリングされるのを防止するための
仕切り板１１と、取り付は治具１０に固定され前記ディ
スク基板４・・・に測定光を照射すると共にディスク基
板４・・・からの反射光量を検出する光量検出装置９と
、前記発光素子１４に対向配置され、前記切り欠き１２
・１２が通過する隙に発光素子１４の光を検出する受光
素子１３とが設けられている。
、上側から順に、誘電体材料から成るスパッタリングタ
ーゲット８が載置された高周波電極７と、成膜時に光量
検出装置９がスパッタリングされるのを防止するための
仕切り板１１と、取り付は治具１０に固定され前記ディ
スク基板４・・・に測定光を照射すると共にディスク基
板４・・・からの反射光量を検出する光量検出装置９と
、前記発光素子１４に対向配置され、前記切り欠き１２
・１２が通過する隙に発光素子１４の光を検出する受光
素子１３とが設けられている。
尚、前記真空容器１には、真空容器１へＡ「等の不活性
ガスを導入するガス導入通路２と、真空容器ｌ内の排気
を行うための排気通路３とが連通されている。
ガスを導入するガス導入通路２と、真空容器ｌ内の排気
を行うための排気通路３とが連通されている。
ところで、前記光量検出装置９からの出力タイミングを
制御する制御機構としては、第２図に示すように、高速
パルス発生回路１６と、この高速パルス発生回路１６か
らのパルスを検出すると共に、前記発光素子１４と受光
素子１３とから成る同期検出装置１５からの信号により
リセットさ７れてリセットから再リセットまで所定回数
のパルスを発生するカウンタ１７と、このカウンタ１７
からの出力によりゲートを開放して前記光量検出装置９
からの信号を図外の膜厚測定装置に出力するアンド回路
１８とから構成されている。
制御する制御機構としては、第２図に示すように、高速
パルス発生回路１６と、この高速パルス発生回路１６か
らのパルスを検出すると共に、前記発光素子１４と受光
素子１３とから成る同期検出装置１５からの信号により
リセットさ７れてリセットから再リセットまで所定回数
のパルスを発生するカウンタ１７と、このカウンタ１７
からの出力によりゲートを開放して前記光量検出装置９
からの信号を図外の膜厚測定装置に出力するアンド回路
１８とから構成されている。
ここで、上記スパッタリング装置を用いてディスク基板
４・・・上に誘電体層を成膜する際には、以下の手順で
行う。
４・・・上に誘電体層を成膜する際には、以下の手順で
行う。
先ず、図外のポンプを作動させて排気通路３から、真空
容器１内を真空排気した後、Ａｒ等の不活性ガスをガス
導入通路２から真空容器ｌに導入する。次に、高周波電
極７に高周波電圧を印加して放電を起こす。これにより
、ターゲット８がスパッタされディスク基Ｆｉ４に誘電
体層が形成されることになる。
容器１内を真空排気した後、Ａｒ等の不活性ガスをガス
導入通路２から真空容器ｌに導入する。次に、高周波電
極７に高周波電圧を印加して放電を起こす。これにより
、ターゲット８がスパッタされディスク基Ｆｉ４に誘電
体層が形成されることになる。
この際、誘電体層の膜厚制御は、ディスク基板４の成膜
面だけの反射光量を光量検出装置９で検出することによ
り行う。具体的には、モータによりパレット５が回転し
、切り欠き１２・１２が受光素子１３に臨む位置に達す
ると、受光素子１３がＯＮＬで、受光素子１３からカウ
ンタ１７にリセット信号が与えられる。そうすると、カ
ウンタ１７からアンド回路１８には一定時間１ （１−
／！／Ｖであって、ｌはディスク基板間の距離、■はモ
ータの回転速度）毎にパルスを出力する。これにより、
ディスク基Ｆｉ４・・・が光量検出装置９に臨む位置に
達した場合のみ、光量検出装置９からの信号が膜厚測定
装置に与えられることになる。このように、バレント５
の光量が出力されるのを確実に防止することができるの
で、反射光量が減衰することもなく、膜厚を確実に測定
することが可能となる。
面だけの反射光量を光量検出装置９で検出することによ
り行う。具体的には、モータによりパレット５が回転し
、切り欠き１２・１２が受光素子１３に臨む位置に達す
ると、受光素子１３がＯＮＬで、受光素子１３からカウ
ンタ１７にリセット信号が与えられる。そうすると、カ
ウンタ１７からアンド回路１８には一定時間１ （１−
／！／Ｖであって、ｌはディスク基板間の距離、■はモ
ータの回転速度）毎にパルスを出力する。これにより、
ディスク基Ｆｉ４・・・が光量検出装置９に臨む位置に
達した場合のみ、光量検出装置９からの信号が膜厚測定
装置に与えられることになる。このように、バレント５
の光量が出力されるのを確実に防止することができるの
で、反射光量が減衰することもなく、膜厚を確実に測定
することが可能となる。
具体的に、屈折率２． ０の誘電体層を樹脂材料からな
るディスク基板４・・・上に成膜する場合には、以下の
通りである。ディスク基板４・・・の膜面からの反射光
量は光の干渉により、第３図に示すような変化を示す。
るディスク基板４・・・上に成膜する場合には、以下の
通りである。ディスク基板４・・・の膜面からの反射光
量は光の干渉により、第３図に示すような変化を示す。
即ち、成膜が進むにつれてディスク基板４・・・の反射
光量は上昇し、λ／４ｎ（λ：光量検出装置９０入射光
の波長、ｎ：誘電体層の屈折率）の膜厚でピークを示す
ような変化をする。
光量は上昇し、λ／４ｎ（λ：光量検出装置９０入射光
の波長、ｎ：誘電体層の屈折率）の膜厚でピークを示す
ような変化をする。
このような反射光量の変化を光学検出装置９で検出し、
例えば反射光量のピークで成膜を止めた場合、λ＝８３
０ｎｍであれば、約１１０４ｎの膜厚を得ることができ
ることになる。
例えば反射光量のピークで成膜を止めた場合、λ＝８３
０ｎｍであれば、約１１０４ｎの膜厚を得ることができ
ることになる。
尚、上記実施例では、光学検出装置９に周期的に同期を
与える方法として、切り欠き１２・１２を形成している
が、これに限定するものではなく、突起を形成するよう
な方法等であってもよい。
与える方法として、切り欠き１２・１２を形成している
が、これに限定するものではなく、突起を形成するよう
