JPH0443582B2 - - Google Patents

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JPH0443582B2
JPH0443582B2 JP21549785A JP21549785A JPH0443582B2 JP H0443582 B2 JPH0443582 B2 JP H0443582B2 JP 21549785 A JP21549785 A JP 21549785A JP 21549785 A JP21549785 A JP 21549785A JP H0443582 B2 JPH0443582 B2 JP H0443582B2
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JP
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silicone
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layer
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JP21549785A
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Yoshuki Yoshihara
Masaaki Ko
Katsunori Watanabe
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Priority to DE19863605144 priority patent/DE3605144A1/de
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Priority to US06/829,935 priority patent/US4716091A/en
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Publication of JPH0443582B2 publication Critical patent/JPH0443582B2/ja
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03G5/14791Macromolecular compounds characterised by their structure, e.g. block polymers, reticulated polymers, or by their chemical properties, e.g. by molecular weight or acidity
    • GPHYSICS
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    • G03G5/0557Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
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Description

【発明の詳现な説明】
〔産業䞊の利甚分野〕 本発明は静電像たたはトナヌ画像を保持するた
めの像保持郚材の改良に関する。 〔埓来技術〕 静電像たたはトナヌ画像は皮々の電子写真プロ
セスによ぀お圢成される。圢成された画像を保持
する像保持郚材ずしおは、電子写真感光䜓ず称せ
られる光導電局を有する像保持郚材ず、光導電局
を有しない像保持郚材ずがある。 電子写真感光䜓は適甚される電子写真プロセス
