JPH0443628A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光方法Info
- Publication number
- JPH0443628A JPH0443628A JP2151984A JP15198490A JPH0443628A JP H0443628 A JPH0443628 A JP H0443628A JP 2151984 A JP2151984 A JP 2151984A JP 15198490 A JP15198490 A JP 15198490A JP H0443628 A JPH0443628 A JP H0443628A
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- JP
- Japan
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- electron beam
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Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（よ パターンを分割し 矩形電子ビームを用い
て露光する電子ビーム露光方法に関する。
て露光する電子ビーム露光方法に関する。
従来の技術
近鍛 電子ビーム露光は微細パターンが形成可能である
ことから、集積回路などの半導体製造において、ウェハ
上に直接パターンを形成する場合や、マスクパターンを
形成する為に用いられるようになった 可変成形電子ビ
ーム露光方式において（ｉ、パターン内を、最大矩形サ
イズよりは小さ１、Ｘ、いくつかのショットに分割して
露光ずム 最遅 集積回路が高集積化されるに伴ない描
化パターンが微細化されパターン寸法の高精度化が要求
されていも 発明が解決しようとする課題 第２図１表 従来のパターンを分割して、矩形電子ビー
ムを用いて露光する電子ビーム露光方法を説明する図で
あム 第２図（ａ）の１辺のサイズが４μｍの正方形の
パターンデータｌを露光する場合について示す。第２図
（ａ）のパターンデータｌは２μ［１］Ｘ２μｍの矩形
電子ビームｌＯを用いて、 ４つのショットで描画され
るとすム ところが空間電荷効果による矩形電子ビーム
ＩＯのボクーと電子ビーム強度プロファイルのエツジ部
の傾斜のム その隅の部分が丸みを帯びてしま匹 第２
図（ｂ）のような矩形ビームで露光されも このム 最
終的なレジストパターン２０は第２図（Ｃ）に示すよう
になり、本来の設計パターンサイズよりは小さな矩形ビ
ームで描画され高精度のパターンを形成できないという
欠点があっ九 従来このような問題を解決するために第
３図（ｂ）に示すように矩形電子ビーム３０のシヨツト
サイズを大きくして描画していた しかしパターンがサ
ブミクロンサイズになると、本来のパターンに対して大
きくした部分４０のサイズが無視できなくなり、やはり
、高精度のパターンを形成できなしｙ 本発明は上述の
課題に鑑みてなされ簡単な方法で電子ビームの隅の部分
の丸みを回避することができ、高精度のパターンを形成
することができも 電子ビーム露光方法を提供すること
を目的とすａ 課題を解決するための手段 本発明は可変成形電子ビーム露光においてパターンをい
くつかの矩形ビームに分割して露光する場合において、
各矩形ビームパ 他の矩形ビームと接する辺のみのサイ
ズをわずかに太き（するものであａ 作用 本発明は上述の構成により、簡単な方法で、空間電荷効
果による矩形電子ビームのボケと電子ビーム強度プロフ
ァイルのエツジ部の傾斜による電子ビームの隅の部分の
丸みを回避することができ、高精度のパターンを形成す
ることができも実施例 以下番−図面を用いて、本発明の一実施例を詳細に説明
すも 第１図（ａ）の１辺のサイズが４μ節の正方形の
パターンデータ１を可変成形電子ビーム露光する場合に
ついて示す。第１図（ａ）のパターンデータ１を、 ２
μｍＸ ２μｍのサイズの矩形に４分割すん そして、
その各矩形について、他の矩形を接している辺のみのサ
イズを０．０２μｍだけ広げて矩形電子ビーム２とずも
すなわち第１図（ｂ）に示す・ように２．０２μｍｘ
２．０２μｍの矩形電子ビームを４つ用いて、各矩形電
子ビーム０．０２μｍ重ねて露光することになム この
ようにして露光するとレジストパターン３は第１図（ｃ
）に示すようになり、高精度のパターンを形成すること
が可能であ本発明の効果 以上詳細に説明したように本発明によれば可変成形電子
ビーム露光において高精度のパターンを形成することが
可能である。
ことから、集積回路などの半導体製造において、ウェハ
上に直接パターンを形成する場合や、マスクパターンを
形成する為に用いられるようになった 可変成形電子ビ
ーム露光方式において（ｉ、パターン内を、最大矩形サ
イズよりは小さ１、Ｘ、いくつかのショットに分割して
露光ずム 最遅 集積回路が高集積化されるに伴ない描
化パターンが微細化されパターン寸法の高精度化が要求
されていも 発明が解決しようとする課題 第２図１表 従来のパターンを分割して、矩形電子ビー
ムを用いて露光する電子ビーム露光方法を説明する図で
あム 第２図（ａ）の１辺のサイズが４μｍの正方形の
パターンデータｌを露光する場合について示す。第２図
（ａ）のパターンデータｌは２μ［１］Ｘ２μｍの矩形
電子ビームｌＯを用いて、 ４つのショットで描画され