な方法等であってもよい。
また、上記実施例では相変化型の光ディスクを例にとっ
て説明したが、レーザ光の熱と磁界によ４゜ って記録・消去を行う光磁気ディスク等の薄膜を形成す
る方法等にも適用しうることは勿論である。
て説明したが、レーザ光の熱と磁界によ４゜ って記録・消去を行う光磁気ディスク等の薄膜を形成す
る方法等にも適用しうることは勿論である。
更に、前記制御装置１９の構造は上記構造に限定するも
のではない。
のではない。
発明の詳細
な説明したように本発明によれば、基板の反射光の光量
だけを読み取って、回転体の反射光の光量を読み取るこ
とがないように制御することが可能となるとなるので、
膜厚の測定精度が向上し、膜厚を確実に制御することが
できるという効果を奏する。
だけを読み取って、回転体の反射光の光量を読み取るこ
とがないように制御することが可能となるとなるので、
膜厚の測定精度が向上し、膜厚を確実に制御することが
できるという効果を奏する。
第１図は本発明による光学的膜厚モニタ装置を用いたス
パッタリング装置の構成を示す図、第２図は光量検出装
置からの出力タイミングを制御する機構を示すブロック
図、第３図は光量検出装置におけるディスク基板の反射
率変化を示す特性図、第４図は従来の光学的膜厚モニタ
装置を用いたスパッタリング装置の構成を示す図である
。 ｌ・・・真空容器、４・・・ディスク基板、５・・・バ
レ。 ト、９・・・光量検出装置、１２・・・切り欠き、１３
・・・受光素子、１４・・・発光素子、ｌ訃・・同期検
出装置、１６・・・高速パルス発生回路、１７・・・カ
ウンタ、１８・・・アンド回路。 代理人 ： 弁理士 中島 司朗 第１図 第３図 吟、、’Ｖ４ｎ
パッタリング装置の構成を示す図、第２図は光量検出装
置からの出力タイミングを制御する機構を示すブロック
図、第３図は光量検出装置におけるディスク基板の反射
率変化を示す特性図、第４図は従来の光学的膜厚モニタ
装置を用いたスパッタリング装置の構成を示す図である
。 ｌ・・・真空容器、４・・・ディスク基板、５・・・バ
レ。 ト、９・・・光量検出装置、１２・・・切り欠き、１３
・・・受光素子、１４・・・発光素子、ｌ訃・・同期検
出装置、１６・・・高速パルス発生回路、１７・・・カ
ウンタ、１８・・・アンド回路。 代理人 ： 弁理士 中島 司朗 第１図 第３図 吟、、’Ｖ４ｎ
Claims (4)
- （１）回転体の少なくとも一方の面には一定の間隔をお
いて複数の基板が装着され、この基板上に膜を形成する
膜形成装置に用いられる光学的膜厚モニタ装置であって
、 前記基板上に光線を照射する光源と、 前記基板からの反射光の光量を測定する光量検出手段と
、 前記回転体に形成された同期被検出手段と、上記同期被
検出手段を検出するための同期検出手段と、 上記同期検出手段からの信号に基づいて、上記光量検出
手段の出力タイミングを制御する制御手段と、 を有することを特徴とする光学的膜厚モニタ装置。 - （２）前記同期被検出部が、回転体中心と基板中心の延
長線上に位置すると共に、突起または切り欠きから構成
されていることを特徴とする請求項１記載の光学的膜厚
モニタ装置。 - （３）前記突起または切り欠きが偶数個設けられ、且つ
、回転体中心に対してそれぞれ対称位置に配置されてい
ることを特徴とする請求項２記載の光学的膜厚モニタ装
置。 - （４）同期検出手段が、発光素子と受光素子とから成る
ことを特徴とする請求項１記載の光学的膜厚モニタ装置
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2153250A JPH0443906A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 光学的膜厚モニタ装置 |
| US07/599,692 US5151295A (en) | 1990-06-11 | 1990-10-18 | Process for manufacturing an optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2153250A JPH0443906A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 光学的膜厚モニタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443906A true JPH0443906A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15558353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2153250A Pending JPH0443906A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 光学的膜厚モニタ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5151295A (ja) |
| JP (1) | JPH0443906A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3076412B2 (ja) * | 1991-07-24 | 2000-08-14 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体および光学的情報記録再生方法 |
| EP0592174B1 (en) * | 1992-10-05 | 2001-09-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing optical recording medium, sputtering method |
| US5633033A (en) * | 1994-04-18 | 1997-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing chalcopyrite film |