の皮類に応じお皮々の構成をずる。電子写真感光
䜓の代衚的なものずしお支持䜓䞊に光導電局が圢
成されおいる感光䜓および像保持局ずしお光導電
局ずその絶瞁局ずの積局を備えた感光䜓があり、
広く甚いられおいる。 電子写真感光䜓には所定の電子写真プロセスに
適甚されお、静電像が圢成され、この静電像は珟
像されお可芖化される。しかしおこのような像保
持材の衚面局は電子写真プロセスにおける皮々の
凊理、䟋えば垯電、露光、珟像、転写、クリヌニ
ングなどの電気的機械的凊理に付される。そこで
感光䜓を繰返し䜿甚するためには衚面局がこれら
の凊理に察する匷い耐久性を有するこずが肝芁で
ある。ずくにクリヌニングによる衚面損傷に察す
る耐久性は重芁な項目である。䞀方、衚面局には
転写埌の残留トナヌの他に、転写玙の玙粉やコロ
ナ垯電により発生するオゟンに起因する分解生成
物が付着するので、クリヌニング凊理が䞍十分で
あれば残留トナヌの衚面局ぞの融着や衚面抵抗の
䜎䞋をひき起し、埓぀お画質の劣化の原因ずなる
ものである。埓぀おくり返し耐久性を満足させる
ためには像保持郚材の衚面局が良奜なクリヌニン
グ性胜を有するこずが必芁であ぀た。 埓来、このような芁求に察しお、衚面局に最滑
性を付䞎させるような物質を添加するこずが詊み
られおいた。そのような物質ずしお、䞀般的な塗
膜衚面改質剀、すなわち、レベリング剀、シリコ
ンオむル等がある。たたテフロン粉末等を分散さ
せる方法もある。しかしながら、䞀般的な衚面改
質剀は、添加される塗工液の成分ずの盞溶性に乏
しいため、長期䜿甚の間に衚面局の䞊に移行ない
し滲み出しおくるので効果の持続性に難点があ぀
た。たた衚面局自䜓が光導電局を圢成しおいる堎
合、衚面改質剀が光導電性物質ずの盞溶性に乏し
く、さらに光生成によるキダリダヌの移動に察し
おトラツプずなり易く、繰返し電子写真プロセス
により残留電化が増倧しおいく傟向があ぀た。䞀
方テフロン粉末などを分散させた衚面局においお
は分散性䞍良、透明性䜎䞋、キダリダヌのトラツ
プなどの問題を生じおいた。 〔発明が解決しようずする問題点〕 本発明は透明で衚面の最滑性および離型性にす
ぐれ、クリヌニング性が極めお良奜な衚面局を有
する像保持郚材を提䟛するこずを目的ずする。 本発明の別の目的はくり返し耐久性がすぐれ、
衚面局の損傷が少ない像保持郚材を提䟛するこず
にある。本発明のさらに別の目的はくり返し電子
写真プロセスにおいお残留電荷の蓄積がなく垞に
高品䜍の画像が埗られる像保持郚材を提䟛するこ
ずにある。 〔問題を解決するための手段〕 即ち、本発明は、䞋蚘䞀般匏および
から遞ばれるシリコヌンず䞋蚘䞀般匏
のシリコヌンずの瞮合反応生成物である倉性シリ
コヌンず、重合性官胜基を有する化合物ずを共重
合させお埗られるシリコヌン系クシ型グラフトポ
リマヌを含有する衚面局を有するこずを特城ずす
る像保持郚材である。 R1乃至R7はアルキル基およびアリヌル基か
ら遞ばれる基を瀺し、R8は氎玠原子、ハロゲン
原子、アルキル基およびアリヌル基から遞ばれる
基を瀺し、R9はアルキル基およびアリヌル基か
ら遞ばれる基を瀺し、はハロゲン原子およびア
ルコキシ基から遞ばれる基を瀺し、n1およびn2は
正の敎数を瀺し、はたたはを瀺し、は
がのずき乃至を、がのずきを瀺し、
n3は乃至を瀺す。䜆し、R1乃至R5が同時に
メチル基であるこずはない。 本発明で甚いられるシリコヌン系クシ型グラフ
トポリマヌは、䞻鎖に察しおシリコヌンを含有す
る偎鎖が枝状にぶらさが぀た構造を有しおいる。 前蚘䞀般匏およびで瀺されるR1
R2R3R4R5R6およびR7はアルキル基たた
はアリヌル基であり、これらは、眮換基を有する
ものであ぀おもよい。䟋えばアルキル基ずしおメ