るとすム ところが空間電荷効果による矩形電子ビーム
ＩＯのボクーと電子ビーム強度プロファイルのエツジ部
の傾斜のム その隅の部分が丸みを帯びてしま匹 第２
図（ｂ）のような矩形ビームで露光されも このム 最
終的なレジストパターン２０は第２図（Ｃ）に示すよう
になり、本来の設計パターンサイズよりは小さな矩形ビ
ームで描画され高精度のパターンを形成できないという
欠点があっ九 従来このような問題を解決するために第
３図（ｂ）に示すように矩形電子ビーム３０のシヨツト
サイズを大きくして描画していた しかしパターンがサ
ブミクロンサイズになると、本来のパターンに対して大
きくした部分４０のサイズが無視できなくなり、やはり
、高精度のパターンを形成できなしｙ 本発明は上述の
課題に鑑みてなされ簡単な方法で電子ビームの隅の部分
の丸みを回避することができ、高精度のパターンを形成
することができも 電子ビーム露光方法を提供すること
を目的とすａ 課題を解決するための手段 本発明は可変成形電子ビーム露光においてパターンをい
くつかの矩形ビームに分割して露光する場合において、
各矩形ビームパ 他の矩形ビームと接する辺のみのサイ
ズをわずかに太き（するものであａ 作用 本発明は上述の構成により、簡単な方法で、空間電荷効
果による矩形電子ビームのボケと電子ビーム強度プロフ
ァイルのエツジ部の傾斜による電子ビームの隅の部分の
丸みを回避することができ、高精度のパターンを形成す
ることができも実施例 以下番−図面を用いて、本発明の一実施例を詳細に説明
すも 第１図（ａ）の１辺のサイズが４μ節の正方形の
パターンデータ１を可変成形電子ビーム露光する場合に
ついて示す。第１図（ａ）のパターンデータ１を、 ２
μｍＸ ２μｍのサイズの矩形に４分割すん そして、
その各矩形について、他の矩形を接している辺のみのサ
イズを０．０２μｍだけ広げて矩形電子ビーム２とずも
すなわち第１図（ｂ）に示す・ように２．０２μｍｘ
２．０２μｍの矩形電子ビームを４つ用いて、各矩形電
子ビーム０．０２μｍ重ねて露光することになム この
ようにして露光するとレジストパターン３は第１図（ｃ
）に示すようになり、高精度のパターンを形成すること
が可能であ本発明の効果 以上詳細に説明したように本発明によれば可変成形電子
ビーム露光において高精度のパターンを形成することが
可能である。
第１図は本発明の一実施例を説明するための医第２図及
び第３図は本発明の従来例を示す図である。 ｌ・・・・パターンデー久 ２・・・・矩形電子ビーな
３・・・・レジストパターン。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図 （ごｌ、ン ｌバターノテ゛−タ ■−−−” 第 図 零 図 （６しン
び第３図は本発明の従来例を示す図である。 ｌ・・・・パターンデー久 ２・・・・矩形電子ビーな
３・・・・レジストパターン。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図 （ごｌ、ン ｌバターノテ゛−タ ■−−−” 第 図 零 図 （６しン
Claims (1)
- パターンを分割して、矩形電子ビームで露光する際に
、隣接する矩形電子ビームの辺のみのサイズを大きくし
て前記露光パターンを露光することを特徴とする電子ビ
ーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2151984A JPH0443628A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 電子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2151984A JPH0443628A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443628A true JPH0443628A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15530521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2151984A Pending JPH0443628A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0443628A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011253965A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリントモールドの製造方法、光学素子の製造方法、およびレジストパターンの形成方法 |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2151984A patent/JPH0443628A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011253965A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリントモールドの製造方法、光学素子の製造方法、およびレジストパターンの形成方法 |
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