| DE19739794C2 (de) * | 1997-09-10 | 1999-11-18 | Steag Hama Tech Ag | Verfahren zur Regelung eines Beschichtungsvorgangs |
| US6824813B1 (en) * | 2000-04-06 | 2004-11-30 | Applied Materials Inc | Substrate monitoring method and apparatus |
| DE10019045B4 (de) | 2000-04-18 | 2005-06-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zum Herstellen von Viellagensystemen |
| JP3632757B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2005-03-23 | 古河電気工業株式会社 | 光学フィルタの製造方法 |
| KR100762204B1 (ko) | 2006-04-25 | 2007-10-02 | 전자부품연구원 | 광학 다층 박막 제조방법 |
| US8298379B2 (en) * | 2007-03-22 | 2012-10-30 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for extending chamber component life in a substrate processing system |
| JP5126909B2 (ja) * | 2010-10-08 | 2013-01-23 | 株式会社シンクロン | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
| KR102222570B1 (ko) * | 2013-11-01 | 2021-03-08 | 삼성전자주식회사 | 다층박막 제조방법 및 전자제품. |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5365276A (en) * | 1976-11-25 | 1978-06-10 | Toshiba Corp | Rotary chemical evaporation apparatus for forming thin film |
| JPS5555202A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-23 | Hitachi Ltd | Measuring method of film thickness |
| JPS5968623A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-18 | Mitsubishi Motors Corp | 自動車用ステアリング角速度センサ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3492491A (en) * | 1967-03-03 | 1970-01-27 | Optomechanisms Inc | Thickness monitor for coating silicon wafer |
| US3773548A (en) * | 1972-01-27 | 1973-11-20 | Optical Coating Laboratory Inc | Method of monitoring the rate of depositing a coating solely by its optical properties |
| US4457794A (en) * | 1982-06-25 | 1984-07-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing optical memory disc |
| US4676646A (en) * | 1985-10-15 | 1987-06-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling thickness of a layer of an optical data storage device by measuring an optical property of the layer |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2153250A patent/JPH0443906A/ja active Pending
- 1990-10-18 US US07/599,692 patent/US5151295A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5365276A (en) * | 1976-11-25 | 1978-06-10 | Toshiba Corp | Rotary chemical evaporation apparatus for forming thin film |
| JPS5555202A (en) * | 1978-10-20 | 1980-04-23 | Hitachi Ltd | Measuring method of film thickness |
| JPS5968623A (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-18 | Mitsubishi Motors Corp | 自動車用ステアリング角速度センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5151295A (en) | 1992-09-29 |
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