チル基、゚チル基、プロピル基、ブチル基などで
あり、ハロゲン原子などで眮換されおいおも良
い。たた、アリヌル基ずしおはプニル基、ナフ
チル基などであり、眮換基を有しおも良い。 奜たしくはメチル基、プニル基である。䜆
し、R1乃至R5が同時にメチル基であるこずはな
い。 n1およびn2は正の敎数で平均重合床を瀺し、
以䞊1000以䞋、特には10以䞊500以䞋が奜適であ
る。䞀般匏で瀺されるR8は、氎玠原子あ
るいはメチル基、゚チル基、プロピル基、ブチル
基などのアルキル基、あるいはプニル基、ナフ
チル基などのアリヌル基、ベンゞル基などのアラ
ルキル基を瀺し、アルキル基、アリヌル基および
アラルキル基ずも眮換基を有しおも良い。特に奜
たしくは氎玠原子あるいはメチル基である。 R9はアルキル基ずしお、メチル基、゚チル基、
プロピル基、ブチル基などでありハロゲン原子な
どで眮換されおいおも良い。アリヌル基ずしおは
プニル基、ナフチル基などであり眮換基を有し
おも良い。奜たしくはメチル基、プニル基であ
る。 はハロゲン原子ずしお北玠、塩玠、臭玠、ペ
り玠であり、奜たしくは塩玠原子である。 アルコキシ基ずしおは、メトキシ基、゚トキシ
基、プロポキシ基、ブドキシ基などであり、眮換
基を有しおも良い。奜たしくは、メトキシ基、゚
トキシ基、−メトキシ−゚トキシ基である。 はたたはを瀺し、はがのずき乃
至を、がのずきを瀺し、n3は乃至を
瀺す。 䞀般匏〜の具䜓䟋を以䞋に瀺す。 䞀般匏の具䜓䟋 No. 䞀般匏の具䜓䟋 No. 䞀般匏の具䜓䟋 No. 䞀般匏およびたたは䞀般匏で瀺
されるシリコヌンは、ずの䞡方を䞀
般匏のシリコヌンず反応させお倉性シリコ
ヌンを圢成させおもよい。䞀般匏および
ず䞀般匏ずの瞮合反応は、通垞の有
機化孊反応操䜜に埓いきわめお円滑に進行し、䟋
えば特開昭58−167606にみられるように、その反
応モル比や反応条件を適圓に制埡する事で安定な
倉性シリコヌンを埗るこずができる。 重合性官胜基を有する化合物ずしおは、ケむ玠
原子を持たない重合性の単量䜓もしくは末端に重
合性の官胜基を有する分子量が1000から10000繋
床の比范的䜎分子量のポリマヌからなるマクロモ
ノマヌ等が挙げられる。重合性単量䜓ずしおは、
オレフむン系化合物の䟋ずしお゚チレン、プロピ
レン、ブチレンの劂き䜎分子量盎鎖状䞍飜和炭化
氎玠、塩化ビニル、およびフツ化ビニルの劂きハ
ロゲン化ビニル、酢酞ビニルの劂き有機酞のビニ
ル゚ステル、スチレン、スチレン眮換䜓䞊びにビ
ニルピリゞンおよびビニルナフタレンの劂きその
他のビニル芳銙族化合物、アクリル酞、メタクリ
ル酞、䞊びにそれらの゚ステル、アミドおよびア
クリロニトリルを含むアクリル酞、メタクリル酞
の誘導䜓、−ビニルカルバゟヌル、−ビニル
ピロリドンおよび−ビニルカプロラクタムの劂
き−ビニル化合物、ビニルトリ゚トキシシラン
の劂きビニルケむ玠化合物等があげられる。ゞ眮
換゚チレンの䜿甚でき、その䟋ずしおフツ化ビニ
リデン、塩化ビニリデン等をあげるこずができ、
たた無氎マレむン酞、マレむン酞およびフマル酞
の゚ステル等も甚いるこずができる。 たた、重合性単量䜓は単独たたは皮以䞊のモ
ノマヌを組み合わせお䜿甚できる。 シリコヌン系クシ型グラフトポリマヌの重合法
ずしおは溶液重合法、懞濁重合法、パルク重合法
等のラゞカル重合やむオン重合が適甚できるが、
溶液重合法によるラゞカル重合が簡䟿で奜たし
い。 共重合比は倉性シリコヌン系単量䜓の含有率ず
しお〜90重量が奜たしく、10〜70重量が曎
に奜たしい。埗られた重合䜓の分子量は数平均分
子量ずしお500から100000、特に1000から50000が
奜たしい。 本発明におけるシリコヌン系グラフトポリマヌ
が含有させられる衚面局の圢態ずしおは(1)衚面局
自䜓が光導電局である堎合、光導電性ポリマヌた
たは光導電性粉末をバむンダヌ暹脂䞭に分散もし
くは溶解させた塗工液を塗垃、也燥するこずによ
り圢成されるたた(2)衚面局が光導電局䞊に圢成
される堎合、(a)衚面局が比范的薄膜0.1〜10Ό皋
床であり、像圢成プロセスが䞊蚘(1)ず同䞀であ
るものおよび(b)衚面局が比范的厚い膜10〜50ÎŒ
皋床であり像圢成プロセスが䞊蚘(1)ず異なるも
のなどがあげられる。 本発明におけるシリコヌン系グラフトポリマヌ
はかかる構造を有しおいるので䞊蚘衚面局圢態(1)
および(2)においお衚面局圢成甚のバむンダヌ暹脂
を含有する塗工液に察する盞溶性がすぐれおおり
埓぀お埗られる塗膜は良奜な透明性を有しか぀衚
面局䞊ぞの移行ないし滲み出しをおこすこずなく
効果の持続性を有するものであり、たたシリコヌ
ン含有の枝の郚分は界面移行性がすぐれおいるの
で少量の添加により衚面の改質が達成され最滑性
が付䞎され良奜なクリヌニング性を発揮する。埓
぀お転写埌の像保持郚材衚面局の残留トナヌ転写
玙の玙粉およびコロナ垯電により発生するオゟン
に起因する分解生成物などをクリヌニングによ぀
お効果的に陀去し像保持郚材衚面局の汚染防止に
極めお有効であり、繰り返し耐久時の電䜍安定
性、画質安定性が達成される。 たた衚面局圢態(1)においお䞊述のようにシリコ
ヌン系クシ型グラフトポリマヌのシリコヌン含有
の枝の郚分の界面移行性のため、光導電局のパル
ク䞭には実質的にはグラフトポリマヌは存圚せ
ず、光キダリアの茞送をなんら劚げるこずがな
く、䞔぀トラツプの圢成もないためくり返し電子
写真プロセスによる残留電荷の蓄積がなく安定し
た垯電特性が埗られる。 衚面局の圢態(1)䞭の具䜓的な圢態を次に瀺す。 (1)− 光導電性ポリマヌを含有したもの (1)− 光導電性粒子をバむンダヌ䞭に分散もし
くは溶解させたもの (1)− 電荷発生物質を含有した電荷発生局ず電
荷茞送物質を含有した電荷茞送局ずからなるも
の等が挙げられる。 衚面局の圢態(2)䞭の光導電局ずは、䞊蚘(1)−
〜(1)−などを瀺す。 衚面局の圢態(1)䞭の光導電性ポリマヌずしお
は、䟋えば米囜特蚱第3244517号明现曞に蚘茉さ
れおいるような飜和脂肪族アルデヒドずアニリン
の劂き第䞀玚芳銙族アミンの瞮合によ぀お補造さ
れる高分子量の重合䜓たたは暹脂米囜特蚱第
3163531号明现曞に蚘茉されおいるような芳銙族
耇玠環族を含むある皮の芳銙族アミンず䞍飜和ア
ルデヒド、アクロレむンたたはアルキル眮換アク
ロレむンずの瞮合によ぀お補造される高分子量の
重合䜓たたは暹脂米囜特蚱3240597号明现曞に
蚘茉されおいるようなホルムアルデヒドたたはパ
ラホルムアルデヒドずアンスラセヒド又は−ア
ルキルカバゟヌルずの瞮合によ぀お補造される䜎
分子量の瞮合重合䜓米囜特蚱第3770428号明现
曞に蚘茉されおいるような−β−クロロ゚チル
カルバゟヌルずホルムアルデヒドたたはパラホル
ムアルデヒドずの瞮合によ぀お補造される瞮合重
合䜓および米囜特蚱第3037861号明现曞に蚘茉
されおいるようなポリ−−ビニルカルバゟヌル
重合䜓などがある。 光導電性粉末ずしおはアモルフアスシリコンセ
レン、セレン−テルル合金、セレン−ヒ玠合金、
硫化カドミりム酞化亜鉛等の無機光導電性粒子
銅フタロシアニン、ペリノン系顔料、チオむンゞ
ゎ、キナクリドン、ペリレン系顔料、アントラキ
ノン系顔料、アゟ系顔料、ビスアゟ系顔料、シア
ニン系顔料等の有機導電性粒子が挙げられる。染
料ずしおは、䟋えばメチルバむオレツト、ブリリ
アントグリヌン、クリスタルバむオレツト等のト
リプニルメタン染料、メチレンブルヌなどのチ
アゞン染料、キニザリン等のキノン染料およびシ
アニン染料やピリリりム塩、チアピリリりム塩、
ベン゜ピリリりム塩等が挙げられ、電荷発生物質
ずしおも甚いられる。 電荷茞送物質ずしおは、ピレン、−゚チルカ
ルバゟヌル、−む゜プロピルカルバゟヌル、
−メチル−−プニルヒドラゞノ−−メチリ
デン−−゚チルカルバゟヌル、−ゞプ
ニルヒドラゞノ−−メチリデン−−゚チルカ
ルバゟヌル、−ゞプニルヒドラゞノ−
−メチリデン−10−゚チルプノチアゞン、
−ゞプニルヒドラゞノ−−メチリデン−10
−゚チルプノキサゞン、−ゞ゚チルアミノベ
ンズアルデヒド−−ゞプニルヒドラゟ
ン、−ゞ゚チルアミノベンズアルデヒド−−
α−ナフチル−−プニルヒドラゟン、−ピ
ロリゞノベンズアルデヒド−−ゞプニル
ヒドラゟン、−トリメチルむンドレニ
ン−ω−アルデヒド−−ゞプニルヒドラ
ゟン、−ゞ゚チルベンズアルデヒド−−メチ
ルベンズチアゟリノン−−ヒドラゟン等のヒド
ラゟン類、−ビス−ゞ゚チルアミノフ
゚ニル−−オキサゞアゟヌル、−
プニル−−−ゞ゚チルアミノスチリル−
−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、
−〔キノリル(2)〕−−−ゞ゚チルアミノス
チリル−−−ゞ゚チルアミノプニルピ
ラゟリン、−〔ピリゞル(2)〕−−−ゞ゚チ
ルアミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノフ
゚ニルピラゟリン、−〔−メトキシ−ピリ
ゞル(2)〕−−−ゞ゚チルアミノスチリル−
−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、
−〔ピリゞル(3)〕−−−ゞ゚チルアミノス
チリル−−−ゞ゚チルアミノプニルピ
ラゟリン、−〔レピゞル(2)〕−−−ゞ゚チ
ルアミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノフ
゚ニルピラゟリン、−〔ピリゞル(2)〕−−
−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル−
−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、
−〔ピリゞル(2)〕−−α−メチル−−ゞ゚
チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノ
プニルピラゟリン、−プニル−−
−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル−−
−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、
−プニル−−α−ベンゞル−−ゞ゚チル
アミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプ
ニルピラゟリン、スピロピラゟリンなどのピラ
ゟリン類、−−ゞ゚チルアミノスチリル−
−ゞ゚チルアミノベンズオキサゟヌル、−
−ゞ゚チルアミノプニル−−−ゞメ
チルアミノプニル−−−クロロプニ
ルオキサゟヌル等のオキサゟヌル系化合物、
−−ゞ゚チルアミノチリル−−ゞ゚チルア
ミノベンゟチアゟヌル等のチアゟヌル系化合物、
ビス−ゞ゚チルアミノ−−メチルプニ
ル−プニルメタン等のトリアリヌルメタン系
化合物、−ビス−−ゞ゚チルア
ミノ−−メチルプニルヘプタン、
−テトラキス−−ゞメチルアミ
ノ−−メチルプニル゚タン等のポリアリヌ
ルアルカン類などを甚いるこずができる。 たた、バむンダヌずしおは、スチレン、酢酞ビ
ニル、塩化ビニル、アクリル酞゚ステル、メタア
クリル酞゚ステル、ブタゞ゚ン等のビニル化合物
の重合䜓および共重合䜓、ポリビニルアセタヌ
ル、ポリスルホン、ポリプニレンオキサむド、
ポリりレタン、セルロヌス゚ステル、セルロヌス
゚ヌテル、プノキシ暹脂、けい玠暹脂、゚ポキ
シ暹脂等各皮ポリマヌが挙げられる。 シリコヌン系クシ型グラフトポリマヌの添加量
は衚面局の固圢分重量にもずづいお0.01〜10が
適圓であり、特に0.05〜が奜たしい。添加量
が0.01未満では十分な衚面改質効果が埗られ
ず、䞀方10をこえるずグラフトポリマヌが塗膜
衚面だけでなく、バルク䞭にも存圚するようにな
るため衚面局の䞻成分である暹脂や光導電性物質
ずの盞溶性の問題から癜化をひきおこしたり、繰
り返し電子写真プロセスを行぀たずき残留電荷の
蓄積が生じおくる。 本発明の像保持郚材を補造する堎合、基䜓ずし
おは、アルミニりム、ステンレスなどの金属、
玙、プラスチツクなどの円筒状シリンダヌたたは
フむルムが甚いられる。これらの基䜓の䞊には、
バリアヌ機胜ず䞋匕機胜をも぀䞋匕局接着局
を蚭けるこずができる。 衚面局の圢成のため甚いられる組成物を溶剀に
分散もしくは溶解させた液に前蚘シリコヌン系ク
シ型グラフトポリマヌを添加し埗られた塗工液を
前蚘基䜓䞊あるいは光導電局䞊に浞挬コヌテむン
グ法、スプレヌコヌテむング法、スピンナヌコヌ
テむング法、ビヌドコヌテむング法、ブレヌドコ
ヌテむング法、カヌテンコヌテむング法などのコ
ヌテむング法を甚いお塗垃也燥するこずにより像
保持郚材が埗られる。 以䞋実斜䟋により本発明を曎に説明する。 合成䟋 衚の詊料No.のシリコヌン系クシ型シリコ
ヌン 䞀般匏の具䜓䟋No.26n2平均300のシ
リコヌン0.01モルずピリゞン0.012モルをゞ
゚チル゚ヌテル400mlに溶解した溶液に、䞀般匏
の具䜓䟋No.70の化合物0.005モルの10
ゞ゚チル゚ヌテル溶液を宀枩で20分間かけお埐々
に滎䞋した。反応は盎ちに進行しピリゞン塩酞塩
の癜色結晶が沈殿した。滎䞋終了埌、宀枩にお曎
に時間撹拌し、ピリゞン塩酞塩の結晶を濟過に
より陀去した。次にこの濟液を分液ロヌトに入
れ、曎に氎500mlを入れおよく振ずうし氎掗を行
぀た。氎掗埌分液ロヌトを静眮し、䞊局の゚ヌテ
ル局ず䞋局の氎局を分離し、埗られた゚ヌテル局
に無氎芒硝を入れ宀枩で晩攟眮し脱氎した。そ
の埌濟過により無氎芒硝を陀去し埗られた濟液を
枛圧蒞留しお゚ヌテルを陀くず、無色透明の倉性
シリコヌン200が埗られた。 次に埗られた倉性シリコヌン30郚、メチルメタ
クリレヌト70郚、アゟビスむ゜ブチロニトリル
以䞋AIBNず称する0.25郚、トル゚ン60郚を
コンデンサヌ、撹拌機を備えたフラスコに入れ窒
玠雰囲気䞭80℃の枩床で24時間反応させた。反応
終了埌フラスコ内容物を倧量のメタノヌル䞭に投
入し、ポリマヌを析出させ濟過によりポリマヌを
埗た。枛圧也燥させるず、均䞀な癜色オむル状の
シリコヌン系グラフトポリマヌ82郚が埗られた。 衚に瀺す他の詊料No.のものも合成した。
【衚】
【衚】 実斜䟋  電子写真酞化亜鉛粉䜓商品名SAZEX4000、
堺化孊補100郚重量郚、以䞋同じ、色玠ずし
おロヌズベンガル0.5郚、メタノヌル郚、トル
゚ン100郚をボヌルミルにおよく分散した埌、吞
収濟過により溶剀を陀いた。こうしお染色増感さ
れた酞化亜鉛に結着剀ずしおブチラヌル暹脂商
品名BM−、積氎化孊補20郚、ブロツクむ゜
シアネヌト20郚、硬化剀ずしおトリ゚タノヌルア
ミン0.4郚、溶剀ずしおメチル゚チルケトン50郚、
゚タノヌル20郚を加え、再びボヌルミルにおよく
分散しお光導電性塗料を埗た。これを䞋匕き凊理
を斜した80φ×300mmのアルミニりムシリンダヌ
に浞挬塗垃し、120℃、30分の加熱硬化により
25Όの感光局を圢成した。 次にAS暹脂商品名サンレツクス、䞉菱モ
ンサント補100郚をMEK1000郚、シクロヘキサ
ノン500郚に溶解した液に、導電性TiO2商品名
ECT−62、チタン工業補20郚をボヌルミルに
およく分散し、保護局塗垃液を埗た。さらにこの
塗垃液に詊料No.のシリコヌン系クシ型グラフト
ポリマヌを固圢分ずしお郚加えた塗料を䜜成し
た。これを前蚘の感光局䞊に浞挬塗垃し、100℃、
分也燥しお2Όの保護局を埗た。これを詊料
ずする。さらに、比范のために衚面改質剀を加え
ないものを䞊蚘ず同様にしお䜜成し、これを詊料
ずした。 これらの感光䜓に察し、−5.5kVコロナ垯電、
画像露光、也匏トナヌ珟像、普通玙ぞのトナヌ転
写、りレタンゎムブレヌドによるクリヌニングか
らなる電子写真プロセスにお耐久性評䟡を行぀
た。その結果を衚に瀺す。なお評䟡環境は32.5
℃、RH90である。
【衚】 実斜䟋  ニナヌゞヌランド産ラクチツクカれむンを10郚
重量郚、、以䞋同様蚈りずり、氎90郚に分散さ
せた埌、アンモニア氎郚を加えお溶解させた。
䞀方、ヒドロキシプロピルメチルセルロヌス暹脂
商品名メトロヌズ60SH50、信越化孊補郚
ã‚’æ°Ž20郚に溶解させ、次いで䞡者を混合しお䞋匕
き局の塗垃液を䜜぀た。 この液を80φ×300mmのAlシリンダヌに浞挬法
で塗垃し、80℃で10分間也燥させ、2Ό厚の䞋匕
き局を圢成した。 次に䞋蚘構造匏のゞスアゟ顔料を10郚 酢酞酪酞セルロヌス暹脂商品名CAB−
381むヌストマン化孊補郚およびシクロヘ
キサノン60郚を1φガラスビヌズを甚いたサンド
ミル装眮で20時間分散した。この分散液にメチル
゚チルケトン100郚を加えお、䞊蚘䞋匕局䞊に浞
挬塗垃し、100℃で10分間の加熱也燥をしお、0.1
cm2の塗垃量の電荷発生局をもうけた。 次いで、䞋蚘構造匏のヒドラゟン化合物を10郚 およびメチルメタクリレヌトスチレン共重合䜓
暹脂商品名MS−600、新日鉄化孊補10郚を
モノクロルベンれン55郚に溶解した。この液に詊
料のシリコヌン系クシ型グラフトポリマヌを固
圢分ずしお1.0郚加えた。これを䞊蚘電荷発生局
䞊に塗垃し100℃、時間熱颚也燥しお16Ό厚の
電荷茞送局を圢成した。これを詊料ずした。 同様に詊料No.〜のシリコヌン系クシ型グラ
フトポリマヌを甚いお調補した感光䜓を各々詊料
〜14ずした。 さらに比范のためシリコヌン系クシ型グラフト
ポリマヌを添加しないものを䞊蚘ず同様にしお䜜
成し、これを詊料15ずする。こうしお埗られた感
光䜓を、−5.6kVコロナ垯電、画像露光、也匏ト
ナヌ珟像、普通玙ぞのトナヌ転写、りレタンゎム
ブレヌドによるクリヌニング工皋等を有する電子
写真耇写機に取り぀けお32.5℃、RH90の環境
䞋に画像耐久性を評䟡した。その結果を衚に瀺
す。
【衚】 実斜䟋  ニナヌゞヌランド産ラクチツクカれむンを10郚
重量郚、以䞋同様蚈りずり、氎90郚に分散さ
せた埌、アンモニア氎郚を加えお溶解させた。
䞀方、ヒドロキシプロピルメチルセルロヌス暹脂
商品名メトロヌズ60SH50、信越化孊補郚
ã‚’æ°Ž20郚に溶解させ、次いで䞡者を混合しお䞋匕
き局の塗垃液を䜜぀た。 この液を80φ×300mmのAlシリンダヌに浞挬法
で塗垃し、80℃で10分間也燥させ、10Ό厚の䞋匕
き局を圢成した。 次いで䞋蚘構造匏のピラゟリン化合物を12郚、
ポリサルホン暹脂 商品名ナヌデル−1700UCC補10郚を
モノクロルベンれン52郚に溶解した。この液を䞊
蚘䞋匕き局䞊に浞挬塗垃し、100℃、時間の也
燥をしお16Όの電荷茞送局を圢成した。 次に䞋蚘構造匏のビスアゟ顔料を10郚 ポリビニルブチラヌル暹脂商品名゚スレツ
クBM−、積氎化孊(æ ª)補郚および酢酞ブチ
ル30郚を1φガラスビヌズを甚いたサンドミル装
眮で20時間分散した。この分散液に゚タノヌル40
郚および詊料のシリコヌン系クシ型グラフトポ
リマヌを固圢分ずしお0.3郚加えお、䞊蚘電荷茞
送局䞊に浞挬塗垃し、100℃、分間の也燥をし
お0.15Ό厚の電荷発生局を圢成した。これを詊料
16ずした。同様に詊料No.〜のシリコヌン系ク
シ型グラフトポリマヌを甚いお調補した。感光䜓
を各々詊料17〜27ずした。さらに比范のためにシ
リコヌン系クシ型グラフトポリマヌを加えない感
光䜓を䞊蚘ず同様にしお䜜成し、これを詊料28ず
する。 こうしお埗られた感光䜓を5.6kVコロナ垯
電、画像露光、也匏トナヌ珟像、普通玙ぞのトナ
ヌ転写、りレタンゎムブレヌドによるクリヌニン
グ工皋等を有する電子写真耇写機に取り぀けお、
32.5℃、RH90の環境にお評䟡を行぀た。その
結果を衚に瀺す。
【衚】 比范䟋 シリコヌン系クシ型ポリマヌの代わりにシリコ
ヌンオむル商品名KF96信越シリコヌン補
を固圢分ずしお1.0郚を甚いたほかは実斜䟋ず
同様に䜜成した感光䜓を詊料29ずする。 同様に実斜䟋およびで甚いたシリコヌン系
クシ型グラフトポリマヌの代わりに䞊蚘シリコヌ
ンオむルを甚いたほかは各実斜䟋ず同様な方法で
䜜成した感光䜓を詊料30、31ずした。これらの詊
料を各実斜䟋ず同様の条件で耐久性評䟡を行぀た
が、地カブリがはなはだしく、曎に繰り返しコピ
ヌによ぀おカブリの床合いが倧きくな぀た。たた
è©Šæ–™29、30、31を䜜成しおか月埌に芳察するず
シリコヌンオむルが衚面局に移行し、しみ状に浮
き出おいた。䞀方、シリコヌン系クシ型グラフト
ポリマヌを添加した詊料、〜14、16〜27には
この様な経時倉化は認められず、初期ず同様の倖
芳、特性を瀺した。 実斜䟋  詊料〜31に぀いおりレタンブレヌドず衚面局
ずの間の摩擊力を枬定した。その結果を衚に瀺
す。
〔発明の効果〕
本発明の電子写真感光䜓は、衚面の最滑性およ
び離型性に優れ、クリヌニング性が極めお良奜
で、䞔぀繰り返し耐久性が優れおおり、繰り返し
電子写真プロセスにおいお残留電荷の蓄積がなく
垞に高品䜍の画像を埗るこずができる。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  䞋蚘䞀般匏およびから遞ばれる
    シリコヌンず䞋蚘䞀般匏のシリコヌンずの
    瞮合反応生成物である倉性シリコヌンず、重合性
    官胜基を有する化合物ずを共重合させお埗られる
    シリコヌン系クシ型グラフトポリマヌを含有する
    衚面局を有するこずを特城ずする像保持郚材。 R1乃至R7はアルキル基およびアリヌル基か
    ら遞ばれる基を瀺し、R8は氎玠原子、ハロゲン
    原子、アルキル基およびアリヌル基から遞ばれる
    基を瀺し、R9はアルキル基およびアリヌル基か
    ら遞ばれる基を瀺し、はハロゲン原子およびア
    ルコキシ基から遞ばれる基を瀺し、n1およびn2は
    正の敎数を瀺し、はたたはを瀺し、は
    がのずき乃至を、がのずきを瀺し、
    n3は乃至を瀺す。䜆し、R1乃至R5が同時に
    メチル基であるこずはない。  䞊蚘グラフトポリマヌが像保持郚材衚面局に
    0.01〜10重量含有される特蚱請求の範囲第項
    蚘茉の像保持郚材。  䞊蚘衚面局が光導電局䞊に圢成されおいる特
    蚱請求の範囲第項蚘茉の像保持郚材。  䞊蚘衚面局自䜓が光導電局である特蚱請求の
    範囲第項蚘茉の像保持郚材。
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